半導体レーザーの動作特性
「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」
... Nd:YAG レーザー（1064nm）では、吸収係数が高く、スペクトル帯域が広い 808nm 帯で励起していました。ところが、固体レーザーの発振波長と励起光源との差は、 熱になってしまうため、効率を良くするために、固体レーザーの発振波長に近い波長帯の 励起光源が求められています。Nd:YAG には、885nm ...
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半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 目次 第 7 章有機薄膜太陽電池の基礎 有機薄膜太陽電池の原理 有機薄膜太陽電池の構造 有機半導体活性層 半導体 有機半導体と活性層 太陽
... 7-8 のように p 型半導体として 働く導電性ポリマーと n 型半導体との半導体界面が 2 次元的である。このため大き な pn 界面を得られないため、電荷分離界面が大きくなりにくい。しかし、p 型、n 型ともに電極への直接的な経路を持っているため、電荷輸送効率は高いといえる。 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 数とは、任意の位置にピーク値を持つことができ、ピークの幅も変えることができる。この 特性を用いることにより、デバイスのプロセスが変わってもモデル式の変数値のみ変更す るだけでモデリングを行えるため、ピーク関数を用いて関数モデルを考案した。多項式近似 でモデル化できるという考えもあるが、デバイスのプロセスが変わった際に変数値を変化 ...
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Nippon Laser Igakkaishi 総説 REVIEW ARTICLE 動物の自然発症腫瘍に対する半導体レーザーとインドシアニングリーン修飾リポソーム (ICG-lipo) を用いた光線力学的療法の治療成績 岡本芳晴 1, 山下真路 2, 大﨑智弘 1, 東和生 1, 伊藤典彦 1, 村
... 般状態の改善を認めたことは本治療法の有効性を示すも のであると思われる．一般状態の評価は抗腫瘍効果の結 果と関連していた．すなわち，抗腫瘍効果判定で PD（悪 化）と判定した症例は一般状態でも悪化と判定された． 副作用については 3 例（8%）に認められた．そのほと んどが投与直後のアナフィラキシー様症状（呼吸速迫， ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ＣＪを取り上げるのは、同業他社に比べそのパフォーマンスの高さが際立っているからであり、そ のため、同社には、同業他社からの訪問・ベンチマーク依頼が相次いでいるという。実際、生産 性に関する諸指標をベンチマークを実施した同業５社平均とで比較すると（表１参照）、同社の水 準は、サイクルタイム、最大ラインイールド、１人当たり労働生産性、C/R 生産能力(per 1 ㎡）、 ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 別途、書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り、当社は、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切の保証（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的 への合致の保証、情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。 • ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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歩行運動に関する生体力学的研究 : 多様な歩行条件における動作特性と歩行運動指導への応用
... 1992 : Motion analysis of walking during step over the different height of obstacle: In case of aged persons and students. 3th International Congress on Biomechanics abstract : 467 - 469[r] ...
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実習 K: ダイオード 1. 目的 pn 接合半導体整流器の電圧電流特性を測定し 半導体の物理的性質および整流器としての整流作用を理解する 2. ダイオード ダイオードとは二つの電極 ( アノード (A) とカソード (K)) を持った半導体の総称で 最も基本的な非 線形素子である 図 K1 に今回
... （２）次にベース電流（ Ib ）を 0.01mA（10μA） にし、同様に、コレクタ・エミッタ電圧（ Vce ）を 0～10V 変化させ、コレクタ電流（ Ic ）を測定する。この際、一度 Ib を設定しても Vce を変えると Ib の値 が変化する。このように Ib と Vce の調整はお互いに影響するので、両方の値が測定の目的に 叶う様、その都度調整・設定して実験を続ける。 ...
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半導体技術分野の重要技術説明資料
... 一方、記録方式そのものを見直すアプローチの代表技術が、パターン媒体記録再生方式であ る。従来の記録方式では垂直記録方式も含めて、記録媒体の磁性膜として多結晶の連続膜が 用いられる。この方式では、面内/垂直のいずれの記録方式においても、ビット境界がサイズ ...
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通信用半導体レーザの開発
... GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップの狭い層が電子の平均自由工程程度の厚み （数 10 ...
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RIETI - 汎用技術としての半導体
... 業務設計と組織構造 インターフェイスの抽象化と各モジュールの分権化は、半導体製造装置メーカーの登場 によって強まった。これも最初は半導体メーカーの使っている装置を外販するものだった が、次第に専業メーカーがあらわれ、特に半導体露光装置ではニコン・キャノンの 2 社で ...
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ディスクリート半導体の基礎
... ② Nch MOSがオン状態になるとコレクタ電極が＋電位で有るため、コレクタ側のP+層からN+層を経由してN-層に 正孔(ホール：＋電荷)が注入され、この注入された正孔によりエミッタ側からの電子の注入が加速されます。 ③ その結果、本来高抵抗層であるN-層における電子・正孔量すなわちキャリア量が増加しN-層の抵抗値を下げる 働きをします。（導電度変調） ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 特に圧力の面から大型設備は大変困難と考えられる。また結晶成長速度が遅いため長時間運転が ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 5.6 結言 ··························································································· 86 第 5 章の参考文献 ················································································ 87 第 6 章 ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 再生光スポットをディスクの記録トラックに照射することにより昇温 し、中間の「スイッチング層」のキュリー温度以上の領域では磁化 が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。 • 移動層に転写されていたマークを保持しておく力の一つである交 換結合力が解消されることで、記録マークを形成する磁区の周り ...
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物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2) 半導体レーザーと光通信
... • 光増幅器は、エルビウム（Er）イオンをドープした光ファイバー（Ｅ ＤＦ:Erbium Doped Fiber）と励起レーザーから構成されており、 励起光といわれる強いレーザーと減衰した信号光を同時にＥＤＦ 中に入れることによって、Erイオンの誘導増幅作用により励起 光のエネルギーを利用して信号光を増幅することができる。 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 本論文の構成は以下の通りである。 第 2 章では、試料作製から評価方法まで、本研究で使用したプロセスである、洗浄方法、マイクロ波プ ラズマ CVD による合成方法、SIMS による不純物深さ分布の測定方法、電極形成方法、接触抵抗を解 析する輸送長（transfer length method: TLM）法についての詳細を述べる。 ...
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