CCD エリアイメージセンサ S7033/S7034 シリーズ裏面入射型 FFT-CCD S7033/S7034シリーズは微弱光検出用に開発された計測用 FFT-CCDエリアイメージセンサです S7033/S7034シリーズの水平 CCDレジスタは大飽和電荷量を特長としていますビニング動作を行

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CCDエリアイメージセンサ

S7033/S7034シリーズ

裏面入射型

_FFT-CCD

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浜松ホトニクス株式会社

S7033/S7034シリーズは、微弱光検出用に開発された計測用FFT-CCDエリアイメージセンサです。S7033/S7034シリーズの水平_{CCDレジスタは大飽和電荷量を特長としています。ビニング動作を行うことにより、受光面の高さ方向に長いリニアイ} メージセンサとして使用できるため、分光光度計の検出器に適しています。ビニング動作は、外部回路で信号をデジタル的に加算する従来の方法と比べると、_{S/Nや信号処理速度において非常に優れています。} S7033/S7034シリーズの有効画素サイズは24 × 24 μmで、受光面サイズは12.288 (H) × 2.928 (V) mm2_(S7033-0907, S7034-0907S)と 24.576 (H) × 2.928 (V) mm2_{(S7033-1007, S7034-1007S)を用意しています。} 1段または2段電子冷却器を同一パッケージに内蔵したタイプも用意しています。室温で使用した場合、1段冷却型は-10 °C まで、_{2段冷却型は-30 °Cまで、ほかの補助冷却手段を使用することなくCCDを冷却することができます。CCDチップと電} 子冷却素子は気密封止されており、乾燥エアなどは不要なため、取り扱いが容易です。蛍光分光測光、_ICP ライン／ピクセルビニングが可能工業製品の検査量子効率_{: ピーク時90 %以上} 半導体検査広い分光感度特性 MPP動作 DNAシーケンサ 微弱光検出広いダイナミックレンジ電子冷却素子内蔵_{(S7034/S7035シリーズ)}

特長

用途

セレクションガイド

一般定格

型名冷却全画素数有効画素数受光面サイズ [mm (H) × mm (V)] 適合マルチチャンネル検出器ヘッド S7033-0907 _非冷却 532 × 128 512 × 122 12.288 × 2.928 _C7043 S7033-1007 1044 × 128 1024 × 122 24.576 × 2.928 S7034-0907S _{1段電子冷却} 532 × 128 512 × 122 12.288 × 2.928 _C7044 S7034-1007S 1044 × 128 1024 × 122 24.576 × 2.928 注_{) 2段電子冷却型のS7035シリーズも用意しています。} 項目 _{S7033シリーズ} _{S7034シリーズ} 画素サイズ _{24 (H) × 24 (V) µm} 垂直クロック _2相水平クロック _2相出力回路 _{1段MOSFETソースフォロワ} パッケージ _{24ピンセラミックDIP (外形寸法図を参照)} 内蔵電子冷却素子 _- _1段窓材_*1 _{石英ガラス} _{反射防止コーティングサファイア} *1: 仮付け窓タイプ (例: S7033-0907N)も対応が可能です。

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S7033/S7034シリーズ

絶対最大定格

_{(Ta=25 °C)}

項目記号 _Min. _Typ. _Max. 単位

動作温度_*2 _Topr _-50 _- ₊₅₀ _°C 保存温度 _Tstg _-50 _- ₊₇₀ _°C OD電圧 VOD -0.5 - +25 V RD電圧 VRD -0.5 - +18 V ISV電圧 VISV -0.5 - +18 V ISH電圧 VISH -0.5 - +18 V

IGV電圧 VIG1V, VIG2V -10 - +15 V

IGH電圧 VIG1H, VIG2H -10 - +15 V

SG電圧 VSG -10 - +15 V OG電圧 VOG -10 - +15 V RG電圧 VRG -10 - +15 V TG電圧 VTG -10 - +15 V 垂直クロック電圧 _VP1V, VP2V -10 - +15 V 水平クロック電圧 _VP1H, VP2H -10 - +15 V *2: チップ温度注_{) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。}

動作条件

_{(MPP モード , Ta=25 °C)}

出力トランジスタドレイン電圧 _VOD 18 20 22 V リセットドレイン電圧 _VRD 11.5 12 12.5 V 出力ゲート電圧 _VOG 1 3 5 V 基板電圧 _VSS - 0 - V テストポイント_{(垂直入力ソース)} _VISV - VRD - V テストポイント_{(水平入力ソース)} _V_ISH _- _V_RD _- _V テストポイント_{(垂直入力ゲート)} _V_IG1V_{, V}_IG2V _-9 _-8 ₀ _V テストポイント_{(水平入力ゲート)} _V_IG1H_{, V}_IG2H _-9 _-8 ₀ _V 垂直シフトレジスタクロック電圧 High VP1VH, VP2VH 4 6 8 _V Low VP1VL, VP2VL -9 -8 -7 水平シフトレジスタクロック電圧 High VP1HH, VP2HH 4 6 8 _V Low VP1HL, VP2HL -9 -8 -7 サミングゲート電圧 High VSGH 4 6 8 _V Low VSGL -9 -8 -7 リセットゲート電圧 High VRGH 4 6 8 _V Low VRGL -9 -8 -7 トランスファーゲート電圧 High VTGH 4 6 8 _V Low VTGL -9 -8 -7 外部負荷抵抗 _R_L ₂₀ ₂₂ ₂₄ _kW

電気的特性

_{(Ta=25 °C)}

信号出力周波数 _fc _- _0.25 ₁ _MHz 垂直シフトレジスタ容量 S703*-0907(S) _C_P1V_{, C}_P2V - 1500 - _pF S703*-1007(S) - 3000 -水平シフトレジスタ容量 S703*-0907(S) _C_P1V_{, C}_P2V - 260 - _pF S703*-1007(S) - 300 -サミングゲート容量 _C_SG _- ₃₀ _- _pF リセットゲート容量 _CRG - 30 - pF トランスファーゲート容量 S703*-0907(S) _CTG - 60 - pF S703*-1007(S) - 80 -電荷転送効率_*3 _CTE _0.99995 _0.99999 _- -DC出力レベル*4 _Vout ₁₂ ₁₅ ₁₈ _V 出力インピーダンス_*4 _Zo _- ₂ ₃ _kW 消費電力_*4 _*5 _P _- ₁₃ ₁₄ _mW *3: 飽和出力の半分のときに測定した、1画素当たりの転送効率。

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S7033/S7034シリーズ

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分光感度特性

**_{(窓なし時) *}**

14 ၾঊ࢘ၚ (% ) ෨ಿ (nm) (Typ. Ta=25 °C) 0 200 400 600 800 1000 1200 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 ໦࢕ۜഽඅ଻ KMPDB0058JB ນ࿂වৣ߿CCD ນ࿂වৣ߿CCD (UV΋ȜΠ) ၔ࿂වৣ߿CCD KMPDB0058JB

電気的および光学的特性

_{( 指定のない場合は Ta=25 °C)}

飽和出力電圧 _Vsat _- _{Fw × CE} _- _V 飽和電荷量垂直 _Fw 240 320 - _ke -水平_*6 ₂₇₀₀ ₃₄₀₀ -変換効率 _CE _0.5 _0.6 _- _µV/e -暗電流_*7 25 °C _DS - 100 1000 _e-_/pixel/s 0 °C - 10 100 読み出しノイズ_*8 _Nread _- ₃₀ ₄₅ _e-_rms ダイナミックレンジ_*9 ラインビニング _Drange 90000 113300 - -エリアスキャン ₈₀₀₀ ₁₀₇₀₀ -感度不均一性_*10 _PRNU _- _±3 _±10 _% 感度波長範囲 λ - 200 ～ 1100 - nm キズポイント欠陥_*11 白キズ -- - 0 -黒キズ _- _- ₁₀ クラスタ欠陥_*12 _- _- ₃ コラム欠陥_*13 _- _- ₀ *6: 直線性= ±1.5 % *7: 暗電流は温度が5～7 °C上昇すると約2倍になります。 *8: 動作周波数=150 kHz *9: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量 / 読み出しノイズ *10: 飽和出力の半分のときに測定。 ࡥ೰ΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak) ૞࣢ × 100 [%] ۜഽξΣέ΁ηΞͻ = *11: 白キズ=冷却温度0 °Cで1秒間蓄積したときに、暗電流が1 ke-を超える画素黒キズ_{=平均出力画素に比べて感度が半分以下の画素 (測定条件: 飽和電荷量の1/2の出力になる均一光)} *12: 2～9個の連続した画像欠陥 *13: 10個以上の連続した画像欠陥 *14: 石英ガラスまたはサファイアの透過率特性により分光感度は低下します。

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窓材の分光透過特性

暗電流－温度

0 10 100 200 ෨ ಿ (nm) ൫ًၚ (% ) 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 KMPDB0101JA ௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ (S7170/S7171-0909, S7986-01, S7987-01, S7988, S7960/S7961-1008, S7033/S7034 ΏςȜΒ) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 (Typ. Ta=25 °C) ฽ৣཡগ΋ȜΞͻϋΈ΍έ͹ͼͺ ୞ם΄ρΑ أഽ (°C) ճഩၠ (e - /pixels/s) KMPDB0256JA ճഩၠȽأഽ (S7030/S7031/S10140/S10141ΏςȜΒ) -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 0.01 1 0.1 10 100 1000 (Typ.) KMPDB0101JA 型名窓材 S7033シリーズ _{(オプション: 窓なし)}石英ガラス *15 S7034シリーズ反射防止コーティングサファイア_{(オプション: 窓なし)} *16 S7035シリーズ (2段電子冷却型) 反射防止コーティングサファイア_*16 (オプション: 窓なし) *15: 樹脂封止 *16: 気密封止

窓材

KMPDB0256JA

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デバイス構造

_{(外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)}

ခْ࢘ள ಕ) ࢕වৣ༷̥࢜ͣࡉ̹ાࣣȂକ໹ΏέΠτΐΑΗ͉Si͈࢚̞໐໦ (ະۜ໐໦)́ ໞ̞̳̦ͩͦ̀͘Ȃಿ෨ಿ͈࢕͉ະۜ໐໦͈Siͬ൫ً̱Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉ ਋࢕̯ͦͥخෝ଻̦̜̳ͤ͘ȃຈါͅ؊̲̀৭࢕͈̈́̓చॐ࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ 23 22 21 20 15 14 24 1 2 12 11 8 9 3 4 5 2-beve l ૞࣢੄ႁ ήρϋ· (4ْள) ήρϋ· (4ْள) V=122 H=512, 1024 4-beve l Thinning Thinning 1 2 3 4 5 2 3 4 5 V H 6-bevel 6-bevel 13 10 ΟΨͼΑࢹ௮ (S7030/S7031/S7033/S7034ΏςȜΒ) KMPDC0076JB 2 n ૞࣢੄ႁ 2 n କ໹ΏέΠ τΐΑΗ ခْ࢘ள କ໹ΏέΠτΐΑΗ KMPDC0076JB

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ラインビニング

タイミングチャート

ΗͼηϋΈΙλȜΠ (ρͼϋΫΣϋΈ, S7033/S7034ΏςȜΒ) KMPDC0128JA ಇୟܢۼ (ΏλΛΗٳ) ଒ೄΫΣϋΈܢۼ(ΏλΛΗ໾) P1V P2V, TG P1H P2H, SG උ͙੄̱ܢۼ (ΏλΛΗ໾) 3..126 127 128← 122 + 6 (bevel) Tpwv Tovr Tpwh, Tpws Tpwr 1 2 3 531 1043 1044532 4..530 4..1042 : S703*-0907: S703*-1007 1 2 D11....D20 D1....D10 S1..S1024 RG OS S1..S512 : S703*-0907 : S703*-1007 KMPDC0128JA

P1V, P2V, TG *17 パルス幅 Tpwv 6 *18 8 - µs 上昇／下降時間 _{Tprv, Tpfv} ₁₀ _- _- _ns P1H, P2H *17 パルス幅 _Tpwh ₅₀₀ ₂₀₀₀ _- _ns 上昇／下降時間 _{Tprh, Tpfh} ₁₀ _- _- _ns デューティ比 _- _- ₅₀ _- _% SG パルス幅 _Tpws ₅₀₀ ₂₀₀₀ _- _ns 上昇／下降時間 _{Tprs, Tpfs} ₁₀ _- _- _ns デューティ比 _- _- ₅₀ _- _% RG パルス幅_{上昇／下降時間} _{Tprr, Tpfr}Tpwr 100₅ -_- -_- ns_ns TG–P1H オーバーラップ時間 _Tovr ₃ _- _- _µs *17: 最大パルス振幅の50 %のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。 *18: S7033-1007、S7034-1007Sの場合

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S7033/S7034シリーズ

7 エリアスキャン_{(大飽和電荷量モード)} ΗͼηϋΈΙλȜΠ (΀ςͺΑ΅λϋ2: ఱ཈გഩكၾκȜΡ, S7033/S7034ΏςȜΒ) KMPDC0130JA ಇୟܢۼ (ΏλΛΗٳ) P1V RG OS P2V, TG P1H P2H, SG උ͙੄̱ܢۼ (ΏλΛΗ໾) ڐఱ଎ 4..127 128←122 + 6 (bevel) Tpwv Tovr Tpwr D1 D2 D3 D4 D18 D19 D20 D5..D10, S1..S1024, D11..D17 P2V, TG P1H P2H, SG RG OS Tpwh, Tpws 1 2 3 S1..S512 : S703*-0907 : S703*-1007 KMPDC0130JA

P1V, P2V, TG *19 パルス幅 Tpwv 6 *20 8 - µs 上昇／下降時間 _{Tprv, Tpfv} ₁₀ _- _- _ns P1H, P2H *19 パルス幅 _Tpwh ₅₀₀ ₂₀₀₀ _- _ns 上昇／下降時間 _{Tprh, Tpfh} ₁₀ _- _- _ns デューティ比 _- _- ₅₀ _- _% SG パルス幅 _Tpws ₅₀₀ ₂₀₀₀ _- _ns 上昇／下降時間 _{Tprs, Tpfs} ₁₀ _- _- _ns デューティ比 _- _- ₅₀ _- _% RG パルス幅_{上昇／下降時間} _{Tprr, Tpfr}Tpwr 100₅ -_- -_- ns_ns TG-P1H オーバーラップ時間 _Tovr ₃ _- _- _µs *19: 最大パルス振幅の50 %のところに相補的クロックパルスをオーバーラップさせてください。 *20: S7033-1007、S7034-1007Sの場合

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S7033/S7034シリーズ

外形寸法図

_{(単位: mm)}

KMPDA0080JC KMPDA0081JC S7033-0907 S7033-1007 වৣௗ 16.3 * 8.2 * 34.0 ± 0.34 2.54 ± 0.13 22.9 ± 0. 3 22.4 ± 0. 3 2.928 ਋࢕໐ 12.288 ٸࠁ଱༹଎ (S7033-0907, ౙպ: mm) KMPDA0080JC *ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ 4.4 ± 0.44 4.8 ± 0.49 2.4 ± 0.15 3.8 ± 0.44 ਋࢕࿂ ͼϋΟΛ·ΑζȜ· άϋNo. 1 3.0 (24 ×) 0.5 ± 0.05 වৣௗ 28.6 * 22.9 ± 0. 3 22.4 ± 0. 3 ਋࢕໐ 24.576 2.928 8.2 * 44.0 ± 0.34 2.54 ± 0.13 ٸࠁ଱༹଎ (S7033-1007, ౙպ: mm) KMPDA0081JC *ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ 3.0 ਋࢕࿂ 4.4 ± 0.44 2.4 ± 0.15 3.8 ± 0.44 4.8 ± 0.49 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· άϋNo. 1 (24 ×) 0.5 ± 0.05 (24 ×) 0.5 ± 0.05 7.3 ± 0.63 1. 0 3.0 6.7 ± 0.63 4.8 ± 0.15 ਋࢕࿂ 7.7 ± 0.68 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· άϋNo. 1 2.928 4. 0 19. 0 22.4 ± 0. 3 22.9 ± 0. 3 44.0 ± 0.44 52.0 60.0 ± 0.3 2.54 වৣௗ 28.6 * ਋࢕໐ 24.576 8.2 * ٸࠁ଱༹଎ (S7034-1007S, ౙպ: mm) KMPDA0083JD *ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ ഩঊ႖ݕளঊ වৣௗ 16.3 * 8.2 * 34.0 ± 0.34 50.0 ± 0.3 2.54 22.9 ± 0. 3 19. 0 4. 0 42.0 22.4 ± 0. 3 2.928 7.3 ± 0.63 1. 0 7.7 ± 0.68 6.7 ± 0.63 4.8 ± 0.15 ਋࢕໐ 12.288 ਋࢕࿂ ͼϋΟΛ·ΑζȜ· άϋNo. 1 3.0 ٸࠁ଱༹଎ (S7034-0907S, ౙպ: mm) KMPDA0082JD ഩঊ႖ݕளঊ *ȶௗऺ͈໦࢕൫ًඅ଻ȷ͈Έρέ͈൫ًၚͬ༗બ̳ͥ΀ςͺ (24 ×) 0.5 ± 0.05 KMPDA0082JD KMPDA0083JD S7034-0907S S7034-1007S

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S7033/S7034シリーズ

9 ピン No. S7033シリーズ S7034シリーズ備考（標準動作）記号機能記号機能 1 RD リセットドレイン RD リセットドレイン +12 V 2 OS 出力トランジスタソース OS 出力トランジスタソース RL=22 kW 3 OD 出力トランジスタドレイン OD 出力トランジスタドレイン +20 V 4 OG 出力ゲート OG 出力ゲート +3 V 5 SG サミングゲート SG サミングゲート P2Hと同タイミング 6 - -7 - -8 P2H CCD水平レジスタクロック-2 P2H CCD水平レジスタクロック-2 9 P1H CCD水平レジスタクロック-1 P1H CCD水平レジスタクロック-1 10 IG2H テストポイント (水平入力ゲート-2) IG2H テストポイント (水平入力ゲート-2) -8 V 11 IG1H テストポイント (水平入力ゲート-1) IG1H テストポイント (水平入力ゲート-1) -8 V 12 ISH テストポイント (水平入力ソース) ISH テストポイント (水平入力ソース) RDに接続 13 TG *21 _{トランスファーゲート} _{TG *}21 _{トランスファーゲート} _{P2Vと同タイミング} 14 P2V CCD垂直レジスタクロック-2 P2V CCD垂直レジスタクロック-2 15 P1V CCD垂直レジスタクロック-1 P1V CCD垂直レジスタクロック-1 16 - Th1 サーミスタ 17 - Th2 サーミスタ 18 - P- 電子冷却素子_(-) 19 - P+ 電子冷却素子 (+) 20 SS 基板 (GND) SS 基板 (GND） GND 21 ISV テストポイント (垂直入力ソース) ISV テストポイント (垂直入力ソース) RDに接続 22 IG2V テストポイント (垂直入力ゲート-2) IG2V テストポイント (垂直入力ゲート-2) -8 V 23 IG1V テストポイント (垂直入力ゲート-1) IG1V テストポイント (垂直入力ゲート-1) -8 V 24 RG リセットゲート RG リセットゲート *21: 垂直レジスタと水平レジスタ間の分離ゲート。標準動作ではTGにP2Vと同じパルスを入力してください。

ピン接続

項目記号条件 _S7034-0907S _S7034-1007S 単位内部抵抗 _{Rint Ta=25 °C} _2.5 _1.2 W 最大電流_*22 _{Imax Tc *}23_{=Th *}24_{=25 °C} _1.5 _3.0 _A 最大電圧 _{Vmax Tc *}23_{=Th *}24_{=25 °C} _3.8 _3.6 _V 最大熱吸収_*25 _Qmax _3.4 _5.1 _W 放熱側の最大温度 _- ₇₀ ₇₀ _°C *22: 電流値がImax以上になると、ジュール熱によって熱吸収率が低下し始めます。この最大電流 Imaxは冷却器を損なわないための閾値ではありませんので注意してください。電子冷却素子を保護し、安定した動作を維持するために、供給電流をこの最大電流の 60 %以下に設定してください。 *23: 電子冷却素子の冷却側の温度 *24: 電子冷却素子の放熱側の温度 *25: 最大電流をセンサに供給したときに、電子冷却素子に生じる温度差を補正する理論的な熱吸収レベルです。

内蔵電子冷却素子の仕様

_(Typ.)

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S7033/S7034シリーズ

ඤ௬ഩঊ႖ݕளঊ͈ॽအġ(S7015-1008, S7031-1006/-1008, S7034-1007, S9971-1008) KMPDB0179JA 0 1 2 3 ഩգ (V ) CCD أഽ (°C) 4 7 6 5 -40 -30 4 3 2 ഩၠ (A) 1 0 -20 -10 0 10 20 30 (Typ. Ta=25 °C) ഩգȽഩၠ CCD أഽȽഩၠ ഩঊ႖ݕளঊ͈අ଻ (S7015-0908, S7031-0906S/-0907S, S7034-0907S, S10141-1007S/-1008S/-1009S) KMPDB0178JA 0 1 2 3 ഩ գ (V ) CCD أഽ (°C) 4 7 6 5 -40 -30 2.0 1.5 1.0 ഩ ၠ (A) 0.5 0 -20 -10 0 10 20 30 (Typ. Ta=25 °C) CCD أഽȽഩၠ ഩգȽഩၠ KMPDB0178JA KMPDB0179JA S7034-0907S S7034-1007S

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S7033/S7034シリーズ

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使用上の注意 (静電対策)

●センサは、素手あるいは綿の手袋を付けて扱ってください。摩擦で生じる静電気によるダメージを避けるため、静電防止服やアース付きリストバンドを身に着けてセンサを取り扱ってください。 ●静電気を帯びる可能性のある作業台やフロアの上にセンサを直接置かないでください。 ●作業台や作業フロアには、静電気を放電させるためのアース線を接続してください。 ●センサを取り扱うピンセットやはんだごてなどの道具にもアースを取るようにしてください。上記の静電対策は必ずしもすべて行う必要はありません。発生する障害の程度に応じて対策を施してください。

素子の冷却・昇温時の温度勾配速度

素子の冷却・昇温時の温度勾配速度は、_{5 K/min以下になるように設定してください。}

内蔵温度センサの仕様

CCDチップと同じパッケージにサーミスタチップが内蔵されており、動作中のCCDチップ温度をモニタします。このサーミスタの抵抗値と絶対温度の関係は次式で表されます。 RT1 = RT2 × exp BT1/T2 (1/T1 - 1/T2) RT1: 絶対温度 T1 [K]のときの抵抗値 RT2: 絶対温度 T2 [K]のときの抵抗値 BT1/T2: B定数 [K] 使用しているサーミスタの特性は以下のとおりです。 R298=10 kW B298/323=3450 K ೷ࢯȽأഽ (S7960/S7961-1008, S7986-01, S7987-01, S7171-0909, S7010/S7011/S7015ΏςȜΒ, S7030/S7031/S7033/S7034 series) KMPDB0111JA (Typ. Ta=25 °C) 10 kΩ 220 240 260 أഽ (K) ೷ࢯ 280 300 100 kΩ 1 MΩ KMPDB0111JA

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S7033/S7034シリーズ

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マルチチャンネル

_{検出ヘッドC7043, C7044}

C7043: S7033シリーズ用 C7044: S7034シリーズ用 読み出し周波数_{: 250 kHz} 読み出しノイズ_{: 60 e- rms} エリアスキャンまたはラインビニング動作 ΔT=50 °C (ΔTは冷却方法により異なる)

特長

入力記号定格値印加電圧 VD1 +5 Vdc, 200 mA VA1+ +15 Vdc, +100 mA VA1- -15 Vdc, -100 mA VA2 +24 Vdc, 30 mA VD2 +5 Vdc, 30 mA (C7044) Vp +5 Vdc, 2.5 A (C7044) VF +12 Vdc, 100 mA (C7044) マスタースタート _φms _{HCMOSロジックコンパチブル} マスタークロック _φmc HCMOSロジックコンパチブル 1 MHz