NJG1108HA8
GNSS 用低雑音増幅器
用低雑音増幅器
用低雑音増幅器 GaAs MMIC
用低雑音増幅器
■概要 ■外形
NJG1108HA8 は GNSS（Global Navigation Satellite Systems） での使用を主目的としたスタンバイ機能付き低雑音増幅器です。 インバータ回路を内蔵しており、1 ビットのコントロール信号で スタンバイモードへの切り替えが可能です。LNA 動作時には低消 費電流で高利得、低雑音、低歪みを実現しました。また、外部整 合回路の変更により、1.5~2.7GHz 帯での使用も可能です。 パッケージには USB6-A8 を採用し、超小型化・超薄型化を実 現しました。 ■アプリケーション GPS、Galileo、GLONASS、COMPASS を含む GNSS 用途 WLAN、WiMAX 用途 ■特徴 G周波数範囲 1.5～2.7GHz G低電圧動作 +2.7V typ. G低消費電流 2.0mA typ. @VCTL=1.85V 1uA typ. @VCTL=0V G高利得 19dB typ. @VCTL=1.85V, f=1.575GHz G低雑音 1.0dB typ. @VCTL=1.85V, f=1.575GHz G高入力 P-1dB -15.0dBm typ. @VCTL=1.85V, f=1.575GHz G高入力 IP3 0dBm typ. @VCTL=1.85V, f=1.575+1.5751GHz G超小型・超薄型パッケージ USB6-A8 (Package size: 1.0x1.2x0.38mm typ.) ■端子配列 ピン配置 1. VINV 2. RFOUT 3. GND 4. RFIN 5. GND 6. VCTL (Top View) GN D RFI N VIN V RFOU T 4 5 2 6 1 3 VCT L GN D Logi Circui Bia Circui NJG1108HA8 注：WLAN、WiMAX 用途について、アプリケーションノートをご参考してください。
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■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm 項目 記号 条件 定格値 単位 ドレイン電圧 VDD 5.0 V インバータ電圧 VINV 5.0 V コントロール電圧 VCTL 5.0 V 入力電力 Pin VDD=2.7V +15 dBm 消費電力 PD 基板実装時, Tjmax=150°C 150 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C ■電気的特性 1共通条件: VDD=VINV=2.7V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm
項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 電源電圧 VDD 2.5 2.7 3.5 V インバータ電圧 VINV 2.5 2.7 3.5 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.85 VINV+0.3 V 切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V 動作電流 1
(LNA 動作時) IDD1 RF OFF, VCTL=1.85V - 2.0 3.0 mA
動作電流 2
(LNA スタンバイ時) IDD2 RF OFF, VCTL=0V - 1 5 µA
インバータ電流 1 IINV1 RF OFF, VCTL=1.85V - 30 60 µA
インバータ電流 2 IINV2 RF OFF, VCTL=0V - 9 20 µA
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■電気的特性 2 (LNA 動作時)
共通条件: VDD=VINV=2.7V, VCTL=1.85V, fRF=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm, 推奨回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 動作周波数 freq 1.57 1.575 1.58 GHz 小信号電力利得 Gain 17.0 19.0 21.5 dB 雑音指数 NF 基板、コネクタ損失 (0.05dB)除く - 1.0 1.2 dB 1dB 利得圧縮時 入力電力 P-1dB(IN) -19.0 -15.0 - dBm 入力 3 次インター セプトポイント IIP3 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-34dBm -5.0 0 - dBm RF IN VSWR VSWRi - 2.0 2.5 RF OUT VSWR VSWRo - 1.5 2.0
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■端子情報 番号 端子名 機能説明 1 VINV インバータ電源供給端子です。 2 RFOUT RF 信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が出力されます。 この端子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L3 を介して電源を供給して下さい。 3 GND 接地端子(0V) 4 RFIN RF 信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が入力されます。 この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 5 GND 接地端子(0V) 6 VCTL 切り替え電圧印加端子です。この端子に”High”の切り替え電圧を印加した場合 には LNA が動作状態に、”Low”の切り替え電圧を印加した場合には LNA がス タンバイ状態になります。注意事項
NJG1108HA8
■特性例 (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.7V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50ohm)
-25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 -40 -30 -20 -10 0 10 P o u t (d B m ) Pin (dBm) P-1dB(IN)=-15.0dBm Pout
Pout vs. Pin
(fRF=1575MHz) 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 1 2 3 4 5 6 7 8 -40 -30 -20 -10 0 10 G a in ( d B ) I D D ( m A ) Pin (dBm) Gain IDDGain, I
DDvs. Pin
(fRF=1575MHz) P-1dB(IN)=-15.0dBm -100 -80 -60 -40 -20 0 20 -40 -30 -20 -10 0 10 P o u t, I M 3 ( d B m ) Pin (dBm) IIP3=+2.4dBm Pout IM3Pout, IM3 vs. Pin
(fRF=1575+1575.1MHz) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1.5 1.55 1.6 1.65 N o is e F ig u re ( d B ) frequency (GHz) NF NF vs. frequency (Exclude PCB, Connector Losses)
10 15 20 k f a c to r
k factor vs. frequency
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■特性例 (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.7V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50ohm)
0 1 2 3 4 5 2.5 3 3.5 4 I D D ( m A ) VDD, VINV (V) IDD
I
DDvs. V
DD, V
INV (RF OFF) -24 -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 2.5 3 3.5 4 P-1 d B (I N ) (d B m ) VDD, VINV (V) P-1dB(IN)P-1dB(IN) vs. V
DD, V
INV (fRF=1575MHz) 10 12 14 16 18 20 22 24 26 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12 2.5 3 3.5 4 O IP3 ( d B m ) II P3 ( d B m ) VDD, VINV (V) OIP3 IIP3OIP3, IIP3 vs. V
DD, V
INV(fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm) 8 10 12 14 16 18 20 22 24 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 2.5 3 3.5 4 G a in ( d B ) N F ( d B ) VDD, VINV (V) Gain NF
Gain, NF vs. V
DD, V
INV (fRF=1575MHz) 0 1 2 3 4 5 2.5 3 3.5 4 VSWRi VSWRo V SW R i, V SW R o VDD, VINV (V)VSWR vs. V
DD, V
INV (fRF=1575MHz)NJG1108HA8
■特性例 (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.7V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50ohm)
2 3 4 5 I D D ( m A ) IDD
I
DDvs. Temperature
(RF OFF) -24 -22 -20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -50 0 50 100 P-1 d B (I N ) (d B m ) Temperature (oC) P-1dB(IN)P-1dB(IN) vs. Temperature
(fRF=1575MHz) 0 5 10 15 20 25 -5 0 5 10 15 20 -50 0 50 100 O IP3 ( d B m ) II P3 ( d B m ) Temperature (oC) OIP3 IIP3OIP3, IIP3 vs. Temperature
(fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm) 1.5 2 2.5 3 -40o C -25o C I D D ( m A ) IDD
I
DDvs. V
CTL (RF OFF) 8 10 12 14 16 18 20 22 0 1 2 3 4 5 6 7 -50 0 50 100 G a in ( d B ) N F ( d B ) Temperature (oC) Gain NFGain, NF vs. Temperature
(fRF=1575MHz) 0 1 2 3 4 5 -50 0 50 100 VSWRi VSWRo V SW R i, V SW R o Temperature (oC)VSWR vs. Temperature
(f=1575MHz)NJG1108HA8
■特性例 (共通条件: Ta=+25°C, VDD=VINV=2.7V, VCTL=1.85V, Zs=Zl=50ohm)
S11, S22 S21, S12
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■推奨回路 ■実装基板例 Parts ID 備考 L1~L4 村田製作所製 LQP03T シリーズ C1~C4 村田製作所製 GRM03 シリーズ パーツリスト GND RFIN VINV RFOUT 4 5 2 6 1 3 VCTL GND Logic Circuit Bias Circuit L1 39nH L2 10nH L3 12nH L4 15nH C1 100pF C2 1000pF VCTL=0V or 1.85V VINV=2.7V VDD=2.7VRF IN
RF OUT
(Top View) C3 1000pF C4 1000pF RF IN RF OUT VDD L1 L2 L3 L4 C1 C2 (Top View) C3 C4NJG1108HA8
Iパッケージ外形図 (USB6-A8) ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 ガリウムヒ ガリウムヒ ガリウムヒ ガリウムヒ素素素素(GaAs)製品取製品取製品取製品取りりりり扱扱い扱扱いいい上上上上のののの注意事項注意事項注意事項注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 端子処理 :金メッキ 基板 :FR5 モールド樹脂 :エポキシ樹脂 単位 :mm 重量 :1.1mgPhoto resist coating 0.2 (MIN0.15) 1 .2 ± 0 .0 5 0 .8 0.4 0.2±0.04 6 R0.05 5 1 4 2 3 0.4 1.0±0.05 0.2±0.07 0 .2 ± 0 .0 4 0 .6 0.1±0.05 C0.1 0 .3 8± 0 .0 6 0 .0 3 8 -0 .0 0 9 + 0 .0 1 2 S 0.03 S
