映像情報メディア学会技術報告目次
情報センシング
固体撮像技術および一般
３月２６日（金）
IST2021- 8
A 64M CMOS Image Sensor using 0.7um pixel with high FWC and switchable conversion gain
--- Y. Jay Jung・Vincent C. Venezia・○Sangjoo Lee・Chun Yung Ai・Yibo Zhu・King W. Yeung・
Geunsook Park・Woonil Choi・Zhiqiang Lin・Wu-Zang Yang・Alan Chih-Wei Hsiung・
Lindsay A. Grant(OmniVision Technologies)--- 1 IST2021- 9
プラズマプロセスにより形成される 3 次元欠陥分布が暗電流特性に及ぼす影響評価
○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史(パナソニック)，占部継一郎・江利口浩二(京大)--- 5 IST2021-10
［招待講演］モバイルセンサ画素微細化の歴史
--- ○宮下直幸(サムスン電子)--- 9 IST2021-11
高密度容量を用いたアナログ相関多重サンプリングによる CMOS イメージセンサのノイズ低減
--- ○鴨志田俊太・鈴木 学・黒田理人・須川成利(東北大)--- 13 IST2021-12
45μm 厚裏面照射型フォトダイオード・2 段 LOFIC を有する広ダイナミックレンジ軟 X 線検出グローバルシャッタ CMOS イメージセンサ
--- ○四家寛也・黒田理人・小林諒太・村田真麻・藤原康行・鈴木 学・原田将真(東北大)，
柴口 拓・栗山尚也(ラピスセミコンダクタ)，初井宇記(理研)，
宮脇 淳(理研/量子科学技術研究開発機構/東大)，原田哲男(兵庫県立大)，
山崎裕一(物質・材料研究機構)，渡邊健夫(兵庫県立大)，原田慈久(理研/東大)，
須川成利(理研/東北大)--- 17 IST2021-13
画像認識に用いるイメージセンサの高 SN 比画素に関する研究
--- ○佐々木桃矢・白畑正芳・大倉俊介(立命館大)--- 21 IST2021-14
A Back Illuminated 10μm SPAD Pixel Array Comprising Full Trench Isolation and Cu-Cu Bonding with Over 14% PDE at 940nm
○Kyosuke Ito・Yusuke Otake・Yoshiaki Kitano・Akira Matsumoto・Junpei Yamamoto・Takayuki Ogasahara・
Hiroki Hiyama(Sony Semiconductor Solutions)，Ryusei Naito・Kohei Takeuchi・
Takanori Tada・Kosaku Takabayashi・Hajime Nakayama(Sony Semiconductor Manufacturing)，
Keiji Tatani・Tomoyuki Hirano・Toshifumi Wakano(Sony Semiconductor Solutions)--- 25 IST2021-15
189×600 SPAD 画素を用いた車載 LiDAR 向け積層型 直接 Time-of -Flight 方式測距センサー
--- 熊谷央一・大町純一・松村正雄・八木慎一郎・田湯賢一(ソニーセミコンダクタソリューションズ)，
天川慶太郎(ソニーLSI デザイン)，松川朋広・小澤 治・廣野大輔，○篠塚康大・
本間龍太郎(ソニーセミコンダクタソリューションズ)，馬原久美子(ソニーLSI デザイン)，
大山俊郎・森田陽介・島田翔平(ソニーセミコンダクタソリューションズ)，
上野貴久(Sony Depthsensing Solutions)，松本 晃・大竹悠介・
若野寿史・伊澤 崇(ソニーセミコンダクタソリューションズ)--- 29 IST2021-16
Low power consumption and high resolution 1280X960 Gate Assisted Photonic Demodulator pixel for indirect Time of flight
○Y. Ebiko・H. Yamagishi・K. Tatani・H. Iwamoto・Y. Moriyama・Y. Hagiwara・S. Maeda・T. Murase・
T. Suwa・H. Arai・Y. Isogai(Sony Semiconductor Solutions)，S. Hida・S. Kameda・T. Terada・
K. Koiso(Sony Semiconductor Manufacturing)，F. T Brady・S. Han・
A. Basavalingappa(Sony Electronics)，M. Timmermans・T. Ueno(Sony Depth Sensing)--- 33 IST2021-17
A 250fps 124dB Dynamic-Range SPAD Image Sensor Stacked with Pixel-Parallel Photon Counter Employing Sub-frame Extrapolating Architecture for Motion Artifact Suppression
○Kazuki Hizu・Jun Ogi・Takafumi Takatsuka・Yutaka Inaoka・Hongbo Zhu・Yasuhisa Tochigi・
Yoshiaki Tashiro・Fumiaki Sano(Sony Semiconductor Solutions)，Yusuke Murakawa・
Makoto Nakamura(Sony Semiconductor Manufacturing)，Yusuke Oike(Sony Semiconductor Solutions)--- 39 IST2021-18
［招待講演］イメージセンサーの積層技術とアーキテクチャーの進化
--- ○大池祐輔(ソニーセミコンダクタソリューションズ)--- 43 IST2021-19
A High-speed Back-Illuminated Stacked CMOS Image Sensor with Column-Parallel kT/C-Cancelling S&H and Delta-Sigma ADC
---- Chihiro Okada・○Koushi Uemura・Luong Hung・Kouji Matsuura・Takash Moue・Kazutoshi Kodama・
Masafumi Okano・Takafumi Morikawa・Kazuyoshi Yamashita(Sony Semiconductor Solutions)，
Osamu Oka(Sony Semiconductor Manufacturing)，Itai Shvartz・Golan Zeituni・Ariel Ben Shem・
Noam Eshel(Sony Electronics)，Yoshiaki Inada(Sony Semiconductor Solutions)--- 45 IST2021-20
A 4.6µm, 512 x 512, Ultra-Low Power Stacked Digital Pixel Sensor with Triple Quantization and 127dB Dynamic Range
--- ○Toshiyuki Isozaki・Kazuya Mori・Rimon Ikeno・Masayuki Uno・Ken Miyauchi・Isao Takayanagi・
Junichi Nakamura(Brillnics)，Lyle Bainbridge・Andrew Berkovich・Song Chen・Wei Gao・
Tsung-Hsun Tsai・Chiao Liu(Facebook)--- 49 IST2021-21
A 1-inch 17Mpixel 1000fps Block-Controlled Coded-Exposure Back-Illuminated Stacked CMOS Image Sensor for Computational Imaging and Adaptive Dynamic Range Control
--- ○Yojiro Tezuka・Tomoki Hirata・Hideaki Matsuda・Hironobu Murata・Shiro Tsunai(Nikon)--- 53
