LT1308A/LT1308B - 高電流マイクロパワー、1セル、600kHz DC/DCコンバータ

LT1308A/LT1308B

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1308abfb

標準的応用例

概要

高電流、マイクロパワー、

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_{セル、600kHz DC/DCコンバータ}

LT®1308A/LT1308Bは、1V∼10Vの入力電圧で動作するマ イクロパワー、固定周波数昇圧 DC/DCコンバータです。これ らはLT1308の改良版であり、新規設計にはこれらを使用する ことを推奨します。LT1308Aは、軽負荷時には省電力のBurst Mode動作に自動的に移行し、無負荷での消費電流はわずか 140µAです。LT1308Bは、軽負荷時にもスイッチングを継続し、 動作時の消費電流は2.5mAです。両方のデバイスとも、シャッ トダウン時の消費電流は1µA未満です。 バッテリ低下検出器の精度は、LT1308より大幅に高くなって います。200mVリファレンスは、室温において 2%、全温度 範囲において 3%で規定されています。シャットダウン・ピン は、1V以上の電力源に接続されるとデバイスをイネーブルし、 LT1308のようにVINに接続する必要はありません。内部VCク ランプによって過渡応答が改善されているので、スイッチ電圧 定格は36Vまで高められ、高出力電圧アプリケーションが可 能です。 LT1308A/LT1308Bは8ピンSOパッケージと14ピンTSSOPパッ ケージで供給されます。 コンバータの効率

特長

アプリケーション

n 1個のリチウムイオン・セルから5V/1Aを供給 n 4個のNiCdセルからSEPICモードで5V/800mAを供給 n 固定周波数動作：600kHz n 最大34Vの昇圧コンバータ出力 n 重負荷で起動 n 軽負荷時の自動Burst Mode™動作（LT1308A） n 軽負荷時に連続スイッチング（LT1308B） n 低V_CESATスイッチ：2Aで300mV n LT1308とピン互換のアップグレード・デバイス n シャットダウン時の低消費電流：1µA（最大） n 精度が向上したバッテリ低下検出器 リファレンス：200mV ±2% n 8ピンSOおよび14ピンTSSOPパッケージで供給 n GSM/CDMA電話機 n デジタル・カメラ n LCDバイアス電源 n アンサーバック・ページャ n GPSレシーバ n バッテリ・バックアップ電源 n ハンドヘルド・コンピュータ 図1．LT1308Bによる1個のリチウムイオン・セルから5V/1Aへの DC/DCコンバータ VIN SW FB LT1308B L1 4.7µH D1 LBO LBI 47k R2 100k R1* 309k 5V 1A 100pF 1308A/B F01a C1 47µF C2 220µF Li-Ion CELL VC GND SHDN SHUTDOWN C1: AVX TAJC476M010 C2: AVX TPSD227M006 D1: IR 10BQ015 + + L1: MURATA LQH6C4R7 *R1: 887k FOR VOUT = 12V

LOAD CURRENT (mA) 1 EFFICIENCY (%) 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 10 100 1000 1308A/B F01b VIN = 4.2V VIN = 1.5V VIN = 2.5V VIN = 3.6V

L、LT、LTC、LTM、Burst Mode、Linear TechnologyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー 社の登録商標です。その他すべての商標の所有権は、それぞれの所有者に帰属します。

LT1308A/LT1308B

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絶対最大定格

VIN、SHDN、LBOの電圧 ... 10V SWの電圧 ... –0.4V～36V FBの電圧 ... VIN + 1V VCの電圧 ... 2V LBIの電圧 ... –0.1V～1V FBピンへの流入電流 ...±1mA （Note 1） 1 2 3 4 8 7 6 5 TOP VIEW LBO LBI VIN SW VC FB SHDN GND S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO TJMAX = 125° C、θJA = 190° C/W F PACKAGE 14-LEAD PLASTIC TSSOP

1 2 3 4 5 6 7 TOP VIEW 14 13 12 11 10 9 8 VC FB SHDN GND GND GND GND LBO LBI VIN VIN SW SW SW （NOTE 6） TJMAX = 125° C、θJA = 80° C/W 廃品パッケージであるため、参照用としてのみ使用 代替品については、弊社にお問い合わせください。

ピン配置

発注情報

鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング パッケージ 温度範囲

LT1308ACS8#PBF LT1308ACS8#TRPBF 1308A 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C LT1308AIS8#PBF LT1308AIS8#TRPBF 1308AI 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C LT1308BCS8#PBF LT1308BCS8#TRPBF 1308B 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C LT1308BIS8#PBF LT1308BIS8#TRPBF 1308BI 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C LT1308ACF#PBF LT1308ACF#TRPBF LT1308ACF 14-Lead Plastic TSSOP 0°C to 70°C LT1308BCF#PBF LT1308BCF#TRPBF LT1308BCF 14-Lead Plastic TSSOP 0°C to 70°C

鉛ベース仕様 テープアンドリール 製品マーキング パッケージ 温度範囲

LT1308ACS8 LT1308ACS8#TR 1308A 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C LT1308AIS8 LT1308AIS8#TR 1308AI 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C LT1308BCS8 LT1308BCS8#TR 1308B 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C LT1308BIS8 LT1308BIS8#TR 1308BI 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C LT1308ACF LT1308ACF#TR LT1308ACF 14-Lead Plastic TSSOP 0°C to 70°C LT1308BCF LT1308BCF#TR LT1308BCF 14-Lead Plastic TSSOP 0°C to 70°C

さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/をご覧ください。 この製品はトレイでのみ供給されます。詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/packaging/をご覧ください。 動作温度範囲 コマーシャル ... 0℃～70℃ 拡張コマーシャル（Note 2） ... –40℃～85℃ インダストリアル ... –40℃～85℃ 保存温度範囲... –65℃～150℃ リード温度（半田付け、10秒） ...300℃

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1308abfb lは全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はT_A＝25℃での値。注記がない限り、コマーシャル・グレードは 0℃∼70℃、VIN＝1.1V、VSHDN＝VIN。

電気的特性

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

IQ Quiescent Current Not Switching、LT1308A

Switching、LT1308B VSHDN = 0V (LT1308A/LT1308B) 140 2.5 0.01 240 4 1 µA mA µA VFB Feedback Voltage l 1.20 1.22 1.24 V

IB FB Pin Bias Current （Note 3） l 27 80 nA

Reference Line Regulation 1.1V ≤ VIN ≤ 2V

2V ≤ VIN ≤ 10V

l 0.03

0.01 0.4 0.2 %/V %/V

Minimum Input Voltage 0.92 1 V

gm Error Amp Transconductance ∆I = 5µA 60 µmhos

AV Error Amp Voltage Gain 100 V/V

fOSC Switching Frequency VIN = 1.2V l 500 600 700 kHz

Maximum Duty Cycle l 82 90 %

Switch Current Limit Duty Cycle = 30% (Note 4) 2 3 4.5 A Switch VCESAT ISW = 2A (25℃、0℃)、VIN = 1.5V

ISW = 2A (70℃)、VIN = 1.5V

290

330 350 400 mV mV Burst Mode Operation Switch Current Limit

(LT1308A) VIN = 2.5V、Circuit of Figure 1 400 mA Shutdown Pin Current VSHDN = 1.1V

VSHDN = 6V VSHDN = 0V l l l 2 20 0.01 5 35 0.1 µA µA µA LBI Threshold Voltage

l

196

194 200 200 204 206 mV mV LBO Output Low ISINK = 50µA l 0.1 0.25 V

LBO Leakage Current VLBI = 250mV、VLBO = 5V l 0.01 0.1 µA

LBI Input Bias Current (Note 5) VLBI = 150mV 33 100 nA

Low-Battery Detector Gain 3000 V/V

Switch Leakage Current VLBI = 5V l 0.01 10 µA

lは全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はT_A＝25℃での値。注記がない限り、インダストリアル・グレードは–40℃∼85℃、

VIN＝1.2V、VSHDN＝VIN。

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

IQ Quiescent Current Not Switching、LT1308A Switching、LT1308B VSHDN = 0V (LT1308A/LT1308B) l l l 140 2.5 0.01 240 4 1 µA mA µA VFB Feedback Voltage l 1.19 1.22 1.25 V

IB FB Pin Bias Current （Note 3） l 27 80 nA

Reference Line Regulation 1.1V ≤ VIN ≤ 2V

2V ≤ VIN ≤ 10V

l l

0.05

0.01 0.4 0.2 %/V %/V

Minimum Input Voltage 0.92 1 V

gm Error Amp Transconductance ∆I = 5µA 60 µmhos

AV Error Amp Voltage Gain 100 V/V

LT1308A/LT1308B

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電気的特性

LT1308Bの3.3V出力効率 LT1308Aの3.3V出力効率 LT1308Aの5V出力効率 lは全動作温度範囲での規格値を意味する。それ以外はT_A＝25℃での値。注記がない限り、インダストリアル・グレードは –40℃∼85℃、VIN＝1.2V、VSHDN＝VIN。

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS

Maximum Duty Cycle l 82 90 %

Switch Current Limit Duty Cycle = 30% (Note 4) 2 3 4.5 A Switch VCESAT ISW = 2A (25℃、0℃)、VIN = 1.5V

ISW = 2A (85℃)、VIN = 1.5V

290

330 350 400 mV mV Burst Mode Operation Switch Current Limit

(LT1308A) VIN = 2.5V、Circuit of Figure 1 400 mA Shutdown Pin Current VSHDN = 1.1V

VSHDN = 6V VSHDN = 0V l l 2 20 0.01 5 35 0.1 µA µA µA LBI Threshold Voltage

l

196

193 200 200 204 207 mV mV LBO Output Low ISINK = 50µA l 0.1 0.25 V

LBO Leakage Current VLBI = 250mV、VLBO = 5V l 0.01 0.1 µA

LBI Input Bias Current (Note 5) VLBI = 150mV 33 100 nA

Low-Battery Detector Gain 3000 V/V

Switch Leakage Current VLBI = 5V l 0.01 10 µA

Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響 を与える可能性がある。 Note 2：LT1308ACS8、LT1308ACF、LT1308BCS8、およびLT1308BCFは、インダストリアル温度範 囲で性能仕様に適合するように設計され、特性が評価されており、性能仕様に適合すると予 想されるが、–40℃と85℃ではテストされない。Iグレード・デバイスは–40℃～85℃の動作温 度範囲で保証されている。 Note 3：バイアス電流はFBピンに流れ込む。 Note 4：スイッチ電流制限は設計および静的試験との相関、もしくはそのどちらか一方により 保証されている。デューティ・サイクルは、ランプ・ジェネレータにより電流制限に影響を与える （ブロック図を参照）。 Note 5：バイアス電流はLBIピンから流れ出す。 Note 6：デバイスの4つのGNDピン（ピン4～7）をまとめて結線すること。同様に、デバイスの 3つのSWピン（ピン8～10）と、2つのVINピン（ピン11、ピン12）をまとめて結線すること。

標準的性能特性

LOAD CURRENT (mA) 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 1 100 1000 1308A/B G01 10 EFFICIENCY (%) VIN = 1.8V VIN = 2.5V VIN = 1.2V

LOAD CURRENT (mA) 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 1 100 1000 1308A/B G02 10 EFFICIENCY (%) VIN = 1.8V VIN = 2.5V VIN = 1.2V

LOAD CURRENT (mA) 1 EFFICIENCY (%) 95 90 85 80 75 70 65 60 55 50 10 100 1000 1308A/B G03 VIN = 4.2V VIN = 2.5V VIN = 3.6V VIN = 1.5V

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標準的性能特性

SHDNピンのバイアス電流と電圧 FB、LBIのバイアス電流と温度 リファレンス電圧と温度バッテリ低下検出器の 発振器周波数と温度 LT1308Aの消費電流と温度 帰還ピンの電圧と温度 LT1308Bの12V出力効率 スイッチの電流制限と デューティ・サイクル スイッチの飽和電圧と電流

LOAD CURRENT (mA) 90 85 80 75 70 65 60 55 50 1 100 1000 1308A/B G04 10 EFFICIENCY (%) VIN = 5V VIN = 3.3V DUTY CYCLE (%) 0

CURRENT LIMIT (A)

3.0 3.5 80 1308 • G05 2.5 2.0 20 40 60 100 4.0

SWITCH CURRENT (A) 0 SWITCH V CESAT (mV) 2.0 85°C 1308 G06 0.5 1.0 1.5 500 400 300 200 100 0 25°C –40°C SHDN PIN VOLTAGE (V) 0 SHDN

PIN CURRENT (µA)

50 40 30 20 10 0 8 1308 G07 2 4 6 10 –40°C 25°C 85°C TEMPERATURE (°C) –50 –25

BIAS CURRENT (nA)

0 25 50 75 100 1308 • G08 80 70 60 50 40 30 20 10 0 LBI FB TEMPERATURE (°C) –50 –25 VREF (mV) 0 25 50 75 100 1308 • G09 203 202 201 200 199 198 197 196 195 TEMPERATURE (°C) –50 –2.5 FREQUENCY (kHz) 0 25 50 75 100 1308 • G10 800 750 700 650 600 550 500 450 400 TEMPERATURE (°C) –50 –25

QUIESCENT CURRENT (µA)

0 25 50 75 100 1308 • G11 180 170 160 150 140 130 120 110 100 TEMPERATURE (°C) –50 –25 VFB (V) 0 25 50 75 100 1308 • G12 1.25 1.24 1.23 1.22 1.21 1.20 1.19 1.18

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ピン機能

VC（ピン1/ピン1）：エラーアンプの補償ピンです。このピンか らグランドに直列 RCを接続します。標準値は47kΩと100pF です。VCのトレース面積を最小にしてください。 FB（ピン2/ピン2）：帰還ピン。リファレンス電圧は1.22Vです。 ここに抵抗分割器のタップを接続します。FBのトレース面積 を最小にしてください。次式に従ってVOUTを設定します： VOUT＝ 1.22V（1 ＋ R1/R2） SHDN（ピン3/ピン3）：シャットダウン。このピンを接地すると、 スイッチャがオフします。イネーブルするには、1V以上の電圧 に接続します。SHDNをVINに接続しなくてもデバイスをイネー ブルできます。 GND（ピン4/ピン4、5、6、7）：グランド。ローカル・グランド・プ レーンに直接接続してください。グランド・プレーンが、LT1308 と関連する部品をすべて取り囲むようにします。これらのピンに 接続されたPCBの銅領域はヒートシンクとしても機能します。 TSSOPパッケージの場合、熱移動を最良にするためにすべての ピンをグランドの銅領域に接続してください。これによってチッ プの発熱を最小限に抑えます。 SW（ピン5/ピン8、9、10）：スイッチ・ピン。このピンにはインダ クタ/ダイオードを接続します。EMIを低く抑えるために、この ピンのトレース面積を最小にしてください。TSSOPパッケージ の場合、すべてのSWピンをパッケージのところでまとめて結 線してください。 VIN（ピン6/ピン11、12）：電源ピン。このピンのすぐ近くに、ロー カル・バイパス・コンデンサを接続し,直接接地してください。 TSSOPパッケージの場合、すべてのVINピンをパッケージのと ころでまとめて結線してください。 LBI（ピン7/ピン13）：バッテリ低下検出器入力。200mVリファ レンス。LBIの電圧は–100mVと1Vの間になければなりませ ん。SHDNピンを接地した場合、バッテリ低下検出器は機能し ません。使用しない場合は、LBIピンをフロート状態にしてくだ さい。 LBO（ピン8/ピン14）：バッテリ低下検出器出力。オープンコレ クタであり、50µAの電流をシンクできます。220kΩのプルアッ プを推奨します。SHDNが接地されると、LBOはハイ・インピー ダンスになります。 （SO/TSSOP）

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ブロック図

図2a．LT1308A/LT1308Bのブロック図（SO-8パッケージ） 図2b．LT1308A/LT1308Bのブロック図（TSSOPパッケージ） – + – + – + – + – + + + Σ COMPARATOR RAMP GENERATOR R BIAS VC 2VBE gm Q2 ×10 Q1 FB FB _ENABLE

*HYSTERESIS IN LT1308A ONLY

200mV A = 3 FF A2 A1 Q4 * ERROR AMPLIFIER A4 0.03Ω DRIVER SW GND 1308 BD2a Q3 Q S 600kHz OSCILLATOR 5 LBO LBI SHDN SHUTDOWN 3 7 1 4 R6 40k R5 40k R1 (EXTERNAL) R3 30k R4 140k 2 VIN VIN VIN VOUT 6 8 R2 (EXTERNAL) – + – + – + – + – + + + Σ COMPARATOR RAMP GENERATOR R BIAS VC 2VBE gm Q2 ×10 Q1 FB FB _ENABLE

*HYSTERESIS IN LT1308A ONLY

200mV A = 3 FF A2 A1 Q4 * ERROR AMPLIFIER A4 0.03Ω DRIVER SW GND 1308 BD2b Q3 Q S 600kHz OSCILLATOR 8 SW 9 SW LBO LBI SHDN SHUTDOWN 3 13 1 4 GND 5 GND 6 GND 7 R6 40k R5 40k R1 (EXTERNAL) R3 30k R4 140k 2 VIN VIN VIN VIN VOUT 11 12 14 R2 (EXTERNAL) ₁₀

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1308abfb 動作 LT1308Ａは電流モード固定周波数PWMアーキテクチャとマ イクロパワーのBurst Mode動作の組み合わせにより、軽負荷 時に高い変換効率を維持します。図2のブロック図を参照する と、動作をよく理解できます。Q1とQ2はバンドギャップ・リファ レンスのコアを形成し、そのループはコンバータの出力で閉じ られます。VINが1Vの場合、1.22Vの帰還電圧とR5とR6の 両端に生じる80mVの電圧降下によって、Q1とQ2のベース・ コレクタ接合部が300mVに順バイアスされます。この電圧降 下はどちらのトランジスタも飽和させるほど大きくはないため、 FBはVINより高い電圧になる可能性があります。負荷が接続 されていない場合、FBは1.22Vよりわずかに上昇し、VC（エ ラーアンプの出力）は低下します。VCがヒステリシスを持つコ ンパレータA1のバイアス電圧に達すると、A1の出力が L に なり、入力段、エラーアンプ、バッテリ低下検出器を除くすべて の回路をオフします。この状態での全消費電流は140µAです。 出力負荷がFB電圧を低下させると、A1の出力が H になっ て、デバイスの残りの部分をイネーブルします。A1の出力が H になった後、スイッチ電流は最初約400mAに制限されま す。負荷が軽い場合、出力電圧（そしてFB 電圧）が上昇し、A1 の出力が L になってLT1308Aの残りの部分をオフします。低 周波数リップル電圧が出力に現れます。リップル周波数は、負 荷電流と出力容量によって決まります。このBurst Mode 動作 は出力を安定化し、デバイスに流れ込む平均電流を低減する ので、1mA以下の負荷電流でも高効率を達成します。 出力負荷が十分に増加すると、A1の出力は H になったまま になり、連続動作を実行します。LT1308Aが連続動作を行っ ているときは、ピーク・スイッチ電流がVCによって制御され、出 力電圧を安定化します。スイッチは各スイッチ・サイクルの始め でオンします。スイッチ電流を表す信号とランプ・ジェネレータ （50%を超えるデューティ・ファクタでの低調波発振を防止す るために導入）の合計がVC信号を超えるとコンパレータA2 が状態を変えて、フリップフロップをリセットしスイッチをオフし ます。スイッチ電流が増加すると出力電圧も上昇します。抵抗 分割器によって減衰した出力がFBピンに現れ、ループ全体を 閉じます。VCピンとグランド間に接続した外付け直列RCネッ トワークによって周波数補償が行われます。 LBIピンの電圧が200mVより下になると、バッテリ低下検出 器A4のオープンコレクタ出力（LBO）が L になります。A4に はヒステリシスがないため、一部のアプリケーションではアン プとして使用できます。SHDNピンを L にすると、デバイス全 体がディスエーブルされます。コンバータをイネーブルするに は、SHDNの電圧が1V 以上でなければなりません。LT1308 のようにVINに接続する必要はありません。 LT1308BはLT1308Aとは異なり、コンパレータA1にヒステリ シスがありません。また、100mA未満のインダクタ電流でスイッ チングが可能なように、LT1308BではA1のバイアス・ポイント がより低く設定されています。A1にヒステリシスがないので、 軽負荷時でもBurst Mode動作に切り換わることなく、固定周 波数でスイッチングを続けます。この結果、効率は低下します が低周波数の出力電圧リップルはありません。 この2つのデバイスの違いは図3から明らかです。図3の上の2 つのトレースは、図1に示す部品を使用して、5V出力に設定さ れたLT1308A/LT1308B回路の動作を示します。入力電圧は 3Vです。負荷電流はどちらの回路とも50mAから800mAまで ステップ状に増加します。トレースAでは低周波数Burst Mode 動作での電圧リップルが見られますが、トレースBでは見られ ません。 軽負荷では、LT1308Bは1つおきのサイクル・スキップを開始 します。これが発生する負荷ポイントは、インダクタ値を大きく すれば低くできます。しかし、出力リップルはLT1308Aの出力 リップルより大幅に低い状態が続きます。さらに、LT1308Bを 強制的にマイクロパワー・モードにすることができます。マイク ロパワー・モードでは、VCピンから40µA以上をシンクするこ とにより、消費電流が3mAから200µAに減少します。これに よってA1の出力が L になり、スイッチングが停止します。

アプリケーション情報

図3．LT1308Aは50mA負荷でのBurst Mode動作時に 出力電圧リップルが現れるが、LT1308Bでは現れない。 1308 F03 VIN = 3V (CIRCUIT OF FIGURE 1) 800mA 50mA TRACE A: LT1308A VOUT, 100mV/DIV AC COUPLED TRACE B: LT1308B VOUT, 100mV/DIV AC COUPLED 200µs/DIV ILOAD

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アプリケーション情報

10µFのセラミック出力コンデンサを使用したLT1308Bによる 5.5Vから12V への昇圧コンバータの波形を図 4と図 5に示 します。図 4では、コンバータは連続モードで動作しており、 約500mAの負荷電流を供給しています。上段のトレースは出 力波形です。出力電圧は、スイッチ・オフ時間の間はインダク タ電流が出力コンデンサに吸いこまれるにつれて上昇し、ス イッチがオンの状態では低下します。セラミック・コンデンサは ESRが小さいため、この場合のリップル電圧は容量に起因し ます。中段のトレースはスイッチ電圧の波形です。この電圧は VCESATとVOUT＋ダイオード電圧降下を交互に繰り返します。 下段のトレースはスイッチ電流の波形です。スイッチ・サイクル の始めの電流は1.2Aです。スイッチ・オン時間の終了時点で は、電流は2Aまで増加しています。この時点でスイッチはオフ し、インダクタ電流がダイオードを通って出力コンデンサに流 れ込みます。図 5は軽負荷時のコンバータ波形を示していま す。この場合、コンバータは不連続モードで動作しています。 スイッチ・オフ時間中にインダクタ電流はゼロになり、スイッチ・ ノードで若干のリンギングが発生します。リンギングの周波数 は、スイッチ容量、ダイオード容量、およびインダクタンスで決 まります。リンギングのエネルギーは小さく、その正弦波状の 波形は高調波成分がほとんど含まれないことを示しています。 スイッチ・ノードでの銅領域の面積を最小化することにより、 干渉の問題が発生するのを防ぎます。 レイアウトのヒント LT1308A/LT1308Bは電流を高速で切り替えるため、適切な 性能を発揮させるには、レイアウトに細心の注意を払う必要 があります。レイアウトが不適切な場合は、規定された性能 を得ることができません。図6にSO-8パッケージを使用した 昇圧コンバータの推奨部品配置を示します。PCレイアウトで はこれに従ってください。また、スイッチング・ループの直接経 路に注意が必要です。入力コンデンサC1はICパッケージの 近く（5mm以内）に配置する必要があります。CINとVINの間 に10mmほどの短いワイヤまたはPCトレースを配置しても、安 定化不能や発振などの問題が発生します。 出力コンデンサC2の負端子は、LT1308A/LT1308Bのグランド・ ピンの近くに接続します。これを行うことによって、グランド銅箔 でのdI/dtが低減され、高周波スパイクが最小限に抑えられま す。グランド・プレーンへのdI/dtの結合を防止するために、DC/ DCコンバータのグランドはPC 基板のグランド・プレーンに1 箇所だけで接続します。 図7にTSSOPパッケージを使用した昇圧コンバータの推奨部 品配置を示します。部品配置はSO-8パッケージのレイアウト によく似ています。 図4．連続モードでの5Vから12Vへの昇圧コンバータの波形。 出力に10µFのセラミック・コンデンサを使用。 図5．不連続モードでのコンバータの波形。 1308 F04 VOUT 100mV/DIV VSW 10V/DIV ISW 500mA/DIV 500ns/DIV 1308 F05 VOUT 20mV/DIV VSW 10V/DIV ISW 500mA/DIV 500ns/DIV 図6．SO-8パッケージを使用した昇圧コンバータ用の推奨部品 配置。広いPCトレースを使った直接高電流経路に注意。 ピン1（VC）とピン2（FB）のトレース面積を最小化。複数のビアを 使ってピン4の銅をグランド・プレーンに接続。ビアを１箇所に だけ使ってスイッチング電流がグランド・プレーンに流れるのを 防止。 1 2 8 7 3 4 6 5 L1 C2 D1 LBO LBI LT1308A LT1308B VOUT VIN GND SHUTDOWN R1 R2 MULTIPLE VIAs GROUND PLANE 1308 F04 + C1 +

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1308abfb SEPIC（Single-Ended Primary Inductance Converter）の回路 図を図8に示します。このコンバータ・トポロジーは、出力をまた ぐ（出力よりも高いもしくは低い）入力電圧範囲にわたって安 定化された出力を生成します。SO-8パッケージによるSEPIC 回路の推奨部品配置を図9に示します。

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図7．TSSOPパッケージを使用した昇圧 コンバータ用の推奨部品配置。配置は 図6によく似ている。 図8．3V∼10Vの入力を5V/500mAの安 定化出力に変換するSEPIC（Single-Ended Primary Inductance Converter）コンバータ。

図9．SEPIC用の推奨部品配置 1 2 14 13 3 4 12 11 10 5 6 7 9 8 L1 C2 D1 LBO LBI LT1308A LT1308B VOUT VIN GND SHUTDOWN R1 R2 MULTIPLE VIAs GROUND PLANE 1308 F07 + C1 + VIN SW FB LT1308B L1A CTX10-2 L1B D1 47k R2100k R1 309k 680pF 1308A/B F08 C1 47µF C3 220µF 6.3V C2 4.7µF CERAMIC VOUT 5V 500mA VIN 3V TO 10V VC GND SHDN SHUTDOWN C1: AVX TAJC476M016

C2: TAIYO YUDEN EMK325BJ475(X5R) C3: AVX TPSD227M006 + + D1: IR 10BQ015 L1: COILTRONICS CTX10-2 1 2 8 7 3 4 6 5 C3 L1A L1B D1 LBO LBI LT1308A LT1308B VOUT VIN GND SHUTDOWN R1 R2 GROUND PLANE 1308 F09 MULTIPLE VIAs ₊ C2 C1 +

LT1308A/LT1308B

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SHDN_ピン LT1308A/LT1308BのSHDNピンはLT1308よりも改善され ています。このピンは、デバイスをイネーブルするためにVINに 接続する必要はなく、必要なのはロジックレベル信号を与える ことだけです。SHDNピンの電圧は、VINとは無関係に1V∼ 10Vの範囲で変えることができます。さらに、このピンをフロー ト状態にすれば接地したのと同じ効果があり、デバイスを シャットダウンして流出電流を1µA以下に減少させることがで きます。 バッテリ低下検出器 LT1308A/LT1308Bのバッテリ低下検出器は、LT1308と比較 して精度とドライブ能力が改善されています。200mVリファレ ンスは 2%の精度を持ち、オープンコレクタ出力は50µAをシ ンク可能です。LT1308A/LT1308Bのバッテリ低下検出器は 単純なPNP 入力利得段で、オープンコレクタNPN出力を備 えています。利得段の負入力は内部で200mVリファレンスに 接続されています。正入力はLBIピンです。バッテリ低下検出 器として構成することは簡単です。図10に接続構成を詳細に 示します。R1およびR2は、LBIピンのバイアス電流が大きな 誤差要因にならないよう低い値にする必要があります。R2は 100kΩで十分です。200mVリファレンスは、図11に示す方法 でも利用することができます。 バッテリ低下検出器のクロスプロットを図 12に示します。 195mVから205mVまで変化する入力が、LBIピンに与えられ、 100kΩのプルアップ抵抗を使用した時のLBO出力波形が表 示されています。 起動 LT1308A/LT1308Bは、出力から動作電圧を引き出す（「ブート ストラッピング」として知られている技法）多くのCMOS DC/DC コンバータとは異なり、重負荷で起動できます。図13は、20Ω の負荷と1.5VのVINの場合の図1の回路の起動波形の詳細 を示しています。出力コンデンサが充電されるにつれて、インダ クタ電流は3.5Aまで増加します。出力が5Vに達した後、インダ クタ電流は約 1Aとなります。図 14の場合、負荷は5Ωで入力 電圧は3Vです。デバイスがイネーブルされた後、出力電圧は 500µsで5Vに達します。図15は、10Ω負荷で9V入力で駆動さ れた場合の図5のSEPIC回路の起動波形を示しています。デ バイスがイネーブルされてから約1ms後に出力が5Vに達して います。 図11．200mVリファレンスへの利用 図10．バッテリ低下検出器のトリップ・ポイントの設定 図12．バッテリ低下検出器の 入出力特性 図13．図1の5V昇圧コンバータ。 1.5V入力、20Ω負荷での起動。 LBO LBI TO PROCESSOR R1 100k R2 100k VIN VBAT LT1308A LT1308B 1308 F10 5V GND 200mV INTERNAL REFERENCE – + R1 =VLB – 200mV 2µA VIN VBAT LT1308A LT1308B LBI LBO 200k 10µF GND 10k 1308 F11 2N3906 VREF 200mV ₊ 1308 F12 VLBO 1V/DIV 200 VLBI (mV) 195 205 1308 F13 VOUT 2V/DIV IL1 1A/DIV VSHDN 5V/DIV 1ms/DIV

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ソフトスタート 起動時に電流制限値付近の電流で動作することはLT1308A/ LT1308Bにとって好ましくない場合があります。たとえば、アル カリ電池で構成されるバッテリで駆動される場合がそれにあ たります。突入電流が大きな内部電圧降下を生じて、バッテリ 低下インジケータを起動させてしまう可能性があるからです。 プログラム可能なソフトスタート機能を、4つのディスクリート 部品を使用して実現することができます。LT1308Bを使用した 5Vから12Vへの昇圧コンバータ回路の詳細を図16に示しま す。C4はVOUTを微分して、VOUTが上昇するにつれて電流を R3に流します。この電流が0.7V/33k、つまり21µAを超えると、 電流がQ1のベースに流れ込みます。次いでQ1のコレクタが VCピンから電流を引き出し、帰還ループを形成します。この場 合、VOUTの勾配は以下の式で制限されます。 ΔV_OUT Δt = 0.7V 33k • C4 C4 = 33nFの場合、VOUT/tは640mV/msに制限されます。図16 の回路での起動波形を図17に示します。ソフトスタート回路が 実装されていない場合、突入電流は3Aにも達します。この回路 は約 250µsで最終出力電圧に到達します。ソフトスタート回路 の部品を追加することにより、インダクタ電流は図18に示すよう に1A以下に抑えられますが、出力が最終電圧に到達するまで の時間は約15msまで増加します。C4の値を調整することによ り、望ましい任意のスルーレートを得ることができます。 図14．図1の5V昇圧コンバータ。 3V入力、5Ω負荷での起動。 図15．9V入力、10Ω負荷での5V SEPICの起動。 1308 F14 VOUT 1V/DIV IL1 2A/DIV VSHDN 5V/DIV 500µs/DIV 1308 F15 VOUT 2V/DIV ISW 2A/DIV VSHDN 5V/DIV 500µs/DIV 図16．ソフトスタート用部品Q1、C4、R3、およびR4を使用した5Vから12Vへの昇圧コンバータ。 VIN SW LT1308B GND VC FB SHDN + 330pF 100k SHUTDOWN SOFT-START COMPONENTS C1 47µF C4 33nF Q1 R4 33k R3 33k VIN 5V D1 L1 4.7µH _VOUT 12V 500mA C2 10µF CC 100pF 11.3k RC 47k 10k C1: AVX TAJ476M010 C2: TAIYO YUDEN TMK432BJ106MM D1: IR 10BQ015 L1: MURATA LQH6C4R7 Q1: 2N3904 1308 F16

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部品の選択 ダイオード

ON Semiconductor の MBRS130 と International Rectifier の 10BQ015が優れた性能を発揮することが分かっています。 VOUTが30Vを超えるアプリケーションでは、MBRS140また は10BQ040などの40Vダイオードを使用してください。 高さに制限があるアプリケーションの場合、MBRM120を使 用することも可能です。この部品は高さが僅か1mmであり、 MBRS130と同じ性能を提供します。 インダクタ LT1308A/LT1308Bで使用するのに適したインダクタは、次の 2つの条件を満たさなければなりません。まず、インダクタは 50%∼60%以上のインダクタンスの減少なしで、3A以上の過 渡電流および起動電流をサポートするだけでなく、2Aの定常 状態電流を処理できなければなりません。次に、銅損失を最 小限に抑えるために、インダクタの直流抵抗（DCR）を0.05Ω 以下にする必要があります。ほとんどのアプリケーションでは、 許容されるインダクタンス値は2µH∼20µHの範囲で、4.7µH のインダクタンスがベストです。低い値のインダクタは、電流能 力が同じ場合は高い値のインダクタより物理的形状が小さく なります。 LT1308A/LT1308Bのアプリケーション回路で優れた性能を 発揮することが分かっているいくつかのインダクタを表1に示 します。このリストに記載した部品は一例にすぎません。 表1 販売元 製品番号 値 電話番号 Murata LQH6C4R7 4.7µH 770-436-1300 Sumida CDRH734R7 4.7µH 847-956-0666 Coiltronics CTX5-1 5µH 561-241-7876 Coilcraft LPO2506IB-472 4.7µH 847-639-6400 コンデンサ 等価直列抵抗（ESR）は、コンデンサ、特に出力コンデンサを選 択する際に主要な問題となります。 LT1308A/LT1308Bの回路で使用するように指定された出 力コンデンサは、ESRが低く、特に電源アプリケーション用 に設計されています。昇圧コンバータの出力電圧リップルは、 ESRにスイッチ電流を掛けた値に等しくなります。AVXの TPSD227M006 220µFタンタル・コンデンサの性能は、図3を 参照して評価することができます。負荷電流が800mAのとき、 ピーク・スイッチ電流は約2Aとなります。出力電圧リップルは 約60mVP-Pなので、出力コンデンサのESRは60mV/2A、つま り0.03Ωとなります。セラミック・コンデンサを並列に接続すれ ば、リップルをさらに低減できます。 LT1308A/LT1308Bのアプリケーション回路で優れた性能を 発揮することが分かっているいくつかのコンデンサを表2に示 します。このリストに記載した部品は一例にすぎません。 表2 販売元 シリーズ 製品番号 値 電話番号 AVX TPS TPSD227M006 220µF、6V 803-448-9411 AVX TPS TPSD107M010 100µF、10V 803-448-9411 Taiyo Yuden X5R LMK432BJ226 22µF、10V 408-573-4150 Taiyo Yuden X5R TMK432BJ106 10µF、25V 408-573-4150 図17．図16の回路でソフトスタート用部品がない場合 の起動波形。 図18．図16の回路でソフトスタート用部品が追加され た場合の起動波形。 1308 F17 VOUT 5V/DIV IL1 1A/DIV 12V 5V VSHDN 10V/DIV 50µs/DIV 1308 F18 VOUT IL1 1A/DIV 12V 5V VSHDN 10V/DIV 5ms/DIV

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セラミック・コンデンサ 積層セラミック・コンデンサは、小型で、低価格、そしてESRが ほぼゼロであるため、よく使用されています。ループの安定性 を考慮すれば、LT1308A/LT1308Bの回路でセラミック・コン デンサをうまく使用することができます。タンタル・コンデンサ はかなりのESRを持っているため、レギュレータ・ループ内で 「ESRによるゼロ」が生じます。このESRによるゼロはループ の安定性に有益です。セラミック・コンデンサのESRは大きく ないため、これを使用した場合はESRによるゼロは生じませ ん。しかし、LT1308A/LT1308Bは外部補償ピン(VC)を備えて いるため、部品の値は安定性が得られるように調整すること ができます。また、以下に詳しく説明するように、位相リード・コ ンデンサを使用して負荷ステップ応答を最適なレベルに調整 することも可能です。 C2にタンタルまたはセラミック・コンデンサを使用した5Vから 12Vへの昇圧コンバータ回路を図 19に示します。入力コンデ ンサは、最小限のコンデンサ要件が満たされている限り、ルー プの安定性にはほとんど影響しません。位相リード・コンデン サCPLは帰還抵抗 R1と並列に接続します。出力に47µFのタ ンタル・コンデンサを使用した場合に、負荷電流が50mAか ら500mAにステップ変化したときの出力電圧の負荷ステップ 応答波形を図 20に示します。位相リード・コンデンサがない 場合、リンギングが生じており、位相マージンが小さいことを 示唆しています。CPLが追加された場合の、同じ負荷電流の ステップ変化に対する応答の波形は図 21のようになります。 位相マージンが若干回復され、応答が改善されています。 次に出力コンデンサC2を10µFのX5R 誘電体のセラミック・ コンデンサで置き換えた場合を示します。図22は、CPLがない 場合の負荷ステップ応答波形を示します。出力電圧はタンタ ル・コンデンサの場合よりも早くセトリングしていますが、かな りのリンギングが生じており、やはり位相マージンが小さいこ とを示唆しています。図 23は10µFの出力コンデンサとCPLを 使用した場合の負荷ステップ応答波形を示します。応答波形 はクリーンであり、目立ったリンギングは生じていません。セラ ミック・コンデンサは、ESRが極めて小さいためにスイッチング 周波数でのリップルを小さくするという利点があります。VCピ ンの直列RCと並列にCPLを接続することにより、セラミック出 図19．5Vから12Vへの昇圧コンバータ 図20．47µFのタンタル出力コンデンサを使用した場合の、 LT1308B_{を使った5Vから12Vへの昇圧コンバータの負荷ステップ} 応答 図21．47µFのタンタル出力コンデンサと位相リード・ コンデンサCPLを使用した場合の負荷ステップ応答 図22．10µFのX5Rセラミック出力コンデンサを使 用した場合の負荷ステップ応答 1308 F20 LOAD CURRENT IL1 1A/DIV 500mA 50mA VOUT 500mV/DIV 200µs/DIV 1308 F21 LOAD CURRENT IL1 1A/DIV 500mA 50mA VOUT 500mV/DIV 200µs/DIV 1308 F22 LOAD CURRENT IL1 1A/DIV 500mA 50mA VOUT 500mV/DIV 200µs/DIV VIN SW LT1308B GND VC FB SHDN + CPL 330pF R1 100k C1 47µF VIN 5V D1 L1 4.7µH _VOUT 12V 500mA C2 100pF R2 11.3k 47k R3 10k C1: AVX TAJC476M010 C2: AVX TPSD476M016 (47µF) OR TAIYO YUDEN TMK432BJ106MM (10µF) D1: IR 10BQ015 L1: MURATA LQH6C4R7 1308 F19

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力コンデンサを使用した場合の応答を最適化するようにルー プ応答を調整することができます。 GSM_{および CDMA 電話機} LT1308A/LT1308Bは、GSMまたはCDMA電話機のRFパワー 段に電力を供給するために、1個のリチウムイオン・セルから 5Vに変換するのに適しています。LT1308A/LT1308Bはエラー アンプの改良によって、外部補償値を低減でき、LT1308より 高速な過渡応答が得られます。図24の回路（図1と同じもの ですが、参考のために再掲載）は、1個のリチウムイオン・セル から5V/1A出力を供給します。図 25は、4.2V、3.6V、および 3VのVINで動作するLT1308Aの過渡応答の詳細を示してい ます。10mA負荷ではBurst Mode動作でのリップル電圧が見 られます。図 26は同じ条件でのLT1308Bの過渡応答を示し ます。10mA負荷でBurst Modeのリップルがないことに注目し てください。 図23．10µFのX5Rセラミック出力コンデンサと CPLを使用した場合の負荷ステップ応答 図25．LT1308Aを使ったリチウムイオン・セルから 5Vへの昇圧コンバータの1A負荷ステップに対す る過渡応答 図26．LT1308Bを使ったリチウムイオン・セルから 5V_{への昇圧コンバータの1A負荷ステップに対す} る過渡応答 1308 F23 LOAD CURRENT IL1 1A/DIV 500mA 50mA VOUT 500mV/DIV 200µs/DIV 1308 F25 ILOAD 1A 1mA VOUT VIN = 4.2V VOUT VIN = 3.6V VOUT VIN = 3V 200µs/DIV VOUT TRACES = 200mV/DIV 1308 F26 ILOAD 1A 10mA VOUT VIN = 4.2V VOUT VIN = 3.6V VOUT VIN = 3V 100µs/DIV VOUT TRACES = 200mV/DIV 図24．1Aを供給するリチウムイオン・セルから5Vへの 昇圧コンバータ VIN SW FB LT1308B L1 4.7µH D1 47k R2 100k R1 309k 5V 1A 100pF 1308A/B F24 C1 47µF C2 220µF Li-Ion CELL VC GND SHDN SHUTDOWN C1: AVX TAJC476M010 C2: AVX TPSD227M006 + + D1: IR 10BQ015 L1: MURATA LQH6N4R7

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標準的応用例

トリプル出力TFTLCDバイアス電源 TFTLCDバイアス電源の過渡応答 D1 D4 0.22µF L1 4.7µH 6 5 2 4 3 1 VIN SW LT1308B GND VC FB SHDN 0.22µF 220k 10.7k 1308 TA02 76.8k C1 4.7µF VIN 5V C2, C3 10µF ×2 C6 1µF C5 1µF C4 1µF 0.22µF AVDD 10V 500mA VON 27V 15mA VOFF –9V 10mA 100pF D3 D2 C1:TAIYO-YUDEN JMK212BJ475MG C2, C3:TAIYO-YUDEN LMK325BJ106MN C4, C5, C6:TAIYO-YUDEN EMK212BJ105MG D1: MBRM120 D2,D3,D4: BAT54S L1: TOKO 817FY-4R7M AVDD 500mV/DIV VON 500mV/DIV VOFF 500mV/DIV 100µs/DIV ILOAD800mA 200mA

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標準的応用例

40nF ELパネル・ドライバ 47pF 10k 47k 17k C1 47µF VBAT 3V TO 6V 100pF D3 D2 D1 SHUTDOWN 2M 4.3M 1µF Q1 100k 150k 324k 3.3k 22nF 49.9k Q2 400V 1308 TA03 C2 1µF 200V EL PANEL ≤40nF + 3 1 4 6 VIN SW LT1308A GND VC FB LBO LBI SHDN 3.3V REGULATED T1 1:12 C1: AVX TAJC476M010 C2: VITRAMON VJ225Y105KXCAT D1: BAT54 D2, D3: BAV21 Q1: MMBT3906 Q2: ZETEX FCX458 T1: MIDCOM 31105 350V/1.2mA_{の高電圧電源} 3V_{∼10Vの入力を5V/500mAの安定化出力に変換する} SEPICコンバータ D4 VIN SW LT1308A GND VC FB SHDN 47k 1308 TA04 C1 47µF 10nF 100pF D2 D1 D3 34.8k 10M 10nF 250V 10nF 250V 10nF 250V + VOUT 350V 1.2mA VIN 2.7V TO 6V T1 1:12 3 1 4 6 SHUTDOWN D1, D2, D3: BAV21 200mA, 250V D4: MBR0540 T1: MIDCOM 31105R LP = 1.5µH VIN SW FB LT1308B L1A CTX10-2 L1B D1 47k R2100k R1 309k 680pF 1308A/B TA05 C1 47µF C3 220µF 6.3V C2 4.7µF CERAMIC VOUT 5V 500mA VIN 3V TO 10V VC GND SHDN SHUTDOWN C1: AVX TAJC476M016

C2: TAIYO YUDEN EMK325BJ475(X5R) C3: AVX TPSD227M006

+ +

D1: IR 10BQ015 L1: COILTRONICS CTX10-2

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1308abfb Fパッケージ 14ピン・プラスチックTSSOP（4.4mm） （Reference LTC DWG # 05-08-1650）

パッケージ

S8パッケージ 8ピン・プラスチック・スモール・アウトライン（細型0.150インチ） （Reference LTC DWG # 05-08-1610） .016 – .050 (0.406 – 1.270) .010 – .020 (0.254 – 0.508) 0∞– 8∞ TYP .008 – .010 (0.203 – 0.254) SO8 0303 .053 – .069 (1.346 – 1.752) .014 – .019 (0.355 – 0.483) TYP .004 – .010 (0.101 – 0.254) .050 (1.270) BSC 1 2 3 4 .150 – .157 (3.810 – 3.988) NOTE 3 8 7 6 5 .189 – .197 (4.801 – 5.004) NOTE 3 .228 – .244 (5.791 – 6.197) .245 MIN .160 ±.005 推奨する半田パッド・レイアウト .045 ±.005 .050 BSC .030 ±.005 TYP インチ (ミリメートル) NOTE: 1. 寸法は 2. 図は実寸とは異なる 3. これらの寸法にはモールドのバリまたは突出部を含まない 　モールドのバリまたは突出部は0.006インチ（0.15mm）を超えないこと F14 TSSOP 0204 0.09 – 0.20 (.0035 – .0079) 0∞ – 8∞ 0.25 REF 0.50 – 0.75 (.020 – .030) 4.30 – 4.50** (.169 – .177) 6.40 (.252) BSC 1 3 4 5 6 7 8 4.90 – 5.10* (.193 – .201) 14 13 12 11 10 9 1.10 (.0433) MAX 0.05 – 0.15 (.002 – .006) 0.65 (.0256) BSC 0.19 – 0.30 (.0075 – .0118) TYP 2 ミリメートル (インチ) 寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは各サイドで0.152mm（0.006"）を超えないこと 寸法にはリード間のバリを含まない リード間のバリは各サイドで0.254mm（0.010"）を超えないこと * ** NOTE: 1. 標準寸法：ミリメートル 2. 寸法は 3. 図は実寸とは異なる 1.05 ±0.10 0.65 BSC 0.45 ±0.05 推奨する半田パッド・レイアウト 4.50 ±0.10 6.60 ±0.10

LT1308A/LT1308B

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改訂履歴

REV 日付 概要 ページ番号 B 12/10 Fパッケージを廃止 2 （改訂履歴はRev Bから開始）

LT1308A/LT1308B

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1308abfb

 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2010 LT 1210 REV B • PRINTED IN JAPAN

リニアテクノロジー株式会社

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関連製品

標準的応用例

製品番号 説明 注釈 LT1302 高出力電流マイクロパワーDC/DCコンバータ 2Vから5V/600mA、2A内部スイッチ、IQ：200mA LT1304 2セル・マイクロパワーDC/DCコンバータ 5V/200mA、シャットダウン時にもアクティブなバッテリ低下 検出器 LT1307/LT1307B 1セル、マイクロパワー、600kHz PWM DC/DCコンバータ 1セルから3.3V/75mA、MSOPパッケージ LT1316 プログラム可能な電流制限機能付きBurst Mode動作DC/DC コンバータ 最小1.5V、ピーク電流制限を精密制御 LT1317/LT1317B マイクロパワー、600kHz PWM DC/DCコンバータ IQ：100µA、最小1.5VのVINで動作 LTC®1474 マイクロパワー降圧DC/DCコンバータ 94%の効率、IQ：10µA、9Vから5V/250mAを出力 LTC1516 2セルから5Vへの安定化チャージ・ポンプ IQ：12µA、インダクタなし、3V入力から5V/50mAを出力 LTC1522 マイクロパワー、5Vチャージ・ポンプDC/DCコンバータ 安定化された5V 4%の出力電圧、3V入力から20mA LT1610 1セル・マイクロパワーDC/DCコンバータ 1Vから3V/30mAを出力、1.7MHzの固定周波数 LT1611 5ピンSOT-23パッケージの1.4MHz反転スイッチング・ レギュレータ 5V入力から–5V/150mAを出力、小型SOT-23パッケージ LT1613 5ピンSOT-23パッケージの1.4MHzスイッチング・レギュレータ 4.4V入力から5V/200mAを出力、小型SOT-23パッケージ LT1615 5ピンSOT-23パッケージのマイクロパワー昇圧DC/DC コンバータ IQ：20µA、36V、350mAスイッチ LT1617 SOT-23パッケージのマイクロパワー反転DC/DCコンバータ VIN = 1V∼15V、VOUT：–34Vまで LTC1682 低ノイズLDO付きダブラー・チャージ・ポンプ 可変または固定3.3V、5V出力、出力ノイズ：60µVRMS LT1949 600kHz、1AスイッチPWM DC/DCコンバータ 1.1A、0.5Ω、30Vの内部スイッチ、最小1.5VのVIN LT1949-1 1.1MHz、1AスイッチDC/DCコンバータ LT1949の1.1MHzバージョン リチウムイオン・セルから12V/300mAを出力する昇圧DC/DCコンバータ VIN SW FB LT1308B L1 4.7µH D1 47k R2 100k R1 887k 12V 300mA 330pF 1308A/B TA01 C1 47µF C2 100µF Li-Ion CELL VC GND SHDN SHUTDOWN C1: AVX TAJC476M010 C2: AVX TPSD107M016 D1: IR 10BQ015 + + L1: MURATA LQH6C4R7 2.7V TO 4.2V