半導体デバイス等の歪み解析
半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... 本技術の長所としては、 HVPE 法に比べて原料利用効率が良く、製造コストを抑制することが できるという利点があると主張されている。また成長速度が遅いため欠陥密度が低い良質な結晶 が育成できるとされている。 短所としては、超臨界状態を達成するために、高温高圧（ 600℃、200MPa など）が必要であり、 特に圧力の面から大型設備は大変困難と考えられる。また結晶成長速度が遅いため長時間運転が ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 6.3 評価方法の概要 実際の積層構造パッケージにおいて発生した問題を解決するためには，三次元高密度 パッケージ中の残留応力とデバイス特性変動の予測技術の確立が必要になる．デバイス 特性の応力効果による変動の評価方法として，最も簡単なものはピエゾ効果を利用した ...
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通信用半導体レーザの開発
... GaInAsP のような化合 物半導体は、その組成を変えることで格子定数とバンド ギャップを変化させることができるが、バンドギャップの 異なる 2 つの薄層を交互に積み上げると、電子・正孔がバ ンドギャップの低い層に閉じ込められる構造ができる。バ ンドギャップの狭い層が電子の平均自由工程程度の厚み （数 10 ...
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電子政府 電子基盤 電子医療 電子商取引等の振興においての他省庁の支援 インターネットサービスおよびプラットフォームに関するガバナンス 国内の半導体デバイス製造促進に関連する問題への対応 IT 関連問題における国際機関との連携 デジタル デバイド解消 メディア ラボ アジア関連問題への対応 IT 分
... の落札額に相当する金額 1,284 億 7,770 万 INR が BSNL/MTNL から政府に支 払われた。 ３）サービス開始 3G サービスについては、BSNL/MTNL がそれぞれ 2008 年 12 月、2009 年 2 月 から開始、民間企業では 2010 年 11 月から Tata がサービスを開始している。その ほかの企業においても 2010 年末から 2011 年初めにかけて、3G ...
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北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... することで、ACC の補償電圧の影響を受けることなく出力信号を検出できる。デッドタイ ム補償ならびに ACC では、どちらもインバータの出力電圧と DC リンク電圧を用いるため、 一つの基板に収めることで配線を共有でき小型な補償回路を構築することができる。高周 波補償形 ACC の改良で OP アンプを使う場合、基準電位等で DC ...
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2015 OEG セミナー 次世代パワーデバイスの評価 解析 2015 年 7 月 14 日 信頼性解析事業部 解析センタ 長谷川覚 Copyright 2015 Oki Engineering Co., Ltd.
... Ref2:https://www.semicon.sanken-ele.co.jp/guide/GaNSiC.html Ref1:コロナ社 ワイドギャップ半導体パワーデバイス 山本秀和著 1.1 はじめに パワーデバイスは、電力変換用のスイッチング素子として使用されている ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 4H-SiC のバンドギャップを計算すると、PBE では ...PBE の数十倍である。 地球シミュレータの計算ノードが NEC の SX-9 ベースに更新されたため、VASP コードのチュー ニングを以前と同様に対角化や三次元 FFT のルーチンを地球シミュレータにチューニングされたもの と置き換えることにより行った。1017 ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... このスライドに記載されている、ソニーの現在の計画、見通し、戦略、確信などのうち、歴史的事実でないも のは、将来の業績に関する見通しです。将来の業績に関する見通しは、将来の営業活動や業績、出来事・ 状況に関する説明における「確信」、「期待」、「計画」、「戦略」、「見込み」、「想定」、「予測」、「予想」、「目 ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... みならず製造・生産技術部門の再生・強化策をも不可欠であるとの感が強い。本論の目的は、こ のような現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造部門のありうべき再生・ 強化策を、ＵＭＣＪの生産システムを通して探ることである。 ＵＭＣＪを取り上げるのは、同業他社 ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 原則として仕様書への添付とするが、仕様変更等により当社が要求した場合は都度提出する。 ３．ＲｏＨＳ６物質（Ｃｄ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｒ6+、ＰＢＢ、ＰＢＤＥ）分析データ 当社に納入する製品（部材）に関して、当社が要求した場合はＲｏＨＳ６物質の不含有（閾値未満）の 証明として精密分析データを提出する。分析方法は、①ＩＣＰ-ＯＥＳ（誘導結合プラズマ発光分光分析）、 ...
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研究部 歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造の応力制御 研究代表者名山梨大学大学院 医学工学総合研究部 有元圭介 研究分担者名東北大学 金属材料研究所 宇佐美徳隆 1. はじめに圧縮歪み Si/Si1-xCx ヘテロ構造は 従来素子の 2 倍の高正孔移動度が期待される半導体薄膜構造である 移動度を
... 埼玉大学・大学院理工学研究科・折原操 東北大学・金属材料研究所・片山竜二 １．はじめに AlN, GaN, InN およびこれらの混晶である窒化物半導体は直接遷移型であり、且つ広範なバンドギャップをカ バーするため、紫外から赤外までの発光デバイス材料や、高効率多接合タンデム太陽電池材料としての検討がなさ ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。 • ...
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ディスクリート半導体の基礎
... •本製品は、特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、も しくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”という）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。 特定用途には原子力関連機器、航空・宇宙機器、医療機器（ヘルスケア除く）、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御 ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 成することができる。エッジ強度を焦点測度として使用するためには、バンド パスフィルタの周波数特性を正しく調整する必要がある。 レビュー SEM のオートフォーカス処理においては、多種多様な外観を持つ画 像に対応したバンドパスフィルタが必要となる。半導体チップの中には回路パ ターンが形成されていない領域 (回路パターンなし領域) が存在し、回路パター ...
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2019年 6月 算生会ソフト ２次元ＦＥＭ ソフト番号 ソフト名称 概要 ページ A3H ２次元構造解析 軸対称を含む２次元の弾性問題を解く有限要素法ソ フト 3 A7H ２次元熱応力解析 平面応力 歪み 軸対称体の熱応力弾性解析を行な う有限要素法ソフト 8 A10H ２Ｄ非線形弾性解析 軸対称
... 部材２Ｄ振動応答解析（有限要素法）ソフト ［ソフト番号］D7H ［価格］2000円、 他に「部材２次元体解析」ソフトが必要。 算生会「部材２次元体解析」の構造データを用いて、任意の振動外力に対する時間的応答を解析 するものです。本ソフトは、上記構造解析データから振動応答解析用の ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... FIB の微細加工技術に頼ることになる。 従来の試料作製技術では平面 TEM 試料の多くは Si 基板の観察であって、特定の配線層の みを平面 TEM 観察する試料は非常に作製困難で歩留まりも悪いとされていた。しかし FIB の μサンプリング機能を用いると上記のような試料作製も可能である。 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... が前半と後半の時にミスマッチの影響が大きく出てしまい、中心値付近のみ相対直線から の差が小さく量子化誤差も小さいため INL と DNL が 0 に近くなったと考えられる。 パワースペクトル解析評価では、魔方陣を応用したアルゴリズムで線形性が改善されて いるため、高調波成分が減少したのだと考えられる。 ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 晶は、得られていなかった。バンドギャップも大きく、光 デバイスとしては、可視光から紫外光をカバーする事が出 来る。このように異質な窒化物系化合物半導体は、従来の 化合物半導体のようなバルク結晶が得られないため、その デバイスは、サファイアなどの全く異なる異種材料からな る異種基板上へのヘテロエピによって登場した。1993 年 ...
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パワー半導体デバイス
... 以 降 民 生 機 器 産 業 機 器 自 動 車 向 全 体 70 程 度 占 測 い 最 大 場 民 生 機 器 既 物 家 電 向 堅 調 増 測 い 一 方 PC や 等 中 心 情 報 機 器 向 数 多 い PC 入 替 わ 全 体 微 減 傾 向 あ 無 線 機 器 Wireless Communication 向 ...
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