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先端情報工学 電子情報工学分野(木内研究室)

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Academic year: 2021

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先端情報工学 電子情報工学分野(木内研究室)

1.はじめに

大容量で高効率な超伝導電力ケーブルを実現する ためには,電気抵抗なしで流せる最大の電流である 臨界電流𝐼c の特性向上が必要である.この𝐼c 値の向 上にはナノ制御の線材最適化が必要であるが,電流 𝐼 の通電方向に磁界𝐵 を平行に加える縦磁界下にする ことでも𝐼c を増加させることが出来る.現在,この縦磁界 下での高い𝐼c を利用した超伝導直流ケーブルの開発が 行われている[1].

一方で,このような大容量な電力ケーブルを敷設する 際には,事故時に生じる過電流からケーブル及び端末 を保護する限流器が必要になる.限流器はケーブル間 の適所への配置や,本研究で用いるケーブル自体に限 流機能を付加する方法がある.Fig. 1 に,内側 3 層,外 側 3 層の限流器付き縦磁界電力ケーブルの構造図を 示す.内外の超伝導層の向きと逆向きに巻かれている 銅層が限流器である.事故時に過電流がケーブルに加 わると,この銅層に電流が流れ,縦磁界を減少させる方 向に磁界が加わる.したがって,ケーブルの最大電流 容量𝐼eは,縦磁界の減少と銅層への分流の 2 つの効果 で大きく減少する[2].しかし,この限流効果は,超伝導 層の層数や超伝導層-銅層間の接続抵抗等により大き く変化することが予想される.

本研究では,限流器を付加した縦磁界ケーブルにつ いて,層数と限流効果の関係や,実際に設計する場合 の具体的な構造を数値解析によって調べ,この限流器 の有効性を調べた.

2.解析モデル

ここでは過電流が通電された際の限流効果を調べる ために,過電流通電時の銅層への分流電流量𝐼を求め る.ケーブルの全通電電流量を𝐼,電流容量を 𝐼eとする と,銅層へ分流する電流𝛥𝐼0

𝛥𝐼0= 𝐼 − 𝐼e

である.銅層を流れる𝛥𝐼0が作る磁界が𝐼eを減少させ,こ のときの分流電流𝛥𝐼1𝜀 = 𝐼e(0)𝛼𝐾dc(𝜀 < 1)とすると

𝛥𝐼1= 𝛥𝐼0𝜀

と表される.ただし,𝐾dcは銅層の磁界定数,𝛼 は層数に 依存するパラメータである.ここで,ケーブルの電流容 𝐼eの縦磁界𝐵の依存性を

𝐼e= (1 + 𝛼𝐵)𝐼e(0)

と仮定し,解析を行った.𝐼e(0)は初期状態の電流容量 である.以上が繰り返し起こり,𝑛回目の分流電流𝛥𝐼𝑛

𝛥𝐼𝑛= 𝛥𝐼0(𝐼e(0)𝛼𝐾dc)𝑛

と表される.したがって,銅層へ流れる総電流量𝐼 は 𝐼= ∑ 𝛥𝐼i

𝑛

i=0

= Δ𝐼0(1 + 𝜀 + 𝜀2+ 𝜀3+ ⋯ + 𝜀𝑛) ≈ Δ𝐼0

1 − 𝜀 となる.この分流電流により最終的なケーブルの電流容 𝐼en

𝐼en= 𝐼 − 𝐼′

となる.これらの関係を用いて,ケーブル層数と限流効 果の関係を調べた.

3.結果および考察

ここでは,内層が 1 層の場合と 6 層の場合の限流効 果について調べた.Fig. 2 に過電流𝐼 𝐼⁄ e(0) と電流容 量の減少率𝐼en/ 𝐼e(0) の関係を示す.破線は限流器が 無い場合を示す.この結果より限流器を付加することで,

𝐼eを超える電流通電時に電流容量が減少しており,こ の限流器が有効であることが示された.またその限流効 果は層数増加に伴って大きくなり,電流容量の 2.5 倍の 電流が通電された場合, 6 層ケーブルでは 5 割以上の 大きな限流効果が得られた.多層であるほど縦磁界効 果の影響が強くなり,縦磁界の変化に伴う𝐼eの増減も大 きくなるためである.したがって,超伝導層数を増加させ ることで限流効果も大きくなることがわかった.

参考文献

[1] T. Matsushita, et al.: Superconductor Science and Technology, 25 (2012) 125009.

[2] T. Matsushita, et al.: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 25 (2015) 5401704.

研究業績

大隈ら:第 92回 2015 年度秋季 低温工学・超電導学 会,2015,姫路商工会議所

学生番号

14676104

氏 名

大隈 翔悟

論文題目

限流器付き縦磁界超伝導直流ケーブルの最適化に関する研究

Fig.2: The decreasing rate of 𝐼envs.

normalized overcurrent 𝐼

Fig.1: The structure of 3 layers superconducting cable with limiter

Former

Inner layer

Insulator Shield layer

Cu layer

Cu layer

1 1.5 2 2.5

0 0.5 1

I/Ie(0) Ien/Ie(0)

without limiter 1 layer

6 laye rs α= 5.0

×10−3

α = 1.5×10−3

T = 77.3 K

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