半導体デバイスのノイズは
![北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App](data:image/gif;base64,R0lGODlhAQABAIAAAP///wAAACH5BAEAAAAALAAAAAABAAEAAAICRAEAOw==)
北海道大学大学院情報科学研究科 [ 博士論文 ] 次世代パワー半導体デバイスの適用を考慮した高周波 PWM インバータのひずみ ノイズ低減に関する研究 Study of Reducing Distortion and Noise of High-frequency PWM Inverters App
... B のパルス幅は異なるが、その平均値は等し くなる。これにより、実質的にどんな細い入力信号のパルスも補償可能となり、入力信号 のパルス幅の制限がなくなり電圧利用率を理論限界にまで引き上げることが可能となる。 提案法のブロック線図を ...Y は設定後の動作を示している。誤差カウンタは A と B ...
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Title Author(s) 先端半導体デバイス対応欠陥レビュー走査型電子顕微鏡の画像処理技術に関する研究 原田, 実 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI /7258
... 焦点測度算出処理について説明する。焦点位置が適切な場合は鮮明な画像が 得られ、不適切な場合は不鮮明な画像が得られることから、画像に含まれるエッ ジの強度を焦点測度として利用可能なことが知られている [26]。画像は 1 次元信 号と同じく、周波数に分解して表現することが可能である。一般的に画像は様々 ...
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開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー
... 大幅削減に向け経済産業省が策定した「Cool Earth - エネルギー革新技術計画」でも、重点的に 取り組むべきエネルギー革新技術の 1 つとされている。 現在、パワーデバイスにはシリコン（Si）半導体が使われているが、耐熱、耐電圧、電力損失、 電流密度などに課題があるため、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など新材料の開発が ...
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目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 文献 [6] で報告されているバイアス電圧に対する最大電界分布を観ると、バイアス電圧 (V GS , V DS ) に対してピーク値を持ち、温度依存性を持っていることが分かる (図 3.12) 。正 確な最大電界関数モデルを求めるためには、 2 次元ポアソン方程式に基づいて導出しなけれ ばならないが、導出過程で様々な境界条件を必要とし、その結果，実験により抽出しなけれ ...
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第 2 章太陽電池の要素技術 ( 中級編 ) 18 太陽電池セルには多くの技術が使われている 図 1 太陽電池セル作製プロセスに使われるさまざまな要素技術 単結晶成長技術 太陽電池セルの作製には 図 1に示すように 多くの要素技術が使われています 太陽電池は半導体デバイスですから まず半導体材料作製
... 図1 の（a）に示すよ うに、るつぼに融液を入れて、上部は高温、下部は低温という温度勾配をつけます。 すると（b）のように、底面から結晶核が発生し、成長して融合し、結晶粒が成長し ていきます。結晶粒と結晶粒の境目には粒界が形成されます。さらに成長すると、 ...
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Index はじめに... 3 ノイズリダクション法の種類... 3 次の表に 2 種類の基本的なノイズリダクション技術をまとめています DNR - 空間的ノイズ特定およびリダクション DNR - 時間的ノイズ特定およびリダクション... 4 統合的アプローチの必要性...
... 娯楽目的の動画に含まれるノイズは単に不快であるだけで済みま すが、セキュリティ用途に撮影された動画においては明らかに重 大な問題になる可能性があります。ノイズによって夜間における 被写体の人物や車両ナンバープレートの視認性、あるいはオフィ スや店舗内の暗いエリアの監視などの用途において、その有効性 ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... FIB の微細加工技術に頼ることになる。 従来の試料作製技術では平面 TEM 試料の多くは Si 基板の観察であって、特定の配線層の みを平面 TEM 観察する試料は非常に作製困難で歩留まりも悪いとされていた。しかし FIB の ...
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半導体パッケージの反りと残留応力評価および応力 に起因する電子デバイスの電気的特性変動評価 平成 25 年 2 月 松田和敏
... 5.6 結言 ··························································································· 86 第 5 章の参考文献 ················································································ 87 第 6 章 ...
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この講義のねらい ナノ 量子効果デバイス 前澤宏一 本講義は 超高速 超高周波デバイスの基盤となる化合物半導体 へテロ接合とそれを用いたデバイスに関して学ぶ 特に高電子移動度トランジスタ (HEMT) やヘテロバイポーラトランジスタ (HBT) などの超高速素子や これらを基礎とした将来デバイスであ
... 内容１ 1. 化合物半導体の特徴・応用の紹介 2. 半導体物理のおさらい ① Blochの定理の意味とk空間 ② バンドギャップの物理的基礎 ③ 有効質量とBloch振動 ④ １，２，３次元における状態密度 ⑤ 電子統計 ...
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概要 GaN 系半導体デバイスとして レーザー 高輝度 LED パワー半導体が関心を集め 研究対象となっているが これらデバイスは GaN 基板を必要とする場合が多い GaN 単結晶の製造が技術的に困難なため GaN 基板は極めて高価で GaN 基板を利用したデバイスの実用化を阻んでいるとされている
... GaN の溶解度の温度依存性を利用して、基本的に は高温部（ 600-750℃）で GaN 原料を溶解し、低温部（500-650℃）に設置した種結晶の上に GaN を析出成長させて単結晶 GaN を得る技術である。ただし、成長部と原料溶解部の温度関係が逆の ...
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デジタルICの電源ノイズ対策・デカップリング
... バルクコンデンサは低周波域のインピーダンスをカバーする大容量のコンデンサを指します。電源 供給部の１箇所に配置され、電源モジュールの平滑コンデンサを兼ねている場合もあります。 図 8-6 に示したようにコンデンサのインピーダンスの下限は ESR に、有効周波数範囲の上限は ESL ...
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半導体工学の試験範囲
... （１） ｐｎ 接合の無バイアス状態、順バイアス状態および逆バイアス状態のバンド帯図を描け。 （２）真性半導体のキャリア密度を ｎ i 、熱平衡状態における ｐ 領域とn領域の正孔密度、伝導電子密度 をそれぞれp p 、n p 、および、n n 、p n で表すと,これらの間にはどのような関係が成立するか。 ...
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画像マッチングによる位置特定特性に対するノイズの影響
... 7 のように特定面積も建物か ら離れるほど縮少する。これは，建物から離れて撮影す ると，画像の精細度が増加し，エッジ検出をする際に建 物の特徴が強調されるためである。すなわち縦方向の拡 大処理マッチングにおいて撮影画像とデータベース画像 との相関が高くなるためと考えられる。しかし，データ ベースの撮影位置から離れ過ぎると，撮影距離 ...
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インバータの上手な使い方（電気ノイズ予防対策について）
... 2 ノイズの伝 搬 ルート 2.2.1 伝 導 ノイズ イ ン バ ー タ 内 で 発 生 し た ノ イ ズ が ， 導 体 を 伝 わ っ て 周 辺 の 機 器 へ 影 響 を 与 え る の が 伝 導 ノ イ ズ で す 。 ① の 主 回 路 を 伝 わ っ て 電 源 を 経 由 し て の 伝 達 が あ り ま す 。 ま ...
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AN0002.0: EFM32 および EZR32 Wireless MCU シリーズ 0 ハードウェア設計上の考慮事項デバイスの互換性 第 1 章デバイスの互換性このアプリケーション ノートは複数のデバイス ファミリを対象にしています 一部の機能はデバイスによって異なります EFM32 シリーズ
... µF のコンデンサを使用して、内部電圧レギュレータの電源ドメインの過渡電流をフィルタリングします。 で説明されているように、10 µF の共通デカップリング・コンデンサの他に、10 nF のデカップリング・コンデンサが各電源ピンに接 続されています。デジタル電源は、EMI ...
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ディスクリート半導体の基礎
... =600V の場合、 R drift >> R ch > R J-FET , R N+ , R sub となり R drift でR DS(ON) は決定されますが、 V DSS =30V の場合、 R ch >> R drif t > R N+ , R sub となりトレンチMOSによる微細化でR DS(ON) を下げる事が出来ます。 ① ...
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ディスクリート半導体の基礎
... • 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。 • 本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。 • ...
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製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 富士電機㈱電子デバイス事業本部及びその生産会社に納入される納入品リスト記載の 当社製品に、「含有禁止物質情報」の欄に記載された禁止物質を除き、下表の禁止物質 が意図的に含有しない事を保証します。 RoHS/ELV指令物質およびパッケージ指令物質に関しては、不純物も含め「製品含有化学 物質に関する指針【半導体製品編】第5版」 ...
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様式 研究成果の概要 窒化アルミニウム (AlN) などの窒化物半導体は, ワイドギャップ半導体として次世代の発光素子, 太陽電池およびハイパワー半導体素子として注目され, 世界的に開発競争が激しい研究分野である. 素子として適応できる窒化物半導体の組成領域を拡大し, その性能を最大限に
... （和文）：窒化アルミニウム（AlN）などの窒化物半導体は，次世代の発光素子，太陽電池およびハ イパワー半導体素子として注目されているが，素子の性能を最大限に発揮させるための高品質 AlN 結晶基板の開発が急務である．本研究では，熱力学的な学理に基づく新たな液相成長法を 開発し，高品質 AlN ...
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RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... ＣＪを取り上げるのは、同業他社に比べそのパフォーマンスの高さが際立っているからであり、そ のため、同社には、同業他社からの訪問・ベンチマーク依頼が相次いでいるという。実際、生産 性に関する諸指標をベンチマークを実施した同業５社平均とで比較すると（表１参照）、同社の水 ...
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