N-Channel Power MOSFET

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N-Channel Power MOSFET

1500V,   4A, 7 _Ω , TO-3PF-3L

2SK3748

最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能的動作に 関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。

特長

  ・  低オン抵抗、低入力容量、超高速スイッチング  ・  高信頼性 (HVP プロセス採用 )   ・  マイカレスパッケージで取付け作業性が良い  ・  アバランシェ耐量保証

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値 unit

ドレイン・ソース電圧 VDSS 1500 V

ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V

ドレイン電流 (DC) ID* 4 A

ドレイン電流 ( パルス ) IDP PW ≦ 10

μ

許容損失 PD 3.0 W

Tc=25℃ 65 W

チャネル温度 Tch 150 ℃

保存周囲温度 Tstg − 55 〜＋ 150 ℃

アバランシェエネルギー ( 単発 )*1 EAS 165 mJ

アバランシェ電流 *2  IAV 4 A

* チップ性能表記

*1. VDD=50V, L=20mH, IAV=4A ( 図 1)

*2. L ≦ 20mH, 1 パルス

外形図 unit : mm (typ) 7538A-002

製品と外形に伴う情報

・パッケージ名  ：TO-3PF-3L

・JEITA, JEDEC  ：SC-94

・最小梱包単位  ：30 pcs./magazine

マーキング  電気的接続図

1

2

K3748

LOT No.

15.5 5.5

3.6 3.0

3.55.0

2.04.5 10.0

25.0 24.5

2SK3748-1E

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

項目 記号 条件 定格値

min typ max unit

ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0V 1500 V

ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=1200V, VGS=0V 100

μA

ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 16V, VDS=0V ±10

μA

ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=10V, ID=1mA 2.5 3.5 V

順伝達アドミタンス

⏐ yfs _⏐

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) ID=2A, VGS=10V 5 7

Ω

入力容量 Ciss

VDS=30V, f=1MHz

790 pF

出力容量 Coss 140 pF

帰還容量 Crss 70 pF

ターンオン遅延時間 td(on)

図 2 において

17 ns

立ち上がり時間 tr 75 ns

ターンオフ遅延時間 td(off) 360 ns

下降時間 tf 116 ns

総ゲート電荷量 Qg

VDS=200V, VGS=10V, ID=4A

80 nC

ゲート・ソース電荷量 Qgs 6.4 nC

ゲート・ドレイン電荷量 Qgd 36 nC

ダイオード順電圧 VSD IS=4A, VGS= 0V 0.94 1.2 V

逆回復時間 trr IS=4A, VGS=0V, dis/dt=100A/μs 340 ns

図 1. アバランシェ耐量測定回路図    図 2. スイッチングタイム測定回路図

Ordering Information

Device パッケージ名 最小梱包単位 memo

2SK3748-1E TO-3PF-3L 30pcs./magazine Pb Free

50Ω RG

≧50Ω

VDD L

10V 0V

2SK3748

PW=10μs D.C.≦0.5%

P.G RGS

50Ω G

S D

ID=2A RL=100Ω VDD

200V

VOUT

2SK3748 VIN

10V 0V

VIN

ドレイン・ソース電圧,  VDS  --  V

ID  --  VDS

ドレイン電流,  I D   --  A

IT09205

ゲート・ソース電圧,  VGS  --  V

ID  --  VGS

ドレイン電流,  I D   --  A

IT09206 0

0 8

7

6

5

4

3

70

50 60

40

10 20 30

2

1

0 0 7

20 18 16

4 12

2 6 8 10 14

1 2 3 4 5 6

Tc=25°C

10V 8V

VGS=4V 5V 6V

VDS=20V

Tc= --25°C

25°C 75

C

ゲート・ソース電圧,  VGS  --  V

RDS(on)  --  VGS

ドレイン・ソース 間 オン抵抗,  R D S (on)  - -  

IT09207

ケース温度,  Tc  --  ° C

RDS(on)  --  Tc

ドレイン・ソース 間 オン抵抗,  R D S (on)  - -  

IT09208

--50 --25 0 25 50 75 100 125 150

0 16

10 12 14

4 8

6

2

IT09210

0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5

0.01 0.1 1.0 10

7 5 3 2 7 5 3 2 7 5 3 2 2

ダイオード順電圧,  VSD  --  V ソース電流,  I S   - -  A

IS  --  VSD

ドレイン電流,  ID  --  A

0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7

1.0

2 3 5 7 2 3 7 5

0.1 00 14

10 12

8

6

20 18 16

4 12

2 6 8 10 14

4

2

SW Time  --  ID

s

1000 7

10000 5 7

Ciss,  Coss,  Crss  --  VDS

ID=2A

25

C Tc=75

C

--25

C

ID=2A VGS=10V

VDS=20V

Tc= --25°^C 75°C

25°^C --25°C Tc=7

5°C

VGS=0V

f=1MHz VDD=200V

VGS=10V

順伝達アドミタンス,  

y fs  |   - -   S

| y fs  |  --  ID

A S O

ドレイン・ソース電圧,  VDS  --  V ドレイン電流,  I D   - -  A

1.0 10

2 3 5 7 2 3 5 7 2 2

3 5 7

0.1

0.01

2 3 5 7 2 3

2 3 5 7 2 3 5 7

1.0 10 100 1000

IT16890 IT09213

総ゲート電荷量,  Qg  --  nC

VGS  --  Qg

ゲート・ソース電圧,  V GS   - -  V

0 0 1 2 3 4 5 6 7 8

90

40 50 60 70 80

10 9

10 20 30

VDS=200V

ID=4A

μs

Operation in this area is limited by RDS(on).

100μs 1ms 10m 100m s

s

ID=4A

IDP=8A(PW≦10

DC ope ration

Tc=25

C 1パルス

0

0

20 40

10 20

60

40

30

80 100 120

60 65 70

50 80

140 160 0

0

20 40

0.5 1.0

60 2.0

1.5

80 100 120

3.0

2.5 3.5

140 160

周囲温度,  Ta  --  °C

PD  --  Ta

許容損失,  P D   --  W

IT09215

ケース温度,  Tc  --  °C

PD  --  Tc

許容損失,  P D   --  W

IT09216

マガジン（スティック）包装の情報   2SK3748-1E

Mass (g) Unit

* For reference5.5 mm

Outline Drawing

取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。

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