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図

図 2 ・ 4(a) より得られるエミッタ接地増幅回路の諸特性を以下に示す．電圧利得： A ve = v out v in = − βR Lrb+(1 + β)r e 電流利得： A ie = i out i in = −β 電力利得： A pe = A vc × A ic = β 2 R L r b + (1 + β)r e 入力インピーダンス： Z ie = v in i in = r b + (1 + β)r e 出力インピーダンス： Z oe = v out −i out = ∞ (2 ・ 1)

図 2 ・ 12(b) に示すカスコード接続された MOSFET の小信号等価回路を用い，出力抵抗を求めると Z out = v out i out = (1 + g m2 r d2 )r d1 + r d2 (2 ・ 10) が得られる．カスコード接続を用いることにより等価的な MOSFET の出力インピーダンスは通常のトランジスタの約 1 + g m2 r d2 倍に増加する．カスコード接続された MOSFET において M 2 のゲート端子は 2 個の MOSFET が飽和領域で動作する電位に

図 2 ・ 17(a) に MOSFET で構成された差動増幅回路を示す．図 2 ・ 17(a) の回路は，入力電圧 v 1 と v 2 の差を増幅し， v 3 と v 4 の差として出力する回路である． bዊାภ╬ଔ࿁〝㧔Ꮕേ౉ജ㧕rd+-vdgmvgsRL v outdiinioutdvgsa/15('6ࠍ↪޿ߚᏅേჇ᏷࿁〝 cዊାภ╬ଔ࿁〝ห⋧౉ജrd+-vcRL v outcgmvgsiinioutcvgsRSVDDRSv3RLv1v4RLv2-VSS 図 2 ・ 17 差動増幅回路この回路の電

参照

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1.4.2 流れの条件を変えるもの

2 0 6 . F O S S I L D I A T O M S F O U N D I N T H E K A Y A M A C L A Y - S H A L E O N T H E O U T S K I R T S O F K A N A Z A W A C I T Y 1 ) W A T A R U I C H I K A W A K a n a z a w a U n i v e r s i t y , K a n a z a w a , J a p a n .

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