九州大学学術情報リポジトリ
Kyushu University Institutional Repository
c-Ge基板を用いたヘテロ接合太陽電池に関する研究
中野, 慎也
https://doi.org/10.15017/4060181
出版情報：Kyushu University, 2019, 博士（工学）, 課程博士 バージョン：
権利関係：
（別紙様式5-2）
氏 名 中野 慎也
論 文 名 c-Ge基板を用いたヘテロ接合太陽電池に関する研究
論文調査委員 主 査 九州大学 教授 白谷正治 副 査 九州大学 教授 興 雄司 副 査 九州大学 教授 板垣奈穂
論 文 審 査 の 結 果 の 要 旨
本研究は，多接合化による変換効率向上を念頭に、狭バンドギャップ材料であるc-Ge (結晶Ge) を用いたヘテロ接合太陽電池の研究を行ったものである．金属とショットキー接合を形成しにくい
c-Ge(p)基板を採用し，a-Si:H/c-Ge(p)ヘテロ接合界面に対してPH3暴露処理を適用すると良好な特
性が得られることを見出した．a-Si:H(i)層の製膜条件及び界面処理条件の検討を行い，O2暴露処理 と PH3暴露処理および，最適な a-Si:H(i)層製膜条件を適用することで，c-Ge ヘテロ接合太陽電池 としては世界最高の変換効率である7.61%を達成した．これらの結果は，電気電子工学上価値のあ る業績であり，博士(工学)の学位に値するものと認める．
