一次電源デバイスカタログ Ver.1.1

(1)

A C / D C C o n v e r t e r

一次電源デバイスカタログ

Ver.1.1

(2)

セットの省エネ化が求められるなかで、今まではアプリケーション回路や二次

側電源を中心に見直されて来ましたが、近年は一次電源も含めて「高効率

化」や「低消費電力化」を実現する電源設計が各電器製品メーカーで課題と

なっています。また、

Energy Star

や

CoC

、

DoE

などの法規制により、電源

設計への関心がかつてないほどに高まっています。

ロームは今まで培った電源テクノロジをもとに一次電源

IC

と周辺ディスク

リート部品を含めたトータルソリューションを提案しています。より安定性、

安全性が求められる一次電源システムを高次元で提供します。

一次電源

IC

には、高効率・低待機電力・低ノイズを実現する多くの特長ある

回路設計技術が内蔵されています。

ロームでは、お客様のさまざまなご要望におこたえできる、

IC

やディスクリート

製品を取り揃えています。また、製品ラインアップの詳細と新規電源の特性が

確認できる各種アプリケーションサポートツール

*

を準備しています。

（例）

●

X

コンデンサ放電回路

●

_{軽負荷時バースト動作}

●

軽負荷時音鳴り改善回路

●

V

CC

リチャージ回路

●

_{低電流シャントレギュレータ}

●

_{ピークドライブ回路など}

INDEX

電源方式別製品概要

ローム一次電源トータルソリューション

一次電源製品マトリックス

AC/DCコンバータ製品開発ポリシー

MOS内蔵シリーズ（バックコンバータ方式）

MOS内蔵シリーズ（PWMフライバック方式）

MOS外付けシリーズ

PFCシリーズ

二次側同期整流ICシリーズ

SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ

P.02

P.03

P.04

P.05

P.09

P.13

P.15

P.16

P.17 一次電源の技術動向

*P20参照

(3)

電源ブロックの効率化、待機電力等の特性面や高い信頼性を確保するためには、

IC単体のみでなく、

ディスクリート製品やその他周辺アイテムを含んだ電源ブロック全体の検討が必要不可欠です。ロームでは、

ICやディスクリート製品に加え、電源特性や高信頼化に必要な周辺アイテムを

トータルソリューションによってご提案しています。

ロームが提供するトータル電源ブロック回路を、是非一度ご検討ください。

ロームのトータルソリューション提案

IC

ディスクリートその他 F1 C8 LF1 BD1 D6 C11 R9 R7 R6 R10 C6 IC2 PC1 1 4 C4 R3 2 3 R8 R4 C2 D3 T1 C1 C20 4 1 5 7 8 AC IN IN1 IN2 D S GND FB VCC R5 C3 C7 D4 VOUT GND VOUT IC1 BM2P0**

第4世代ファストリカバリダイオード RFS/RFLシリーズ

第3世代ファストリカバリダイオード RFNL/RFVシリーズ

ツェナーダイオード

シャント抵抗器

高信頼性抵抗器

製品別特長とラインアップ

第3世代トレンチ構造 SiC MOSFET

第3世代 SiC ショットキーバリアダイオード

第2世代スーパージャンクションMOSFET（600V、650V）

方式別回路図

PFC IC

（力率改善IC）

アプリケーションサポート

ロームグループ主要拠点

P.18

P.20

P.21

P.23

P.25

P.29

P.30

P.31

P.33

P.35

P.37 絶縁回路例

ロームの

AC/DC

コンバータシステムは、

トータル電源ソリューションとして提案いたします

(4)

一次電源製品マトリックス

電力別ラインアップ

電力入力セット ITEM AC/DC PFC 同期整流 MOSFET ファストリカバリダイオード/ ツェナーダイオード抵抗器

30W

以下家電 産業機器 MOS内蔵 BM2Pxxxシリーズ MOS（SiC）内蔵 BM2SCQ12xTシリーズ BD7690FJ BD7691FJ BD7692FJ BD7690FJ BD7691FJ BD7692FJ BD7690FJ BD7691FJ BD7692FJ

30

∼

75W

プリンタ 産業機器 他 MOS外付け BM1Q104（擬似共振） BM1P101（PWM） MOS（SiC）内蔵 BM2SCQ12xTシリーズ − 開発中開発中 1ch BM1R001xxF シリーズ

75

∼

150W

TV Audio 産業機器 MOS外付け BM1Q104（擬似共振） BM1P101（PWM） BM1C102（PFC+QR）

150

∼

300W

レーザー プリンタ 他 −

300

∼

500W

ゲーム機 他 MOS外付け BM1Q104（擬似共振） BM1P101（PWM） BM1C102（PFC+QR） 2ch BD85506F

500

∼

1,000W

以上 産業機器 他 − 100V系 200V系 ▶P.21∼28 ▶P.29∼32 ▶P.33∼36 ローム一次電源は、電力

/

セット

/ITEM

別の提案が可能です

(5)

高効率

高信頼性

待機時

低消費電力

一次電源でもっとも重要なポイントです。

AC/DC

コンバータ

IC

は、高耐圧起動回路

/

コントローラ

/

スイッチング

MOSFET

の

マルチチップ構成としています。

X

コンデンサ放電機能、低電流シャントレギュレータ内蔵等の回路技術とディスクリートを

含むトータル電源提案により、お客様のセットの待機時低消費電力実現に貢献します。

ローム独自のスーパージャンクション

MOSFET

を内蔵することに加えて、

IC

回路電流削減、二次側同期整流技術、その他各種回路技術により高効率を実現し、

市場の強いニーズにおこたえします。

高耐圧ブロックと低耐圧ブロックの分離外部からの過電圧、サージ破壊に強い、信頼性の高い製品

3 つのキーワード

（高信頼性・高効率・待機時低消費電力）

②

650V/800V

起動チップ ①

650V/800V MOSFET

③ コントロール

LSI

◆ 650V/800V ローム独自のMOSFET内蔵 ◆ 軽負荷時オリジナルバースト回路 ◆ 高効率擬似共振回路 ◆ 二次側同期整流 ◆ Xコンデンサ放電回路 ◆ 低消費起動回路 ◆ 低消費電力回路技術

一次電源の特長・開発ポリシーは、高信頼性・高効率・待機時低消費電力です。

この３つのキーワードは、近年市場で一番強く求められています。

高信頼性

高効率

待機時

低消費電力

AC/DCコンバータ製品開発ポリシー

(6)

挿入部品面実装部品

バックコンバータ方式の特長

フライバック方式との比較

豊富なラインアップを取り揃えています。 ■パッケージ：SOP8/DIP7/TO220 ■_{出力電力：}45Wクラスまで（電源仕様による） ■_周波数：65kHz∼130kHz ■_{各種保護回路内蔵}

■

概要

フライバック方式

バックコンバータ方式

■

技術トレンド

待機時消費電力削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現するため

IC

内部回路電流を抑えた各種ラインアップを取り揃えています。電源回路部 _トランス フライバック AC/DC MOSFET LDO 電源回路部 _コイル スイッチング DC/DC バックコンバータ AC/DC MOSFET 挿入部品が多い 挿入部品が少ない

1pcs

5pcs

6pcs

0pcs

▼

1pcs

削減

2pcs

▼

3pcs

削減

2pcs

▼

4pcs

削減挿入部品面実装部品

MOS

内蔵シリーズ

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ 1 4 5 7 8 VCC GND_IC DRAIN 22μF/450V D1 600V/0.8A D2 600V/0.2A L 6 2 3 Filter 330μH 100μF 10kΩ 1.0μF VOUT GND 該当デバイスアプリケーション

BM2Pxxx

シリーズ

家電製品

TV

産業機器 AC/DC

バックコンバータ方式

トランスコンデンサ抵抗器コンデンサ抵抗器トランス

(7)

回路技術

基板スペース大幅削減

バックコンバータ（トランスレス回路を実現）

●電流センス抵抗を内蔵することにより、オープン・ショート時の信頼性向上 ●外付け部品の大幅削減により、基板面積の削減と設計容易性を実現 ●コイルに流れる電流は、

MOSFET

の

ON

時しかモニタできない

→ローム独自の保護回路により、破壊防止

●コントロール電圧とコイル電流が固定

→コントロール電圧、

コイル電流、パッケージ

ごとの豊富なラインアップを提供

部品点数を大幅に削減

（大電力

< 15W

）

(

小電力

< 5W)

0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 2.0 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 Coik peak Current(A) Coik Voltage(V) 0.3 0.6 0.45 0.9 1.2 1.5 2.0 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 Coik peak Current(A) Coik Voltage(V) Planning DS MP Current Sense Resistor Fuse エラーアンプ VIN VOUT GND CNT VCC FB GND DRAIN SOURCE FUSE BM2Pxx1 GND VIN GND VOUT GND CNT DRAIN GND_IC VCC BM2PxxP

DIP

パッケージ

メリット

デメリットへの対策

SOP

パッケージ

(8)

MOS

内蔵シリーズ

（バックコンバータ方式）

●フォトカプラレス：

AC/DC

●スイッチング周波数：

100kHz/65kHz

●

PWM

カレントモード ●周波数ホッピング機能 ●バースト動作 ●ドレイン定格電圧：∼

650V/800V

●動作時回路電流：

0.40mA(Typ)

●バースト時回路電流：

0.25mA(Typ)

100kHz(Typ)

特性

●

650V/800V

起動回路内蔵 ●

650V/800V

スーパージャンクション

MOSFET

内蔵 ●

V

CC端子低電圧保護

/

過電圧保護 ●パルスバイパルスの過電流リミッタ ●ソフトスタート ●エラーアンプ内蔵による部品点数削減

SOP8

W(Typ) × D(Typ) × H(Typ)

5.00mm × 6.20mm × 1.71mm

DIP7K

W(Typ) × D(Typ) × H(Typ)

9.27mm × 6.35mm × 8.63mm pitch：2.54mm(Typ)

特長

アプリケーション回路図

パッケージ

ブロック図

S Q R + ー 7 4 1 VCC VCC UVLO Starter DRAIN VCC OVP OLP 64ms/512ms Timer Burst Comparator 100μs Filter Internal Regulator Internal Block DRIVER Super Junction MOSFET Thermal Protection + ー + ー + ー + ー Reference Voltage PWM Comparator + ー PWM Contorol OSC MAX DUTY Frequency Hopping Reference Voltage Current Limitter + ー Reference Voltage + ー Dynamic Current Limitter Logic & Timer Soft Start Leading-Edge Blanking Time Current Sensing GND_IC 1 4 5 7 8 VCC GND_IC DRAIN D1 D2 L 6 2 3 Filter AC Input 330μH VOUT GND MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ

MOS

内蔵シリーズ

バックコンバータ方式

(9)

Package

Part No. BreakDown Voltage(V) On resistanse (Typ)(Ω) On resistanse (Max)(Ω) Frequency (kHz) Frequency

Reduction VCC OVP Output Voltage_(V) Peak Current_(A) _{Discharge Function}X-Cap.

BM2P109TF BM2P129TF BM2P139TF BM2P135TF BM2P137TKF BM2P159PF BM2P159T1F BM2P189TF BM2P209TF BM2P249TF BM2P137QKF BM2P134QF BM2P107QKF BM2P104QF BM2P249Q BM2P137QK BM2P134Q BM2P107QK BM2P104Q BM2P101V BM2P101W BM2P101X BM2P121W BM2P121X BM2P131W BM2P131X BM2P141W BM2P141X BM2P151W BM2P151X BM2P181W BM2P061FK BM2P061GK BM2P101FK BM2P101GK BM2P131FK BM2P131GK BM2P133EK BM2P061E BM2P101E BM2P131E BM2P064E BM2P104E BM2P134E BM2P064EF BM2P104EF BM2P134EF DIP7K DIP7K DIP7K DIP7AK SOP8 650 800 650 650 1.00 800 1.60 3.30 0.955 3.00 3.00 650 650 800 650 800 650 650 800 650 800 650 9.50 4.50 7.50 9.50 9.50 9.50 9.50 9.50 7.50 4.00 7.50 4.00 9.50 7.50 4.00 7.50 4.00 2.00 2.15 4.80 1.35 4.00 4.00 12.50 6.50 10.50 12.50 12.50 12.50 12.50 12.50 10.50 4.50 10.50 4.50 12.50 10.50 4.50 10.50 4.50 10.00 12.00 13.00 14.20 15.00 18.00 20.00 24.80 13.00 10.00 24.80 13.00 10.00 0.80 10.00 12.00 13.00 14.00 15.00 18.00 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.30 0.45 0.45 0.45 0.45 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 0.80 1.10 1.50 1.10 1.50 1.10 1.50 1.10 1.50 1.10 1.50 1.10 SSOP8S 65 65 65 100 130 65 100 130 65 100 130 100 130 100 100 Auto Restart Auto Restart Auto Restart External Setting External Setting External Setting Auto Restart Auto Restart ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶

バックコンバータ方式ラインアップ

(10)

Power ∼70W ∼25W Time 650V starter 650V MOSFET (Ron = 1.4Ω) PWM type Fsw = 65kHz STBY<25mW

BM2P01xT

低オン抵抗低ノイズ高速周波数オリジナルバースト機能入力ブラウンインアウト Xコンデンサ放電機能など

次世代

650V/800V starter 650V/800V MOSFET PWM type Fsw = 65kHz STBY<25mW

BM2Pxx1

シリーズ 650V/800V starter 650V/800V MOSFET PWM type Fsw = 65kHz/100kHz For non-isolated type

STBY<25mW

BM2PxxxP

シリーズ 650V/800V starter 650V/800V MOSFET PWM type Fsw = 65kHz,100kHz,130kHz STBY<25mW

BM2PxxxE

シリーズ 650V starter 650V/800V MOSFET PWM type Fsw = 100kHz Xコンデンサ放電機能 STBY<15mW

BM2PxxxC

シリーズ 1,700V 1.4Ω

SiC MOSFET Inside QR Linear type Fsw = 120kHz (Max) 690VAC入力対応内部ゲートクランパ回路 ▶P.17

BM2SCQ12xT

シリーズ フライバック

TO220-7

フライバック

DIP7

SOP8

PWM

フライバック方式の特長

以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。 ■パッケージ：SOP8/DIP7K/TO220 ■_{出力電力：}45Wクラスまで（電源仕様による） ■_周波数：65kHz∼130kHz ■_{さまざまな保護回路内蔵}

■

概要

■

技術トレンド

待機電力の削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現する回路電流を絞った各種ラインアップを取り揃えています。 F1 C8 LF1 BD1 D6 C11 R9 R7 R6 R10 C6 IC2 PC1 1 4 C4 R3 2 3 R8 R4 C2 D3 T1 C1 C20 4 1 5 7 8 AC IN IN1 IN2 D S GND FB VCC R5 C3 C7 D4 VOUT GND VOUT

AC/DC

コンバータ

ロードマップ（

MOSFET

内蔵

PWM

フライバック方式）

バック MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） 該当デバイスアプリケーション

BM2Pxxx

シリーズ

家電製品

TV

MOS

内蔵シリーズ

PWM

フライバック方式

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ

(11)

回路技術

CH4:V

OUT

1.0V/div

CH3:V

CC

2.5V/div

CH2:VH

50V/div

CH1:Vac

50V/div

Time

100ms/div

Evaluation Result

（

AC264V/IO=0A/Cx=4.0μF

）

X

コンデンサ放電機能内蔵

AC/DC

外付けの放電抵抗なしで

X

コンデンサを放電

X

コンデンサ容量値最大

6.8μF

放電可能

待機時低消費電力に大きく貢献

放電必要 放電抵抗削除 放電時の電流経路放電制御起動回路制御 + ー起動回路 AC電圧検出 放電1 放電2 A B

(12)

Pin No. 1 2 3 4 5 6 7 VCC FB GND LATCH VH DRAIN DRAIN I I I/O I I I/O I/O

Power supply input pin Feedback signal input pin GND pin

External latch pin AC voltage startup pin MOSFET DRAIN pin MOSFET DRAIN pin

Oin Name I/O Funcution

PWM

フライバック方式（

X

コンデンサ

放電【待機時低消費電力】）

●

PWM

ピーク電流制御 ●軽負荷時バースト動作 ●

650V

起動回路内蔵 ●

800V

MOSFET

内蔵 ●_{高電圧センス回路内蔵} ●

V

CC端子

OVP/UVLO

保護 ●

AC

電圧補正過電流保護 ●外部

LATCH

機能

(LATCH

端子

)

●

X

コンデンサ放電機能 ●

V

CC電圧範囲：

1.9V

∼

26.0V

100kHz

●動作時回路電流：

700μA(Typ.)

●動作温度範囲：−

40

℃∼＋

105

℃ ●ドレイン定格電圧：

800V

●最大ドレイン電流（パルス）：

8.0A

特性

DIP7K

W(Typ.) × D(Typ.) × H(Typ.) 9.27mm × 6.35mm × 8.63mm pitch：2.54mm(Typ.)

特長

アプリケーション回路図

PIN

配置

/

パッケージ

ブロック図

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS 内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ

MOS

内蔵シリーズ

PWM

フライバック方式

AC Input Filter Fuse Diode Bridge DRAIN VCC FB GND LATCH DRAIN HV Error AMP AC Input Filter HV Fuse Diode Bridge + ー + ー + ー + ー Clamp Circuit Internal Regulator + ー + ー Error AMP + ー 5 VCC VCC UVLO VCC OVP CVCC 1 DRAIN 6.7 Startup Circuit GND 3 Super Jundtion MOSFET Driver S R Q Filter Filter Filter Internal Regulator Burst Comparator PWM Comparator

OSC FrequenoyHopping PWM Control LATCH 4 FB FB CLP 2 1/4 RA Maxmum Duty

Soft Start AC input Compensation Leading Edge Blanking Current Detection Intemal Block Slope Compensation

(13)

Package Part No. Part No. BreakDown Voltage(V) On resistanse (Typ)(Ω) On resistanse (Max)(Ω) Frequency (kHz) Frequency

Reduction VCC OVP BR UVLO BR OVP _{Discharge Function}X-Cap.

BM2P26CK BM2P011 BM2P012 BM2P013 BM2P014 BM2P031 BM2P032 BM2P033 BM2P034 BM2P051 BM2P052 BM2P053 BM2P054 BM2P091 BM2P092 BM2P093 BM2P094 BM2P0141 BM2P0322 BM2P039 BM2P0391 BM2P051F BM2P052F BM2P053F BM2P054F BM2P091F BM2P092F BM2P093F BM2P094F BM2P0522F BM2P0922F BM2P074KF BM2P012T BM2P014T DIP7K DIP7K DIP7K SOP8 SOP8 TO220 SOP8 1.40 2.40 4.00 8.50 External Setting ̶ External Setting ̶ External Setting ̶ External Setting ̶ DIP7K 650 650 1.40 4.00 4.00 8.50 6.70 650 2.40 ̶ External Setting Internal

Auto Restart External Setting External Setting External Setting ̶ ̶ External Setting External Setting ̶ ̶ External Setting ̶ External Setting ̶ External Setting ̶ External Setting ̶ ̶ External Setting ̶ External Setting External Setting External Setting ̶ ̶ External Setting External Setting ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ Auto Restart 4.00 8.50 650 650 650 1.40 2.00 4.00 5.40 12.00 2.00 5.40 5.40 12.00 8.50 4.00 5.40 12.00 2.00 800 650 800 65 65 65 65 65 65 100 100 65 Latch Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Auto Restart Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Auto Restart Auto Restart Auto Restart ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶

Package BreakDown_Voltage(V) On resistanse_(Typ)(Ω) On resistanse_(Max)(Ω) Frequency_(kHz) Frequency_Reduction VCC OVP BR UVLO BR OVP _{Discharge Function}X-Cap.

BM2P016 BM2P0161 BM2P0361 BM2P015 BM2P0151 BM2PA15 BM2PA35 BM2PA55 BM2P0161K BM2P095F BM2PA96F BM2P016T 1.40 1.00 3.00 1.40 1.00 1.40 2.40 8.50 1.60 ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ DIP7K DIP7K SOP8 TO220 800 650 650 8.50 1.40 2.00 2.00 4.80 2.00 1.35 2.00 4.00 12.00 2.15 12.00 2.00 650 65 65 65 65 Auto Restart Latch Auto Restart Latch Auto Restart Auto Restart

PWM

フライバック方式ラインアップ

6.00 8.40

(14)

Power

∼400W

∼200W

Time

BCM Mode PFC Auxiliary Winding type

CCM Mode PFC Gate Clamper BCM PFC Resister type 650V Starter BCM Mode PFC Linear type QR X-cap Discharge PFC Auto ON/OFF PFC Voltage Valuable Linear type 650V Starter Gate Clamper Fsw = 120kHz ボトムスキップ Linear type 650V Starter Gate Clamper Fsw = 110kHz

for SiC MOSFET Drive Linear type Gate Clamper Fsw = 120kHz(Max.) 低ノイズ、高高効率 Switch Clamp 650V Starter Gate Clamper Fsw = 65kHz/120kHz 650V Starter Gate Clamper Minus Current Sense External Latch Function Fsw = 5kHz/100kHz/130kHz

Gate Clamper

X-Cap Discharge Function Low Stand-by Power Function

Fsw = 300kHz(Max.)

PFC

PFC+QR

QR

PWM

MOS

外付けシリーズの特長

フライバック回路（

PWM/QR

）

MOSFET

外付け。以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。 ■_{パッケージ：}SOP-J8/SOP-J7 ■_{出力電力：}150Wクラスまで（電源仕様による）

■

概要

■

技術トレンド

高効率・待機時低消費電力が技術のトレンドです。待機電力削減やトランス音鳴り低減など、さまざまな機能を搭載した

IC

を取り揃えています。

ロードマップ

1 4 2 3 ACIN_L ACIN_IN ＋＋＋＋ VOUT GND 2 1 3 4 5 1 ACMONI FB CS GND VH NC VCC OUT 2 3 4 8 7 6 5 BCM Mode PFC Resister type BD7691FJ（SOP-J8） BD7690FJ（SOP-J8） BD76xxFJ BD7692FJ（SOP-J8） BM1C101/102F（SOP18）

BM1Q001/002FJ（SOP-J8） BM1Q104FJ（SOP-J8） BD768xFJ（SOP-J8） BMxFJ（SOP-J8）

BM1P061/062FJ

BM1P101/102FJ

（SOP-J8）

BM1PxxBFJ

（SOP-J7）

BM1PxxCFJ

（SOP-J7）

BMxFJ

（SOP-J8）

MOS

外付けシリーズ

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ 該当デバイスアプリケーション

BM1Pxxx

シリーズ

（

PWM

）

BM1Qxxx

シリーズ

（

QR

）

家電製品

TV

R65xxKNX

（

650V

）

R80xxKNX

（

800V

）

MOSFET *QR：Quasi-Resonant

(15)

PWM

QR

（疑似共振）

AC/DC + PFC

Package Part No. Part No. Part No. Frequency (kHz) Frequency Reduction Frequency

Jitter VCC OVP BR UVLO FBOLP ZTOVP TSD

Burst Freq. Control X-Cap. Discharge Function BD7671FJ BD7672BG BD7673AG BD7679G BD7678FJ BM1P061FJ BM1P062FJ BM1P065FJ BM1P066FJ BM1P067FJ BM1P068FJ BM1P101FJ BM1P102FJ BM1P105FJ BM1P107FJ BM1P10CFJ BM1P06CFJ ̶ ̶ ̶ ̶ Latch Latch Latch AR Latch AR Latch AR Latch AR Latch AR Latch AR AR ̶ ̶ SOP-J8 SSOP6 SSOP6 SSOP6 SOP-J8 SOP-J8 SOP-J8 SOP-J7 65 65 65 65 65 65 65 100 100 65 ̶ ̶ ̶ ̶ AR AR Latch AR AR AR ̶ ̶ ̶ AR Latch AR AR Latch AR AR ̶ Latch AR AR AR AR AR ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ AR AR ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶

Package Control method Max Frequency (kHz) Frequency Reduction ZT Timeout VCC OVP Burst Freq. Control Burst Freq. Control Gain change 2stage Timeout BD7681FJ BM1Q001FJ BM1Q002FJ BM1Q011FJ BM1Q021FJ BM1Q103FJ BM1Q104FJ 120 120 ̶ 120 116 15μs AR 15μs 15μs ̶ ̶ ̶ 15μs ̶ Latch AR Latch AR AR BR UVLO AR AR AR Latch ̶ Latch ̶ AR Latch FBOLP ZTOVP SOP-J8 SOP-J8 SOP-J8 SOP-J7 SOP-J8 Max. frequency Max. frequency Max. frequency Bottom Skip ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ Package QR Control method Max Frequency (kHz) QR Frequency Reduction PFC Control method PFC Max Frequency PFC frequency jitter VCC OVP BD7690FJ BD7691FJ BD7692FJ BM1050AF BM1051F BM1C101F BM1C102F 120 ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ BCM BCM BCM ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ 65kHz Fixed 220kHz 220kHz 400kHz 500kHz Voltage mode Peak current 120 Latch/AR Latch QR FBOLP AR AR PFC Voltage Switch X-CAP Discharge ̶ ̶ ̶ SOP24 SOP-J8 SOP-J8 SOP-J8 SOP18 Max. frequency ̶ ̶ ̶ Max. frequency ̶

MOS

外付けシリーズラインアップ

(16)

BD7692FJ BCM ZCD 抵抗検出 CCM PFC IC （開発中） ●最大周波数制御（可変）により軽負荷時の効率改善 ●高精度過電流検出内蔵 ●

VS

端子ダイナミック

OVP

とスタティック

OVP

●各種保護機能の充実（過電流保護、エラーアンプ入力ショート保護） ●

IC

回路電流低減による低消費電力実現 ●ゲートドライバの

High

側電圧にクランパを内蔵 ●補助巻線によるゼロ電流検出（

BD7690FJ

） ●抵抗によるゼロ電流検出（

BD7691FJ

、

BD7692FJ

） ●

IS-GND

ショート時保護（

BD7692FJ

） ●_{起動時オーバーシュート低減機能（}

BD7692FJ

）

▶

LED

照明・家電等に採用

SOP-J8

1 2 8 7 6 5 3 4 Diode Bridge 400V VS OVP VCC OUT GND IS VS VS EO RT OVP OVP VCC BD7691FJ BD7692FJ ●

V

CC動作電源電圧範囲：

10.0V

∼

26.0V

●動作電流：

380μA (BD7690FJ)

540μA (BD7691FJ)

530μA (BD7692FJ)

●最大周波数：

220kHz (BD7690FJ)

220kHz (BD7691FJ)

450kHz (BD7692FJ)

●動作温度範囲：−

40

°

C

∼＋

105

°

C

特性

概要

ロードマップ

PFC

回路の特長

■

概要

■

技術トレンド

高効率・待機時低消費電力が技術トレンドです。電圧モード臨界動作PFCです。トランスの巻き線検知タイプとセンス抵抗検知タイプをラインアップしています。特に抵抗検知タイプでは、トランスでなくコイルの使用が可能なため、巻き線ショートが無くなり、高信頼性を実現します。RT端子で最大周波数を設定でき、待機電力削減に対応することが可能です。 BD7690FJ BCM ZCD 補助巻線検出

▶

TV

・家電等に採用

▶

より高負荷のセットに

PFC

シリーズ

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ

TV

LED

照明

OA

機器アプリケーション該当デバイス

BD7690FJ

（巻き線検知）

BD7691FJ

（抵抗検知）

BD7692FJ

（抵抗検知） AC/DC

R60xx

シリーズ

MOSFET

(17)

低消費電力

低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機電力削減。オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。待機時低消費電力化と省スペース化に貢献

CCM

(Current Continuous Mode)

対応回路

従来の

CCM

対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要。ロームは抵抗一本で対応。セットの省スペース化・低コスト化に貢献。

幅広い出力電圧に対応

(BM1R001xxF

シリーズ

)

AC/DC

出力電圧が二次側同期整流

IC

の電源となる。ロームは

3.3V

系∼

24.0V

系まで幅広く動作可能。 + 同期整流 VOUT GND SHUNT REG 0.1mA

二次側同期整流回路の特長

■

概要

■

技術トレンド

高効率・待機電力削減、高信頼性、省スペースが技術トレンドです。低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機時低消費電力化と省スペース化に貢献します。オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。また、従来の CCM対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要でしたが、ロームは抵抗一本で対応可能となり、セットの省スペース化・低コスト化に貢献します。3.3V系∼ 24.0V系まで幅広い出力電圧に対応可能です。 LLC向けBD85506FはMOSFETのゲートオープン保護機能を持ち、MOSFETの発熱対策が可能です。

1

2

3 二次側同期整流

IC

シリーズ

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ

TV

アダプタ

OA

機器アプリケーション該当デバイス

BM1R001xxF

シリーズ

LLC

向け

BD85506F

二次側同期整流

Rxxx

シリーズ

MOSFET 出力電圧_{応じて選択}/出力電流に

(18)

電源電圧範囲 (V)(Max) 品名通常時動作電流_(μA)(Typ) BM2SCQ121T-LB BM2SCQ122T-LB BM2SCQ123T-LB BM2SCQ124T-LB VCC:15.0∼27.5 DRAIN:1,700 2,000 バースト時動作電流 (μA)(Typ) 500 最大動作周波数 (kHz)(Typ) 120 FB OLP Auto Restart Latch Auto Restart Latch VCC OVP Latch Latch Auto Restart Auto Restart 動作温度範囲 (℃) −40∼＋105 0 10 20 30 Output Power(W)

Power Conversion Effeciency(%)

40 50 60 70 80 75 80 85 90

大きな信頼性の向上、

部品点数削減を実現

部品点数 効率体積 安全性

20 ×

×

△

5 ◎

○ ◎

1 ◎

◎

0 200 400 600 VIN(VDC) Efficiency(%) 800 1,000 1,200 74 76 78 80 82 84 86 90 88 84.4 84.4 83.4 83.4 83.6 83.6 82.8 82.8 82.2 82.2 81.0 81.0 81.1 81.1 80.4 80.4 80.2 80.2 79.4 79.4 PWM Quasi-Resonance

最大

6%

最大

6%

SiC MOSFET Si MOSFET ●世界初

*

1,700V/4A SiC MOSFET

内蔵

AC/DC

高効率、大幅な部品点数の削減を実現 ●低ノイズ、高効率な擬似共振方式 ●三相

690VAC

まで対応可能なさまざまな

保護回路を内蔵

特長

ラインアップ

1,700V SiC MOSFET内蔵擬似共振AC/DC

BM2SCQ12xT

シリーズ

SiC MOSFET

内蔵

AC/DC

シリーズの特長

インバータサーバ産業機器向け電源すべて 従来品のソリューション 新製品のソリューション

+

Si＋従来制御IC SiC＋特化型制御IC SiC内蔵制御IC BD768xFJ-LB BM2SCQ121T-LB *制御ICの性能は同等とする（ローム調べ） *制御ICの性能は同等とする（ローム調べ）

AC/DC

コンバータにおける

Si

対

SiC

効率比較

部品点数の削減と実装面積の大幅削減

アプリケーション

SiC MOSFET

内蔵

1,700V

耐圧

AC/DC

コンバータシリーズ

MOS内蔵シリーズ （バックコンバータ方式） MOS内蔵シリーズ （PWMフライバック方式） MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流 ICシリーズ SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズ SiCに変えるだけで 最大6%効率改善可能に！ *2019年5月ローム調べ SiC VCC 新製品 AC/DC コンバータIC （BM2SCQ12xT-LB） 新製品 AC/DC コンバータIC （BM2SCQ12xT-LB） Isolator Error Amp. 3 p h a s e A C 4 0 0V to 6 9 0V Diode Bridge

DriverClamperGate

1,700V耐圧 SiC MOSFETを内蔵 Snubber Si Snubber Si VCC Controller 従来品 AC/DC コンバータ 制御IC 従来品 AC/DC コンバータ 制御IC 高電圧用 クランプ回路 Isolator Error Amp. 800V耐圧シリコンMOSFET 3 p h a s e A C 4 0 0V to 6 9 0V Diode Bridge 800V耐圧シリコンMOSFET ドライブ 回路 ドライブ 回路

(19)

■

LLC

■

フォワード

■

フルブリッジ

■

シングル

PFC

■

部分

SW

方式

PFC

二次側同期整流

IC

：

BD85506F

MOSFET

：

R60xx

シリーズ

600V

耐圧

MOSFET - SJ MOS 2nd gen.

R60xxKNX

・

Low A*Ron

・

Fast switching

・

High efficiency

IGBT

：

・Low SW Loss &

Low SW Noise

・Low Gate Charge

・Built-in Very Fast &

Soft Recovery FRD

IGBT

：

RGTH

シリーズ

・Trench Gate & Thin Wafer

Technology (2nd gen.)

・Low V

CE(sat.)

1.6V Typ

・High Speed SW tf 50ns Typ

PFC

：

BD7690FJ

（巻き線検知）

BD7691FJ

（抵抗検知）

BD7692FJ

（抵抗検知）

IGBT

：

RGCL

シリーズ

・

Trench Gate & Thin Wafer

・

Low V

CE(sat.)

1.4V Typ

・

Low SW Noise

方式別回路図

方式

対象デバイス

/

アプリケーション

84.4 83.4 83.6 82.8 82.2 81.0 81.1 80.4 80.2 79.4

最大

6%

V1 C1 Q1 P1 TR S1 D1 C3 C2 Q2 S2 V1 _C1 P1 TR D2 D3 C2 L1 S1 P2 Q1 D1 V1 C1 Q1 Q2 Q3 Q4 P1 TR D1 S1 S2 D2 C2 L1 PS1 アプリケーション *制御ICの性能は同等とする（ローム調べ）

IGBT

：

RGTV

シリーズ

・Trench Gate & Thin Wafer

Technology (3rd gen.)

・Short Circuit SOA 2µs Min

・Low V

CE(sat.)

1.5V Typ

・High Speed SW tf 40ns Typ

IGBT

：

RGW

シリーズ

・Trench Gate & Thin Wafer

Technology (3rd gen.)

・Low V

CE(sat.)

1.5V Typ

・High Speed SW tf 30ns Typ

家電製品

TV

産業機器アプリケーション家電製品

TV

産業機器産業機器家電製品

TV

アプリケーションアプリケーション各種産業機器アプリケーション照明機器エアコン各種産業機器

TV

OA

1 2 8 7 6 5 3 4 Diode Bridge 400V VS OVP VCC VS VCC OUT GND IS VS EO BD7691FJ BD7692FJ RT OVP 新製品 AC/DC コンバータIC （BM2SCQ12xT-LB） 従来品 AC/DC コンバータ 制御IC ドライブ 回路

(20)

■

インターリーブ

PFC

■

トーテムポール型

Di

ブリッジレス

PFC

■

トーテムポール型

Di

ブリッジレス

PFC(

同期整流型

)

IGBT

：・

Low SW Loss & Low SW Noise

・

Low Gate Charge

・

Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD

IGBT

：

RGTH

シリーズ

・

Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)

・

Low V

CE(sat.)

1.6V Typ

・

High Speed SW tf 50ns Typ

IGBT

：

RGTV

シリーズ

・

Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)

・

Short Circuit SOA 2μs Min

・

Low V

CE(sat.)

1.5V Typ

・

High Speed SW tf 40ns Typ

IGBT

：

RGW

シリーズ

・

Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)

・

Low V

CE(sat.)

1.5V Typ

・

High Speed SW tf 30ns Typ

スイッチング側

IGBT

：

RGT

シリーズ

・

Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)

・

Short Circuit SOA 5μs Min

・

Low V

CE(sat)

1.65V Typ

・

High Speed SW

・

Low SW Loss & Low SW Noise

・

Low Gate Charge

・

Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD

スイッチング側

Presto MOS

：

R60xxJNx

シリーズ

Fast- Recovery Body Diode Super Junction MOSFET

Presto MOS 2nd gen. R60xxMNx

・

Fast trr/Low Rds(on)

・

Improvement for Efficiency about Motors.

・

Able to remove parallel diode

整流側

SJ-MOS

：

Low Noise Super Junction MOSFET

SJ MOS 2nd gen. R60xxENx

方式別回路図

方式

対象デバイス

/

アプリケーション

PS1 PS1 PS1 PS1 アプリケーション家電製品

TV

産業機器アプリケーション高効率低ノイズ軽負荷高効率軽負荷高効率各種産業機器エアコン

(21)

高効率化

2017

2018

2019

∼

●_低損失：_{switching=20mW}

●_{12V FET}_{駆動電圧制御}_(FET_{駆動のスイッチングロスを軽減}₎

高信頼性

●各種保護内蔵 (OVP, VCC UVLO, OUT short, IS short )

●外部FET保護内蔵 (12V CLAMP) (外部FET保護用ツェナーダイオードの削減可能)

開発工数削減 ●市場での標準ピン配置を採用し、基板そのままでの検討可能。

PFC IC

（力率改善

IC

）

アプリケーションサポート

以下の特長を持った製品を提案・開発

SOP-J8

BD7691FJ BCM ZCD is detected by resister MP

SOP-J8

BD7692FJ BCM (resister) BD7691FJ+more protection より高信頼性・低ノイズに MP

SOP-J8

BD76xxFJ CCM

SOP-J8

BD7690FJ BCM

ZCD is detected by auxiliary winding

MP 3T Insulation tape NP1 NS1 NS2 ND NS3 NP2 1T

ロームでは各種アプリケーションサポートを取り揃えてお客様の電源ブロック回路の検討依頼をお待ちしております。

回路図提案

トランス仕様作成

特性（比較）評価

ノイズ特性評価

発熱評価

基板レイアウトのご相談

IC

、

ディスクリート含め実機やシミュレーションによる各種技術サポートにてお客様の電源ブロックのさらなる開発をサポートします。

Circuit

Evaluation

・

efficiency

Noise Evaluation

Trans Design

Application Evaluation

Layout

M

(22)

第

3 世代

トレンチ構造

SiC MOSFET

Si IGBT

（左）と比較してトレンチ構造

SiC MOSFET

（右）はスイッチング時の損失を大幅に低減

第

2

世代

MOS

（青）と比較して

第

3

世代

MOS

（赤）はさらに低オン抵抗を実現

ローム独自のダブルトレンチ構造

Loss comparison

Si IGBT

SiC MOSFET

誘導損失

オフ損失

オン損失

30kHz駆動時 0 20 40 60 80 100 120 Loss(W)

スイッチング時の損失を

IGBT

比

73 ％削減

スイッチング時の損失を

IGBT

比

73 ％削減

オン損失オフ損失誘導損失 160 140 120 100 80 60 40 20 0

Trade-off curve between RDS(on) and Ciss

Ciss(pF)

RDS(on) @ 25℃(mΩ) at same chip area

Ciss 35%⇩

at same chip area Ciss 35%⇩

at same chip Ron, Ciss 70%⇩

Trench MOS

40m

Ω

1,200V

Trench MOS

80m

Ω

1,200V

2G DMOS

SCR2080KE 80m

Ω

1,200V

Metal Metal Gate trench P+ N+ P Source

trench _{SiC n-Drift layer}

SiC sub SiC UMOS Poly-Si

スイッチング時の損失を大幅低減

SiC MOSFET

製品

特長とラインアップ

さらなる低オン抵抗化を実現

構造

アプリケーション太陽光パワーコンディショナー電源

(23)

第

2

世代（プレーナ構造）

第

3

世代（トレンチ構造）

製品ラインアップ

スイッチング時の損失を

IGBT

比

73 ％削減

at same chip area Ciss 35%⇩

at same chip Ron, Ciss 70%⇩ 品名極性_(ch) V_(V)DSS _(A)ID _(TPD(W) C=25℃) RDS(on) (Typ)(mΩ) Qg (Typ)(nC) 駆動電圧 (V) VGS=18V パッケージ _AEC-Q101車載対応 SCT2120AF SCH2080KE SCT2080KE SCT2160KE SCT2280KE SCT2450KE SCT2750NY SCT2H12NY SCT2H12NZ N N N N N N N N N 650 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,700 1,700 1,700 29 40 40 22 14 10 5.9 4 3.7 165 262 262 165 108 85 57 44 35 120 80 80 160 280 450 750 1,150 1,150 61 106 106 62 35 27 17 14 14 18 18 18 18 18 18 18 18 18 TO-220AB TO-247 TO-268-2L TO-3PFM ̶ ̶ YES ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ ̶ SCT3017AL SCT3022AL SCT3030AL SCT3060AL SCT3080AL SCT3120AL SCT3022KL SCT3030KL SCT3040KL SCT3080KL SCT3105KL SCT3160KL N N N N N N N N N N N N 650 650 650 650 650 650 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 118 93 70 39 30 21 95 72 55 31 24 17 427 339 262 165 134 103 427 339 262 165 134 103 17 22 30 60 80 120 22 30 40 80 105 160 172 133 104 58 48 38 178 131 107 60 51 42 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 TO-247 (TO-247N) YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES

(24)

第

3 世代

SiC

ショットキーバリアダイオード

低

V

F

と高速リカバリにより電源装置の小型化かつ高効率化を実現

第

2

世代（左下）では低

V

F、さらに第

3

世代で低

V

F・高サージ電流耐量を実現 第

3

世代ショットキーバリアダイオードでは常温から高温領域まで低

V

Fを実現 1.3 1.4 1.5 1.6 1.2 30 40 50 60 70 80 90 100 110 I FMS ＠ 10msec half-sinusoidal

wave single puls(A)

ローム第

3 世代

Low V

F

and High I

FSM

good

(Ref. 650V 10A) VF@10A(V)

Characteristics of

Competitors

’

devices

ローム第

1

世代 ショットキー バリアダイオード

SCS110A

ローム第

1 SCS110A

ローム第

2 SCS210A

Low V

F ローム第

2 SCS210A

Low V

F ローム第

3 SCS310A

25 ℃

0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 IF (A) VF(V) IF (A)

150 ℃

0 0 0.5 2 3 4 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 VF(V)

Comp

ompany B

y B

Company B

SiC

ショットキーバリアダイオード製品

特長とラインアップ

太陽光パワーコンディショナー電源

PFC

充電ステーションアプリケーション

低

V

F

・高サージ電流耐量

世代進化とともに高温時の低

V

F

を実現

Comp

ompany A

A

Company A

ローム第

3 SCS310A

B C A

Comp

ompany C

C

Company C

Comp

ompany B

y B

Company B

Comp

ompany A

A

Company A

Comp

ompany C

C

Company C

(25)

SiC

ショットキーバリアダイオード

製品ラインアップ

ローム第

1 SCS110A

ローム第

2 SCS210A

Low V

F

Company B

Company A

品名絶対最大定格(Ta=25℃) 電気的特性(Ta=25℃) VRM (V) VR (V) IF (A) _I F(A) VF (Typ) (V) VR(A) IR (Max) (μA) パッケージ等価回路図 _AEC-Q101車載対応 SCS206AG SCS208AG SCS210AG SCS212AG SCS215AG SCS220AG SCS206AGHR SCS208AGHR SCS210AGHR SCS212AGHR SCS215AGHR SCS220AGHR SCS302AHG SCS304AHG SCS306AHG SCS308AHG SCS310AHG SCS312AHG SCS315AHG SCS320AHG SCS206AM SCS208AM SCS210AM SCS212AM SCS215AM SCS220AM SCS304AM SCS306AM SCS308AM SCS310AM SCS312AM SCS315AM SCS320AM SCS215AE SCS220AE SCS220AE2 SCS230AE2 SCS240AE2 SCS220AE2HR SCS230AE2HR SCS240AE2HR SCS205KG SCS210KG SCS215KG SCS220KG SCS205KGHR SCS210KGHR SCS215KGHR SCS220KGHR SCS210KE2 SCS220KE2 SCS230KE2 SCS240KE2 SCS210KE2HR SCS220KE2HR 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.35 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 6 8 10 12 15 20 6 8 10 12 15 20 2 4 6 8 10 12 15 20 6 8 10 12 15 20 4 6 8 10 12 15 20 15 20 10 15 20 10 15 20 5 10 15 20 5 10 15 20 5 10 15 20 5 10 120 160 200 240 300 400 120 160 200 240 300 400 10 20 30 40 50 60 75 100 120 160 200 240 300 400 20 30 40 50 60 75 100 300 400 200 300 400 200 300 400 100 200 300 400 100 200 300 400 100 200 300 400 100 200 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 600 600 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 6 8 10 12 15 20 6 8 10 12 15 20 2 4 6 8 10 12 15 20 6 8 10 12 15 20 4 6 8 10 12 15 20 15 20 10/20* 15/30* 20/40* 10/20* 15/30* 20/40* 5 10 15 20 5 10 15 20 5/10* 10/20* 15/30* 20/40* 5/10* 10/20* 22 29 38 42 52 67 22 29 38 42 52 67 19 27 47 67 82 96 112 123 22 29 38 42 52 67 27 47 67 82 96 112 123 52 67 38/76* 52/104* 67/135* 38/76* 52/104* 67/135* 22 42 62 78 22 42 62 78 22/45* 42/84* 62/124* 78/157* 22/45* 42/84* TO-220AC TO-220FM TO-247 TO-220AC TO-247 TO-220AC (TO-220ACP) ― ― ― ― ― ― YES YES YES YES YES YES ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― ― YES YES YES ― ― ― ― YES YES YES YES ― ― ― ― YES YES IFSM(A) 50Hz.1

Note：パッケージはJEDEC表記です。（）内はROHMパッケージを示します。 *1端子/パッケージ

Company C

Company B

Company A

Company C

(26)

ノイズ評価

プレーナ

MOS

に対して、 第

1

世代 スーパージャンクション

MOSFET

では

65

％、第

2

世代 スーパージャンクション

MOSFET

では、 オン抵抗を

80

％低減

KN

シリーズは特に効率に特化した製品であり、

EN

シリーズよりもスイッチング損失を

40

％低減

EN

シリーズ（赤）は特にノイズが非常に小さくノイズ対策が必要な回路に推奨 Planar 第1世代 スーパージャンクションMOSFET 第2世代 スーパージャンクションMOSFET 100 80 (%) 60 40 20 0

80%

低減

65%

低減

ON-Resistance Comparison (TO-220 Package)

100

35

20

Evaluation Circuit : PFC Circuit Critical Mode

IC Input 100V/60Hz Output 120W 0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 R6020ENX

(Low Noise) (High Efficiency)R6020KNX (High Efficiency)Company B

Loss(W) 0.34 0.38 0.36 1.14 1.50 1.50 0.68 0.82 1.02 1.20

40 %

スイッチング損失低減

高速スイッチングが特長の

R60xxKNx

、

R65xxKNx

シリーズは低損失・高効率に

特化した電源回路におすすめ

Limit (Quasi Peak) R6020ENX (Low Noise Type) R6020KNX (High Efficiency Type) Competitor A Frequency (MHz) Radiated Emission (H)(dBμV) 300 30 0 10 20 30 40 50 60 RADIATED EMISSION H (dBμV/m) 100V/60Hz Input 146W Switching Loss Conduction Loss

スーパージャンクション

MOSFET

製品

特長とラインアップ

第

2 世代

スーパージャンクション

MOSFET

（

600V

、

650V

）

電源回路全般アプリケーション

低オン抵抗

実現

効率評価

R60xxENx

、

R65xxENx

シリーズは

非常にノイズが小さく、

ノイズ対策が

必要な電源回路におすすめ

(27)

製品ラインアップ

1.50 低ノイズタイプ パッケージ用途 _(Tc=25℃)PD(W) RDS(on)(Ω) VGS=10V Typ Max Qg (nC) VGS=10V 駆動電圧 (V) R6011END3 R6009END3 R6007END3 R6004END3 R6002END3 R6511END3 R6509END3 R6507END3 R6504END3 R6502END3 R6024ENJ R6020ENJ R6015ENJ R6011ENJ R6009ENJ R6007ENJ R6004ENJ R6524ENJ R6520ENJ R6515ENJ R6511ENJ R6509ENJ R6507ENJ R6504ENJ R6030ENX R6024ENX R6020ENX R6015ENX R6011ENX R6009ENX R6007ENX R6004ENX R6530ENX R6524ENX R6520ENX R6515ENX R6511ENX R6509ENX R6507ENX R6504ENX R6035ENZ R6030ENZ R6024ENZ R6020ENZ R6015ENZ R6535ENZ R6530ENZ R6524ENZ R6520ENZ R6515ENZ R6076ENZ4 R6047ENZ4 R6035ENZ4 R6030ENZ4 R6024ENZ4 R6020ENZ4 R6576ENZ4 R6547ENZ4 R6535ENZ4 R6530ENZ4 R6524ENZ4 R6520ENZ4 ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ 0.390 0.535 0.620 0.980 3.400 0.400 0.585 0.665 1.050 3.300 0.165 0.196 0.290 0.390 0.535 0.620 0.980 0.185 0.205 0.315 0.400 0.585 0.665 1.050 0.130 0.165 0.196 0.290 0.390 0.535 0.620 0.980 0.140 0.185 0.205 0.315 0.400 0.585 0.665 1.050 0.102 0.130 0.165 0.196 0.290 0.115 0.140 0.185 0.205 0.315 0.042 0.072 0.102 0.130 0.165 0.196 0.046 0.080 0.115 0.140 0.185 0.205 0.340 0.500 0.570 0.900 2.800 0.360 0.530 0.605 0.955 3.000 0.150 0.170 0.260 0.340 0.500 0.570 0.900 0.160 0.185 0.280 0.360 0.530 0.605 0.955 0.115 0.150 0.170 0.260 0.340 0.500 0.570 0.900 0.125 0.160 0.185 0.280 0.360 0.530 0.605 0.955 0.095 0.115 0.150 0.170 0.260 0.098 0.125 0.160 0.185 0.280 0.038 0.066 0.095 0.115 0.150 0.170 0.040 0.070 0.098 0.125 0.160 0.185 124 94 78 59 26 124 94 78 59 24 245 231 184 124 94 78 58 245 231 184 124 94 78 58 86 74 68 60 53 48 46 35 86 74 68 60 53 48 46 35 102 86 74 68 60 102 86 74 68 60 735 481 379 305 245 231 735 481 379 305 245 231 ID (A) 11 9 7 4 1.7 11 9 7 4 1.7 24 20 15 11 9 7 4 24 20 15 11 9 7 4 30 24 20 15 11 9 7 4 30 24 20 15 11 9 7 4 35 30 24 20 15 35 30 24 20 15 76 47 35 30 24 20 76 47 35 30 24 20 VDSS (V) 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 極性 (ch) 形名品名包装記号 N N N N N TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 スイッチング TO-252 〔DPAK〕 TO-263S (LPTS) [SC-83] 〔D2PAK〕 TO-220FM TO-3PF TO-247 32 23 20 15 6.5 32 24 20 15 6.5 70 60 40 32 23 20 15 70 61 40 32 24 20 15 85 70 60 40 32 23 20 15 90 70 61 40 32 24 20 15 110 85 70 60 40 113 90 70 61 40 260 145 110 85 70 60 260 145 110 85 70 60 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 ☆：開発中 Note：パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。

*包装仕様C7 G(チューブ)も可 M

(28)

高速スイッチングタイプ

スーパージャンクション

MOSFET

製品

特長とラインアップ

パッケージ用途 _(Tc=25℃)PD(W) RDS(on)(Ω) VGS=10V Typ Max Qg (nC) VGS=10V 駆動電圧 (V) R6011KND3 R6009KND3 R6007KND3 R6006KND3 R6003KND3 R6511KND3 R6509KND3 R6507KND3 R6504KND3 R6024KNJ R6020KNJ R6015KNJ R6011KNJ R6009KNJ R6007KNJ R6004KNJ R6524KNJ R6520KNJ R6515KNJ R6511KNJ R6509KNJ R6507KNJ R6504KNJ R6030KNX R6024KNX R6020KNX R6015KNX R6011KNX R6009KNX R6007KNX R6006KNX R6004KNX R6530KNX R6524KNX R6520KNX R6515KNX R6511KNX R6509KNX R6507KNX R6504KNX R6035KNZ R6030KNZ R6024KNZ R6020KNZ R6015KNZ R6535KNZ R6530KNZ R6524KNZ R6520KNZ R6515KNZ R6076KNZ4 R6047KNZ4 R6035KNZ4 R6030KNZ4 R6024KNZ4 R6020KNZ4 R6576KNZ4 R6547KNZ4 R6535KNZ4 R6530KNZ4 R6524KNZ4 R6520KNZ4 R6535KNX1 R6530KNX1 R6524KNX1 R6520KNX1 R6515KNX1 ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ 0.390 0.535 0.620 0.830 1.500 0.400 0.585 0.665 1.050 0.165 0.196 0.290 0.390 0.535 0.620 0.980 0.185 0.205 0.315 0.400 0.585 0.665 1.050 0.130 0.165 0.196 0.290 0.390 0.535 0.620 0.830 0.980 0.140 0.185 0.205 0.315 0.400 0.585 0.665 1.050 0.102 0.130 0.165 0.196 0.290 0.115 0.140 0.185 0.205 0.315 0.042 0.072 0.102 0.130 0.165 0.196 0.046 0.080 0.115 0.140 0.185 0.205 0.115 0.140 0.185 0.205 0.315 0.340 0.500 0.570 0.720 1.300 0.360 0.530 0.605 0.955 0.150 0.170 0.260 0.340 0.500 0.570 0.900 0.160 0.185 0.280 0.360 0.530 0.605 0.955 0.115 0.150 0.170 0.260 0.340 0.500 0.570 0.720 0.900 0.125 0.160 0.185 0.280 0.360 0.530 0.605 0.955 0.095 0.115 0.150 0.170 0.260 0.098 0.125 0.160 0.185 0.280 0.040 0.070 0.095 0.115 0.150 0.170 0.040 0.070 0.098 0.125 0.160 0.185 0.098 0.125 0.160 0.185 0.280 124 94 78 70 44 124 94 78 58 245 231 184 124 94 78 58 245 231 184 124 94 78 58 86 74 68 60 53 48 46 40 35 86 74 68 60 53 48 46 35 102 86 74 68 60 102 86 74 68 60 735 481 379 305 245 231 735 481 379 305 245 231 102 86 74 68 60 ID (A) 11 9 7 6 3 11 9 7 4 24 20 15 11 9 7 4 24 20 15 11 9 7 4 30 24 20 15 11 9 7 6 4 30 24 20 15 11 9 7 4 35 30 24 20 15 35 30 24 20 15 76 47 35 30 24 20 76 47 35 30 24 20 35 30 24 20 15 VDSS (V) 600 600 600 600 600 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 600 600 600 600 600 600 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 極性 (ch) 形名品名包装記号 N N N N N N TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL1 TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL TL ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* ―* C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C8 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C13 C10 C10 C10 C10 C10 スイッチング TO-252 〔DPAK〕 TO-263S (LPTS) [SC-83] 〔D2PAK〕 TO-220FM TO-3PF TO-247 TO-220AB 22 16.5 15 12 8 22 16.5 15 10 46 40 30 22 16.5 15 10 46 40 30 22 16.5 15 10 56 46 40 30 22 16.5 15 12 10 56 46 40 30 22 16.5 15 10 72 56 46 40 30 72 56 46 40 30 165 100 72 56 46 40 165 100 72 56 45 40 72 56 45 40 27.5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 ☆：開発中 Note：パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。

*包装仕様C7 G(チューブ)も可 ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ 7 B

(29)

高速

trr

タイプ〈

PrestoMOS

TM_〉 パッケージ用途 _(Tc=25℃)PD(W) RDS(on)(Ω) VGS=10V Typ Max Qg (nC) VGS=10V 駆動電圧 (V) R6009JND3 R6007JND3 R6006JND3 R6004JND3 R6020JNJ R6018JNJ R6012JNJ R6009JNJ R6007JNJ R6006JNJ R6004JNJ R6025JNX R6020JNX R6018JNX R6012JNX R6009JNX R6007JNX R6006JNX R6004JNX R6050JNZ R6030JNZ R6025JNZ R6020JNZ R6070JNZ4 R6050JNZ4 R6042JNZ4 R6030JNZ4 R6025JNZ4 R6020JNZ4 ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ 0.585 0.780 0.936 1.430 0.260 0.286 0.390 0.585 0.780 0.936 1.430 0.182 0.260 0.286 0.390 0.585 0.780 0.936 1.430 0.083 0.143 0.182 0.234 0.058 0.083 0.104 0.143 0.195 0.234 0.450 0.600 0.720 1.100 0.200 0.220 0.300 0.450 0.600 0.720 1.100 0.140 0.200 0.220 0.300 0.450 0.600 0.720 1.100 0.064 0.110 0.140 0.180 0.045 0.064 0.080 0.110 0.150 0.180 125 96 86 60 252 220 160 125 96 86 60 85 76 72 60 53 46 43 35 120 93 85 76 770 615 495 370 306 252 ID (A) 9 7 6 4 20 18 12 9 7 6 4 25 20 18 12 9 7 6 4 50 30 25 20 70 50 42 30 25 20 VDSS (V) 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 極性 (ch) 形名品名包装記号 N N N N N TL1 TL1 TL1 TL1 TL TL TL TL TL TL TL C7 G C7 G C7 G C7 G C7 G C7 G C7 G C7 G C8 C8 C8 C8 C13 C13 C13 C13 C13 C13 スイッチング TO-252 〔DPAK〕 TO-263S (LPTS) [SC-83] 〔D2PAK〕 TO-220FM TO-3PF TO-247 22 17.5 15.5 10.5 50 42 28 22 17.5 15.5 10.5 57 45 42 28 22 17.5 15.5 10.5 120 75 65 50 160 120 100 74 65 45 trr(Typ.) (ns) 65 60 58 45 85 80 70 65 60 58 45 90 85 80 70 65 60 58 45 120 100 90 85 135 120 110 100 90 85 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 ☆：開発中 Note：パッケージはJEDEC表記です。 ( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔〕内はGENERALコードを示します。

(30)

第

4

世代ファストリカバリダイオード

製品ラインアップ

第

4

世代は、ノイズレスリカバリ性能を実現。

共に低

V

F化した

2

シリーズ、

RFS

（高速

trr

タイプ）シリーズ、

RFL

（低

V

Fタイプ）シリーズを展開。

使用回路例

Switching Waveform Comparison RFS vs RFUH

Tj=125℃ _VR=400V IF=30A di/dt=-500A/μs 50ns 10A 100V 超低リカバリ ノイズを実現 RFS30TZ6S 第4世代 RFUH30TS6S (3rd_Gen.)

PFC For Power Supply

FWD For Inverter

OBC For Diode Bridge

Motor VF-trr Trade-off Figure 1.3 1.5 1.8 2.0 2.2 2.4 2.8 3.0 20 30 40 50 60 70 80 trr(ns)

High

Efficiency

High

Efficiency

RFL シリーズ RFS シリーズ 第4世代 第4世代 第3世代 RFNLシリーズ (Ultra Low VF Type)

RFNシリーズ (Low VF Type)

RFUHシリーズ (Soft Recovery Type)

RFVシリーズ (Hard Recovery Type)

0

RFS : High Speed Type

RFL : Low VF Type VF(V) Tj=25℃

ファストリカバリーダイオード製品

特長とラインアップ

第

4 世代

ファストリカバリダイオード

RFS/RFL

シリーズ

ノイズレスリカバリ性能を実現！

！

PFC

回路（エアコン、サーバ、

UPS

など）、インバータ回路（モータ）、

2

次側整流回路（

OBC

、充電ステーション）アプリケーション

ノイズレスリカバリ性能に加え、

リカバリ速度

(trr)

同等で低

V

F

化を実現

IO*1 (A) パッケージスケジュール等価回路図 RFS20TJ6S RFS60TZ6S RFL60TZ6S RFS30TZ6S RFL30TZ6S RFS30TS6D RFL30TS6D RFS60TS6D RFL60TS6D TO-220ACFP TO-247-2L 2019年後半民生・産機向け量産開始 2019年後半民生・産機向け量産開始 2019年後半民生・産機向け量産開始 2019年後半民生・産機向け量産開始 2019年後半民生・産機向け量産開始 2020年前半民生・産機向け量産開始 2020年前半民生・産機向け量産開始 2020年前半民生・産機向け量産開始 2020年前半民生・産機向け量産開始 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 20 60 60 30 30 15×2 15×2 30×2 30×2 120 180 200 160 180 80 100 160 180 VR (V) VRM (V) 絶対最大定格(TC=25℃) 品名 Note：開発中につき予告なく仕様変更することがあります。 *１ 1素子あたりの出力平均電流は、Io(１素子入り)もしくは1/2 Io(2素子入り)です。 *2₁_{素子あたりの規格です。} IFSM(A)*2 60Hz.1

一次電源デバイスカタログ Ver.1.1

A C / D C C o n v e r t e r