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Study on defect characterization of Ge gatestacks using deep-level transient spectroscopy

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Academic year: 2021

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九州大学学術情報リポジトリ

Kyushu University Institutional Repository

Study on defect characterization of Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy

温, 偉辰

http://hdl.handle.net/2324/4110526

出版情報:九州大学, 2020, 博士(工学), 課程博士 バージョン:

権利関係:

(2)

(様式6-2)

氏 名 温 偉辰

論 文 名 Study on defect characterization of Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy

(DLTS法を用いたGeゲートスタックの欠陥評価に関する研究)

論文調査委員 主 査 九州大学 教授 服部 励治 副 査 九州大学 教授 中島 寛 副 査 九州大学 システム情報科学研究院 准教授 佐道 泰造 副 査 九州大学 准教授 王 冬

論 文 審 査 の 結 果 の 要 旨

本論文は、Ge ゲートスタック中の欠陥を定量的に評価するための手法を確立すると共に、種々 のゲートスタックに対して界面欠陥と絶縁膜中の欠陥を高精度に定量評価したものであり、半導体 工学に寄与するところが大きい。よって、本論文は博士(工学)の学位に値するものと認められる。

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