半導体デバイスの並列化
半導体デバイスの信頼性
... 光学損傷の発生原因は、活性層の反尃面近傍領域がレーザ光に対する吸収領域になっていること にある。GaAs や InP などの結晶表面には表面準位が多く、これを介した非発光再結合が多い。 反尃面近傍の活性層のキャリヤーはこの非発光再結合によって失われるから、反尃面近傍の活性層の ...
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セグメント変更について FY09 エレクトロニクス コンスーマープロダクツ & デバイス テレビデジタルイメージングオーディオ ビデオ半導体コンポーネント SLCD の持分法による投資損益は コンスーマープロダクツ & デバイス の営業損益に含まれています PC その他ネットワークビジネス は PC
... (8.4%) (4.9%) 54 • 為替の影響や世界的な景気後退によって全世界における音楽 パッケージ市場の縮小が加速していることにより減収 • ボブ・ディランの「トゥゲザー・スルー・ライフ」、Dave Matthews Bandの 「Big Whiskey and the GrooGrux King」、キングス・オブ・レオンの ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 介した。相転移による電気抵抗の変化をメモリに応用したデバイスでは、書き込み消去 の動作と結晶状態の変化を UHVEM を用いて対応付けることができた。また GaAs 超 格子を用いた通信用半導体素子基板ではエピタキシャル層の異常成長の原因が GaAs 基板上にあることを、やはり UHVEM によって突き止めプロセス改善に寄与した。 ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 5.6 結言 ··························································································· 86 第 5 章の参考文献 ················································································ 87 第 6 章 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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マルチコア商用スマートディバイスの 評価と並列化の試み
... Tick値の影響 （ARM） 一定時間間隔でタイマ割り込みを発生させる頻度 100HZから200ＨＺ程度 割り込み処理で、時間関連のソフトウェアイベントを処理 割り込み処理のコストは一定 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... GaN の溶解度の温度依存性を利用して、基本的に は高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN を得る技術である。ただし、成長部と原料溶解部の温度関係が逆の 場合もあり、主に鉱化剤の種類や温度、圧力の設定により異なる。本手法は ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... • 特に高電子移動度トランジスタ(HEMT)や ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)などの 超高速素子や、これらを基礎とした将来デ バイスである、量子効果・ナノデバイスとそ の応用について学ぶ。 ...
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軽量なパワーデバイス 或いは Si 半導体デバイスでは実現できない過酷な環境で動作する耐熱 耐放射線性デバイスの作製材料として期待されている さらに SiC は Si 同様熱酸化により絶縁膜を作製できるため 次世代の MOS(Metal Oxide Semiconductor) 型パワーデバイスの作
... 4H-SiC のバンドギャップを計算すると、PBE では ...PBE の数十倍である。 地球シミュレータの計算ノードが NEC の SX-9 ベースに更新されたため、VASP コードのチュー ニングを以前と同様に対角化や三次元 FFT のルーチンを地球シミュレータにチューニングされたもの と置き換えることにより行った。1017 ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... ダイヤモンド電子デバイス応用において、n 型ダイヤモンド薄膜や電極との界面における電子輸送お よび n 型オーミックコンタクトの実現に関する課題は、最重要課題に位置付けられており、本研究の実験 や数値計算により、n 型ダイヤモンドにおける課題解決の道筋を立てることは重要な一歩である。 本論文の構成 ...
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リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 図 4.11 に、電極間隔 10 μm を有する MHM 構造における I-V 特性の実験結果と、図 4.9(a)のバンド伝 導および(b)のホッピング伝導を想定したときのショットキー障壁の高さを変数とした I-V 特性の数値計 算結果を示す。ショットキー障壁の高さを 3.3 eV にしたときに、実線で示すホッピング伝導を想定した ...
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米中摩擦懸念も IoT ビッグデータなどの情報爆発で構造変化続く 半導体: 産業のコメから社会基盤全体のコメへ改めて拡大続く 半導体製造装置: 半導体生産増受け前工程中心に 2019 年も拡大 産業用ロボット: インダストリ 4.0 無人化 省力化需要高まる 工作機械: 高機能自動車 半導体製造に不
... 261 億ドル上方修正され、12.4％増の 4634 億ドル予測とし、調査ごとの上方修正が続いて いる。また 2019 年についても拡大を続け、4.4％増の 4837 億ドル予想とした。16～19 年 にかけ４年連続の前年比プラスとなる予想であるが、02～07 年にかけ 6 年連続で成長して ...
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半導体メモリデバイスに対する陽子入射シングル イベントアップセット断面積の計算
... 序： 研究背景 中間エネルギー領域の核子入射核反応 の知識・情報 ⇒ 原子核物理以外の理工学分野への応用 半導体デバイス分野 ： 宇宙、航空機、原子力、加速器施設で使用 ...
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半導体量子デバイスの多様な展開
... 活性層 のバンド構造模式図を示す。活性層は、サブバンド間の遷 移によって光子を放出する発光層と、トンネル効果により キャリアを輸送する注入層の二つの領域が一つの単位構造 を形成し、これが多段に連なっている。まさしく、階段状 に連続した滝（カスケード）のように、キャリアが各段を 流れ落ちる際に、光学的な利得が生じることにより、レー ...
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Feベース新規強磁性半導体およびそのヘテロ構造の物性とデバイス応用
... In chapter 4 we studied the band structure of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As, using tunneling spectroscopy in n-(In,Fe)As/p-InAs spin Esaki diodes.. Whe[r] ...
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窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 欠陥を低減するために、結晶成長の際の最表面にピット状 の窪みを形成し、その形状を維持して厚く成長するという ものである。その結果、成長の進行と共に、転位は窪みの 中心部分に集合し、その周辺の領域の転位密度を低減する 事が出来る。この手法により、数百 µm 径程度の広さの低 転位領域を形成する事が出来る。もちろんその後、研磨加 ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 5.1 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズム 電流源並び替えキャリブレーション・アルゴリズムとは、電流源のスイッチング順序をデ コーダにより変更するものである。物理的に電流源の配置を変更するものではない。 DA 変 換器を構成している電流源は理想的には単一の値であるが、各種ミスマッチの影響により それぞれの電流源の値が異なってしまう (図 ...
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パワー半導体デバイス
... 品 の 要 求 項 WG2 Requirements for electronics assemblies 電 子 実 装 の 要 求 項 WG3 Measuring and test methods for electronics assemblies 電 子 実 装 の 測 試 験 方 ...
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化合物半導体デバイス―限りなき可能性を求めて（その2）―
... をチャンネル層とする標準構造 の HEMT の作製も行い、この 2 種類のトランジスタの特性 の温度依存性を評価している。図 3 にこれらのトランジス タの室温および 300 ℃におけるドレイン I-V 特性を示す。 またドレイン電流の温度依存性を図 4 に示す。オン抵抗、 ...
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並列処理の背景
... ダイナミック並列処理を使うと、並列度が異なる入れ子構造のループ、複数の逐次処 理タスクスレッドの並列処理、または単純な逐次処理コードを GPU に割り当てて、 アプリケーションの並列部分とデータの局所性を共有することもできます。 GPU ...
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