低消費電力動作
LTC3859A - 改善されたBurst Mode 動作を備えた、 低消費電流、トリプル出力の降圧/降圧/ 昇圧 同期整流式コントローラ
... ともできます。疑問点については必ずメーカーに問い合わせて ください。 LTC3859A の2フェーズ動作の利点は、電力の大きい方のコ ントローラに対して式（1）を使用し、次に両方のコントローラ のチャネルが同時にオンするとき生じると思われる損失を計 算することによって推測することができます。両方のコントロー ラが動作しているときは、入力コンデンサのESRを流れる電 ...
44
AD9833: 低消費電力 20 mW 2.3 〜 5.5 V プログラマブル波形発生器
... AD9833 のパワーアップ 図 7 のフローチャートに、 AD9833 の動作ルーチンを示します。 AD9833 がパワーアップされるとき、デバイスはリセットされ る必要があります。これによって、ミッドスケールのアナログ 出力を提供できるように適切な内部レジスタを“ 0 ”にリセッ トします。 AD9833 の初期化時にスプリアスの DAC 出力が生じ ないように、デバイスが出力する準備ができるまで、 RESET ...
20
AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法
... 下記のガイドラインは、各アプリケーションでの消費電力を低減し、過熱状 態を避けるときに有効です。 ■ 各デバイスに提供されているロー・パワー化の機能を活用する。 ター ボ・ビット（Turbo Bit）をOFFに設定することによって、伝搬遅延 時間を少し増加させるだけで、Classicデバイスのマクロセル、および MAX 9000とMAX 7000デバイスの個別のマクロセルを、ロー・パ ...
12
スピントランジスタの基本技術を開発 ― 高速・低消費電力、メモリにもなる次世代半導体 ―
... まとめ z MOSトランジスタの電極に磁気トンネル接合（MTJ）を配置する独自のス ピンMOSトランジスタを開発し、読み出し動作、書き込み動作（スピン注入 磁化反転による磁化書き換え）、繰り返し耐性を実証した。これにより、世 界で初めて、スピンMOSトランジスタの基本総合動作に成功した。 ...
20
反強磁性体で世界最大の自発磁気効果をもつ低消費電力磁気メモリ材料：反強磁性体におけるワイル粒子の発見
... カル効果は、スピン構造に依存したゼロ磁場での類似物質探索、すなわち Mn 3 Z の Z サイトの 置換による最適化によりゼロ磁場の巨大な異常ホール効果を示す物質が見つかる可能性を示唆 しています。二元化合物 Mn 3 Ge は非常に安定な物質で、比較的簡便な方法で物質合成が可能 であり、さらにクラーク数が高く安価で毒性の無い元素で構成されているため、工業用用途で の使用が可能で、 ...
8
ADP5091/ADP5092: MPPT と充電管理機能付き超低消費電力のエネルギー・ハーベスタ PMU
... 20 20 VID REG_OUT の電圧設定ピン。このピンは、AGND に接続された抵抗を介して、最高で 8 つの異なるレギュ レーション出力をローに設定します。出力構成の詳細を 表 7 に示します。 21 21 MINOP 最小動作電圧の設定。このピンに抵抗を接続して、最小の動作入力電圧を設定します。 CBP 電圧が MINOP 電圧を超えると、昇圧レギュレータがスイッチングを開始します。 MINOP ...
28
ADV7390/ADV7391/ADV7392/ADV7393: SD ／ HD低消費電力、チップ・スケール、10 ビットビデオ・エンコーダ
... C 動作 ADV739x は、複数のペリフェラルを駆動する 2 線式シリアル （ I 2 C 互換）マイクロプロセッサ・バスに対応します。このポー トはオープン・ドレーン構成で動作します。シリアル・データ （ SDA ）とシリアル・クロック（ SCL ）の 2 本の入力が、バスに 接続した任意のデバイスと ADV739x 間で情報を伝達します。 各スレーブ・デバイスは独自のアドレスによって識別されま す。 ...
96
FPGA と SoC FPGA および SoC 製品ファミリ低消費電力 実績のあるセキュリティ 優れた信頼性
... IGLOO リプログラマブルおよびフラッシュFPGA ファミリは、今日の携帯型電子機器の低消費電力およびサイズ要件を満たすように設計されて います。本ファミリは不揮発性フラッシュ技術を採用しており、動作電圧 1.2～1.5 V で、非常に低消費電力 (最小 5 µW) です。IGLOO ファミリ は最大 35K 個のロジック ...
28
代センサーネットワーク モバイル情報機器 サーバー等から研究開発実施者が想定するアプリケーションにおいて 劇的な低消費電力化を志向する新しいメモリアーキテクチャ 基本ソフトウェア アルゴリズムのデザインを提示するとともに 必要に応じて間歇動作等に求められる次世代不揮発性素子の性能を提示し システムと
... 研究開発項目②「将来の社会生活を支える新しい情報システムにおいて飛躍的なノー マリーオフ化を実現する新しいコンピューティング技術の検討」 次世代不揮発性素子ならではの機能を活かした画期的なコンピューティング技術の 開発を行う。他方、新たなコンピューティング技術を広く展開するためには、その優 位性が適切に評価されることが必要である。このため、本事業全体を通して利用可能 な、デモシステムの電力消費性能を評価する ...
5
グリーンコンピューティングのための低消費電力マルチコア技術 「特技懇」誌のページ（特許庁技術懇話会 会員サイト）
... しかし、このマルチコアによる低消費電力化では、周波 数に比例し、動作電圧の二乗に比例して増大する消費電力 を、周波数と電圧を低く抑えることにより下げようとする ものであるため、1プロセッサコア当たりの処理性能の低 下は避けられない。この性能低下を補いつつさらに性能を 向上させるため、チップ上に複数のプロセッサを集積し、 ...
12
ADM8611/ADM8612/ADM8613/ADM8614/ADM8615: ウォッチドッグ・タイマとマニュアル・リセット付きの超低消費電力監視 IC
... す。別電源入力を使って、ADM8612 と ADM8615 は 0.5 V～1.9 V の 20 種類の低電圧レベルをモニタすることができます。 マニュアル・リセット入力を使うと、必要に応じて ADM8611、 ADM8612、ADM8613、ADM8615 をリセットすることができま す。 ADM8613、ADM8614、ADM8615 のウォッチドッグ機能は、 WDI ...
17
最近の CPU (ARM の一種 ) Nvidia 社製 Tegra 3 の省電力技術 4-PLUS-1 メインである 4 つのコアに加え 低性能 低消費電力のコンパニオンコアを状況に応じて活用する技術 端末のパフォーマンスが必要なときは 4 つのコアから必要な数のコアを使い 不要なときは低消費電力
... ニオンコア を状況に応じて活用する 技術。 – 端末のパフォーマンスが必要なときは4 つのコアから必要な数のコアを使い、不 要なときは低消費電力のコンパニオンコ アだけで動作して全体の消費電力を削 ...
56
公開 資料 5-1 超低消費電力型光エレクトロニクス 実装システム技術開発 ( 中間評価 ) ( 平成 24 年度 ~ 平成 33 年度 10 年間 ) プロジェクトの概要 ( 公開 ) NEDO IoT 推進部 平成 29 年 9 月 28 日 超低消費電力光エレクトロニクス実装システム技術開発中
... ・モックアップ試作によりCFP4級トランシーバの基本技術を確認: H28年度最終目標を達成 ・開発したDSP-LSI、送受信光デバイスを搭載した4インチx5インチ MSAトランシーバ、プラガブルCFP-DCO 100Gbpsデジタルコヒーレント トランシーバをそれぞれ試作。 データセンタ間相当距離を伝送し、エラ ーフリー動作を確認 ...
58
LSI間を高速･高密度･低消費電力で接続するシリコンフォトニクス光トランシーバー
... ニクス光トランシーバー技術について説明する。光トランシーバーの小型・高密度化， 低消費電力化には，光素子，駆動回路の高性能化に加え，高品質な電源，信号を供給で きる実装構造が重要である。筆者らは，ワイヤー接続不要で高密度集積が可能なブリッ ジ実装構造を提案し，本構造に基づいた光・電子素子などを設計し，Siフォトニクス光 ...
8
超低消費電力、レール・ツー・レール出力、完全差動アンプ
... 低消費電力アプリケーション、および帯域幅に対する抵 抗値の影響 THS4531Aは、R F の公称値が2kΩとなるよう設計されています。 これにより、優れた歪特性、最大の帯域幅、最高の平坦度、お よび最適なパルス応答が得られます。この抵抗は、アンプの負荷 ともなります。例えば、R F = R G = 2kΩ、R G をグランドに接続、 V OUT+ = ...
45
ガスセンシング用低消費電力型（＜ 1 W）中赤外量子カスケードレーザ
... Yukihiro Tsuji Makoto Murata Tsukuru Katsuyama 高速かつ高感度なガスセンシングを行うための中赤外用小型光源として量子カスケードレーザ（QCL）が注目されている。QCL は、 発光層の超格子列の厚みや材料組成を変えることで、中赤外全域に亘って発振させることが可能であり、高速性にも優れている。QCL の実用化のためには、1 W ...
5
Windows Server 2008 R2とPRIMERGYによる消費電力削減効果
... 図 1-2 は、P ステート調整機能動作イメージを、各コアの使用率のイメージと使用している周波 数で表したものです。左側は、低負荷で高速な処理が必要ないため、低い周波数で動作していま す。右側は、高負荷がかかっており高速に処理する必要があるため、高い周波数で動作していま す。このように、OS がコアごとの使用率から自動的に判断して、周波数を変えることができます。 ...
22
NJM259/97 絶対最大定格 (Ta=2 5 ) 項目記号定格単位 電源電圧 8. V 消費電力 P D 3 mw 動作温度範囲 Top r -4~+85 保存温度範囲 Tst g -4~+125 推奨動作電圧範囲 (Ta= 25 ) 項目記号条件最小標準最大単位 動作電源電圧
... ● 低消費電流 550uA （V ＋ =1.8V） ● ＩＦ入力周波数 455kHz （標準） ● ＲＳＳＩコンパレータ内蔵 ● ＲＳＳＩ出力電圧対入力レベル特性での直線領域（V ＋ =1.8V） ...
16
ADXL335: 小型、低消費電力、3 軸、±3 g 加速度センサー
... 絶対最大定格 表 2. 左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに恒 久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の みを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記載する 規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません。デバ イスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの信頼性に影 響を与えることがあります。 ...
14
1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(
... なお、今回の技術の詳細は、京都府で 6 月 11 日(火)から開催される半導体デバイス、プロセス 関係の国際会議「2013 Symposium on VLSI Technology」にて発表します。本内容は、LEAP 相変化 グループと筑波大学計算科学研究センターの洗平昌晃研究員、白石賢二教授らの研究グループの共 同研究によるものです。LEAP は SCR を利用してデバイス試作し、その物性評価や電気測定により、 ...
5