爆発衝撃加圧法に よる犀化珪素の合成.
藤 原修三',佐藤事堆++, 日下部 正夫 ●''
珪素 とbt 索の混合粉体を平面状爆発衝撃加圧することにより.炭化珪素を合成することを就 みた。その着果,炭化珪 来( Si c ) の生成には,( 1 ) 衝撃残留温度が珪素の取点以上であること.
(2
波 束源の粒径が十分小さく,かつ.揮発成分が少ないことが必要条件{・ あ り.散抽なカーポ I /プラ,クを炭窯疎とした場合.最大 6 0 9 6の収率で Si C が得られた 。X 線回折の椿果,生成 し た Si C はすべてB型であ り,籍晶子の大きさは 3 0 0‑2 , 0 0 0A で.かつ,かな りのひずみが残留 してお り ,Si C 生成収率の増加に伴い.籍晶子は増大 し,ひI rみが減少する倹向を示 した。突 放始発より ,Si C の生成は.術畢残留温度下で触解 した珪索と炭素渡粒子の拡散速度が伊達の 表面反応{・ あることが推定された。
t . はじめに
近年.有用な新材料 としてセラミックス類が注 目さ れているが.炭化水架はセラミックスの代表的なもの の一つであ り,古 くから,研磨材,先負材として広 く 利用されている。一方.高温域における化学的安定性.
浪板的敷皮が壊れていることから.窒化珪素 とともに.
高温ガス用クービ' /の部品等.高性能な構造材料とし て利用することの開尭研究が行なわれている。I t :ラ 号 ,クス桝は.通常
,玲件として合成されるが.これを 構遵材料として使用するには,瀞体を高強度の固化体 に成形加工 しなければならない。セラミ,クスの固化 は粉体を揃現下で溌き固める方汝,すなわち,旋括方 法によるのが一般的である。炭化珪熟 土,極めて 虎籍
性が患
く,このため.砂体粒径を小さくし表面エネル ギーを増大させて反応活性化させた り.蔑括助剤を添 加する方鼓が一般的に行なわれている。特殊な例とし て,爆尭衝撃のような動圧力に上り砂件を地理 し.括 晶子径を小さくするとともに.ひずみ( 格子欠陥等)を 与え粒子を活性化する方汝が報 じられていろ
l朋 )。我 々は,反応活性な Si C ,すなわちサブ ミクF ,ソ域の赦 粒子で.大きな残留ひずみを有 した Si C を合成する方
昭和6 3 年 5 月 2日受理
● 化学技術研究所
〒3 0 5 茨城県つ くは市 文 1 ‑ 1
TEL0 2 9 8 ‑ 5 4 ‑ 4 7 8 8
● ● 太平洋ヲI JTI L株式会社
〒9 3 1 舟山市岩淑赤田町 9
TEL0 7 6 4 ‑ 3
811211
●
●●ミ ド I )安全工業株式会社
〒
3 4 0 埼玉県草加市稲荷 5‑2 7 ‑ 1
TEL0 4 8 9 ‑ 3 5 11 8 4 1
法 として.爆発衝撃加圧方法に注 目し.合成方法を検 肘 した 。 Si C の爆発衝撃 に よる合成に関 しては, Dha r ma t e j &らが珪索( 以後 Si と配す。)を含む有放物 を爆発処理 し . qおよびB型の Si C を得たことが
ht・s an o y 4 ) により報 じられている。
また,鈴木らS ) 紘.め‑ポt /7' ラックと.チター /,
Si. i fル コ占ウムの各々混合物を円筒型爆発衝撃加 圧方法により処理 し.回収物の中に炭化物が存在する ことを
X線回折に上り確藷 している。Ba t s z L n O Y.鈴 木らの報告には ,Si C の生成が述べられているだけで.
生成条件,生成物の特性等の探索は行なわれていない。
我々は,平面型爆発衝撃加圧方法に上り
.Siとbt 窯 の混合物を処理 し,出先原料の唖軌 衝撃圧力( 温度) 等の効果と生成 した Si C の特性を追及 した。
2.
集魚方法
合成乗取を二つのシ1 )‑メ( 実験‑ Ⅰ.Ⅱ) に分けて行 なった。乗鼓 ‑1 は圭に圧力( 粒度)の効果を調べ,乗 除‑ Ⅱで.粒度.混合比,供来朝の効果を粥べた。
Fi g.1 に加圧方法の概要を示す 。A は直接法で B は飛 粕体衝突法である。主爆薬にはエ トpJタ. /と
RDXを含む粘土状爆 薬( SP1 2 0 と配す
。)を用いた。主爆 薬を外亀 内径が各々 76 ,6 7 mの硬質塩 ビ管に充填 し た 。Sト2 0 は.油圧 プレスで 0. 5‑2. 5 トソの亀荷並 で加圧することに より.最大密度 1 . 6 8 5士0. 0 0 5
9cc, のものが得られ.これは爆速 7. 90 士0 . 0 1
h/secを示 す。直濃法の薬長 ( h) は 3 0 n) ,飛粕体衝突法では 5 0 皿 とした。飛粕坂は直径が 7 6 佃 で.厚さが
2,3,4mの三朝癖の銅板を用いた。飛粕B E
#(A)は 1 5 z E Z D t・ あ る。
妖科容掛
まSUS‑30 4製で,駄科空間は 2 0 4×5
zDKaB y 6 KB y Z ) k L J .Vol .49.No.4.1 988
‑265‑
(A〉
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F i g. 1 Phne 血oc
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叩 l o s i y e l e
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,7.S t e e l c o nt a i J l
er.8.
s p c c i me n,9. SUS c on t
a
in e r1 0. S t e e l 血g
, 11.le a dbl o d【
である 。Fi g.1 に示す
ように.駄科容皆は,スチール 容津に入れ られ.同心円状のスチール管.鉛 7'
F , ,ク をモー
}' /タム トラ,プ材 として用いることに より.
妖科の確契な回収がで きる. 熊
取‑Ⅰでは NO.ト t
〜8の
8唖頬の拭科
を桐製 した。使用 した Si 粉末は七イシ. /企業袈 Hi s ト60 0 0で その平均粒径は 3p
である。b! 東商 と して. カーポ ‑ / プラ,ク( 片L I
J 化学製)とグラフナイ ト砂を用いた。 タ ラ77イ ト鈴 の粒径は
44p以下 ( 平均 :
d…30p軽度
) カーポ . /プラックは lF I m 以下
である。二G n税の炭素 軌 土まず,アル ゴー /穿郎党下
.650℃で
20時
間虎成 し 揮発分の鼓圭 を行な っ
た捜. Si 粉末 と化学丘鎗化に 混合 し.エタノー
ルに湿 して捷押扱.赤外線庇塊容で 乾燥 し. これを試科 と した。妖
科は .3 . 0 00 b/ d の 圧 力で.油圧 プレスに より専管へ正墳 され る lに突 を示す。発
放‑Ⅰの各試料の充填帝乱
散‑Ⅱでは各唖の艮瀬源を用いた 加正負件尋の辞細 。( 。Ta Ta bl bl e e 2 参照
)No.Ⅱ‑1‑3
では カーポ' /プラ,ク( 東海 カー ポ l と同一の 2' /乳
S‑ラフ丁イ トを.
3H,d=0 . 0 2 5 f 正一8.Ⅱ‑9 I )
.Ⅱ‑4では ⅠシI は各 々.塵火 )‑メ 用の松Ot ,桐炭を用いた。帆
綱btともに抑先分の多 い炭化不十分な非晶質炭来,すなわちカ‑ポl クと同唖の炭素源であ り.蔽典体の見掛けの粒径は60 /ブラッ F タ竜虎 と患われる J 屯鑑あるが,実際の粒子の大 きさは カーポ '
。Ⅱ‑
1.
5.6には各 々.エポキシ樹 /プラツ 顔. フル7 1 Jルアル
コール. タラ三1‑糖を炭化 した
ものを用いた。 bt 来合有丑を考慮 して.各 々の炭窯母材を Si 抄 と
混合 し.
65
0℃,Ar穿田見下.
20時間の焼成に よ り炭
化 した ものを筑料 とした。 これ らの炭窯澱の粒径は 4 4
V 以下 である 。Ⅱ‑ l l . 1 2 の炭素源には. フル 7 1)ル
ア
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LJ.Vol.49.No.4.1988
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F 7
‑得られた炭素源は炭化が不十分で ,
Ta b l e2 に 示す ように揮発分を含有 して
Ⅱ‑ 1‑1 0 までに使用 した いる。 Si l l英故 ‑ Ⅰに 用い
た ものと同一であ り ,正 一11においてI l d=1 3. 5 f L のものを使用 した 。Ⅱ‑I , 2 . 3 は .
Si と炭索の混合比を変えたもので,塀に ,2 0 % ( 亜丘) 炭素過, 臥 化学丑曲比 ,2 0 %Si 過剰の 混合物である
。Ⅱ
‑1‑1 ほ での就料は
.3, ( 伽 k s /c Jの加圧 に よ り飲料容号 に圧墳 さ Ta b l e2 に筑料の明al .使用重 れ た。
畳等を示す。
爆発匁理抜,香草を回収 し.施亀
加工により.
容欝内部の試料を取 り出 し,妖科の色的.凝 集 庇をまず肉眼統察する。その後,粉砕 し ,X 線 回折法による Si C.Si の各8E i の分析を行な う
。 また .Si C 以外の成分を除去するため,回収
駄 科を大気中 ,8 0 0 ‑8 5 0 ℃で 1 時間焼
成 し,炭瀬 の酸化を行なった抜. H NO JW
混酸で 1 0 分間 化学地理 し,さらに残留物の水洗を行なった
。 政終残留物に
対 して,粉末 X 線回折法による各 唖の分析,ならび
に尭査屯取による写共振好を 行なった。
3.
東急括来
襲験‑
Ⅰ.Ⅱにおいて.すべて
の試料を完全に 回収することができた。突放 ‑ Ⅰの
試料では.
X 線回折分析の結果 ,No ト 6 にだけβ S i C が存在することが確箆{・ きた。原料 型の
に通常 の方法で合成された p‑Si c( q型を 1
0 % 舎利 を 既知虫丑だけ混合 し .X 線回折線の ビ‑ク高さ より換丘線を作成 し,検点線との比較から Si C 含
有丑を求めた .No .I‑6 筑科中の P ISi C 丑 は 3 . 4 ‑4 . 4 % であった。また.硬化,および薬 品地理の絵果 ,No .I‑6 の駄科から 6 . 4
% の灰 色の残留物が得 られ その他の筑料では
,No . ト 1 が 1 . 4 % で他はすべて 1% 以下であっ
た。
これらの残留物に対 して X 線回折を行なった結 果 No.Ⅰ‑6 の就科にだけ ,Fi g. 2 に
示す よう な明確な p ‑ Si C の回折. くタ‑ソがみら
れ 他の 妖料からはビ‑クの確定が{・ きなかっ
た。以上 の結果から. No .I16 の妖科の反応収率
は 5
%
轟皮であ り,他の拭料の収率は零に近い と思 われ る 。No.Ⅰ‑6 から得られた β ‑Si C に
対 し て,結晶性の良好なら
Si 扮末を標準就料 とし て
,X線回折岳柴を
FId の方法6 〉 によりブF ・,
トしたのが
Fig.3である。四の直線勾配と
推称
切片より,残留ひずみ丑として 1 . 2×1 0‑
3( 0.
30 35 404580 5960
65 20tdeq○○Ill■■
F j g.2
Xmy di
f hc t i o J )
Pt t e m f o re x pl o s i y e 8 h o c k
町nthesized
p ‑ Si c( Cu
.K.)ー
OSO3
d
=
=‑: ‑‑‑: sinOIー
=
̲=l F i g.3 Hd' spl o tf o re x p l o s i y e S ho c ks
y T l ・ t he s i z e d a ‑ Si c.
Xr a y
sotm‑ ,C
u ,
K..
る 。A l l .No .I‑6
,B
l まⅡ‑1 の集散で合成 された p ‑Si C である 。C
は. No .I‑4 と同様な駄科を常 圧
Ar雰田虫下で. Si C
の生成反応が起 こる温度.すな わち 1 4 0 0℃で .
3 時間加熱を行なって柑られた p‑ Si c 牧子の写井
である。
シl )‑ズⅡの突放は,シl J‑ズⅠ
の突放結果に基づ いて行なったものですべての駄科から p ‑
Si C の存在が 砿放 された 。Ta b l e3 1 こ.
p ‑Si C の生成収率,括晶子 窪.残帝ひずみ.妖科に
残存 している未反応珪東砂体 中のひずみ丑を示す。収率
は.乗故」 と同様に
,X線回折法と化学包埋方法の両
方で求めた。前者の方が 掛 、 収串を与えるが.これは衝撃合
放された p ‑Si C l 土 化学的に活性なため化学免理の過
軽で消失 Lやす
いからであろう。 したがって
.X線回折
法に上り求めた故 事がfE の値に近いものと考えられる
。 この伍( 生成収 辛)と生成 した Si C の結晶子,およ
び,ひずみの債を プt 'ヅトとしたのが Fi g. 5 である。収串の高い駄科ほ
ど括血色が良くなる傾向があ り.これは Fi 8. 4 の屯田
写札 ている未反応珪兼のひず み丑と生成した SiC の収率と の関係をブF',トしたものである。この喝合も , 応収 串になると残存珪乗のひずみが減少する依向は明白で ある 。 4. 考
Bにも示されている 察
.jii..I..: :I‑I
.脚 .I‑ I::; .. .I . . . ,=;捕 ...;. 。 F
qF.6は帥 中に残存 し :.: .. . 二 1.: . .:; I . ‑ ' 〝 . F79.4
El∝bn micro pph oE p‑S iC par ddLes.
A;印
thesiz
edinShtNO.I‑6
叩nment. B; syTLthesiz
edinShotNO.正 一
lexper
iJZLent. C;S︼巾
the s ized
bytLSualmethod.(1
4 00 ℃ , 3hr h eating)
4.1衝撃特性伍の推定 契鼓 .
I. Ⅱで鼓科中に生
じる入射術撃
汝特性伍の 推定を拭みたP E O。特性伍 として入射節畢圧
力( 以換 PH と配す。),妖科が衝撃 圧 ( PH) 下で
魚平衡にあると 庇定 した所や温度 ( T xと配す
。)
,また圧力解放時の 残留温度
(Tt
)を求めた
。炭兼と Si の混合物のウゴェ オT J‑タがないので,
両物質の個別 サゴ三オデー
‑2
68
‑dE¢F
ql.1
のように偏平な形状の駄科で.かつ.香 告との術革イー /ビー〆・ /ス盛が大 き
い場合.下
恭啓蓉界面からの反射衝撃波や飲料 と
T8bl e3 Summa r yoEe xpe r i me nt a lr e s ul t sE orSe r i e s‑Ⅱe xpe r it ne n
t・yi e l do f
β‑Si
c (l)l e r y s t a l l i t cs i z e'
"
Xmya na l . c he mi c a lt r . ( I . 1 , 1) ( 2 , 2 . 2 )
Si
c(8)1 3 . 6( W%) 9 . 0( W%) 2 6 5( A) ●
●
2‑ 6
(A) ‑ 6 4 . 0 41 . 4 2 5
3 8 1 8 3 9 0 . 1 4×K 2 6 . 5 1 9 . 1 4 0 6 3 4 9 0 . 2
1 5 2 . 9 2 . 8 4 7 4 3 8 0
1 8 . 4 4 . 2 5 87 7 1 4 ‑
0 . 2 4 6 3 6 . 3 1 6 . 8 7 8
01 1
2 9 0 . 1 6 2 4 9 . 4 1 3 . 0 1 0 51 1 8 6 7 0
. 1 3 2 1 . 2 1 . 5 3
51 2 3 0 ‑
2 .I 1
. 1 2 7 8 3 2 6 ‑ 8 . 9 1 . 0 5 8 6 7 1 5 ‑ 1 2 . 6 7 . 0 5 8 6 4 6 5 ‑
/ (
1
)Yi e l d" ESi cf or ma t i onwe r e
de t e r mi ne dbybo t h Ⅹr a ydi L E r A C t i ona ndc he m ic a lt r e a t me ntmc L h‑
od.
(I
)Cr y S t a l l i t es i 王 ea ndr e s i duB J
s t r a i nwe r ede t e r t z l i ne dbyXr a yl i nebr o a de ni ngme t hod,whe r e c r y s t a Jpowde r soEs i l i c onwe r eus e dA SAS t anda r dma t e r i a L ( 3 )s hoc ks
ynt he s i 之 e dSi c.
(
l
)unr e a C t e dr T8bl e s i dua o4 The ls
ilic on.K=T t no‑phys T /( i c a 4× lpr 1 8 ope 0) r t i e so fSi ,Ca r bonA
ndSi /C m iXl ur e .
s i l i c on c a r bon( gr a phi t e ) Si /C m ixt ur e( s t oi c . ) く り de ns i t y 2 . 3 3g′c c 2 . 2 0g/c c 2 . 2 8 9g/c c
mOl ewe S g ht 2 8 . 0 8g 1 2
. 01g
‑L i ne a rt he r mA le x pa nS i on 3 . 9 2×1 0‑ ./O K
l9) 5 . 5
×
10‑d /○ K
l●)4 . 3 9xI
O‑ ./O K
t he r t n8 1di E E uS i t i vi t y. 0 . 1 5 c m
, ′s
eclO 0 . 1 c m) /s e c
L8)‑ S pe c i r I Che
at
l.)
0 . 7 7 8J/
C.o K 0 . 71 り ′g
.○ K I . 2 8 3 ‑1 . 61 3×1 0, / T Gr une i s e nr A t i O(T) 0 . 3 5
(I)
0 . 3 7
3○)0 . 3 5 6
(1)
e s t i ma t e df r o m s oundve l oc i t y.
())A l lda t af
orm ixt ur ewe r ec A l c uht e d.
タ8
)9)10Ilu.及び,各々の等温圧締データl O ) 1 2 ) と Ta bl e 4 に掲げ る特性値を もとに して ,Mc q ue e
nl3)らの方 法で,化学丑鎗比混合物 ( 埋設密度 : p。 ‑2. 2 8 9g/
c c)の
PHIV(体現)の粥係を求めた。次に.同 じく.
Mc que e n ら
L2)の方法で r I V( r:
Grb
eisen
ado) を一 定 と し.ポー
ラスな混合物の PJ rV
関係を求めた。
Fi g. 7 に計井括果せ示す。
国中,常温 ( 3 0 0 ●K) におけ る混合物の専温正椿曲線 (
計井億)を も示 してある。
Si の辱軸曲型 ( 半導体相) か ら p ‑S
n 構造 ( 金属相) への 転移 は衝撃正拍 お よび静的圧椿
デ ータを もとに,
9 GPhで生 じるものとした 。P H ‑ V
の帥係は一次元衝 撃波に関す るラl /キ' /・サゴ
ニオ式 より ,P
d‑up(粒子 速度)の関係式に変換
できる。粟島に用いた爆薬の爆 発生成ガス.および.飛
相伴( 鍋)の P h ‑ U,関係式 と容 等( 鉄 とみなす
) の恥 式か ら,密告内へ入射する衝 撃波特性を求め.次に駄科混合
物の P l l 叫 式か ら.釈 料中へ入射す る折撃汝特性を求めた。 ここでは .Si
の相転移による術帝政の二兎触 および鉄の相転移を 無祝 した。 ニ トロメタt /に関 しては ,p
。 =1 .1 3 g l c c D=6. 26h/ s e e.確轟正 : Pc J ‑1 2. 5
GP. . r ‑2. 6 と し ,SP‑ Z Oは
.po=l l 6 8 5 9c c ,D=7 . 9 0h/ s e e,
Pc J
=2 6・ 3 GP. , T=3 とし
. p‑ 一 叫関係式を求めた
Ll) 。また.
飛粕体の速庶
( W) 紘.我 々の研究所でのr W. J と「 爆薬 重
畳」p‑
飛相伴焚
且」の乗湘関係式か ら求めた。 次 に
,Tt t は
.())
より求めた。
〜,T."cp ‑
班
芦 L‑5:.pEdv
( 1 , ここで.Chは混合物の比熱 ,P . は等温圧縮曲 V
..VE , ,は各 々.空隙のない試料.及びポーラスな 乱 試料の初期体税{・ ある。残留温度
,TRは
rⅣ
を一定 とし .Mc q ue e
nt3)糊 .および Zd' do
vichlC
Jらの方法 で求めた
。TH.TRの計井において
,Si の
相転移に
伴 う鞍移軌 比熱等の済丑の変化および融解.気化を
無祝 した 。Ta b l e 1 .
(Y)alnPISAJ33lS‑00Z[S 脚脚凹は5MsM
叩
0.160.180.14 0.I) JU
S I
OuD一
JlS
一Dn
P)SO∝2040
60
Yiol dotSlCく≠)
Fig.5Crystanite
dzeandresidtJdstrain y.8yieldoESicEonnadon.Bo
d)叩llitesi托aJIdTtS i d t d 血
wcndetermizIedbyXray血ebroade ningmethod (H al
1■smethod).st
rainvalue;×z r / ( 4
x180)M o・
5 0・ 4 M o o
TL S I O u P
J一 S 一D nP tS ○∝ 2 04060
YieLdo
†SIC
(*)Rg.8Redd瓜lstr
ainoftmreact
edSiy.syieldoLSicEortnadob.
る
Siの触点 く1683●K) . 沸点(264 2●K)を越え
ている ことな溌わす. 4 .
2炭化珪素生成 反応における温度の効果
常圧における
SiCの生成反応は.
Si+C‑Sic+AQで示されこの反応は
Siの駿点近傍温度から並行し.
dQ=1.78KJ/Cの魚が発生する。反応は.炭素粒子束 両における
Siとの接触反応であるから . 炭窯の衷面 前が大きいほど . また
,Siが勘席あるいは匁化し , 炭素破面と捷浪する頻度が大きいほど . 反応が促進さ れる 。シl )‑メ
‑1の乗換括果 .
TR. あるいは
Txが 成東に
Siの融点 (1683 'K)より大きいと思われるのは
No.I‑2.ト6の妖料である。残 留温度: 88 に示されている。国 は
,Tablelの被術革妖科内
TAの増大と ともに術中加圧により生じた
Si中のひずみは熟鍵和 され祇少するが . 払解すると拭少の軽度が著しくなる ことが推定される
。この帆軸土F
に規存する未反応珪素砂
dr
d9)OLnS雷
Il
‑D
027
03
0J5 0. 4
0.48VoLtJnO(CC/o
I・ . ‑
F i g. 7
Chlc u ht
edHugoniotaJIdi80也ern仙rVeSLor stoichiometdcm
ixttLreOLs
i u
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atiyeTado.に対 して X 線回折法
により或旬ひずみ丑( 相対値) を求 め,これ と
TRの関係
をプt ・ットしたものである。典
故‑Ⅰにおいて.比較両税の掠め
て大 きいカーボソブ ラックを炭窯源 とする飲料では
,TR
が S i の融点以下 の
No.Ⅰ‑5,7.8に
SiC
が生成 していない群集から.皮 応条件 として
Siの触解が瓜 破と考えられる 。 炭
窯滑
が グラ
こらないのは. グラフ7 ・イ ト瀞の粒径が大 きくて Si との境地面前が小さいことに亀田する。 ( 次萌で述べ る。)一般に.抄体のJ :うな不均一物好は衝
撃Z
E抱の エネI L ・ ギーが牧子Ml の接触点.空隙の圧壊部苛へ典申 され.不均一加熱により弱い術や正蛤でも局部的に著 しい高屯になる。衝撃波管掛 こおける砂体粒子の袋面 と内部の間の.圧力および担皮の親和時札 ‑ ,
.rt は 各々 ,‑ p =
d/
C.I.ヨ 肌 Xで褒あせる。 ここで .d .
C
.Xは各々.粒径.音速.魚拡散速度を褒わす。
d=3 0u の グラフ'イ トでは ‑ p =1
0‑
8秒程度で.想定 される衝撃波の持税時間( ≧
SxI 0 ‑
7秒) 内で圧力平軒 は十分達成 されるが
.r,守l o‑ 4 秒雇庶ゆえ.温度は 不均一と考えられる 。 d‑3u の Si のr
lは 6×1 0
7秒 程度{・ あ り.平衡l こ近い ものと思われ.また d≦ 1u のカーポl /7' ラックも rI<1 0 ‑7 秒であ り熟平帯に到 達 していると思われる。 したがって .No .卜 5
.7.
8のカ‑
求. /ブラ,タを含む駄科は.E E抱の初期に不 均一加熱で高温点が生 じても.急速に Ta bl e lに示す 平衡温床に到達 し冷却されるため .Si C の生成反応が 進行 しないものと思われる。粒径の大きい〆ラファイ トでは.粒子内部の物質拡散速度が反応適庇秤速田子 として砿賓 となる。典 故‑ Ⅱでは飛期体である飼掛 土 痕高 3. 5 b/秒にもな り.銅板の折知 こJ :りスチール 容軌 こは約 8 0 GP Aの析撃汝が尭生 し.その圧力解放 後の残留温庇は約 9 0 0 ●K となa. 。 したがって .Si の 鹿点以上に加熟された駄科の場合でも容等鑑との残留 阻度盛が大きく.また駄科の形状が伯平なことから.
魚伝専により駄科は急速に冷却 される。先のrtの推 定から,駄科全件の冷却較和時間は . 1秒樫皮であ り 炭素と炭化物.金屈辱との 1 . 5 0 0 ●K 域における物質拡 政速度( D) は
De 71 0 ‑
1d/sCCI
87 程度ゆえ.拡散綴和時 間は
(30×1 0‑ 1 ) 2 /1 01 1 毎1 0 秒とな り.冷却効果の方が 重 く. グラファイ トでの反応は進行しないものと考え
られる。
4 . 3 霊含J tの影響
No.Ⅱ‑ 1 . 2. 3 において.化学丑曲混合比の飲 料 ( No.Ⅱ‑2) 那.負荷収串を与え.Si 過桐の拭科が これに焼 き.庚来過剰駄科は前者の 1 / 5.1 / 2 である。
これは.カーポ' /プラザクの均合,カーボン粒子と散 席( 気化)した Si との捷地政庇の盛に亀田するものと 思われる。
4 . 4 艮青賓の影響
グラフ7イ ト.松 伏( No.Ⅱ‑ 8 ) ,桐 炭( No. Ⅱ‑ 9) 那 鹿も悪 く,政%以下である。 〆ラフTイ トに関 しては 前述 した とお りである。松炭.桐炭は見掛けの粒径 ( d=6 0u) が大きいこと.揮発分が多いことが Si C の 生成を阻専 しているものと思われる。 これらのbt 材は
衝畢加圧下で熱分解 し.圧力の解放時に分解生成 した 気体成分が急膨破することにより飲料を効率的に冷却 した り,また .Si とbt 来粒子 との接牡
を阻昏する。
No.Ⅱ‑5. 6. 7 の三唖のbt 禁漁には.収率に 1 8‑
5 0 % とかな りの丑があるが.この理由は現在のところ 不明である。
4 . 4 位在勤集
炭素源の粒径が小さいほ ど高収率を与えることは カーポl /ブラ
ックの例 ,( Ⅱ‑2) で示 したが. フル7
I
)ルアルコール炭の均合に もその価向がある . ( No.
Ⅱ‑5,1 0) 一方. No.Ⅱ‑1 0 ,1 1 の捨史から .Si の粒 径は収率にほとんど捗啓を与えない。 これは .Si の 散解が反応の砕速田子であること示故 している。
4 . 5
爆発衝撃による Si C の生成機構(まとめ) Fi g. 1 の加圧方法で生成する Si C は低温安定相の B 型{・ あ り .Fi g. 3 の結果から.衝撃加圧下でも一部反 応が進行することを否定できないが.大部分は残留且 皮下{・ 進行するものと思われる。反応は括瓜成典 も含 めて ,Si この蝕点以上の色度 で.拡散称速の ものに 1 秒間はど姓挽する 。Si C の生成反応はかな りの尭魚 を伴 うので,生成丑に応 じて冷却が阻止される。この ため.生成する Si C と未反応珪粟の琉旬ひずみは沌少 し .Si C の冶品性が良 くなることが想定され ,Fi g. 5 , 6 に示す ような横束となる 。( Fi g. 4 の写
井Bの よう に
.TR,収率がともに大 きい均合 .Si が気化 したと 思われる空洞の周田に Iu 軽度の単括品が生成 してい る
。)最後に.ホ研究は昭和 5 6‑5 7 年に実施されたもので あり,実敦を支援された.当時の太平洋ヲ・ /ダム岩淑 工場の足立久男氏.伴盤根氏.その他工場粥係軌 こ謝 忠を表す。
文
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血 c S o c i et y.49 .5 02( 1 9 66) .
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3 )E.
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4 )S.S.
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.Gor do n Br e a c h ( 1 9 68) .
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