真空蒸着法で作成したPVDF薄膜の電気伝導

I

愛知工業大学研究報告 第 28号 平成 5年

真空蒸着法で作成した

PVDF

薄膜の電気伝導

E

l

e

c

t

r

i

c

a

i

C

o

n

d

u

c

t

i

o

n

i

n

The E

v

a

p

o

r

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t

e

d

PVDF T

h

i

n

F

l

1

ms

前 田 昭 徳 落 合 鎮 壊 大 橋 朝 夫 小 嶋 憲 三

Aki

n

o

r

i

Maeda .

S

b

i

z

u

y

a

日

O

c

b

i

a

i

.

A

s

a

oObasbi

よ

enzouKojima

abstract

Electrical conduction properties of the

vaccum-evaporated

polyvinylidene fluoride thin films were

investigated.

The conduction mechanism was discussed in terms

of the space-charge limited conduction model with a singl trap

levelo

The

七

rap density was estimated as 5. 7xl0

15

_cm-

3

_in

七

he

o

specimen deposited a

七

35

V

C as a substrate temperature Ts.

The trap density increased abou

七

one order and

七

he carrier

1 0

^

.

.

.

.

.

.

'

"

-13 2 I

mobili

七

y decreased from 10 2x 1

0

-

'

0

to 8. 6x 1

0

-

"

"

cm" /v

・

s

with

increasing the Ts from 35 to 80

o

c

.

According

七

o X-ray

diffraction analysis

，、

the crystalinity decreased also with

increasing the Ts.

This suggests that the traps in the

deposited PVDF

七

hin film originate from the amorphase part.

PVDF molecular arrangiment on a glass substrate was discussed

using a polarized FTIR

固

1.は じ め に 最 近 、 有 償 高 分 子 材 料 は 電 力 後 器 の み な ら ず エ レ ク ト ロ ニ ク ス 素 子 に お け る 絶 縁 材 料 、 電 子 デ バ イ ス に 広 く 使 用 さ れ る よ う に な っ て き た 。 し か し 高 分 子 薄 膜 の 性 質 、 特 に 絶 縁 破 墳 な ど の 電 気 的 特 性 は 、 用 い る 高 分 子 の 分 子 機 造 と そ の 高 次 構 造 ‘ 作 成 の 方 法 に よ り 大 き く 異 な っ て く る . 高 分 子 材 料 で あ る ポ リ フ ッ 化 ピ ニ リ デ ン

(PVDF) I

土 、 圧 電 性 ，I焦 電 性 . . と し て 注 目 を 集 め て き た が 、 さ ら に 積 極 的 に 記 録 材 料 ，Iと し て 用 い よ う と い う 考 え も あ る . こ の よ う な 材 料 を 用 い て 素 子 を 作 成 す る た め に は 材 料 を 薄 膜 に す る 技 術 が 必 要 と さ れ る . 高 分 子 を 薄 膜 化 す る 方 法 と し て は 、 キ ャ ス テ ィ ン グ 法 や ス ピ ン コ ー ト 法 に 代 表 さ れ る ウ エ ッ ト 法 と C V D法 や 真 空 蒸 着 法 な ど の ド ラ イ 法 が あ る 。 最 近 、 我 却 は、 分 子 配 列 な ど の 高 次 矯 造 を 比 較 的 簡 単 に 詰1]御 で き る 真 空 蒸 着 法 を 用 い て 、 種 骨 の 材 料 の 薄 膜 化 を 試 み て い る . し か し ‘

PV D F

の 蒸 着 膜 に お り る 基 本 的 な 電 気 特 性 に つ い て の 報 告 は ほ と ん ど な さ れ て い な い の が 現 状 で あ る 。 本 報 告 で は 、 真 空 蒸 着 法 に よ り 基 板 温 度 を 変 え て 作 成 さ れ た

PV D F

薄 膜 の 物 理 化 学 機 造 と 直 流 電 界 下 の 電 気 伝 導 性 に つ い て 検 討 を 行 な っ

T

こ. 2.試 料 お よ び 実 験 方 法 試 料 は 市 販 の 呉 羽 化 学 工 業 ( 株 ) の α 型 ポ リ フ ッ 化 ピ ニ リ デ ン (

K F

ー 1

0 0 0

) ポ リ マ ー を 用 い た 。 ま ず 、 こ の

PV D

F

ポ リ マ ー を パ イ レ ッ ク ス ガ ラ ス の 試 験 管 に 入 れ るo d ¥ に 、 こ れ ら を 円 筒 状 の 遠 赤 外 線 セ ラ ミ ッ ク ヒ ー タ に 持 入 し、 1 0 - 4 P a台 の 真 空 中 で 加 熱 蒸 着 し た . 加 熱 温 度 は 4 3 O. Cと し た . 蒸 着 用 基 板 に は

3 0 X 3 0 m m

2 _{の カ バ ー ガ ラ ス を 用 い 、 蒸 発} 援 か ら の 距 離 を 1 0 C mに 配 し た . 基 飯 ガ ラ ス は 、 ま ず 中 性 洗 剤 、 つ づ い て 蒸 留 水 、 メ タ ノ ー ル 、 ア セ ト ン の 頗 に 超 音 波 洗 浄 を 行 な っ た . 基 板 温 度 は 図 1に 示 す 赤 外 線 ラ ン プ と 温 度 制 御 器 に よ り 一 定 温 度 に 保 た れ 、 P V D Fの 蒸 着 条 件 は 表 1に 示 す よ う に 、 蒸 着 温 度 (T d)を 4 3 O. C一 定 と し 、 基 仮 温 度 (T

s

) は 3 5、6 0お よ び8 0

・

Cの3種 類 と し た 。 蒸 着 速 度 と フ ィ ル ム 厚 は 水 品 娠 動 式 膜 厚 詰Il!淘器

(INFICON. X T C

型 ) に よ り モ ニ タ さ れ . 各 基 板 温 度 に た い し て 膜 厚 (d ) が 約

Ma

r.

1

9

9

3

3-1. P V D F

蒸 着 膜 の キ ャ ラ ク タ リ ゼ ー シ ョ ン

VoI

.28-B

，

3.結 果 と 考 察 平 成

5

年， 第

2

8

号

B

， 図

2

，こ作成された

PV D

F

蒸 着 膜 の 反 射 型

(RAS-I) F T I R

ス ペ ク ト ル を 、 波 数

1 5 0 0

- 4 0 0 c

回 日 の 範 囲 で 示 す 。 こ れ ら の 主 な 吸 収 ピ ー ク は

R.E.Belke

ら 刊 に よ り 表 2 に 示 す よ う な 帰 属 が 明 ら か に さ れ て い る 。 ま た 、 高 配 向 性

PV D F

延 伸 フ ィ ル ム に つ いて、

w

.

K a u f m a

口 口 ら 5)が

α

抱 の

1R

吸 収 バ ン ド と し て

9 7 6

、

8 5 5

、

796

、

765

、

612

お よ び

530cm-

1_{を 、 ま た}

0

掲 の 吸 収 と し て

510cm-

1_{を 観 測 し て い る 。}

350

日 間 に な る よ う に 蒸 着 時 閣 を 変 化 さ せ たa こ の と き の 蒸 着 速 度 (V d ) は 約 6

-llnm/min

と 基 板 温 度 が 高 い ほ ど 大 き か っ た ロ ま た 、 実 際 の 膜 厚 は 蒸 着 後 に 表 面 祖 さ 計

(DEKTAK IIA)

に よ り 計 測 さ れ た 。 電 気 伝 導 測 定 用 の 試 料 は 、 カ バ ー ガ ラ ス 上 に 下 部 電 極 と し て 鏑 形 状 に 金 を 真 空 蒸 着 し 、 さ ら に 上 部 電 極 と し て

1m m

幅 で 金 を 蒸 着 し て

1m m '

の 面 積 を 有 す る

A U / P V D F / A u /

ガ ラ ス の サ ン ド イ ツ チ 形 セ ル を 作 成 し た 。 F T 1 R 測 定 用 試 料 は 、 あ ら か じ め

A 1

が 蒸 着 さ れ た ガ ラ ス 基 板 上 に P V D F を 蒸 着 し た . 図 1 に 薄 膜 作 成 用 装 置 の ベ ル ジ ャ ー 内 の 各 配 置 を 示 す 。 愛知工業大学研究報告，

2

PVDF

Td=430

0

_{C d=350nm}

Ts=3S

0

_C

(

組

卦

輔

山

思

)

掛

摺

酬

明

薄膜作成用装置内の各配置図

試 料 の キ ャ ラ ク タ リ ゼ ー シ ョ ン と し て

F T 1 R

( 島 津 製 作 所

FTIR-43001

X

線 回 折 ( 島 津 製 作 所

X D - 3 A

形 ) を 用 い て 行 な っ た 。

図

l

P

V D F

の 蒸 着 条 件 蒸 着 時 間 { 囲

in)

6 0 4 0 3 0

基麗孟亙

(0

C

)

3 5 6 0 8 0 表 1 .

革主温度

(0C)

4 3 0

4 3 0

4 3 0

1000

500

波 数

t

c

m

.

1)

1500

PVDF

蒸着臆肘rI

R

スベクトル

有 機 高 分 子 物 質 を 加 熱 蒸 着 す る と 、 低 分 子 量 化 や フ ッ 素 の 離 脱 な ど の 指 摘 が あ る が 、 P V D F キ ャ ス テ ィ ン グ 膜 ・3や 蒸 着 膜 に つ い て の 田 所 ら 引 の 結 果 と 主 要 な 吸 収 ピ ー ク は ほ と ん ど 一 致

図2

電 涼 一 電 圧 特 性 は 、 直 流 電 圧 を 低 電 圧 よ り l 秒 間 印 加 し な が ら 頗 次 昇 圧 し . そ の と き の 電 流 を エ レ ク ト ロ ピ コ ア ン メ ー タ ( ア ド パ ン テ ス ト

TR8641)

で 測 定 し た ， な お 、 電 気 特 性 の 測 定 は 、 部 分 放 電 な ど を 防 ぐ た め に す べ て 1 0→P aの 真 空 中 で 行 な っ た . ま た 、 測 定 温 度 は 全 て 室 温 と し た .

3

_ Q

f _

FO

3

γ

ー

か -

c

0

0

〈)

H 0 ぶぶ substrat~~ P-pol紅ization S-polむlz拡lOn 真空蒸着法で作成したPVDF薄膜の電気伝導

(

割

卦

艇

山

門

}

)

掛

照

制

限

し て い る 点 か ら 、 我 々 の 作 成 し た P V D F 蒸 着 膜 の 化 学 矯 造 は 変 化 せ ず に 維 持 さ れ て い る こ と が 判 か る 。 さ ら に 、 そ の 結 品 構 造 は 、 使 用 し た 原 料 と 同 援 な α型 の 結 晶 を 主 と す る も の と 考 え ら れ る 。 基 緩 温 度 を 高 く す る と 吸 収 ピ ー ク の 位 置 は 変 化 せ ず 吸 収 ピ ー ク の み が 大 き く な る 結 果 が 得 ら れ た 。 こ の 結 果 は ほ ぼ 一 定 膜 厚 に も か か わ ら ず 吸 収 が 増 加 し て い る こ と 、 お よ び 反 射 型 1 Rで は 基 板 に 垂 直 な ダ イ ポ ー ル の 吸 収 を 銭 測 し て い る 特 徴 を 考 慮 す る と 、 基 板 温 度 の 上 昇 に つ れ て 配 向 性 が 向 上 し て い る こ と 、 お よ び 今 回 用 い た 基 板 温 度 の 範 囲 内 で は 、 P V D F分 子 の 主 た る 化 学 機 造 は 維 持 さ れ て い る こ と を 示 唆 し て い る . P V D Fの I R吸 収 バ ン ド 表 2

PVDP

Td=4300_{C d=500nm Ts=80oC}

1

! ! ! !

I

!_J_ J !

I

! 1500 1000 500

技 数

(αn-I) P邑ak assign皿ent CH， bend - CH， 日ag CH， bend

+

CH， 日a宮-anti回 sy四 C-C stretch CH

，

bend

+

CH

，

wag asym C1"， stretch - CF， PVDF peak(αn-I ) 1424 1405 1384 1294 rock 光 で は 平 行 偏 光 と 比 較 し て 4 8 9 c m→ (C1"， b号nd+ C1"，国ag)、 6 1 5 c m -I (C1"2

bend-ske1邑tal CH-C1"-CH bend )、 10 7 0

c

m -

I (sym C-C str邑tcb) 1 4 0 5 c

m

司 I (

CH

，

bend+CH

，回

a宮-antisy圃 C-C stretch ) が 顕 著 に 減 少 し た 結 果 が 得 ら れ た . P V D F の α 栂 の 結 晶 は 、 挿 入 図 に 示 す 分 子 配 列vを と っ て い る の で 実 験 結 果 を よ り 満 た す た め に は 、 P V D Fの 分 子 軸l土 、 基 板 に た い し て や や 角 度 を も っ て 平 行 に 配 列 し て い る と 考 え ら れ る 。 図4 に

c

u _ Kα 線 に よ る X 線 問 折 ス ベ ク ト ル を 示 す. 2 e = 3 8 _ 5 'に 主 た る ピ ー ク が 観 測 さ れ た 。 こ の ピ ー ク は 蒸 着 膜 が 2. 3 4 A の 周 期 性 を 有 す る こ と を 示 し て い る も の と 思 わ れ る 。 し か し 、 C. N a k a f u k uら7)や H . H o r i b eら 引 が 述 べ て い る α型 結 晶 特 有 の 回 折 ピ ー ク ( 2 8 = 2 0 '付 近 ) は 認 め ら れ な か っ た 。 一 方 、 基 板 温 度 の 上 昇 に と も な い 回 折 ピ ー ク が 小 さ く な る こ と か ら T s = 8 00 Cで 作 成 し た 簿 膜 は 大 部 分 が 無 秩 序 な 状 態 で ス タ ッ キ ン グ し て い る と 思 わ れ る 。

PV D F

薄

蒸着膜の僻I(;rn.スベクトル

図

3

.

asym CF

，

str邑tch

+

CH

，

wag sym CH

，

stretch twist asym C-C stretch - CF

，

rock sy四 C-C stretch sym C-C stretch

+

skeletal CF-CH-CF bend

+

CH

，

1212 1183 1151 107自 875 CH

，

rock C1"， bend

+

skeletal C1"-CH-C1"b邑nd C1"， bend - skeletal CH-C1"-CH bend CF， bend

+

C1"， wa宮 I'i¥に、

PV D F

蒸 着 膜 の 配 向 を 調 べ る た め に 偏 光 F T 1 R ス ベ ク ト ル を 測 定 し た 。 図 3 は 蒸 着 膜 ( T s = 8 0 . C )の 基 板 に た い し て ‘ 平 行 (P ) 偏 光 (11) と 垂 直 (

s

) 偏 光 ( 上 ) 1 Rを 入 射 し た と き の ス ベ ク ト ル を 示 す 。 垂 直 偏 796 763 615 48雪

Mar

.

1

993 Vo

.

I

28-B， 平成

5

年， I

0

-

2 第28号B， 膜 の 表 面 は 、 表 面 組 さ 計 か ら の 観 測 結 果 よ り 基 板温度の変化にたいして 10~20nm 程度の 変 化 し か 見 ら れ ず 、 な め ら か な 蒸 着 膜 で あ る こ と が わ か っ た 。 愛知工業大学研究報告，

4

Au[PVDF/Au Td=l

3

0

'

C

d

=

3

5

0

n

m

1

0

-

3

T

s

=

8

0

0

C

1

0

-

4

1

0

-

5

1

0

・9

1

0

-

6

1

0

-

8

1

0

-

7 ( N g u ¥ _︿ ) 同

'

-

'

-

占

ιムよ...u.ムムl， ，包目白目" ， 目1金ι，白I

1

0

2

0

3

0

4

日

図

4

.

( d

e

g)

蒸着膜の{錦町庁スベクトル

T

s

=

3

5

0

C

2θ

角

Td=430

0_C 折

3

5

0

日田 PVDF

回

(

州

}

掛

側

出

)

悩

組

1

0

2 PVDF

蒸着膜の電流密度ー電圧特性

嘩板温度披存性)

1

0

1

v

(v)

1

0

0

i

0

-

1

0

1

0

-

1

図5

ック、

2.

，

6 V

ま で n -

2

を 、 そ の 後

5. 5 V

ま で は 急 増 ( 口 =4 ~ 5 ) し 再 度 目 =2に 戻 っ た の ち 高 電 界 特 性 に 移 行 す る . た だ し 、 図 5 中 の

TS=80. C

で 作 成 さ れ た 試 料 の

V- 1

特 性 で は 、 2乗員JIは 必 ず し も 明 確 で は な く 、 L a m p e r t引 の 指 数 関 数 分 布 を し た ト ラ ッ プ モ デ ル で も 適 用 で き そ う で あ る 。 長 近 、 多 く の 有 機 蒸 着 膜 に お い て S C L C電 導 が 観 測 さ れ て い る が 、 特 に

T. S. Shafai

ら 』 引 が P b P cの 蒸 着 膜 で 指 数 関 数 分 布 の ト ラ ッ プ 準 位 を 考 慮 し た モ デ ル で 説 明 し て い る " こ こ で 、 図5に 示 さ れ た P V D F蒸 着 腹 の V - 1特 性 を 考 察 す る た め に 、 簡 単 な 単 一 エ ネ ル ギ ー ト ラ ヴ プ を 有 す る S C L Cの 伝 導 モ デ ル で 考 え て み S C L Cの 模 式 図 を 図 6に 示 す 。 iの 領 域 る。 ま た 、 基 板 度

T

sが 高 い ほ ど 蒸 蒜 速 度 が 増 え る 傾 向 が 認 め ら れ た の は ポ リ プ ロ ピ レ ン (P P ) 蒸 着 膜 で も 観 測 さ れ て い る が 、 一 般 に ポ リ マ ー を 加 熱 蒸 着 す る と - E ! 蒸 発 時 に 低 分 子 化 が お こ り 、 基 板 上 に 到 達 し た の ち 重 合 ( 高 分 子 量 化 ) が 進 む こ と が 推 測 さ れ る . こ の 際

Ts

が 高 い ほ ど 重 合 の 進 行 が 促 進 さ れ る こ と が 考 え ら れ る . こ の こ と は 逆 に 、

Ts

の 異 な る 膜 で は 分 子 量 が 異 な る 可 能 性 も 考 慮 す る 必 要 が あ る 。 即 ち 、

Ts

が 高 い ほ ど 分 子 量 が 大 き い 膜 が で き て い る 可 能 性 が あ る た め と 思 わ れ る @ 図 5こ T d ! = 4 3 0回 C 、 Ts = 3 5 、 6 0 お よ び

8 0

0

C

で 作 成 し た 蒸 着 膜 に お け る 議 電 電 涜 の 電 圧 依 存 性 を 示 す 。 こ の 電 流l立 、 空 間 電 荷 制 限 電 導

(SCLC)

を 示 唆 す る よ う な

1o

c

V

. の 関 係 が 認 め ら れ た

. T s = 3 5

0

C

_{で 蒸} 着 し た 試 料 の 電 流l土 、 お よ そ 1 V ま で は 才 一 ミ P V D F蒸 着 膜 の 電 気 特 性

3 - 2

5

真 空 蒸 着 法 で 作 成 し た

PVDF

薄 膜 の 電 気 伝 導 d ' 8 e n

。

(

4 )

V

tr=

ε 9 d • e

V tr=

( 5 ) ハ b e目 。 d ' 9 ・ε 8 2

・

eN巳 V TFL = d r

N

/

/

0

.

1 / i

/

1

:

グ

n

:

V

ぽ〆

; 1

I

i

v

k

J

i

v

乱 阿国口 J ε 3

'

"

0は (4 )、 ( 5 ) 式 か ら 日 =V

tr/

V

tr

とな り グ ラ フ か ら 求 め る こ と が で き る " こ れ ら の 式 か ら

SC L C

に 関 す る パ ラ メ ー タ を 求 め 表

3

に ま と め た 。

LogV

SCLC

の模式図

図

6

.

は 、 熱 平 衡 電 子 (n 0 ) に よ る 低 電 界 オ ー ミ ッ ク 領 域 で あ る 固 P V D FのS C L Cパ ラ メ タ 60 自0 4.0.10" 5.6・10'

，

2 .2・10" 3.0・10'

，

0.38 0.43 9 . 6.10-" 8.6.10-

，

，

35 5.5・10'• 5.7.10"

。

圃

18 1. 2.10

， ，

四

表 3. T

三

ょ

こ

_

g

_

n 0 (cm

二

ご

」

Nt(cm-' ) B μ {回 ' /y. s) )

-( V μ e目 。 ト ラ ッ プ 密 度Nt は 約 1 0 • 6 C田-，でTsが 高 く な る に つ れ て 増 加 す る 傾 向 が あ る 。 こ の こ と は 、 図4 で 示 し た よ う に Tsが 高 く な る に つ れ て 非 品 化 す る こ と に 関 係 す る ト ラ ッ プ で あ る こ と が 考 え ら れ る 。 ま た 、 熱 平 衡 キ ャ リ ヤ 日 。 は 1 0 ..~ 1 0 .. c田 → と な り 、 他 の S C L Cを 示 す 蒸 着 有 機 薄 膜 の 値 t引 と 極 端 な 差 は な く 、 妥 当 な 値 と い え る 。 さ ら に 、 オ ー ミ ッ ク 領 媛 I で 移 動 度 μを 求 め て み る と 1 0-.0 ~ 1 0 -< 3 C 血 2 / Y • Sの 範 囲 で 基 板 温 度 の 上 昇 に つ れ て 移 動 度 が 低 く な っ て い る 。 こ の 結 果 と 前 述 の T sの 上 昇 に よ り 試 料 が 非 品 化 す る こ と を 併 せ て 考 え る と 、 こ の 領 域 の 電 導 に お い て も 電 子 性 キ ャ リ ヤ が 主 役 で あ る こ と が 示 唆 さ れ る 。 た だ し 、 実 験 デ ー タ に お け る オ ー ミ ッ ク 領 域 は 、 電 子 性 キ ャ リ ヤ の 移 動 度 だ り と は 考 え ず ら く I-t特 性 も 時 間 と と も に 減 衰 す る こ と か ら 、 殴 服 電 流 、 さ ら に は イ オ ン 性 電 波 も 含 ま れ て い る 可 能 性 も あ る 。 し か し 、 P V D F フ ィ ル ム で 小 崎 ら， ， ) は 、 極 性 反 転 法 を 用 い て 1 0 0 0 Cで お よそ 2x 1 0 - 8 C田2 / v . sの 移 動 度 を 得 て d こ こ で μは キ ャ リ ア 移 動 度 . d は 試 料 厚 で あ る 。 電 圧 を 上 昇 さ せ る と キ ャ リ ヤ 注 入 が 盛 ん に な り 、 ト ラ ッ プ 電 荷 は 空 間 電 荷 を 形 成 し 、 Hの 領 域 に 移 行 す るa そ の と き の 電 流 は 、 (

2

) 式 に 従 っ て ( 2 ) ( 3 ) こ の 電 圧 ー 電 流 特 性 で 、 ( 1 ) 式 = (2) 式と お け ば そ の 境 界 電 圧

v'tr

が 求 め ら れ る 。 同 筏 に し て ト ラ ッ プ 充 満 電 圧 V TFL お よ び ト ラ ッ プ フ リ の 遷 移 電 圧 V

tr

は 、 そ れ ぞ れ 以 下 の 関 係 を 満 た す こ と に な る 。 V aに 比 例 し た 電 流 が 観 測 さ れ る 。 こ こ で 日 は 、 ト ラ ッ プ キ ャ リ ヤ 日 t に 対 す る 自 由 キ ャ リ ヤ の 割 合 を 示 す 。 さ ら に 電 圧 を 上 げ る と 、 ト ラ ッ プ が 全 部 満 た さ れ

e

=

1と な り 、 電 流 は 不 連 続 に

E

の 領 域 に 移 行 す る こ と に な り 、 電 読 は ( 3 ) 式 で 表 わ さ れ る 。 9 2 V ε μ θ -d '

、

， '

E μ -d 3 8 9 B

6

_{愛知工業大学研究報告， 第28号 B， 平 成5年 VoI.28-B， M ar.1993} お り ‘ 我 骨 が 作 成 し た 蒸 着 膜 の 移 動 度 と は 2桁 程 度 の 差 が 認 め ら れ た 。

4.

ま と め

P

V D F

の 真 空 蒸 着 践 の 電 気 特 性 に つ い て 、 基 額 温 度 お よ び 膜 厚 を 変 化 さ せ て 実 験 し た 。 1 R畷lIllおよび X 線 回 析 の 樹 定 結 果 か ら 、 P V

D F

分 子 の 化 学 構 造 は 真 空 蒸 着 法 で 薄 膜 化 し て も 損 な わ れ な い こ と が 分 か っ た ー ま た 、 基 板 に た い し て や や 角 度 を も っ て 平 行 に C輔 が 配 向 し 、 面 間 隔 が2四 3 4 Aで 堆 積 し て お り 、 基 領 温 度 が 高 く な る に つ れ 非 品 質 化 す る こ と も や

l

明 し た 。 今 回 作 成 し た 蒸 着 膜 で の 電 気 伝 導 は 単 一 の 不 連 続 ト ラ ッ プ 準 位 を 考 慮 し た 空 間 電 荷 制 限 電 流 (

S C L C)

で 律 速 さ れ て い る こ と が 示 唆 された。 今 後 は 、 基 甑 温 度 を 低 混 化 し て 配 向 性 が 良 く 、 結 晶 化 し た 薄 膜 を 作 成 す る 技 術 ( 条 件 ) を 確 立 す る こ と ， お よ び プ レ ン ド 蒸 着 膜 ." で の 結 果 を も と に し て 高 導 電 性 の 期 待 が あ るP型 有 機 半 導 体 材 料 と の 共 蒸 着 に よ り プ レ ン ド 薄 膜 を 作 成 し 、 有 機 太 陽 電 池 な ど へ の 応 用 を 研 究 対 象 と し た い . こ の 研 究 の 一 部 は . 内 藤 科 学 財 団 の 助 成 に よ っ て 行 な わ れ た . ま た 、 試 料 を 短 供 い た だ い た 呉 羽 化 学 工 業 ( 株 ) に お 礼 申 し 上 げ る ま た 、 本 研 究 で 用 い た 真 空 蒸 着 膜 は 昭 和

6 3年

度 私 大 設 備 『 超 薄 膜 作 成 装 置 』 に よ り 作 成 さ れ た 。 参 考 文 献

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