SEMI International Standards Program
Silicon Wafer Technical Committee Spring Meeting
March 16 (Monday), 2009, 13:00 – 17:00
Ohshima Bldg. 5F, Meeting Room AB, SEMI Japan
Attendees(順不同)
Co-Chair 河合 直行 / ルネサステクノロジー 成富 俊雄 / SUMCO 野島 孝夫 / インテル 竹中 卓夫 / 竹中コンサルティング 直居 薫 / 黒田精工 中村 靖司 / 安川電気 芥河 千恵子 / 日本インテグリス 西部 隆文 / コバレントマテリアル 飯村 康治 / ミライアル 熊井 貞勇 / コンサルタントStephen Sumner / Entegris 泉妻 宏治 / コバレントマテリアル 小松 省二 / アクティオン 福田 哲生 /富士通マイクロエレクトロニクス 秋山 哲 / レイテックス 清水 保弘 / コンサルタント 白水 好美 / NECエレクトロニクス 吉瀬 正典 / ケーエルエー・テンコール 事務局 山道 正明 菅野 博史（記） 奥田 健一郎
MINUTES
1 Welcome and Call to Order
1.1 13:00 河合幹事より開会が宣言された。続いて、出席者の自己紹介行われた。
1.2 事務局より独禁法に関する注意事項および特許技術関与の可能性を持ったスタンダード
作成のガイドラインについて注意が喚起された。
1.3 河合幹事より、会議アジェンダが確認された。
2 Review of Last Minutes
z 前回議事録確認 添付資料【JA_SW_0903161】参照 河合幹事より、前回委員会議事録が確認された。議事録の訂正点として、出席者欄の中井委員 の所属企業名 Kovelco を Kobelco がある。それ以外に訂正すべき点は見受けられず、「前回議 事録を承認する」との動議が出され（Motion:成富幹事/ Second:熊井委員）、採決の結果、賛成 /6 反対/0 で動議は承認された。 【決定事項】前回委員会議事録が承認された。
3 SEMI Staff Report
事務局より添付資料【JA_SW_0903162】に沿って報告がなされた。メイントピックは以下の通りで ある。
z Staff Update
¾ SEMI Japan, STD Dept.
¾ International SEMI Standards Staff z A&R Ballot Review Report
z Event Calendar (2009)
z Global RSC/TC Meetings Schedule 2009 z Ballot Cycle 2009
z SEMI Standards Publication Update ¾ BOSS Japanese Translated ver. (1108) ¾ SEMIViews
z STD Program in 2009
z 昨年 SEMICON 2008 併催 Silicon Wafer 委員会 Workshop「Next Generation Wafer」の参加者 アンケート及び、集客人数報告
4 Liaison Reports
Action Item Status
1 SEMI Staff will modify IP sentence on Doc 4635A[Revision to M69] and the document will be balloted for Cycle1, 2009.
Done 2 SEMI Staff gets the new info from EU to Japan Test Method TF SPV WG.
MF 391に関して改訂の検討を予定、実際の判断は、5月のEU Silicon Wafer委員 会にて行う。
#MF391-0708 Test Methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
【Action Item】 EU地区Silicon Wafer委員会よりMF391に関するSNARFのGCS
承認依頼がされ、その結果を報告する。（Action：事務局）
Done
3 SEMI staff provides official translation from JRSC to Silicon Wafer Committee member. JRSC議事録の公式英文訳は存在しないが、本件、問い合わせがあった箇所 に関して、事務局は個別に英訳し、2009年2月6日にEmailにGlobal Silicon Wafer委員幹事各位へ知らせた。 Done 4.1 SEMI NA (Naritomi-san)
成富委員長より添付資料【JA_SW_0903163】に基づき北米地区 Silicon Wafer 委員会に関連す る Ballot 状況及び、Task Force 活動報告がなされた。尚、日米間の Int’l Task Force 活動である Int’l 450mm Wafer Task Force が開発した 450mm 直径のメカニカルハンドリング鏡面ウェーハ 仕様のスタンダードが昨年 11 月に発行された。そして現在、Int’l 450mm Wafer Task Force は Doc.4624[New Standard: Specification for Developmental 450mmm Diameter Polished Single Crystal Silicon Wafers]の開発作業中である。また、北米地区の Int’l SOI Wafer TF メンバーは CMOS LSI 用 SOI ウェーハのための仕様[M71-1107]の改訂作業を行っており SEMICON West にて、その 改訂ドキュメントのレビューを行う予定である。尚、SEMICON West 2009 開催期間中の 7 月 15 日（火）に、北米地区 Silicon Wafer 委員会主催の STEP[Wafer Edge Profile Specification and Measurement]が開催される。 4.2 SEMI EU (Naritomi-san) 前回日本地区 Silicon Wafer 委員会会議から今回の日本地区委員会会議の間に EU 地区は委員会 会議を開催していない為、活動報告はなかった。
5
JEITA (Kawai-san) 河合幹事より口頭で、前回 JEITA シリコン技術専門委員会の活動内容の報告及び、昨年の SEMICON Japan 2008 期間中に開催された JEITA SEMI Joint Meeting、同じく Next Generation Wafer Workshop の結果報告がなされた。その中で、河合幹事より、改めて JEITA SEMI Joint Meeting が今後のシリコンウェーハの規格策定に関する JEITA SEMI の協力関係をより強固な ものにしていゆくことに役立つことに期待すると述べられ、また、Workshop プログラムチェ アとして、Workshop が成功に終わったことの報告がなされた。6
Traceability Committee (Nishibe-san)西部委員より添付資料【JA_SW_0903164】に基づき日本地区 Traceability 委員会の現在の構成 とその活動について報告がなされた。 6.1 JSPS (Watanabe-san) 渡辺委員が会議を欠席された為、代わりとして河合幹事より 2009 年 2 月 3 日に開催された日 本学術振興会「結晶加工と評価技術」第 145 委員会のプログラム内容の報告が添付資料 【JA_SW_0903165】に基づきなされた。
5 Task Force Reports
5.1 GCS (Naritomi-san)
活動報告なし
5.2 Wafer Specification Subcommittee (Takenaka-san)
活動報告なし
5.3 Non-Prime Wafer Task Force (Taniguchi-san/Konno-san)
Non Prime Wafer Task Force メンバーである竹中委員より、現在までの Task Force 活動の報告が なされた。今後、
5.4 Polished Wafer TF(Takenaka-san/Kawai-san)
活動報告なし
5.5 International Epi Wafer Task Force (Kohno-san/Takenaka-san)
活動報告なし
5.6 International Annealed Si Wafer Task Force (Izunome-san)
5.7 International SOI Task Force (Naritomi-san/Ogura-san)
日本地区の活動はなく、北米地区の活動に関しては、NA Liasion Report の報告内容の通り。
5.8 International Specification Order Form Task Force (TBD)
活動報告なし
5.9 International Terminology Task Force (Naritomi)
活動報告なし Break 5.10 450mm IPIC TF(Komatsu-san) 小松委員より、PIC 委員会傘下 450mm IPIC TF の活動報告がなされた。 主な報告内容は、TF 内の Sub Team 紹介と活動状況及び、TF としての今後のスタンダード開 発スケジュールであった。
5.11 International 450mm Handling Wafer Task Force (Watanabe-san)
渡辺委員が欠席の為、代わりに成富幹事が活動報告を行った。
本 TF では、現在、Doc. 4624, New Standard: Specification for Developmental 450 mm Diameter Polished Single Crystal Silicon Wafers の開発が行われている。
5.12 JA Shipping Box Task Force (Shimizu-san)
清水 TF リーダーより TF 活動として、450mm Shipping Box 仕様検討状況と International 450 mm Shipping Box TF 案に関する報告がなされた。
International TF 設立について、清水 TF リーダーは現状、存在する 2 つの TFOF 案を紹介し、 JA Shipping Box TF メンバー間で合意がなされた一つの TFOF 案の承認動議を委員会へ提出し た。
その中の議論として、Sumner 委員/北米地区 PIC 委員会幹事より、Silicon Wafer 委員会及び、 PIC 委員会の両方が親委員会となる今回の Int’l TF において、あくまで SEMI 規約/Procedural に基づいた組織を形成したい（PI&C と Silicon Wafer 委員会は平等な権利を持つ）とのコメン トが出された。
そして、その一方で JA Shipping Box TF メンバーの熊井委員より 300mm 時代の Shipping Box TF 活動は、Silicon Wafer 委員会主導で行われてきた経験から、今後の 450mm Shipping Box スタ ンダード活動も 300mm 時代と同様、Silicon Wafer 委員会が主導権を取りドキュメント開発を 行うべきとのコメントがだされた。（具体的には、Int’l 450mm Shipping Box TF より開発された ドキュメントの Ballot 発行承認及び、Ballot 審議場所は、Silicon Wafer 委員会にて行う。つま り Yellow Ballot は Global Silicon Wafer 委員会、Lilac Ballot は Global PIC 委員会）
Sumner 委員及び、熊井委員の両コメントを受けて、河合幹事は、現時点では NA/JA Shipping Box TF 間で TFOF 案が二つ存在しているため JA Shipping Box TF 及び、NA 450mm Wafer Shipping Box TF メンバーにてコンセンサスを得た TFOF 案を別途地区委員会に提案してもらいたい。 そして、そのコンセンサスとは、具体的に NA/JA TF リーダー4 名よるものである。と意見を 述べられ、TF へ提案は差し戻された。
5.13 International Test Method Task Force/Test Method Task Force (Watanabe-san)
渡辺 TF リーダーが不在の為、代わりに TF メンバーである竹中委員及び、有機物分析 WG リ ーダーである白水委員より資料に基づき、活動報告がなされた。
5.14 International AWG Task Force/JWG Task Force (Akiyama-san)
Doc.4635A, Revision of SEMI M69-0307 (Preliminary), Practice for Determining Wafer-Near-Edge Geometry Using Roll-Off Amount, ROA の IP 関連についての事務局からの IP Holder からのステ ートメント入手報告及び、秋山 TF リーダーより新たな IP に関する報告が添付資料に基づきな された。主な内容は以下の通りである。 事務局は、US 6828163 を IP Holder より入手した。そして新たに US 6975960 及び、以下 2 件 の IP ステートメントもマテリアルである可能性の動議が秋山 TF リーダーより提出された。 z 信越半導体㈱ 出願番号 特願 2002-543686 特許番号 3924784 z 信越半導体㈱ 出願番号 特願 2001-280500 特許番号 3838341 Motion by 秋山委員 Second by 吉瀬委員 Discussion なし 動議は可決された。 【Action Item】 前回日本地区 Silicon Wafer 委員会にて委員会決議を得た IP マテリアルの他、新たに 2 件の IP マテリアルを追加し、以下 3 点の IP ステートメントを入手する。 z US 6975960 z 信越半導体㈱ 出願番号 特願 2002-543686 特許番号 3924784 z 信越半導体㈱ 出願番号 特願 2001-280500 特許番号 3838341
5.15 International ASI Task Force (Ohta-san)
活動報告なし
5.16 M6 Revision Task Force (Kashima-san)
活動報告なし
【Action Item】日本地区 PV 委員会立上げ状況及び、Cycle1 の PV バロット結果情報を事務局 より報告する。
尚、事務局より補足情報として、次回 JRSC にて日本地区 PV 委員会立上げの方向性が決定さ れる予定であるとの報告がなされた。
6 Old /New Business
6.2 Old Business
6.3 New Business
6.3.1 Global Silicon Wafer Committee Charter の見直しについて
Global Silicon Wafer Committee Charter の見直し確認を行い、現在の Global Silicon Wafer Committee Charter にて日本地区 Silicon Wafer 委員会は活動を行っていることの動議が出 された。
Motion by 熊井委員 Second by 竹中委員 賛成：反対 8:0 動議は可決された。現在の Global Silicon Wafer Committee Charter にて日本地区 Silicon Wafer 委員会は活動を行って いる。
6.3.2 2009 年度の Silicon Wafer 委員会主催 Workshop 開催について SEMICON ジャパン併催 2009 年（有料 Workshop）を開催する。 具体的なテーマは「次世代ウェーハ Workshop」 Motion by 竹中委員 Second by 中村委員 Discussion : PV 関連のウェーハに関してもテーマとして協議する。 9:0 動議は可決された。
7 Action Item Review
【Action Item】 EU 地区 Silicon Wafer 委員会より MF391 に関する SNARF の GCS 承認依頼が され、その結果を報告する。（Action：事務局）
【Action Item】
前回日本地区 Silicon Wafer 委員会にて委員会決議を得た IP マテリアルの他、新たに 2 件の IP マテリアルを追加し、以下 3 点の IP ステートメントを入手する。
【Action Item】日本地区 PV 委員会立上げ状況及び、Cycle1 の PV バロット結果情報を事務局 より報告する。
8 Next meeting
2009 年 6 月 10 日（水）13:00－17:30 開催場所：SEMI Japan 大島ビル 5F A+B 会議室
