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低消費電力60-80VA(代表値)

AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法

AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法

... ■ 回路の一部を低速化する。 I CC のは動作周波数に比例して増加しま す。回路内の一部を低速化することによって、I CC 、そして消費電力を 低下させることができます。アルテラのデバイスは、各レジスタにグ ローバルなクロックまたはアレイ・クロックのいずれかが使用できるよ うになっています。高速動作の必要がないレジスタには低速のアレイ・ ...

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ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU

ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU

... レータは、出力電圧を自らのプリセット出力電圧よりわずかに高 いまで充電します。出力検知信号がヒステリシス・コンパレー タの上側閾(スリープ閾)を上回るまで出力電圧が上昇した 場合、レギュレータはスリープ・モードに移行します。スリープ・ モードでは、静止電流と高い効率性能を実現できるように、下 側スイッチと上側スイッチ、さらに回路の大部分がディスエーブ ...

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最近の CPU (ARM の一種 ) Nvidia 社製 Tegra 3 の省電力技術 4-PLUS-1 メインである 4 つのコアに加え 低性能 低消費電力のコンパニオンコアを状況に応じて活用する技術 端末のパフォーマンスが必要なときは 4 つのコアから必要な数のコアを使い 不要なときは低消費電力

最近の CPU (ARM の一種 ) Nvidia 社製 Tegra 3 の省電力技術 4-PLUS-1 メインである 4 つのコアに加え 低性能 低消費電力のコンパニオンコアを状況に応じて活用する技術 端末のパフォーマンスが必要なときは 4 つのコアから必要な数のコアを使い 不要なときは低消費電力

... • フラグ :現在アクセス中というフラグを立てる. • セマフォ :整数を用いた一般化されたフ ラグ.排他制御以外に,有限個のリソースを 複数スレッドに分配する際にも使う. ...

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FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性

FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性

... ProASIC3 ファミリ: ProASIC3L FPGA CPLD を置き換える密度消費電力 FPGA ProASIC3L FPGA は前世代の ProASIC3 FPGA より動的および静的消費電力が小さく、SRAM 競合品と比べると桁違いに消費電力であり、 動作速度は最大 350 MHz ...

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ADV7390/ADV7391/ADV7392/ADV7393: SD / HD低消費電力、チップ・スケール、10 ビットビデオ・エンコーダ

ADV7390/ADV7391/ADV7392/ADV7393: SD / HD低消費電力、チップ・スケール、10 ビットビデオ・エンコーダ

... アダプティブ・フィルタ・モードは 2 つあります。モードを選 択するには、 ED/HD アダプティブ・フィルタ・モード制御 (サブアドレス 0x35 、ビット 6 )を使用します。 • ED/HD アダプティブ・フィルタ・モード制御を 0 に設定する と、モード A が使用されます。この場合、フィルタ B ( LPF ) がアダプティブ・フィルタ・ブロックで使用されます。ま た、 ED/HD アダプティブ・フィルタ・ゲイン 1 /ゲイン ...

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NJM062C/064C NJM062CA/064CA 低消費電力 J-FET 入力オペアンプ 特長 動作電源電圧 ±2 to ±18V 高入力抵抗 Ω typ. 広動作温度範囲 -40 C to 125 C バイポーラ構造 低消費電流 200μA/amp typ. スルーレート 3.5

NJM062C/064C NJM062CA/064CA 低消費電力 J-FET 入力オペアンプ 特長 動作電源電圧 ±2 to ±18V 高入力抵抗 Ω typ. 広動作温度範囲 -40 C to 125 C バイポーラ構造 低消費電流 200μA/amp typ. スルーレート 3.5

... 2. このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものでは ありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権 利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。 ...

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スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

スピントランジスタの基本技術を開発   ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―

... z スピンMOSトランジスタは、微細化によらず高速化でき、消費電力、不 揮発性など優れた特長がある。トランジスタをいくつも用いるSRAMをスピ ンMOSトランジスタ一つに置き換えることも可能。さらに、製品完成後に 回路の再構成が可能なため、FPGAのような利便性も持つ。 ...

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AD9833: 低消費電力 20 mW 2.3 〜 5.5 V プログラマブル波形発生器

AD9833: 低消費電力 20 mW 2.3 〜 5.5 V プログラマブル波形発生器

... 次のセクションで、これらのサブサーキットについて説明しま す。 回路の説明 AD9833 は、完全統合型のダイレクト・デジタル・シンセシス ( DDS )チップです。最高 12.5MHz のデジタル作成されたサイ ン波を提供するために、リファレンス・クロックが 1 つ、精 度抵抗が 1 つ、デカップリング・コンデンサが複数必要です。 RF 信号を生成するほか、簡単な変調方式から複雑な変調方式ま ...

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俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ

俯瞰区分と研究開発領域3.3.1 超低消費電力 ( ナノエレクトロニクスデバイス ) ス応用 245 ⑴ 研究開発領域の簡潔な説明従来よりも桁違いの超低消費電力を可能とするナノエレクトロニクスデバイスを実現し 集積回路への適用を目指す 新材料の特性を理論的 実験的に確認し システム最適設計によるデバ

...  現状の CMOS デバイスは、微細化の物理的限界、特性ばらつきの増大、素子の消費電 力増大などが見え始めており、この限界を突破する方策として、いくつかのナノエレクト ロニクスの潮流が見え始めている。一つは、従来の材料にはない新しい機能の活用を視野 に入れた新規デバイス・材料開発であり、例えば既存のバルク材料とは異なる物性の表面・ 界面を有するグラフェンやトポロジカル絶縁体のような二次元機能性原子薄膜などの新材 ...

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LSI間を高速・高密度・低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー

LSI間を高速・高密度・低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー

... あ ら ま し 次世代の高性能・省電力なサーバやスーパーコンピュータの実現には,CPUの高性能 化だけでなく,CPU間,CPU−メモリ間を小型・高密度かつ消費電力で相互接続する 信号伝送技術が必要である。従来の電気信号伝送は,信号の高速化に伴う伝送距離の 下や,端子数の制約などから要求に応えられなくなりつつあり,大容量・長距離伝送が ...

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反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料:反強磁性体におけるワイル粒子の発見

反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料:反強磁性体におけるワイル粒子の発見

... ネルンスト効果では、材料選択の自由度が生まれ高効率的な熱電素子開発、環境発電技術へ の幅広い応用が想定されます。また反強磁性体のため磁場に影響があるような電気機器の局所 冷却などでも利用が期待されます。 なお、本研究は、科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業 チーム型研究(CREST) 「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」研究領域(研究 ...

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情報処理学会研究報告 IPSJ SIG Technical Report Vol.2014-ARC-211 No /7/28 リアルタイム消費電流計測機能を活用する低消費電力 FPGA アクセラレータ 近藤秀弥 1 手塚宏史 1 稲葉真理 1 FPGA アクセラレータの電力最適化のために

情報処理学会研究報告 IPSJ SIG Technical Report Vol.2014-ARC-211 No /7/28 リアルタイム消費電流計測機能を活用する低消費電力 FPGA アクセラレータ 近藤秀弥 1 手塚宏史 1 稲葉真理 1 FPGA アクセラレータの電力最適化のために

... †1 東京大学 University of Tokyo 力最適化は改良の余地をのこしていると考えられる。 これらの適化が十分議論されない原因の一つとして FPGA の動的電力消費は内部ロジック、SRAM、 I/O など多岐に渡る点や静的電力と異なり動的電力 の解析は実際のデータを入力して動かしてみないと 厳密にはわからないといった点が挙げられる。 我々は、FPGA ...

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2017 年 10 月 5 日 電力 電力設備 新エネルギー業界 ~ 電力改革 エネルギーシフトが進む ~ 市場動向 ~ 世界一の電力大国 需要回復も石炭高 過剰設備が重しに ~ 16 年の業界規模 ( 前年値修正済み ): 消費電力量 :5.97 兆 kwh( 前年比 5% 増 ) 設備投資額 :

2017 年 10 月 5 日 電力 電力設備 新エネルギー業界 ~ 電力改革 エネルギーシフトが進む ~ 市場動向 ~ 世界一の電力大国 需要回復も石炭高 過剰設備が重しに ~ 16 年の業界規模 ( 前年値修正済み ): 消費電力量 :5.97 兆 kwh( 前年比 5% 増 ) 設備投資額 :

... 能源(00735)といった専門子会社があり、それぞれ風力発電を中心とする。水力発電を主力とする国投 電力(600886)や長江電力(600900)、ごみ処理発電に強い中国光大国際(00257)などの国有系企 業も有名。これらの企業は水量減少や送電網不足が稼働率低下の圧力となったが、火力に比べれば採算 性は安定し、業績は総じて堅調。風力・太陽光は市場拡大の恩恵も支えになった。また、中国広核電力 ...

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公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中

公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中

...  全世界の情報創出量推計から、2020年代にはデータ伝送 電力1mW/ Gbps以下、配線ピッチ0.1mm以下のサーバボー ドが必要と推定。  プロジェクト終了4年後に複数のLSIが搭載された上記光電 子集積サーバボードを実現するには、プロジェクト期間中に 要素技術の確立が必要。 ...

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ADM8611/ADM8612/ADM8613/ADM8614/ADM8615: ウォッチドッグ・タイマとマニュアル・リセット付きの超低消費電力監視 IC

ADM8611/ADM8612/ADM8613/ADM8614/ADM8615: ウォッチドッグ・タイマとマニュアル・リセット付きの超低消費電力監視 IC

... これらのデバイスは、消費電力が極めて小さいため、バッテリ 駆動のポータブル機器や電力量計など電力効率に敏感なシステ ムに適しています。 デバイス・ファミリーの各メンバーの特長を表 9 に示します。 各デバイスは、出荷時設定の様々な電圧モニタリング閾オプ ションを持つサブモデルに分類されます。2 V~4.63 V の範囲で は、ADM8611 に 10 ...

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アウトライン トラフィック抑制型アドホックネットワークの必要性 研究目的 超低消費電力化効果の総合評価の枠組み 提案方式 トラフィック抑制型アドホックネットワーキング方式 自己同期型パイプラインによるデータ駆動チップマルチプロセッサ (CMP) プラットフォーム 総合評価 の消費電力の評価 トラフィ

アウトライン トラフィック抑制型アドホックネットワークの必要性 研究目的 超低消費電力化効果の総合評価の枠組み 提案方式 トラフィック抑制型アドホックネットワーキング方式 自己同期型パイプラインによるデータ駆動チップマルチプロセッサ (CMP) プラットフォーム 総合評価 の消費電力の評価 トラフィ

... • ノード負荷はレイヤ2送信キュー長で判断する。 – 自ノード負荷が高い 再送信を抑制する。 – 自ノード負荷が低い 再送信を抑制しない。 – 一定時間内に、同一の情報源が発信した同一内容のパケットの受信回数をカウ ントする。カウントが、再送信許可閾※を下回る場合にのみ再送する。 ...

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LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ

... 部品の選択と帰還抵抗 ワイヤは高周波環境で誘導性を持つため、高速アプリケーション ではすべての部品のリードを短めにとります。ディスクリート部品に はカーボンタイプの抵抗、およびマイカタイプのコンデンサを選びま す。表面実装部品は、誘導効果を最小限に抑えるため、ディス クリート部品より好ましいです。 高速アンプでは、大きなの帰還 抵抗を用いると寄生容量によるリンギングや発振を起こす原因に なります。 LM6172 ...

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1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)

1.1nV/√Hz の低ノイズ、低消費電力、高精度 オペアンプ、小型 DFN-8 パッケージ datasheet (Rev. A)

... R 3 を使用しない従来の帰還の場合と同じです。R 3 のは、歪の 測定に及ぼす影響を最小限に抑えるために、できるだけ小さ いに維持する必要があります。 歪がテスト機器の測定能力の範囲内に収まるよう、高ゲイン と高周波数の一方または両方を使用して測定を繰り返すことに より、この手法の妥当性を確認できます。このデータシートに 掲載する測定は、Audio Precision ...

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ADV7613: 低消費電力 HDMI / LVDS ディスプレイ・ブリッジ

ADV7613: 低消費電力 HDMI / LVDS ディスプレイ・ブリッジ

... 260°C Operating Temperature Range −40°C to +85°C 1 DDCA_SCL と DDCA_SDA は 3.3 V 入力ですが、 5 V を許容します。 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに恒 久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の みを指定するものであり、この仕様の動作のセクションに記載す ...

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超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ

... オペアンプのゲインが増加すると、入力同相モード電圧は、ソー スの入力同相モード電圧により近いになります。 出力同相モード電圧の設定 出力同相モード電圧は、V OCM ピンの電圧によって設定され、内 部回路によってこの電圧に可能な限り近いに保持されます。未 接続の場合、出力同相モードは内部回路によって電源中点に設定 されますが、これは外部ソースによってオーバードライブできます。 図76は、V OCM ...

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