Excellent Power Device

Excellent Power Device

Lowside Power Switch Lamp-, Solenoid-, and Motor-Driving, Dual SOIC8

TND027SW

最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能的動作に 関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。

製品と外形に伴う情報

・パッケージ名  ：SOIC8

・JEITA, JEDEC  ：SC-87, SOT-96

・最小梱包単位  ：2,500 pcs./reel パッキングタイプ：TL  マーキング

ブロック図 特長

  ・  Nch MOSFET 内蔵

  ・  過熱保護機能内蔵 ( 自己復帰タイプ )

  ・  過電流保護機能内蔵 ( 電流制限自己復帰タイプ )   ・  過電圧保護機能内蔵

  ・  2 回路入り

  ・  ハロゲンフリー対応

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値 unit

ドレイン・ソース電圧 VDS 60 V

出力電流 IO(DC) 1.5 A

入力電圧 VIN − 0.3 〜＋ 10 V

許容損失 PD セラミック基板 (1200mm² × 0.8mm) 装着時 1unit 1.3 W セラミック基板 (1200mm² × 0.8mm) 装着時 1.7 W

動作電源電圧 VDS(opr) 40 V

動作周囲温度 Topr − 40 〜＋ 85 ℃

接合部温度 Tj 150 ℃

保存周囲温度 Tstg − 55 〜＋ 150 ℃

外形図  unit : mm (typ) 7072-003

TL

TND

LOT No.

027

4.9

0.22

6.0 3.91.375

1 4

5 8

0.445 1.27

0.715

0.375

1.55

0.175

0.254 (GAGE PLANE)

1 : GND1 2 : IN1 3 : GND2 4 : IN2 5 : OUT2 6 : OUT2 7 : OUT1 8 : OUT1

SOIC8

GND(S) OUT(D)

ESD 保護回路

過熱 保護回路

出力電流 制御回路

ゲート 遮断回路 過電流

保護回路

過電圧 保護回路

TND027SW-TL-2H

http://onsemi.jp

D0512 TKIM TC-00002832/O2611 TKIM TD 削除 /D2607IP TIIM TC-00001114 一部変 /  No.7437-1/9

October, 2013

電気的特性Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値

min typ max unit ドレイン・ソース間クランプ電圧 VDS, clamp VIN=0V, IO=1mA 60 V

出力オフ時電流 IDSS1 VIN=0V, VDS=50V 10

μA

IDSS2 VIN=0V, VDS=12V 5

μA

入力しきい値電圧 VIN(th) VDS=5V, IO=1mA 1.0 1.5 2.0 V

保護回路動作入力電圧 VIN(opr) 4 10 V

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) VIN=5V, IO=1A 0.3 0.4

Ω

入力電流 ( 出力オン時 ) IIN VIN=5V 0.6 mA

過熱検出値 Tj(sd) VIN=5V, IO=1A 120 150 190 ℃

過電流検出値 Is VIN=5V 3.0 6.0 9.0 A

過電流制限値 ( ピーク ) ILMT VIN=5V 3.0 6.0 9.0 A

入力クランプ電圧 VIN, clamp IIN=1mA 10 V

過電流保護動作中、出力電流を過電流制限値でコントロールする。

過熱保護動作中、出力電流を OFF する。

Ordering Information

Device パッケージ名 最小梱包単位 memo

TND027SW-TL-2H SOIC8 2,500pcs./reel Pb Free and Halogen Free

0.2 0.4 0.6 0.8 1.2

1.0 1.4

0

0 2 4 6 8 10 12

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

0

0 2 4 6 8 10

周囲温度,  Ta  --  

IIN  --  Ta

入力電流,  I IN   - -  mA

IT05235 --50 --25

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

0

0

0 25 50 75 100

--50 --25 0 25 50 75 100

周囲温度,  Ta  --  

RDS(on)  --  Ta

ドレイン・ソース間オン抵抗,  R DS (on)    --  

IT05233

入力電圧,  VIN  --  V

RDS(on)  --  VIN

ドレイン・ソース間オン抵抗,  R DS (on)    --  

IT05234

入力電圧,  VIN  --  V

IIN  --  VIN

入力電流,  I IN   - -  mA

IT05236 0.02

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

VIN=5V

I IN(abnorma l)

IIN(normal)

IO=1A IO=1A

Ta=85°C 25°C --40°C 4V

5V

6V

Ta=25°C

0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4

1.0 2.0 1.8 1.6

0

1 2 3

周囲温度,  Ta  --  

VIN(th)  --  Ta

しきい値電圧,  V IN (th)  - -  V

IT05243 --50 --25

58 60 64

62 68

66 70

56

0.8

0 25 50 75 100

--50 --25 0 25 50 75 100

周囲温度,  Ta  --  

VDS, clamp  --  Ta

ドレイン・ソース間クランプ電圧,  V DS , clamp    --  V

IT05241

VIN, clamp  --  Ta

入力クランプ電圧,  V IN , clamp    --  V

IT05242

入力電圧,  VIN  --  V

IO  --  VIN

出力電流,  I O   - -  A

IT05244 1.0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

VDS=24V VIN=0V

IO=1mA

--50 --25 10

9 12

11 13

8

0 25 50 75 100

周囲温度,  Ta  --  

IIN=1mA

VDS=5V IO=1mA

Ta=85

°C 25°C

--40

°C

2 4 6 8 10 12

0

4 5 6 7 8 9 10

4 5 6 7 8 9 10

--50 --25 4

5 7

6 8 9

3

0 25 50 75 100

周囲温度,  Ta  --  

IS  --  Ta

過電流検出値,  I S   --  A

IT05237

入力電圧,  VIN  --  V

IS  --  VIN

過電流検出値,  I S   --  A

IT05238

入力電圧,  VIN  --  V

ILMT  --  VIN

過電流制限値,  I LMT   --  A

IT05240

4V 5V

6V

--50 --25 4

5 7

6 8 9

3

0 25 50 75 100

周囲温度,  Ta  --  

ILMT  --  Ta

過電流制限値,  I LMT   --  A

IT05239

6V 5V 4V

4 5 7

6 8 9

3

Ta=25°C

Ta=25°C

4.0 4.5 142

144 152 150 148 146 154 160 158 156

140

5.0 5.5 6.0

入力電圧,  VIN  --  V

Tj(sd)  --  VIN

過熱検出値,  Tj(sd)    --  

C

IT05245

0 0.5 1.0 1.3 1.5

許容損失,  PD(回路1部)  --  W

PD(回路2部)  --  PD(回路1部)

許容損失,  P D (回路2部)    --  W

IT05247 0.2

0.4 0.8

0.6 1.0 1.4

1.2 1.3

0

--40 --20 0 20 40 60 80 100

周囲温度,  Ta  --  

PD  --  Ta

許容損失,  P D   --  W

IT05248 0.6

0.8

0.2 0.4 1.0 1.4 1.2 1.6

1.3 1.7 1.8

0

全損失 1unit セラミック基板(1200mm

×0.8mm)装着時

応用回路例

その他の応用回路例 ( ソレノイドドライブ )

AC100V

AC24V

OUT

ランプ

ランプ ランプ

マイコン マイコン マイコン

TND027SW IN 5V 5V IN 1

OUT 1 OUT 2

GND 1, 2

IN 2 5V

GND

TND027SW

AC100V

AC24V

OUT ソレノイド

マイコン マイコン マイコン

IN 5V 5V IN 1

OUT 1

ソレノイド

OUT 2

GND 1, 2

IN 2 5V

GND

TND027SW TND027SW

動作説明

・  入力電圧が入力しきい値電圧以上 ( 推奨 4 〜 6V) 印加されると出力パワー MOSFET がオンし、ランプに電流が流れ    て点灯する。また、入力電圧が入力しきい値電圧以下になると出力パワー MOSFET がオフし、ランプは消灯する。

・  通常のランプ動作の場合に発生する突入電流は内蔵の過電流保護動作により設定された電流に制限し、ランプの長寿    命化に最適である。

・  負荷短絡時に出力電流が過電流検出値以上流れると内蔵された過電流保護回路の働きによって出力パワー MOSFET    の電流をコントロールする。また、素子が許容損失 PD を超過するような異常モードが発生した場合には、過熱保護    回路の働きによって Tj=150℃ (typ) で出力パワー MOSFET の電流をオフし、パワースイッチを破壊から保護する。

・  その他の応用回路例として、ソレノイドドライブのように DC 電圧の制御も可能である。

注意事項

・  ブロック図に記載の OUT − GND 間のダイオードは、MOSFET の寄生ダイオードである。

・  ソレノイドドライブ ( モ−タドライブ ) において、OUT 電圧が GND 電圧より低い状態となる場合、この期間内は、

   IN 端子に電圧印加をしないで下さい。

・ソレノイドドライブ ( モ−タドライブ ) において、OUT 電圧が GND 電圧より低い状態で IN 端子に電圧印加をする    場合は、OUT 端子− GND 端子間に外付けダイオードを付加して下さい。

テーピングの情報   TND027SW-TL-2H

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3,1ᣞᵾ

Outline Drawing Land Pattern Example

Mass (g) Unit 0.082

* For reference mm

Unit: mm

1.75

1.27

0.65

5.60

ON Semiconductor及びONのロゴはSemiconductor Components Industries, LLC (SCILLC)の登録商標です。SCILLCは特許、商標、著作権、トレードシークレット(営業秘密)と他の知 的所有権に対する権利を保有します。SCILLCの製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf.

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(参考訳)