先端テクノロジにおける
DFM取り組み事例
~ファブレスと
EDAベンダ及び外部ファブとの関係~
2014年7月18日
富士通セミコンダクター
(株)
共通テクノロジ開発センター
第三設計技術部
花蜜
宏晃
目次
富士通セミコンダクターのご紹介
DFMの位置付け
事例
1: ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化
事例
2: CMP段差の改善
まとめ
富士通セミコンダクターのご紹介
•
TOP500 Supercomputer
Fastest Computer in the World (2011-2012)
Peak Performance >10 PetaFLOP
•
Powered by Fujitsu ASIC Technologies
•
Worldwide Leading ASIC Supplier
100G/400G Ethernet Optical Transceivers
Image & Video Processors
Industry Control SoC
•
Extensive IP Portfolio
High-Speed ADC & DAC
High-Speed SerDes & DDR Interface
High Efficiency Video Codec (H.264/H.265)
•
Robust Design Methodology
First-Time Success Silicon
High Complexity Designs
DFMとは
Lithography
CMP
Particle
推奨
DRC
Dummy Fill
Via Doubling
Statistical STA
LDE
←
必
須
→
推
奨
Via Doubling
LDE
Dummy Fill
良し悪しの指標
設計施策
本セッションでお話しするDFM
DFM … 定義が曖昧で立場によってスコープが異なる
Lithography
推奨
DRC
CMP
Particle
Statistical STA
DFM = 製造性を考慮しながら設計すること
リスクが複雑化
単純なルールベースでの設計が困難に
オーバーマージンにならざるを得ない
製造リスクと
DFM
ルールベースで設計
適度なマージンで設計が可能
製造リスク
ルールベース検証
(旧テクノロジ)
ルールベース検証
(先端テクノロジ)
製造リスク
製造リスク
オーバーマージン
製造リスク
旧テクノロジ
先端テクノロジ
モデルベース検証が導入
高精度で検証するためマージンは極小化
ただし処理時間が長い
処理時間が
非現実的
モデルベース検証
ルールベース検証
モデルベース検証
製造リスク
ルールとモデルベース検証を組み合わせて運用
ルールがエラー
検出する範囲
見落とされる
製造リスク
DFMのあるべき姿
ルールベース検証
モデルベース検証
製造リスク
ルールベース検証
モデルベース検証
ルールをパスしても
NGになる可能性が高い
→ 設計手戻りが大きい
→ そもそもルールが良くない
モデルベース検証の必要性が薄い
→ ルールを緩和すればマージンを減らせる
ルールベース検証
モデルベース検証
製造リスク
ルールをパスすれば大半のリスクは回避
モデルベースは必要最小限に抑える
良くない例1
理想的な例
いい
DFMとは…
ルールとのバランスがいいこと
処理時間が現実的であること
良くない例2
製造リスク
プロセス立ち上げ期の状況
歩留ま
り
時間
プロセス立ち上げRamp
立ち上げ期
テクノロジ検討
チップ設計
試行錯誤
実チップデータ不足
精度最優先
ファブ
ファブレス
EDAベンダ
基本機能開発
基本機能開発(次世代)
課題抽出
立ち上げ期の課題を早期に抽出し
3社が補い合って取り組む
フィードバックを受けて機能向上
プロセスの
最適化
デザインルール
の検討
ファブレスとしての
FSLの挑戦
プロセス立ち上げ期の
Early Adopter
としての困難に正面から取り組みます
ファブを頼りにしすぎない
EDAツールに満足しない
具体的な事例をご紹介します
- 事例1 ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化
- 事例2 CMP段差の改善
ダブルパターニング層に対する
リソグラフィ検証の効率化
Litho検証の課題
検証精度
処理時間
対策
1: 階層的な解析処理
計算量を減らすための対策
シングルパターニング世代
(~28nm)
ダブルパターニング世代
(22nm~)
OPC, Litho Simulationのための膨大な計算量
対策
2: 差分的な解析処理
対策
3: パターンマッチング
対策
1: 階層的な解析処理
対策
2: 差分的な解析処理
処理するマスク枚数が
2倍
さらに問題は難しく
!!
検証精度
対策
3: パターンマッチング
ダブルパターニング世代の階層的な
Litho検証
セル
A
セル
Aレベルで
Litho検証を実施
上位階層
セル
A
セル
A
セル
A
セル
A
セル
A内を除外して
検証すればよい!
セル
A
セル
A
セル
A
セル
A
セル
A
インスタンスの配置場
所によって、セル内の
マスク分割が異なる
階層処理すれば精度問題が…
フラット処理すれば処理時間が…
マスク1
マスク2
シングルパターニング世代
(~28nm)
ダブルパターニング世代
(22nm~)
階層検証実現に向けた取り組み
Cadence
非常に処理時間が
長いことが判明!!
Lithoルール
大規模チップ開発
- 20nm世代テクノロジ
- チップサイズ25mm□以上
- ダブルパターニング層数4
ツール単独での改善
は困難との結論
階層検証を含め複数の
処理速度改善案を提案
階層検証を可能とする
ための仕様を仮策定
精度ロスなしに階層検証を
可能とする制約条件を合意
ツール
: LPA
FSL
外ファブ
階層検証実現に向けた取り組み
Lithoルール
該当チップが制約条件を
満たしていることを確認
階層対応
LPA
(評価版)
評価結果のフィードバック
と最終仕様の合意
階層対応
LPA
(正式版)
精度ロスなしに階層検証を
可能とする制約条件を合意
Cadence
FSL
外ファブ
大規模チップ開発
- 20nm世代テクノロジ
- チップサイズ25mm□以上
- ダブルパターニング層数4
セル
A,B,Cを階層処理の対象に指定
フラット検証に対して、処理対象面積が検証
48.87%少なく済む
測定結果
MVS 14.1
Intel Xeon CPU X5690 @ 3.47GHz * 48 CPUs
階層検証導入による効果
セル名
面積
配置数
総面積
セル
A
1.88%
17個 31.96%
セル
B
0.93%
7個
6.51%
セル
C
1.30%
8個 10.40%
計
48.87%
セルA
セルB
セルC
チップイメージ
(>25mm□)
処理時間
削減幅
フラット検証
82:43:25
階層検証
44:21:45
-46.4%
大幅な処理時間削減を達成
事例
1まとめ
まずは
FSLからファブに対して状況と要求をインプット
•
EDAベンダからの要求だけではファブはなかなか動かない
•
要求はできるだけ具体的に
並行して
EDAベンダとも協議を開始
•
Cadence R&Dと月例の電話会議
•
トライアルとフィードバック
階層間を分離するという考え方
良かった点
成果
FSL
•
いち早く
LPAの先進機能が利用可能に
Cadence
•
ツール製品の競争力強化
CMP段差の改善
Light source
Out of focus
Wafer cross section
Depth of focus
Best
focus
CMP検証の課題
課題
2. ルールとのバランス
課題
1. 検出・修正の難しさ
CMP後の段差(高低差)が大きいと
上層露光時にフォーカスが合わない
IP
DRC密度基準パス
CMP検証パス
CMP解析結果
IP内表面高さ分布
高
低
1500Å
1400Å
高低差
= 1500 - 1400 =100Å
(OK)
チップA
IP
チップ
B
IP
低密度
P&R
高密度
P&R
頻
度
チップ内表面高さ分布
高
低
1500Å
1400Å
高低差
= 300Å
(NG)
頻
度
1700Å
チップ内表面高さ分布
高
低
1550Å
1350Å
高低差
= 200Å
(OK)
頻
度
IP
単体では
DRC,CMP
共に
OK(
パス
)
CMP判定基準
高低差
< 250Å → OK
同じ
IP
でも置かれるチップによって
CMP
は
OK
だったり
NG
だったりする
(Cu密度が低いと削れにくくなり
表面高さは高くなる)
課題
1: 検証・修正の難しさ
課題
1に対する対策案
IP
高密度
チップ
:低密度
段差を軽減させるには…
IP-チップ間でCMP段差が大きい
方針
A: チップの配線密度を上げる
ファブ提供のダミー生成ルール
→ 調整の余地なし
IPの面積を増やす → インパクト大
IP内の配線を間引く → 特性への影響
太幅配線への
Pillar導入 → 検討
方針
B: IPの配線密度を下げる
Pillarの検討
Pillarなし
Pillarあり
Pillar
Metal
方針
B: IPの配線密度を下げる
配線密度低下・配線周囲長増大により、
CMPによる削れが抑制
低密度部
(チップ領域)との段差が軽減
Pillarあり
Pillarなし
CCP(Cadence CMP Predictor)
解析結果をプロット
400 450 500 550 600 650 700 70% 75% 80% 85% 90% 95% Metal Density S u r fa c e H e ig h t ( A )