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Three-dimensional CAD and simulation of near-field scanning optical microscope by volume integral equation

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Academic year: 2021

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Title

Three-dimensional CAD and simulation of near-field scanning

optical microscope by volume integral equation( 内容の要旨

(Summary) )

Author(s)

厳, 孟芸

Report No.(Doctoral

Degree)

博士(工学) 甲第228号

Issue Date

2004-03-25

Type

博士論文

Version

URL

http://hdl.handle.net/20.500.12099/1949

※この資料の著作権は、各資料の著者・学協会・出版社等に帰属します。

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氏 名(本籍) 学 位 の 種 類 学位授与番号 学位授与日付 専 攻 学位論文題目 厳 孟 芸(中国) 博 士(工学) 甲第 228 号 平成16 年 3 月 25 日 電子情報システム工学専攻 Three-dimensionalCADandsimulationofnear-fieldscanningoptical microscope by volumeintegralequation (体積積分方程式による近接場走査型顕微鏡の三次元CADおよびシミュレーショ ン) 学位論文審査委員 (主査)教 授 田■ 中 嘉津夫 (副査)教 授 河 瀬 順 洋 教 授 岸 田 邦 治

論文内容の要旨

従来の光学顕微鏡では光の回折の影響から,光波長より′J、さい物体の像は観測できないという限界 がある.しかし近接場光学(NFO)技術の発展によって,光の回折に制限されない超高解像度を持つ 近接場走査型顕微鏡(Near一鮎1dScamingOpticalMicroscope:NSOM)等の設計が可能となり,多くの 研究者の注目を集めている.このような近接場光学回路設計において,これまでの光学理論の適用 が困難なため,シミュレーション技術及びコンピュータ支援設計(Computer-AidedDesign:CAD)ソフト の開発が重要な課題である.近接場光学シミュレーションについては,これまで多くの研究者により結 呆が報告されているが,多くは二次元シミュレーションである.3次元問題や比較的大きい物体,特に 金属物体についての報告はまだ少ない.本研究では,高速かつ高精度な解析方法を見つけ出し,三

次元CADソフトの開発と金属物体も含めて近接場走査型顕微鏡のシミュレーションを行なった.

三次元シミュレーション手法については,大きく分類してFDTD(Finite-Diffbrence Time-Domain)法 と体積積分方程式法がある.体積積分方程式法は,遠方散乱界が精度よく得られ,結果の検証も容 易であることから,本研究では体積積分方程式法を利用した.離散化手法としてパルス関数・ポイント

マッチング法を適用し,マトリクス方程式の解法としてGCR法(Generalized Conjugate Residual

method)を使用することにより,近接場光学三次元シミュレーションにおける大規模問題(未知数105 以上)を比較的小さな記憶容量で高速に解くCADソフトウェアを開発した. 近接場走査型顕微鏡のモデルとして,誘電体基盤上に置かれた微小物体の像形成過程について, 従来より大規模な問題を取り扱い,三次元シミュレーションによる出力像の基本的性質について調べ た.入射波として実際のNSOMで使われるエバネッセント波を考え,物体の近接場分布と遠方散乱電 力の出力像について調べた.誘電体と金属物体の違いや,物体の大きさ,入射光の性質,および基

盤の存在などによる解像特性への影響を調査し,近接場,入射偏光,および遠方散乱界の関係を詳

しく分析した.その結果以下の結果を得た.

(3)

-77-近傍電界強度分布について: 誘電体の場合,p偏光,S偏光の場合も,近接場分布から約0.1波長の小さい物体形状を近傍電界強 度分布において認識することができる.p偏光の場合は明像であり,S偏光の場合は暗像である.金属 物体の場合は,P偏光の場合は大体明像でIS偏光の場合は部分的に暗像として見えるが,誘電体 の場合と比べると近傍電界強度分布は複雑であろ.大きさ約1波長の大きい物体の近接場布を求め たが,S偏光の場合入射電界に垂直な境界しか識別できない.近傍電界強度分布の解像度は観測 面と物体表面の距離に強く依存し,近接場コントラストは入射角に強く依存する.誘電体基盤は近接 場電界分布に与える影響は小さい. 遠方界から得られる出力像について: 誘電体の場合は,遠方出力像はブロープ中心の置かれる走査平面における近接場分布と近い特性 を持つ.p偏光の場合iま明像であり, s偏光の場合は暗像である.金属物体の場合は,遠方出力像と 近接場分布の関係は複雑である.遠方出力像のコントラストは解析で使うプローブ形状に影響され, ブロープの大きさにも強く依存する.遠方散乱断面積の散乱角度による遠方出力像への影響を調べ た.s偏光の場合は遠方出力像の性質はあまり変わらないが,p偏光の場合出力像の像特性は観測 角度に依存した.

論文審査結果の要旨

近年,近接場光学技術の発展によって,光回折に制限されない超高解像度の近接場走査型顕微鏡 (Near一鮎1dScanningOpticalMicroscope)等の設計が可能となり,多くの研究者の注目を集めている・ 近接場光学回路設計においてはこれまでの光学理論の適用が困難なため,シミュレーション技術及 びコンピュータ支援設計(CAD)ソフトの開発が重要な課題である.従来、二次元シミュレーションで NFOに関する興味深い結果が報告されてきたが,3次元問題や比較的大きい物体,特に金属物体 についての報告はまだ少ない.本論文では,高速かつ高精度なシミュレーション手法を見い出し,三 次元近接場光学CADソフトの開発と,金属物体も含めた近接場走査型顕微鏡のシミュレーションを行 なった.

最終試験結果の要旨

体積積分方程式法は,遠方散乱界が精度よく得られ,結果の検証も容易であることから,本研究では 体積積分方程式法を利用した.体積積分方程式法を利用して大規模な問題を解くため■,低コスト,高 速かつ高精度な数値結果を与える離散化手配大規模マトリクス方程式解法を開発した・離散化手 法としてパルス関数・ポイントマッチング法を適用し,マトリクス方程式の解法としてGCR法 (GeneralizedConjugateResidualmethod)を使用することにより,近接場光学三次元シミュレーションに おける大規模問題(未知数105以上)を比較的小さな記憶容量で高速に解くCADソフトウェアを開発

した.開発したコードを利用して,観測物体が光硬長の1/1'0サイズの誘電阻金属の場合の像形成

シミュレーションを行い,走査型近接場顕微鏡の像形成の基本特性を明らかにした.

参照

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