• 検索結果がありません。

本発明は 低コストな装置により上述の電磁干渉ノイズや試料温度分布の不均一性の問題を解決して高温におげる導電性試料の t 熱容量及び半球全放射率の測定結果の確度を向上させることを課題とする 導電性試料に通電して急速加熱し 該試料を目標温度丁に到達させるステッフ 目標温度に到達直後に該電流を変化させ そ

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

シェア "本発明は 低コストな装置により上述の電磁干渉ノイズや試料温度分布の不均一性の問題を解決して高温におげる導電性試料の t 熱容量及び半球全放射率の測定結果の確度を向上させることを課題とする 導電性試料に通電して急速加熱し 該試料を目標温度丁に到達させるステッフ 目標温度に到達直後に該電流を変化させ そ"

Copied!
21
0
0

読み込み中.... (全文を見る)

全文

(1)

(12)

力条

れた国際出

(19)

世界 知

有 権

国際

(10)

(43)

2010

9 月 10

(10.09.2010)

WO

2010/101006 Al

(51)

際特 許 分

類 BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, Cの,

GOlN 25/20

(2006.01) CR, CU, CZ, DE, DK, DM, Dの, DZ, EC, EE, EG, ES, FI,

GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, (21)

際 出願 番 号

PCT/JP20 10/05 1922 KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, (22)

際 出願

2010

2

10

(10.02.2010) LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, Nの, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, (25)

際 出願

言語

PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC,

(26)

開の

言語

VN, ZA, ZM, ZW. (30)

特願

2009-052886 2009

6 (06.03.2009) JP

(84)

( .

) : ARIPO (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, (71)

出願

人 (

を除

<

につ

) :

NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW), --L

術総

究 所

(NATIONAL

IN¬ (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), ヨ

ロ ツ /

STITUTE

OF

ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE

(AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB,

AND TECHNOLOGY)

[JP/ JP];

1008921 東京

都 千

GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT , LU, LV, MC, MK, MT, NL,

田 区霞 が

1

3

1

Tokyo (JP). NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR), OAPI (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, Gの, GW, ML, MR, NE, SN,

(72)

TD, TG). (75)

/

出願

人(

につ

) :

博 道

(WATANABE Hiromichi)

[JP/JP];

3058563

県 添 公

開書

<

ば市 梅 園 1

1

1

3

3

(

2 i (3))

術総

究 所

几araki (JP). (81)

(

の国内

) :AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA,

(54) TITLE:METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING SPECIFIC HEAT CAPACITY AND SEMISPHERICAL TOTAL EMISS

Γ

ITY OF CONDUCTIVE SAMPLE

(54)

明の

名 称

導電

熱容 量

び半球 全 放 射 率

び装

(57) Abstract:

Improved is the accuracy of the result of determination of

[図6] the specific heat capacity and semispherical total emissivity of a conduc¬

tive sample at high temperatures by solving the problem of the electromag¬ netic interference noise and the nonuniformity of the sample temperature distribution by means of a low cost device. A method and device for deter¬ mining the specific heat capacity and semispherical total emissivity of a conductive sample is characterized by comprising a step of rapidly heating the conductive sample by current application and causing the temperature of the sample to reach a target temperature Tm, a step of varying the cur¬ rent immediately after the temperature reaches the target temperature and calculating multiple values of X and those of Y for different currents from

M ASUR M NT1 the rate of change of the temperature dT/dt, the current I flowing through

M ASUR M NT2 the sample, and the measurement data relating t o the voltage drop V of the MEASUREM NT3

MEASUREM NT4 sample immediately after the variation using relations (1), (2) of X and Y , MEASUREMENT5 (where A is the effective surface area of the sample, SB is the

Stefan-Boltzmann constant, Tmi s the target temperature, and T0is the ambient temperature of the sample) and a step of calculating the specific heat ca¬ pacity C and the semispherical total emissivity

ε

from the slope and inter¬

VI

= - — (1) cept of the approximately derived linear expression of X and Y using the だ 畔 fact that X and Y are in a linear relation (3) for multiple values of X and those of Y obtained when the current after the temperature reaches the tar¬

ぬ get temperature i s varied.

Y = 、 (2)

[

τ

-

(57)

:

(2)

本 発

コス ト

な 装

より

上述

電磁

イ ズ

試 料 温 度

問題 を解 決

にお

げる

導電 性 試 料

t

熱 容 量

び半球 全 放 射 率

確 度

を向 上

る こ

を課 題 と

る 。

導電性 試 料

て急 速 加 熱

試 料 を

温 度

到 達

る ス テ

ッフ

、 目

温 度

到 達

直後

電流 を

変 化 さ

直 後

温 度

変 化

率 dT/dt

試 料 を流

電流

試 料

電圧 降

T V

デ ー

電流

X

Y

を次

X

Y

の関

より

る ス テ

ッフ

は試 料

面 積

SB

ステ

ボ ル ツマ ン

定数

温 度

は試 料 周

囲の

温 度 で

る 。 及

温 度 到 達 後

電流 を様

な値

変 え

場 合

X

Y

対 し

X

Y

次 式

を持

を利

的に

導 出

X

Y

1

次 式

き と

熱容 量

び半球 全 放 射 率

ε t

を算

る ス テ

ッフ

を特 徴 と

導電性 試 料

it

熱容 量

び半球 全 放 射 率

方法

び装

(3)

名称

電性試料

容 量

球 全

分野

000

、高

電性試料

熱容

量 及

全 放

関す

景技

000

電性試料

熱容

量 及

全 放

理 と

法 が

(

)

なパ

技 術

法 (

非特

許 文

)

(

2

) フ

ィー

ドバ

制御

技 術

法 (

非特

許 文

2

)

(

3

) 試料

分布 を考

慮 し

技 術

法 (

ョト

許 文

3

)

紹 介

000

3

なパ

技 術

1

00

K

の高

電性試料

熱容

量 と

全 放

を測

ため

使

る典 型

な装

略 を

に示

試料

にバ

大 電

流 し

て試料

を瞬

間的

の際の

試料

試料

電圧 降

v

び試料

1

に直列

抵 抗

電圧 降 下

出す

る と共

射 温

度 計

れた

試料

付 近

分布

は短 時

内で

試料

囲への

移 動

は熱

射 が

る と仮

ため、

試料

単位

収 支

000

(4)

mc

T

枕 二K7

000

こ こ

、前

V

を測

る領 域

試料

c

は試

熱容

A

試料

E

は試料

の半

全 放

ボル ツマ

は試料

囲の

000

2

に示

度 変 化

な る

を停 止

て試料 が 降温

中で あ

ば試料

分布 が

る と

な し

が成

立す

る と仮

上 で

時 (

字 )

降温 時 (

c )

T

熱収 支

はそ

2

000

c

KJ

也ぬ

㏄ ㍗

2

mc

/ r

s

C

000

8

2

2

立す

熱容

c

。と

全 放

率 E

3

出す

000

W

[

(

)

(

)

]

3

乞 二K7 /

1

T

( y

T

y

3

00 0

ィー

ドバ

制御

技 術

(

)

技 術

発 展

せた

(

)

技 術 と

制御

の半

を用

試料 温

準 パ ラ

を フ

ィー

ドバ

制御

試料 温

を短 時

だ け温

る 点

試料

T

状 態

持 し

場 合

には

零 と

ため、半

全 放

率 E

(5)

00

乞二

(

Z

00

れた半

全 放

と加

熱 時

度 変 化

熱容

を算

出す

00

3

)

00

試料

分布 を考

慮 し

技 術

る比

熱容

(

)

技 術

発 展

せた

(

)

試料

度 と

射 温

度 計

が測

る値

抵 抗

を用

る 点

抵 抗

を用

る理

由は

熱 が

て試

料 が

状 態

な る と

試料

分布

は伝 導 熱損 失

に不

な る

ため、

に試料

の一

のみ

る放

射 温

度 計

試料

分布 を考

慮 し

効温

度 と

ため

(

3

)

技 術

る比

熱容

な実

施 方 法

T

せた

わずか

抵 抗

率測

継 続

れた

抵 抗

を算

効温

3

中に

熱容

を算

出す

(

非特

許 文

3

)

た、

分布 を考

慮 し

技 術

全 放

(

2

)

技 術

発 展

せた

ィー

ドバ

制御

試料 温

持 し

上 で 同時

に測

定 さ

抵 抗

る実

減 少

伝 導

熱損 失

を考

慮 し

解 析

全 放

出す

(

非特

許 文

)

o

行技

術 文

(6)

ヨ戸 井

00

ョト

許 文

:

i

a

J

・ L

c

u

r

a

nd

c k

J

s

a

ona

u

r au

O

anda r ds

o

(

)

ョト

許 文

:

a

s u o o

a

nd

a

r

a n

l

J

h

r ophys

8

(

)

ョト

許 文

3

:

a

anab

v

c

l

s

r u

o

03

(

00

)

ョト

許 文

:

a

anab

a

nd

a

s u o o

v

c

l

ns

r u

o

0 3

(

00

)

明が解決

しよ

00

(

従 来 技 術

題 点

)

熱法

試料

を急

電性試料

は大 き

場 合

イズ

せ、

試料

と標

抵 抗

れの

電圧 降 下

に大 き

え る

3

試料

た際の

試料

測温

(試

射 温

度 計

)

抵 抗

を示

3

2

試料

降温 時

れの

抵 抗

率測

結 果

近 似

を示

2

X

s

に急

を停 止

試料

降温 時

抵 抗

P

) を

る と系

な差

が存

抵 抗

は試料

抵 抗

試料

抵 抗

電圧 降 下

に何

かの

渡 辺 と松

て電圧 降 下

のゼ

で測

電圧

イズ

る と

考 察

を報

(

許 文

3

)

同報告

ょれ

降温 時

電圧 降 下

電圧

イズ

A

V

る と仮

上 で

は同

大 き

る と

(7)

A

v

を導

た A

v

を用

て電

抵 抗

結 果

00

つい

ン と

った

結 果

を停 止

抵 抗

け上

現 象

試料

大 き

を伴

熱 時

のみ

発 生

イズ

る と

結 論

に至

った

信 頼

値 と比

結 果

値 と

ほぼ

致 し

は大 き

値 と

ったか

のみ

大 き

れた

渡 辺 と松

木 が

主 張

電圧

イズ と仮

る と

に大 き

電圧

イズ

な る

イズ

大 き

は電

大 き

大 き

を伴

熱 時

抵 抗

のみ

大 き

分考

v

を用

3

3

熱容

量 と

全 放

は電

イズ

大 き

可能 性 が あ

た、

許 文

3

れた

熱容

試料

抵 抗

電圧

電圧 誤

る と

った

熱容

が 導

ため、

者 が 測

った

試料

を測

場 合

には

大 き

る と

00

8

全 放

を測

場 合

には

熱 時

電圧 測

使

いため

イズ

はほぼ

に示

題 点

が 指 摘

試料

つい

て上

(

2

)

技 術

試料 温

(

7 K

) に

持 し

た際の

試料

抵 抗

に示

(

許 文

)

の図か

試料 温

持 し

かかわ

ず、

に依 存

抵 抗

試料

流 供

のための

ーや

電圧 降 下測

介 し

伝 導

熱損 失

(8)

分布

が進

行 し

を示

パ ラ

射 温

度 計

試料

の一

囲の

を示

に過

ず、

試料

全体

分布 が

いため

試料

代 表 しな

を示

00

に示

れた

試料

度 と

抵 抗

度係 数

、前

(

2

)

技 術

全 放

使

われ

には成

記載

れた半

射率

つの

提 案

れた

、半

全 放

を算

出す

ため

には

熱容

量 と

熱伝 導

び試料

分布

を測

る必

要 が

る と

大 き

00 0

(

明の

課 題

)

従 来

熱容

量 及

全 放

を改

良 し

な装

試料 温

分布

を解

決 し

電性試料

熱容

量 及

全 放

結 果

を向上

課 題 と

課 題

を解決

00

課 題

を解

ため

提 供

電性試料

て急

試料

T

に到

、 目

に到

せ、

度 変 化

d

d

試料

1

試料

電圧 降

v

の関

を用

X

Y

を算

出す

00

二 ヴS

Z 4

4

(9)

(

A

は試料

ボル ツマ

試料

囲の

)

達 後

な値

場 合

の X

Y

、 X

Y が

に示

近 似

に導

た X

Y

と切 片

熱容

c

。及

全 放

率 E

を算

出す

特 徴 と

電性試料

熱容

量 及

方 法

00

3

(

c

00

達 後

流 値

え る

の X

Y

を算

出す

す手

備 え

特 徴 と

熱容

全 放

る装

00

(

2

)

技 術

ィー

制御 機 能

ズ と

廃 し

上 で

熱容

量 と

全 放

を測

る と共

に測

を増

やす

で容

易に測

結 果

確 度

を向上

の X

Y

M M

つか

有 無

可能

熱収 支

が成

いたか

ル フ

00

なパ

技 術

理 と

る比

熱容

量 と

全 放

ための

典 型

な装

なパ

技 術

理 と

る比

熱容

量 と

全 放

おい

典 型

試料 温

変 化

3 パ

試料

抵 抗

(10)

ィー

ドバ

制御

試料 温

の一

抵 抗

T

達 後

電圧

わせた

場 合

T

で複

の異

な る

試料 温

度 変 化

d

d

れた X

Y

を用

いた

熱容

量 と

全 放

った

れた X

Y

X

Y

平 面

た図

明 を

形 態

00

係 る

電性試料

熱容

量 及

全 放

明す

2

つの

因の

を低 減

ため、

イズ と

試料 温

分布

性 が

T

熱容

c

。と

全 放

率 E 、

を算

出す

目的

大 電

試料

に急

試料 温

分布

伝 導

熱損 失

はほぼ

ため

試料

熱収 支

立す

00

8

数 8

c

P

c

00

K7

m 0

00

参照

関連したドキュメント

測定結果より、凝縮器の冷却水に低温のブライン −5℃ を使用し、さらに凝縮温度 を下げて、圧縮比を小さくしていくことで、測定値ハ(凝縮温度 10.6℃ 、圧縮比

光を完全に吸収する理論上の黒が 明度0,光を完全に反射する理論上の 白を 10

採取量 一日の揚湯量( m 3 / 日)、ゆう出量( L/min ) 温度 温泉の温度.

核分裂あるいは崩壊熱により燃料棒内で発生した熱は、燃料棒内の熱

核分裂あるいは崩壊熱により燃料棒内で発生した熱は、燃料棒内の熱

核分裂あるいは崩壊熱により燃料棒内で発生した熱は、燃料棒内の熱

試料の表面線量当量率が<20μ Sv/hであることを試料採取時に確 認しているため当該項目に適合して

3.8   ブラベンダービスコグラフィー   ブラベンダービスコグラフを用い、乾燥した試料を 450ml の水で測 定容器に流し込み、液温が