CM100RX-12A
大電力スイッチング用 絶縁形コレクタ電流
I
C...
1 0 0
A
コレクタ・エミッタ間電圧
V
CES...
6 0 0
V
最大接合温度
T
jmax...
1 5 0
°C
●
フラットベース形
●
銅ベース板(めっきレス)
●
RoHS
指令対応
●
UL Recognized under UL1557, File E323585
7素子入
用途インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
外形及び接続図
単位:mm TERMINAL t=0.8 SECTION A 接続図 GWP(18) NT C TH1(10) TH2(11) GVP(26) GUP(34) P(35)Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance
0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5
絶縁形
最大定格(指定のない場合,Tj=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 条件 定格値 単位 VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 600 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC コレクタ電流 直流, TC=75 °C (注2, 4) 100 A ICRM パルス, 繰返し (注3) 200 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 400 W IE (注1) エミッタ電流 直流 (注2) 100 A IERM (注1) パルス, 繰返し (注3) 200 ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 条件 定格値 単位 VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 600 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC コレクタ電流 直流, TC=97 °C (注2, 4) 50 A ICRM パルス, 繰返し (注3) 100 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C (注2,4) 280 W VRRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 600 V IF 順電流 直流 (注2) 50 A IFRM パルス, 繰返し (注3) 100 モジュール 記号 項目 条件 定格値 単位 Vi s o l 絶縁耐電圧 全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V Tj 接合温度 - -40 ~ +150 °C Ts t g 保存温度 - -40 ~ +125 TC m a x 最大ケース温度 (注4) 125 °C 電気的特性(指定のない場合,Tj=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 IC E S コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mAIG E S ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA
VG E ( t h ) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=10 mA, VCE=10 V 5 6 7 V VC E s a t コレクタ・エミッタ間飽和電圧 IC=100 A, VGE=15 V, Tj=25 °C - 1.7 2.1 V 試験回路図参照 (注5) T j=125 °C - 1.9 - IC=100 A, VGE=15 V, チップ (注5) - 1.6 - Ci e s 入力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 13.3 nF Co e s 出力容量 - - 1.4 Cr e s 帰還容量 - - 0.45 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=100 A, VGE=15 V - 270 - nC td ( o n ) ターンオン遅延時間 VCC=300 V, IC=100 A, VGE=±15 V, - - 100 ns tr 上昇時間 - - 100 td ( o f f ) ターンオフ遅延時間 RG=6.2 Ω, 誘導負荷 - - 300 tf 下降時間 - - 600 rg 内部ゲート抵抗 1 素子あたり, TC=25 °C (注4) - 0 - Ω
電気的特性(続き:指定のない場合,Tj=25 °C) インバータ部 IGBT/FWD 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 VEC(注1) エミッタ・コレクタ間電圧 IE=100 A, G-E 間短絡, Tj=25 °C - 2.0 2.8 V 試験回路図参照 (注5) T j=125 °C - 1.95 - IE=100 A, G-E 間短絡, チップ (注5) - 1.9 - tr r (注1) 逆回復時間 VCC=300 V, IE=100 A, VGE=±15 V, - - 200 ns Qr r (注1) 逆回復電荷 RG=6.2 Ω, 誘導負荷 - 3.6 - μC Eo n ターンオンスイッチング損失 VCC=300 V, IC=IE=100 A, - 1.6 - mJ Eof f ターンオフスイッチング損失 VGE=±15 V, RG=6.2 Ω, Tj=125 °C, - 5.2 - Er r (注1) 逆回復損失 誘導負荷, 1 パルスあたり - 1.1 - mJ ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 IC E S コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA
IG E S ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA
VG E ( t h ) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=5 mA, VCE=10 V 5 6 7 V VC E s a t コレクタ・エミッタ間飽和電圧 IC=50 A, VGE=15 V, Tj=25 °C - 1.7 2.1 V 試験回路図参照 (注5) T j=125 °C - 1.9 - IC=50 A, VGE=15 V, チップ (注5) - 1.6 - Ci e s 入力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 9.3 nF Co e s 出力容量 - - 1.0 Cr e s 帰還容量 - - 0.3 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=15 V - 200 - nC IR R M 逆電流 VR=VRRM, G-E 間短絡 - - 1.0 mA VF 順電圧 IF=50 A, G-E 間短絡, Tj=25 °C - 2.0 2.8 V 試験回路図参照 (注5) T j=125 °C - 1.95 - IF=50 A, G-E 間短絡, チップ (注5) - 1.9 - rg 内部ゲート抵抗 1 素子あたり, TC=25 °C (注4) - 0 - Ω NTC サーミスタ部 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 R2 5 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 °C (注4) 4.85 5.00 5.15 kΩ ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 °C (注4) -7.3 - +7.8 % B( 2 5 / 5 0 ) B 定数 計算式による値 (注6) - 3375 - K P2 5 電力損失 TC=25 °C (注4) - - 10 mW 熱的特性 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 Rt h ( j - c ) Q 熱抵抗 接合・ケース間, インバータ部 IGBT, - - 0.31 K/W 1 素子あたり (注4) Rt h ( j - c ) D 接合・ケース間, インバータ部 FWD, - - 0.59 1 素子あたり (注4) Rt h ( j - c ) Q 熱抵抗 接合・ケース間, ブレーキ部 IGBT (注4) - - 0.44 K/W Rt h ( j - c ) D 接合・ケース間, ブレーキ部 DIODE (注4) - - 0.85 ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり,
絶縁形
機械的特性 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 Mt 締付けトルク 主端子 M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N·m Ms 締付けトルク 取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N·m ds 沿面距離 端子間 10.28 - - mm 端子・ベース板間 12.46 - - da 空間距離 端子間 9.88 - - mm 端子・ベース板間 10.12 - - m 質量 - - 350 - g ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上 (注8) ±0 - +100 μm 注 1. フリーホイールダイオード(FWD)の定格又は特性を示します。 2. 接合温度は,最大接合温度(Tj m a x)以下です。 3. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が,最大接合温度(Tj m a x)を越えない値とします。 4. ケース温度(TC)及びヒートシンク温度(Ts)の定義点は,チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。 チップ中心位置は,チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が無視できる値とします。 6. ) T T /( ) R R ln( B( / ) 50 25 50 25 50 25 1 1 − = R25:絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R50:絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値;T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15 7. 接触熱抵抗の標準値は,熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。 8. ベース板(取付面)平面度測定箇所は,下図のとおりです。 Y X +:凸 -:凹 +:凸 -:凹 取付面 取付面 取付面 9. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は,下記仕様のタッピンねじをご使用ください。 〈呼び径(φ)2.3×10 又は 呼び径(φ)2.3×12, B1 タッピンねじ〉 ※ねじの長さは,プリント基板の厚み(t1.6~t2.0)によります。 推奨動作条件 記号 項目 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 VC C 電源電圧 P-N 端子間 - 300 400 V VGEon ゲート(駆動)電圧 G*P-E*P1/G*N-E*N2/GB-EB 端子間 13.5 15.0 16.5 V RG 外部ゲート抵抗 1 素子あたり インバータ部 6.0 - 62 Ω ブレーキ部 13 - 125チップ配置図 (Top view) 単位:mm, 公差:±1 mm
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD, DiBr: ブレーキ DIODE, Th: NTC サーミスタ 記号は,それぞれのチップの中心を示します。 試験回路及び試験波形 VCC -VGE +VGE -VGE + vCE vGE 0 iE iC P N * G*P E*P G*N E*N Load RG *: U, V, W ~ t tf tr td ( o n ) iC 10% 90 % 90 % vGE ~ ~ ~ 0 V 0 A 0 td ( o f f ) t Ir r Qr r=0.5×Ir r×tr r 0.5×Ir r t tr r iE 0 A IE スイッチング特性試験回路及び試験波形 逆回復特性試験波形 0.1×ICM ICM VCC vCE iC t 0 t 0.1×VCC 0.1×VCC VCC ICM vCE iC t 0 0.02×ICM t IEM vEC iE t 0 V t t VCC 0 A
絶縁形
試験回路 V G-E 間短絡 35 1 36 IC 34 33 30 29 VGE=15V V 35 2 36 IC 26 25 22 21 VGE=15V G-E 間短絡 V 35 3 36 IC 18 17 14 13 VGE=15V G-E 間短絡 VGE=15V 35 1 36 IC 34 33 30 29 V G-E 間短絡 VGE=15V 35 2 36 IC 26 25 22 21 V G-E 間短絡 VGE=15V 35 3 36 IC 18 17 14 13 V G-E 間短絡 VGE=15V 35 4 36 IC 6 5 VG-E 間短絡 GVP-EVP GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN
UP / UN IGBT VP / VN IGBT WP / WN IGBT Brake IGBT
VC E s a t 試験回路 V 35 1 36 IE 34 33 30 29 G-E 間短絡 G-E 間短絡 V 35 2 36 IE 26 25 22 21 G-E 間短絡 G-E 間短絡 V 35 3 36 IE 18 17 14 13 G-E 間短絡 G-E 間短絡 35 1 36 IE 34 33 30 29 V G-E 間短絡 G-E 間短絡 35 2 36 IE 26 25 22 21 V G-E 間短絡 G-E 間短絡 35 3 36 IE 18 17 14 13 V G-E 間短絡 G-E 間短絡 35 4 36 IE 6 5 V G-E 間短絡
G-E 間短絡 GVP-EVP GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GWP-EWP, GWN-EWN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GB-EB
G-E 間短絡 GUP-EUP, GUN-EUN, GVP-EVP, GVN-EVN, GWP-EWP, GWN-EWN
特性図 インバータ部
絶縁形
特性図 インバータ部
特性図 ブレーキ部 NTC サーミスタ部 温度特性 (代表例) 抵抗値 R (k Ω ) 0.1 1 10 100 -50 -25 0 25 50 75 100 125 温度 T (°C)