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先端テクノロジにおけるDFM取り組み事例 ~ファブレスとEDAベンダ及び外部ファブとの関係~

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Academic year: 2021

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(1)

先端テクノロジにおける

DFM取り組み事例

~ファブレスと

EDAベンダ及び外部ファブとの関係~

2014年7月18日

富士通セミコンダクター

(株)

共通テクノロジ開発センター

第三設計技術部

花蜜

宏晃

(2)

目次

富士通セミコンダクターのご紹介

DFMの位置付け

事例

1: ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化

事例

2: CMP段差の改善

まとめ

(3)

富士通セミコンダクターのご紹介

TOP500 Supercomputer

Fastest Computer in the World (2011-2012)

Peak Performance >10 PetaFLOP

Powered by Fujitsu ASIC Technologies

Worldwide Leading ASIC Supplier

100G/400G Ethernet Optical Transceivers

Image & Video Processors

Industry Control SoC

Extensive IP Portfolio

High-Speed ADC & DAC

High-Speed SerDes & DDR Interface

High Efficiency Video Codec (H.264/H.265)

Robust Design Methodology

First-Time Success Silicon

High Complexity Designs

(4)
(5)

DFMとは

Lithography

CMP

Particle

推奨

DRC

Dummy Fill

Via Doubling

Statistical STA

LDE

Via Doubling

LDE

Dummy Fill

良し悪しの指標

設計施策

本セッションでお話しするDFM

DFM … 定義が曖昧で立場によってスコープが異なる

Lithography

推奨

DRC

CMP

Particle

Statistical STA

DFM = 製造性を考慮しながら設計すること

(6)

リスクが複雑化

単純なルールベースでの設計が困難に

オーバーマージンにならざるを得ない

製造リスクと

DFM

ルールベースで設計

適度なマージンで設計が可能

製造リスク

ルールベース検証

(旧テクノロジ)

ルールベース検証

(先端テクノロジ)

製造リスク

製造リスク

オーバーマージン

製造リスク

旧テクノロジ

先端テクノロジ

モデルベース検証が導入

高精度で検証するためマージンは極小化

ただし処理時間が長い

処理時間が

非現実的

モデルベース検証

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

ルールとモデルベース検証を組み合わせて運用

ルールがエラー

検出する範囲

見落とされる

製造リスク

(7)

DFMのあるべき姿

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

ルールベース検証

モデルベース検証

ルールをパスしても

NGになる可能性が高い

→ 設計手戻りが大きい

→ そもそもルールが良くない

モデルベース検証の必要性が薄い

→ ルールを緩和すればマージンを減らせる

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

ルールをパスすれば大半のリスクは回避

モデルベースは必要最小限に抑える

良くない例1

理想的な例

いい

DFMとは…

ルールとのバランスがいいこと

処理時間が現実的であること

良くない例2

製造リスク

(8)

プロセス立ち上げ期の状況

歩留ま

時間

プロセス立ち上げRamp

立ち上げ期

テクノロジ検討

チップ設計

試行錯誤

実チップデータ不足

精度最優先

ファブ

ファブレス

EDAベンダ

基本機能開発

基本機能開発(次世代)

課題抽出

立ち上げ期の課題を早期に抽出し

3社が補い合って取り組む

フィードバックを受けて機能向上

プロセスの

最適化

デザインルール

の検討

(9)

ファブレスとしての

FSLの挑戦

プロセス立ち上げ期の

Early Adopter

としての困難に正面から取り組みます

ファブを頼りにしすぎない

EDAツールに満足しない

具体的な事例をご紹介します

- 事例1 ダブルパターニング層に対するリソグラフィ検証の効率化

- 事例2 CMP段差の改善

(10)

ダブルパターニング層に対する

リソグラフィ検証の効率化

(11)

Litho検証の課題

検証精度

処理時間

対策

1: 階層的な解析処理

計算量を減らすための対策

シングルパターニング世代

(~28nm)

ダブルパターニング世代

(22nm~)

OPC, Litho Simulationのための膨大な計算量

対策

2: 差分的な解析処理

対策

3: パターンマッチング

対策

1: 階層的な解析処理

対策

2: 差分的な解析処理

処理するマスク枚数が

2倍

さらに問題は難しく

!!

検証精度

対策

3: パターンマッチング

(12)

ダブルパターニング世代の階層的な

Litho検証

セル

A

セル

Aレベルで

Litho検証を実施

上位階層

セル

A

セル

A

セル

A

セル

A

セル

A内を除外して

検証すればよい!

セル

A

セル

A

セル

A

セル

A

セル

A

インスタンスの配置場

所によって、セル内の

マスク分割が異なる

階層処理すれば精度問題が…

フラット処理すれば処理時間が…

マスク1

マスク2

シングルパターニング世代

(~28nm)

ダブルパターニング世代

(22nm~)

(13)

階層検証実現に向けた取り組み

Cadence

非常に処理時間が

長いことが判明!!

Lithoルール

大規模チップ開発

- 20nm世代テクノロジ

- チップサイズ25mm□以上

- ダブルパターニング層数4

ツール単独での改善

は困難との結論

階層検証を含め複数の

処理速度改善案を提案

階層検証を可能とする

ための仕様を仮策定

精度ロスなしに階層検証を

可能とする制約条件を合意

ツール

: LPA

FSL

外ファブ

(14)

階層検証実現に向けた取り組み

Lithoルール

該当チップが制約条件を

満たしていることを確認

階層対応

LPA

(評価版)

評価結果のフィードバック

と最終仕様の合意

階層対応

LPA

(正式版)

精度ロスなしに階層検証を

可能とする制約条件を合意

Cadence

FSL

外ファブ

大規模チップ開発

- 20nm世代テクノロジ

- チップサイズ25mm□以上

- ダブルパターニング層数4

(15)

セル

A,B,Cを階層処理の対象に指定

フラット検証に対して、処理対象面積が検証

48.87%少なく済む

測定結果

MVS 14.1

Intel Xeon CPU X5690 @ 3.47GHz * 48 CPUs

階層検証導入による効果

セル名

面積

配置数

総面積

セル

A

1.88%

17個 31.96%

セル

B

0.93%

7個

6.51%

セル

C

1.30%

8個 10.40%

48.87%

セルA

セルB

セルC

チップイメージ

(>25mm□)

処理時間

削減幅

フラット検証

82:43:25

階層検証

44:21:45

-46.4%

大幅な処理時間削減を達成

(16)

事例

1まとめ

まずは

FSLからファブに対して状況と要求をインプット

EDAベンダからの要求だけではファブはなかなか動かない

要求はできるだけ具体的に

並行して

EDAベンダとも協議を開始

Cadence R&Dと月例の電話会議

トライアルとフィードバック

階層間を分離するという考え方

良かった点

成果

FSL

いち早く

LPAの先進機能が利用可能に

Cadence

ツール製品の競争力強化

(17)

CMP段差の改善

(18)

Light source

Out of focus

Wafer cross section

Depth of focus

Best

focus

CMP検証の課題

課題

2. ルールとのバランス

課題

1. 検出・修正の難しさ

CMP後の段差(高低差)が大きいと

上層露光時にフォーカスが合わない

(19)

IP

DRC密度基準パス

CMP検証パス

CMP解析結果

IP内表面高さ分布

1500Å

1400Å

高低差

= 1500 - 1400 =100Å

(OK)

チップA

IP

チップ

B

IP

低密度

P&R

高密度

P&R

チップ内表面高さ分布

1500Å

1400Å

高低差

= 300Å

(NG)

1700Å

チップ内表面高さ分布

1550Å

1350Å

高低差

= 200Å

(OK)

IP

単体では

DRC,CMP

共に

OK(

パス

)

CMP判定基準

高低差

< 250Å → OK

同じ

IP

でも置かれるチップによって

CMP

OK

だったり

NG

だったりする

(Cu密度が低いと削れにくくなり

表面高さは高くなる)

課題

1: 検証・修正の難しさ

(20)

課題

1に対する対策案

IP

高密度

チップ

:低密度

段差を軽減させるには…

IP-チップ間でCMP段差が大きい

方針

A: チップの配線密度を上げる

ファブ提供のダミー生成ルール

→ 調整の余地なし

IPの面積を増やす → インパクト大

IP内の配線を間引く → 特性への影響

太幅配線への

Pillar導入 → 検討

方針

B: IPの配線密度を下げる

(21)

Pillarの検討

Pillarなし

Pillarあり

Pillar

Metal

方針

B: IPの配線密度を下げる

配線密度低下・配線周囲長増大により、

CMPによる削れが抑制

低密度部

(チップ領域)との段差が軽減

Pillarあり

Pillarなし

CCP(Cadence CMP Predictor)

解析結果をプロット

(22)

400 450 500 550 600 650 700 70% 75% 80% 85% 90% 95% Metal Density S u r fa c e H e ig h t ( A )

Pillarあり

Pillar

なし

Pillarの検討

Hotspotは?

DRCは?

RCは?

Pillar挿入線幅決定

段差の傾向調査

Pillar形状決定

Layoutの最適化

・密度

Pitch

・隣接

PillarのShift量

・配線

Edgeとの距離

…etc.

検証

Layout Rule完成

フィードバック

CCPでSimulation

解析

OK

NG

GDS

(23)

Pillarの効果

テストデータでの確認

M4,M5層にPillarを導入

→ M4層で段差が110Å改善

→ M5層で段差が140Å改善

テストデータ

M4層

Pillar導入前

Pillar導入後

M4層

空きスペースにはDummy Fill挿入済み

(24)

課題

2: ルールとのバランス

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

当初

理想的な例

ルール

(DRC密度基準等)は満たすのに、CMP検証で違反となる例が多発

本当に??

ファブと議論

リスクの適正化

→ バランスを是正

DRC基準の適正化(ルール)を実現

CMP検証の適正化(モデル)を実現

ルールベース検証

モデルベース検証

製造リスク

当初の製造リスクが

悲観的すぎたことが判明

(25)

事例

2まとめ

プロセスエンジニアとの連携

“人”と“人”とを繋げる“人”

ファブへのダイレクトパス

窓口担当ではなく技術担当との直接やりとり

良かった点

成果

FSL

Pillar導入によりCMP段差を改善

他社に先行して適正な設計基準の享受

ファブ

設計基準の適正化

(26)
(27)

事例を通しての気づき

やるべきこと

ファブと

EDA

ベンダとの

- 課題を共有

- 制約を認識

- 方向性の合意

- 施策に分解

- 開発作業

- 成果の刈り取り

動機付け

スキル

Give and Take

- ニーズを補完し合う

- 積極的な提案・フィードバック

→ 発言力・影響力

先進的な取り組み

- チャレンジングな目標

ファブと

EDA

ベンダ両方と対応

- 直接の技術的議論

- 分業ではなく双方をカバー

英語力

(?)

(28)

まとめ

先端テクノロジでの

DFMに関する技術的課題を解決

階層的処理による

Litho検証の短TAT化

Pillar導入によるCMP段差の改善

(29)

FSLのお客様にとってのメリット

製造性の良い

SoC開発がより容易に

開発期間の短縮

デザインルール

/DFMルールの先行的な適正化

リソ耐性改善

(→)

歩留まりの早期安定化

最先端テクノロジに継続してコミットするために

FSLはDFMの技術開発を追求していきます

先端テクノロジのカスタム

SoCはFSLにお任せください!!

DFM = 製造性を考慮しながら設計すること

CDNLive 2011より

(30)

参照

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