• 検索結果がありません。

電磁アクチュエータ

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

シェア "電磁アクチュエータ"

Copied!
2
0
0

読み込み中.... (全文を見る)

全文

(1)

電磁アクチュエータ

工学部 機械知能工学科 機械知能工学科

熊 谷 正 朗

[email protected]

MC-09/Rev 15-1.0

メカトロニクス総合

ロ ボッ ト開発 工 学研 究室

RDE

第09回

東 北学 院大 学 工学 部

ドライブ回路

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

今回の到達目標

○モータ類の制御に用いられる回路

◇半導体によるスイッチング回路

について説明できる。

・ MOSFETによるスイッチング

・ MOSFETによるHブリッジ回路

◇電力損失に注意を払える。

・ MOSFETの損失、ダイオードの損失

◇スイッチング回路の動作を読み取れる。

・ 電流の経路、動作の時間変化

Page. 2

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

今回の背景知識 (復習→基礎BS13他)

○電磁アクチュエータと駆動の特性

◇電磁アクチュエータはコイルである

・ 急にオフできない (L di/dt)

◇出力の調整:スイッチング&PWM方式

・ 高速にオンオフ、オンの時間比率

◇極性の変更:Hブリッジ回路

・ 電磁石の極性、モータの方向←電流極性

◇損失の問題

・ 部品にかかる電圧×電流→損失・熱

Page. 3 MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

電磁アクチュエータの電流制御

○電流制御の意義

◇アクチュエータの特性:電磁石

・ 電流と力、トルクが比例する

・ 制御理論の多くの入力が力 (ma=f)

◇アクチュエータの破損原因は電流過大 (or速度)

・ 過大電流→加熱→焼損

・ 過大電流→強い磁場→永久磁石の減磁

⇒ 限界性能を出すには電流の調整必要

◇簡易的には電圧のみ (PWMのみ) でもOK

Page. 4

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

アナロ グ増幅回路による駆動 (小出力向け)

○オペアンプ+バイポーラトランジスタ

◇電圧ー電流変換回路を増強

◎ スイッチングではない:ノイズ出にくい

× 条件によって損失がかなり大、効率低

○ 回路規模が小さい

0 0

R

S

負荷用電源

負荷

正電源

負電源 プッシュプル型 I

o

=(1/R

S

)V

i

V

i

I

o

Page. 5 MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

アナロ グ増幅回路による駆動 (小出力向け)

○動作の理解

◇オペアンプ+トランジスタ→オペアンプ

・ V BE 分は自動的に補われる

・ 電流は増強できるが、電圧は少し減(V BE 分)

0 0

R

S

V

BE

Page. 6

吐き 出し

吸い 込み

※損失への耐性も

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

単純なスイッチン グ回路 (リレー、ソレノイド)

○MOSFET+フリーホイールダイオード

◇スイッチ部にMOSFETをつかう+コイル対策

・ リレーの駆動、ソレノイド(電磁石)の駆動

・ ステッピングモータのユニポーラ駆動(単純)

・ モータの一方向駆動(必要ならPWM)

0 0 0

Page. 7

※バイポーラも可

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

Hブ リッ ジ回路

○MOSFET×4+D (Nch×4 or Nch, Pch×2)

◇HブリッジのスイッチをMOSFETで構成

・ Nchの場合、ハイサイドのゲート電圧に注意

・ Pchの場合はゲート電圧を下げてオン

Nch Pch

Page. 8

※バイポーラも可

(2)

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

Hブリッジの動作

○オンのとき・オフした直後 (フリーホイールD)

◇対角をオン→スイッチ経由で流れる

※状況依存

◇→全部オフにする→FWD経由で流れる

・ 電流が電源側に戻る:瞬間的にはCに入る

Page. 9 MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

Hブリッジの損失の検討

○損失箇所:オン→MOSFET / オフ→D

◇オン:2× Ron I

: Ron次第で下げられる

◇オフ:2× VF I : VFが1[V]程度になる

(大電流)

→場合によってはDの損失の方が大

Ron Ron

VF

VF

I I

Page. 10

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

損失低減の工夫

○ Dをなるべく使わないようにする

◇1組の対角のFETをオフ

→直後にもう一組をオンにする→D通らず

※切り替えの僅かな時間はD、FETを逆流する場合あり

※MOSFETは双方向可

Page. 11

※バイポーラは不可

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

Hブ リッ ジと回生

○対角から戻る電流 → 電源(電池)

◇オン時/オフ時の上がり方/下がり方が変わる

・ オフ時の方が長い場合→戻る方が多い

・ モータの起電力(=回転方向)と電源の関係

一般的駆動:

上がりにくく 下がりやすい

回生可能状態:

上がりやすく 下がりにくい

Page. 12

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

ステッピングモータのバイポーラ駆動

○コイルが2系統ある

◇Hブリッジ×2

・ AとAを逆向きに直列

・ 直流モータの2倍の規模

A A B B

N S

A

A B B

Page. 13 MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

3相ブリッジ

○3相モータの駆動用

◇ハーフブリッジ×3

・ 上下を適宜オンする

・ PWMでUVW各電流調整

Y結線 Δ結線

N S

U V

W U

U W V V W

Page. 14

MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

電流制御のための電流計測

○ 対象に流れる電流が欲しい

◇絶縁型の電流センサ(磁気を利用、大電流向)

◇抵抗を直列に入れる→両端の電圧を取り出す

=非絶縁なので工夫が必要

※ブレーキ

※ここの電圧 に要注意→

Page. 15 MC09 電磁 回路 TGU-MEIS-メカトロニクス総合

電流制御の方法

○(平均)電流を一定にするフィードバック

◇基本アイデア

・ 電流が目標より少ない→PWMデューティ増

・ 多い→減

※デューティ:On-Off型/On-On型(対角オン切替)

◇モータの起電力の影響

・ 回転数が上がる→より高い電圧が必要

→より高いデューティ比が必要になる

・ 一般にPI制御(比例積分制御)を使う

Page. 16

参照

関連したドキュメント

In this paper, the electromagnetic field in the vicinity of a horizontal multilayered medium with either a magnetic or an electric dipole source was calculated theoretically by

励磁方式 1相励磁 2相励磁 1-2相励磁 W1-2相励磁 2W1-2相励磁 4W1-2相励磁. Full Step Half Step Quarter Step Eighth Step Sixteenth

関東総合通信局 東京電機大学 工学部電気電子工学科 電気通信システム 昭和62年3月以降

[r]

漏洩電流とB種接地 1)漏洩電流とはなにか

電路使用電圧 300V 以下 対地電圧 150V 以下: 0.1MΩ 以上 150V 以上: 0.2MΩ 以上 電路使用電圧 300V 以上 : 0.4MΩ 以上.

単に,南北を指す磁石くらいはあったのではないかと思

電気設備保守グループ 設備電源グループ 所内電源グループ 配電・電路グループ 冷却・監視設備計装グループ 水処理・滞留水計装グループ