LT5579
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5579fa標準的応用例
1.5GHz
～3.8GHz
高直線性
アップコンバーティング・ミキサ
2.14GHz W-CDMAトランスミッタ周波数のアップコンバージョン 利得、NFおよびOIP3と RF出力周波数 BIAS LT5579 RF GND LO VCC VCC 3.3V 5579 TA01a 1µF IF+ IF– 40nH 11Ω 11Ω 33pF 82pF MABAES0061 4:1 82pF 100pF 1nF 0.45pF RF OUTPUT 2140MHz LO INPUT –1dBm (TYP) IF INPUT 240MHz 40nH 3.9nH RF FREQUENCY (MHz) 1900 0 GAIN (dB), NF (dB), OIP3 (dBm) 5 10 15 20 25 OIP3 SSB NF GAIN 30 2000 2100 2200 2300 5579 TA01b 2400 TA = 25°C VCC = 3.3V fIF = 240MHz fLO = fRF + fIF特長
■ 高い出力IP3：2.14GHzで＋27.3dBm ■ 低いノイズフロア：158dBm/Hz (POUT = 5dBm) ■ 高い変換利得：2.14GHzで2.6dB ■ 広い周波数範囲：1.5GHz∼3.8GHz* ■ 低いLOリーク ■ シングルエンドのRFおよびLO ■ 低いLOドライブ・レベル：1dBm ■ 単一3.3V電源 ■ 5mm×5mm QFN24パッケージアプリケーション
■ GSM/EDGE、W-CDMA、UMTS、LTE およびTD-SCDMAの基地局 ■ 2.6GHz～3.5GHzのWiMAX基地局 ■ 2.4GHz ISM帯域トランスミッタ ■ 高性能トランスミッタ L、LT、LTC、LTM、Linear TechnologyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー社の登録商標で す。他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。 *性能を下げれは、さらに広い周波数範囲の動作が可能です。情報と支援に関しては弊社へお 問い合わせください。概要
LT®5579は、1.5GHz∼3.8GHzの周波数に最適化された高性 能アップコンバーティング・ミキサです。シングルエンドのLO入 力およびRF出力ポートにより、ボード・レイアウトを簡素化し、 システム・コストを削減します。このミキサに必要なLO電力は わずか1dBmで、バランスの取れた設計によってRF出力へ のLO信号のリークを低く抑えます。2.6GHz動作時、LT5579 は1.3dBの高い変換利得と＋26dBmの高いOIP3を達成し、 5dBmのRF出力信号レベルでのノイズフロアを157.5dBm/ Hzと低く抑えます。 LT5579はパッシブ・ミキサに代わる高性能デバイスです。変換 損失を生じ、高いLOドライブ・レベルを必要とするパッシブ・ミ キサと異なり、非常に低いLO入力レベルで変換利得を提供 し、LO電力レベルの変動の影響をあまり受けません。 また、 LOドライブ・レベルの要求が低く、優れたLOリーク性能を達 成するので、出力信号に混じるLO信号が少なくなります。LT5579
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5579faピン配置
24 23 22 21 20 19 7 8 9 TOP VIEW 25 UH PACKAGE 24-LEAD (5mm × 5mm) PLASTIC QFN 10 11 12 6 5 4 3 2 1 13 14 15 16 17 18 GND GND IF+ IF– GND GND GND GND GND RF GND GND GND GND LO GND GND GND GND VCC VCC VCC VCC GND TJMAX = 150°C, θJA = 34°C/W, θJC = 3°C/WEXPOSED PAD (PIN 25) IS GND, MUST BE SOLDERED TO PCB
発注情報
鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング パッケージ 温度範囲
LT5579IUH#PBF LT5579IUH#TRPBF 5579 24-Lead (5mm × 5mm) Plastic QFN –40°C to 85°C
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。 テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。
DC電気的特性
注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃（Note 3）。PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
電源の必要条件(VCC) Supply Voltage 3.15 3.3 3.6 VDC Supply Current VCC = 3.3V, PLO = –1dBm VCC = 3.6V, PLO = –1dBm 226 241 250 mA mA
Input Common Mode Voltage (VCM) Internally Regulated 570 mV
AC電気的特性
（Note2、3）PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
IF Input Frequency Range (Note 4) Requires Matching LF to 1000 MHz
LO Input Frequency Range (Note 4) Requires Matching Below 1GHz 750 to 4300 MHz
RF Output Frequency Range (Note 4) Requires Matching 900 to 3900 MHz
絶対最大定格
（Note 1） 電源電圧... 4V LO入力電力 ... ＋10dBm LO入力のDC電圧 ... −0.3V～（VCC＋0.3V） RF出力のDC電流 ... 60mA IF入力電力（差動） ... ＋13dBm IF＋、IF−のDC電流 ... 60mA TJMAX ...150℃ 動作温度範囲...−40℃～85℃ 保存温度範囲...−65℃～150℃LT5579
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5579fa
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
IF Input Return Loss ZO = 50Ω, External Match 15 dB
LO Input Return Loss ZO = 50Ω, 1100MHz to 4000MHz >9 dB
RF Output Return Loss ZO = 50Ω, External Match >10 dB
LO Input Power –5 to 2 dBm
注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、PLO = 1dBm。
1750MHzと3600MHzではローサイドLO。2140MHzと2600MHzではハイサイドLO。（Note 2、3、4）
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Conversion Gain fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 1.8 2.6 1.3 –0.5 dB dB dB dB Conversion Gain vs Temperature
(TA = –40°C to 85°C) fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz –0.020 –0.020 –0.027 –0.027 dB/°C dB/°C dB/°C dB/°C
Output 3rd Order Intercept fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz
fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 29 27.3 26.2 23.2 dBm dBm dBm dBm
Output 2nd Order Intercept fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz
fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 41 42 45 54 dBm dBm dBm dBm
Single Sideband Noise Figure fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz
fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 9.2 9.9 12 12 dB dB dB dB
Output Noise Floor (POUT = –5dBm) fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz
fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz –159.5 –158.1 –157.5 –155.5 dBm/Hz dBm/Hz dBm/Hz dBm/Hz Output 1dB Compression fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 13.3 13.9 13.7 10.7 dBm dBm dBm dBm IF to LO Isolation fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz 83 81 74 73 dB dB dB dB LO to IF Leakage fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz –23 –28 –26 –22 dBm dBm dBm dBm LO to RF Leakage fIF = 240MHz, fRF = 1750MHz fIF = 240MHz, fRF = 2140MHz fIF = 456MHz, fRF = 2600MHz fIF = 456MHz, fRF = 3600MHz –39 –35 –36 –35 dBm dBm dBm dBm Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響 を与える可能性がある。 Note 2：周波数条件の各組には適切な整合が必要(図1参照)。 Note 3：LT5579は−40℃～85℃の温度範囲で動作することが保証されている。 Note 4：SSBノイズ・フィギュアの測定はLO信号発生器で小信号ノイズ源とバンドパス・フィル タを使って行われる。他のIF信号は与えられない。
AC電気的特性
注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、PLO = 1dBm。 テスト回路は図1に示されている。（Note 2、3）LT5579
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5579fa標準的DC性能特性
（図1に示されているテスト回路） 電源電流と電源電圧 SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 195 SUPPL Y CURRENT (mA) 205 215 225 235 255 3.1 3.2 3.3 3.4 5579 G01 3.5 3.6 245 85°C 25°C –40°C GAIN (dB) –2.5 DISTRIBUTION (%) 15 20 25 –1.0 0 1.5 5579 G02 10 5 0 –2.0 –1.5 –0.5 0.5 1.0 TA = 90°C TA = 25°C TA = –45°C OIP3 (dBm) 19 DISTRIBUTION (%) 14 22 5579 G03 8 4 20 21 23 2 0 16 12 10 6 24 25 26 TA = 90°C TA = 25°C TA = –45°C NOISE FIGURE (dB) 10 0 DISTRIBUTION (%) 5 10 15 20 25 30 11 12 13 14 5579 G04 TA = 90°C TA = 25°C TA = –45°C 3600MHzでの利得の分布 3600MHzでのOIP3の分布 3600MHzSSBノイズ・フィギュアの分布での標準的AC性能特性
3300MHz∼3800MHzのアプリケーション： 注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、fIF = 456MHz、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、 ローサイドLO、PLO = 1dBm、3600MHzで測定された出力。（図1に示されているテスト回路）LT5579
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5579fa RF FREQUENCY (MHz) 3200 3300 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 4 16 3400 3600 3700 5579 G05 0 12 8 8 16 28 OIP3 GAIN 12 24 20 3500 3800 3900 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 3200 NOISE FIGURE (dB) 18 3500 5579 G06 12 8 3300 3400 3600 6 4 20 16 14 10 3700 3800 3900 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 3200 3300 –50 LO LEAKAGE (dBm) –30 0 3400 3600 3700 5579 G07 –40 –10 –20 3500 3800 3900 85°C 25°C –40°CRF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –12 –100 IM3 LEVEL (dBc) –80 –40 –20 0 –8 –4 –2 6 5579 G11 –60 –10 –6 0 2 4 85°C 25°C –40°C
RF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –12 –100 IM2 LEVEL (dBc) –80 –40 –20 0 –8 –4 –2 6 5579 G12 –60 –10 –6 0 2 4 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 NOISE FIGURE (dB) 10 12 14 3.3 3.5 5579 G13 8 6 4 3.1 3.2 3.4 16 18 20 3.6 85°C 25°C –40°C LO INPUT POWER (dBm) –17 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 8 12 16 –1 5579 G08 4 GAIN OIP3 0 –4 18 22 26 14 10 6 –13 –9 –5 3 85°C 25°C –40°C LO INPUT POWER (dBm) –14 NOISE FIGURE (dB) 12 14 16 2 5579 G09 10 8 4 –10 –6 –2 6 20 18 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 0 4 8 12 16 OIP3 GAIN 6 10 14 18 22 26 3.1 3.2 3.3 3.4 5579 G10 3.5 3.6 85°C 25°C –40°C
標準的AC性能特性
3300MHz∼3800MHzのアプリケーション： 注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、fIF = 456MHz、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、 ローサイドLO、PLO = 1dBm、3600MHzで測定された出力。（図1に示されているテスト回路） 変換利得およびOIP3と RF出力周波数 SSBRF出力周波数ノイズ・フィギュアと LO-RFのリークとRF出力周波数 変換利得およびOIP3とLO入力電力 SSBノイズ・フィギュアとLO入力電力 変換利得およびOIP3と電源電圧 IM3レベルとRF出力電力（2トーン） IM2レベルとRF出力電力（2トーン） SSBノイズ・フィギュアと電源電圧LT5579
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5579fa RF FREQUENCY (MHz) 2200 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 0 4 8 12 16 OIP3 GAIN 10 14 18 22 26 30 2300 2400 2500 2600 5579 G14 2700 2800 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 2200 NOISE FIGURE (dB) 8 10 12 2500 2700 5579 G15 6 4 2 2300 2400 2600 14 16 18 2800 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 2200 –50 LO LEAKAGE (dBm) –40 –30 –20 0 –10 2300 2400 2500 2600 5579 G16 2700 2800 85°C 25°C –40°C LO INPUT POWER (dBm) –17 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 8 12 16 –1 5579 G17 4 OIP3 0 –4 20 24 28 16 12 8 –13 –9 –5 3 85°C 25°C –40°C GAIN LO INPUT POWER (dBm) –14 NOISE FIGURE (dB) 10 12 14 2 5579 G18 8 6 2 –10 –6 –2 4 18 16 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 0 4 8 16 12 8 12 16 20 28 24 3.1 3.2 3.3 OIP3 GAIN 3.4 5579 G19 3.5 3.6 85°C 25°C –40°CRF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –12 –100 IM3 LEVEL (dBc) –80 –40 –20 0 –8 –4 –2 6 5579 G20 –60 –10 –6 0 2 4 85°C 25°C –40°C
RF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –12 –100 IM2 LEVEL (dBc) –80 –40 –20 0 –8 –4 –2 6 5579 G21 –60 –10 –6 0 2 4 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 NOISE FIGURE (dB) 8 10 12 3.3 3.5 5579 G22 6 4 2 3.1 3.2 3.4 14 16 18 3.6 85°C 25°C –40°C 変換利得およびOIP3と RF出力周波数 SSBRF出力周波数ノイズ・フィギュアと LO-RFのリークとRF出力周波数 変換利得およびOIP3とLO入力電力 SSBノイズ・フィギュアとLO入力電力 変換利得およびOIP3と電源電圧
標準的AC性能特性
2300MHz∼2700MHzのアプリケーション： 注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、fIF = 456MHz、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、 ハイサイドLO、PLO = 1dBm、2600MHzで測定された出力。（図1に示されているテスト回路） IM3レベルとRF出力電力（2トーン） IM2レベルとRF出力電力（2トーン） SSBノイズ・フィギュアと電源電圧LT5579
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5579fa RF FREQUENCY (MHz) 1950 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 4 8 2350 5579 G23 0 –4 2050 2150 GAIN OIP3 2250 16 12 18 22 14 10 30 26 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 1950 NOISE FIGURE (dB) 10 12 14 2350 5579 G24 8 6 2 2050 2150 2250 4 18 16 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 1950 LO LEAKAGE (dBm) –30 –20 2350 5579 G25 –40 –50 2050 2150 2250 0 –10 85°C 25°C –40°C LO INPUT POWER (dBm) –17 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 8 12 16 –1 5579 G26 4 OIP3 0 –4 22 26 30 18 14 10 –13 –9 –5 3 85°C 25°C –40°C GAIN LO INPUT POWER (dBm) –14 NOISE FIGURE (dB) 10 12 14 2 5579 G27 8 6 2 –10 –6 –2 4 18 16 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 0 4 8 16 12 10 14 18 22 30 26 3.1 3.2 3.3 3.4 GAIN OIP3 5579 G19 3.5 3.6 85°C 25°C –40°CRF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –10 IM3 LEVEL (dBc) –40 –20 0 –4 0 6 5579 G29 –60 –80 –100 –8 –6 –2 2 4 85°C 25°C –40°C
RF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –10 IM2 LEVEL (dBc) –40 –20 0 –4 0 6 5579 G30 –60 –80 –100 –8 –6 –2 2 4 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 NOISE FIGURE (dB) 10 12 14 3.3 3.5 5579 G31 8 6 4 2 3.1 3.2 3.4 16 18 3.6 85°C 25°C –40°C 変換利得およびOIP3とLO入力電力 SSBノイズ・フィギュアとLO入力電力 変換利得およびOIP3と電源電圧
標準的性能特性
2140MHzのアプリケーション： 注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、fIF = 240MHz、PIF = 5dBm（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、 ハイサイドLO、PLO = 1dBm、2140MHzで測定された出力。（図1に示されているテスト回路） 変換利得およびOIP3と RF出力周波数 SSBRF出力周波数ノイズ・フィギュアと LO-RFのリークとRF出力周波数 IM3レベルとRF出力電力（2トーン） IM2レベルとRF出力電力（2トーン） SSBノイズ・フィギュアと電源電圧LT5579
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5579fa RF FREQUENCY (MHz) 1650 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 8 12 16 1850 5579 G32 4 OIP3 0 –4 22 26 30 18 14 10 1700 1750 1800 1900 85°C 25°C –40°C GAIN RF FREQUENCY (MHz) 1650 NOISE FIGURE (dB) 8 10 12 1800 1900 5579 G33 6 4 2 1700 1750 1850 14 16 18 85°C 25°C –40°C RF FREQUENCY (MHz) 1650 LO LEAKAGE (dBm) –20 –10 0 1850 5579 G34 –30 –40 –50 1700 1750 1800 1900 85°C 25°C –40°C LO INPUT POWER (dBm) –17 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 8 12 16 –1 5579 G35 4 OIP3 0 –4 22 26 30 18 14 10 –13 –9 –5 3 85°C 25°C –40°C GAIN LO INPUT POWER (dBm) –17 NOISE FIGURE (dB) 8 10 12 –5 3 5579 G36 6 4 2 –13 –9 –1 14 16 18 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 –4 GAIN (dB) OIP3 (dBm) 0 4 8 12 16 OIP3 GAIN 12 16 20 24 28 32 3.1 3.2 3.3 3.4 5579 G37 3.5 3.6 85°C 25°C –40°CRF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –10 IM3 LEVEL (dBc) –40 –20 0 –4 0 6 5579 G38 –60 –80 –100 –8 –6 –2 2 4 85°C 25°C –40°C
RF OUTPUT POWER (dBm/TONE) –10 IM2 LEVEL (dBc) –40 –20 0 –4 0 6 5579 G39 –60 –80 –100 –8 –6 –2 2 4 85°C 25°C –40°C SUPPLY VOLTAGE (V) 3.0 NOISE FIGURE (dB) 8 10 12 3.3 3.5 5579 G40 6 4 2 3.1 3.2 3.4 14 16 18 3.6 85°C 25°C –40°C 変換利得およびOIP3と RF出力周波数 SSBRF出力周波数ノイズ・フィギュアと LO-RFのリークとRF出力周波数 変換利得およびOIP3とLO入力電力 SSBノイズ・フィギュアとLO入力電力 変換利得およびOIP3と電源電圧 IM3レベルとRF出力電力（2トーン） IM2レベルとRF出力電力（2トーン） SSBノイズ・フィギュアと電源電圧
標準的性能特性
1750MHzのアプリケーション： 注記がない限り、VCC = 3.3V、TA = 25℃、fIF = 240MHz、PIF = 5dB（2トーン・テストの場合5dBm/tone、Δf = 1MHz）、 ローサイドLO、PLO = 1dBm、1750MHzで測定された出力。（図1に示されているテスト回路）LT5579
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5579faピン機能
GND（ピン1、2、5∼7、12∼14、16∼18、19∼21、23、24）：グラン ド接続。これらのピンは内部で露出パッドに接続されており、 回路基板上の低インピーダンスRFグランドに半田付けしま す。 IF＋、IF（ピン3、4）：差動IF入力。これらのピンの同相電圧は 内部で570mVに設定されます。各ピンのDC電流はグランドへ の外部抵抗の値によって決まります。各ピンの最大DC電流は 60mAです。 VCC（ピン8∼11）：デバイスの電源ピン。これらのピンは内部で 一緒に結合されています。標準電流消費は226mAです。これ らのピンはできるだけピンの近くに配置した1000pF、100pFお よび10pFの外部バイパス・コンデンサを使って回路基板上で 一緒に接続します。 RF（ピン15）：シングルエンドRF出力。このピンは内部トランス 巻線に接続されています。巻線の他端は内部で接地されてい ます。出力を整合させるためインピーダンス・トランスが必要な ことがあり、後続段にDCバイアス電圧が存在する場合はDC デカップリング・コンデンサが必要です。 LO（ピン22）：ローカル発振器のシングルエンド入力。内部直 列コンデンサがこのピンのDCブロックとして機能します。 露出パッド（ピン25）：PGND。デバイス全体の電気的および 熱的なグランド接続。このパッドはプリント回路基板の低イン ピーダンスのRFグランドに半田付けする必要があります。この グランドは熱放散の経路も与える必要があります。LT5579
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5579faブロック図
LO BUFFER LO グランド・ピンは示されていない。 DOUBLE BALANCED MIXER RF VCC 22 11 15 EXPOSED PAD 25 VCC VCC VCC 5579 BD BIAS IF+ IF– VCM CTRL VCC2 VCC2 10 9 8 3 4LT5579
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5579faテスト回路
GND GND GND IF+ IF– GND GND 18 17 16 15 14 13 1 2 3 4 5 6 GND GND GND RF GND GND GND GND LO GND GND GND GND VCC VCC VCC VCC GND C3 C9 C4 C1 IF INPUT RF OUTPUT T1 4:1 C2 L1 TL1 L2 R1 LO INPUT R2 C5 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 C6 C7 VCC C8 5579 F01 L3 TL2 TL3 REF DES fRFfIF = 1750MHz = 240MHz fRF = 2140MHz fIF = 240MHz fRF = 2600MHz fIF = 456MHz fRF = 3600MHz fIF = 456MHz SIZE COMMENTS C1, C2 82pF 82pF 33pF 33pF 0402 AVX C3 — — 2.7pF 1.8pF 0402 AVX C4 100pF 100pF 100pF 100pF 0402 AVX C5 10pF 10pF 10pF 10pF 0603 AVX C6 1nF 1nF 1nF 1nF 0402 AVXC7 1µF 1µF 1µF 1µF 0603 Taiyo Yuden LMK107BJ105MA
C8 1.2pF 0.45pF — 0.7pF 0402 AVX ACCU-P C9 33pF 33pF 33pF 33pF 0402 AVX L1, L2 40nH 40nH 40nH 40nH 0402 Coilcraft 0402CS L3 6.8nH 3.9nH 1nH 0Ω 0402 Toko LL1005-FHL/0Ω Jumper R1, R2 11Ω, 0.1% 11Ω, 0.1% 11Ω, 0.1% 11Ω, 0.1% 0603 IRC PFC-W0603R-03-11R1-B T1 4:1 4:1 4:1 4:1 SM-22 M/A-COM MABAES0061 TL1, TL2* — — 1mm 1.4mm — ZO = 70Ω Microstrip TL3 2mm 2mm 2mm 2mm — ZO = 70Ω Microstrip *C9の中心とC3の中心の間の間隔。全ての場合、C9の中心はICパッケージの端から2.6mmである。 図1. テスト回路
LT5579
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5579faアプリケーション情報
LT5579は二重平衡ミキサ・コアをドライブする高性能LOバッ ファ・アンプを使って、高い直線性で周波数変換を行います。 内部バランはシングルエンドのLO入力ポートとRF出力ポー トを与えるのに使われます。IF入力は差動です。LT5579は 1.5GHz∼3.8GHzの周波数範囲で動作させることが意図され ていますが、性能を下げてこの範囲の外で動作させることも 可能です。 IF入力インタフェース 図2に示されているように、IF入力は二重平衡ミキサ・トラン ジスタのエミッタに接続されています。これらのピンは内部で 570mVの同相電圧にバイアスされています。ミキサ・コアの最 適DC電流は各側で約50mAであり、外部抵抗R1とR2によっ て設定されます。インダクタと抵抗は予想される電流と電力損 失を扱うことができなければなりません。最良のLOリーク特 性を得るには、基板レイアウトが対称でなければならず、入力 抵抗が十分整合している必要があります（0.1%の許容誤差の 抵抗を推奨します）。 インダクタ（L1とL2）の目的はR1とR2の負荷効果を減らすこと です。L1とL2のインピーダンスは望みのIF周波数でのIF入力 インピーダンスの少なくとも数倍大きくします。インダクタの自 己共振周波数もIF周波数の少なくとも数倍にします。L1とL2 のDC抵抗はDC電流に影響を与えるので、R1とR2の選択で 考慮する必要があることに注意してください。 L1とL2はできるだけパッケージに近づけて信号ラインに接続 してください。この位置はインピーダンスの最低点で、シャント L-Rブランチの負荷性能の敏感さを最小に抑えます。 コンデンサC1とC2はIFトランスの寄生直列インダクタンスを キャンセルするのに使われます。それらはIFポートの間のDC 絶縁も与え、LOからRFへのリーク性能に影響を与える可能 性のある不要な相互反応を防ぎます。 ミキサへの差動入力抵抗は表1に示されているように約10Ωで す。インピーダンスを約12.5Ωに上げるため、パッケージと外部 インダクタンス（TL1とTL2）がC9とともに使われています。 C3 VCC 50mA 570mV 570mV 50mA 2k 2k IF+ LT5579 C9 C1 IF INPUT T1 4:1 C2 L1 L2 R1 R2 5579 F02 3 IF– 4 TL1 TL2 図2. 外部整合付きIF入力LT5579
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5579faアプリケーション情報
もっと低い周波数では、追加の直列インダクタンスがIFポート とC9の間に必要なことがあります。IF周波数が変化すると、直 列インダクタンスの要件が変化するためC9の位置が変化する ことがあります。トランスT1の4：1のインピーダンス比により、 50Ωへの変換が完了します。いくつかの周波数に対する差動 IF入力のインピーダンスと反射係数を表1に示します。 表1. IF入力の差動インピーダンス 周波数 （MHz） インピーダンスIF入力 反射係数 大きさ 角度 70 8.8+j1.3 0.70 177 140 8.7+j2.3 0.70 175 170 9.0+j2.8 0.70 174 190 8.9+j3.0 0.70 173 240 9.0+j4.0 0.70 170 380 9.7+j4.9 0.68 168 450 10.0+j5.2 0.67 167 750 10.8+j9.4 0.65 158 1000 11.8+j13.8 0.64 148 コンデンサC3の目的は、アプリケーションによってはLO-RF リークを改善することです。この比較的小さな値のコンデンサ は、ほとんどの場合、インピーダンス整合にはほとんど影響を 与えません。このコンデンサは一般にデバイスの近くに配置し ますが、コンデンサの位置を変えると性能が改善される場合 があります。 70MHz、240MHzおよび456MHzのアプリケーション周波数で のIF入力のリターン損失の測定結果を図3に示します。部品の 値を表2に示します（70MHzの整合の詳細については、図8を 参照してください）。 表2.IF入力部品の値 FREQUENCY （MHz） （C1, C2 pF） （C9 pF） （C3 pF） （L1, L2 nH） （Ω）R1, R2 （MATCH BW at 12dB RL） 70(3) 1000 120 (1) 100 9.1 <50 to 158 140 180 22 (1) 100 9.1 112 to 170 240 82 33 (1) 40 11 174 to 263 450 33 33 (1) 40 11 330 to 505 注記：（1）RFに依存、（2）T1 = M/A-ComのMABAES0061、（3）図8参照 FREQUENCY (MHz) 0 RETURN LOSS (dB) –10 –5 0 300 500 800 5579 F03 –15 –20 –25 100 200 a b c 400 600 700 図3. 70MHz（a）、240MHz（b）および456MHz（c）の 整合でのIF入力リターン損失LT5579
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5579faアプリケーション情報
LO入力インタフェース シングルエンドLO入力ポートの簡略回路を図4に示します。内 部トランスは広帯域のインピーダンス整合を与え、シングルエ ンドから差動への変換を行います。内部コンデンサもインピー ダンス整合を助け、1次側トランス巻線にDC絶縁を与えます。 トランスの2次側はミキサ・コアをドライブする差動リミティン グ・アンプ段に接続されています。 1dBmのLO入力電力に対するLO入力ポートのリターン損 失の測定結果を図5に示します。インピーダンス整合は約 1.1GHzから4GHzを超えるまで許容レベルにあり、この範囲 の最小リターン損失は2300MHzで約9dBです。もし望むなら、 図4に示されているように、外部部品によってリターン損失を 1.1GHzより下で改善することができます。リターン損失はLOド ライブ・レベルを下げることによっても改善することができます が、レベルが低すぎると性能が低下します。 1.1GHzを超える周波数ではLO入力の外部整合は不要です が、低いLO周波数で最善の性能を得るには外部整合を使い ます。このような場合に使うために、「LO入力の入力インピー ダンスおよび反射係数と周波数」を表3に示します。 表3.シングルエンドのLO入力のインピーダンス （ピン22、外部整合なし） 周波数 （MHz） インピーダンス入力 反射係数 大きさ 角度 750 63.3||– j30.5 0.68 –125 1000 20.3||– j1120 0.42 –179 1500 78.4||– j1250 0.22 –7.7 1900 79.1||– j113 0.34 –65.2 2000 74.7||– j96.3 0.35 –74.7 2150 66.8||– j81.5 0.36 –87.0 2400 53.8||– j69.8 0.35 –105 3050 33.7||– j115 0.26 –148 3150 33.0||– j146 0.24 –154 4000 43.9||+ j173 0.15 123 VBIAS VCC LO C13 5579 F04 L6 LO INPUT 22 低周波数 だけの 場合の 外部整合 FREQUENCY (MHz) 500 1000 –25 RETURN LOSS (dB) –15 0 1500 2500 3000 5579 F05 –20 –5 –10 2000 3500 4000 図4. LO入力回路 図5. LO入力のリターン損失LT5579
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5579fa 15 11 8 9 10 VCC C8 5579 F06 LT5579 L3 RF 50Ω 図6. RF出力回路 FREQUENCY (MHz) 1500 RETURN LOSS (dB) –10 –5 0 3500 5579 F07 –15 –20 –25 a b c d 2000 2500 3000 4000 図7. 1750MHz（a）、2140MHz（b）、2600MHz（c） および3600MHz（d）の整合でのRF出力リターン損失 RF出力インタフェース RF出力インタフェースを図6に示します。内部RFトランスがミキ サ・コアの出力インピーダンスを減らし、RF出力ピンの整合を 簡単にします。トランスのセンタータップによりミキサ・コアへ のDC接続が与えられ、このトランスによりRF出力へDC絶縁 が与えられます。RFピンはトランスの2次巻線によって内部で 接地されていますので、このピンにはDC電圧を加えないでくだ さい。 LT5579は1500MHzより高い周波数で最良の性能を発揮しま すが、900MHzまで使うことができます。内部RFトランスはこ のような低い周波数には最適化されていませんので、トランス の低インダクタンスにより利得とインピーダンス整合帯域幅 が減少します。表4に示されているRF出力のインピーダンスの データを使って、異なった周波数または負荷インピーダンスの ための整合回路を開発することができます。いくつかのアプリ ケーションのリターン損失性能を図7に示します。部品の値と およその整合帯域幅を表5に示します。 DC接地とRF接地 LT5579のRF性能と熱的性能の両方がバックサイド・グランド に依存しています。この露出パッドは基板の上側の低インピー ダンスのグランド・プレーンに半田付けする必要があります。 複数のビアを使って上側グランドを他のグランド層に接続し、 熱放散を助けます。 表4. シングルエンドのRF出力のインピーダンス （ピン15、外部整合なし） 周波数 （MHz） インピーダンスRF出力 反射係数 大きさ 角度 1250 11.0+j42.7 0.78 97.4 1750 55.6+j83.4 0.62 47.8 1950 119+j62.4 0.52 21.9 2150 116–j21.0 0.42 –10.4 2300 73.7–j37.7 0.34 –40.9 2600 35.2–j21.5 0.30 –110 3600 21.9+j17.8 0.45 134 表5. RF出力部品の値 周波数 （MHz） C8（pF） L3（nH） 整合帯域幅（12dB RL） 1650 1.5 6.8 1630 to 1770 1750 1.2 6.8 1725 to 1870 1950 1 4.7 1840 to 2020 2140 0.45 3.9 2035 to 2285 2600 – 1 2260 to 2780* 3600 0.7 0Ω 3170 to 4100* *10dBリターン損失の帯域幅アプリケーション情報
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5579fa 以下の例では、異なった周波数設定でのLT5579の実装と性 能を示します。これらの回路は図12に示されている回路基板 を使って評価されました。 1650MHzアプリケーション このケースでは、LT5579は70MHzのIFおよび1650MHzのRF 出力で調整されて評価されました。整合回路構成を図8に示 します。 このアプリケーションでは、入力コンデンサはDCブロックとし てだけ使われています。4.7nHのインダクタと120pFのコンデン サがデバイスの入力インピーダンスを約12.5Ωに変換します。 入力周波数が比較的低いため、短い伝送ラインの代わりに 4.7nHのチップ・インダクタを使う必要がありました。 同相容量を追加するとこのアプリケーションのハイサイドLO 性能が改善されることが分ったので、1個の差動コンデンサ （図1のC3）の代わりに、47pFのコンデンサがデバイスの入力 の近くに使われています。これらの47pFのコンデンサの値は、 100nHのインダクタと組み合わせて、70MHzで共振させるため 選択されました。同相容量の追加は全ての周波数設定で性 能を改善するわけではないことに注意してください。 RFポートのインピーダンス整合はC8 = 1.5pFとL3 = 6.8nHで 実現しました。望みの周波数でOIP3性能をさらに良くするた め、最適インピーダンス整合を意図的に高い方へシフトさせ ました。 120pF 1.5pF 1nF 47pF 9.1Ω 100nH 100nH MABAES0061 4:1 1nF 4.7nH 4.7nH IF 70MHz LO RF 1650MHz 6.8nH 9.1Ω 47pF 5579 F08 図8. 70MHzに調整されたIF入力 RF OUTPUT FREQUENCY (MHz) 1550 GAIN (dB), NF (dB), OIP3 (dBm) 15 20 25 1750 5579 F09 10 5 –5 1600 1650 1700 0 35 OIP3 SSB NF GAIN 30 LOW SIDE LO HIGH SIDE LO TA = 25°C fIF = 70MHz PIF = –5dBm/TONE PLO = –1dBm 図9. 利得、ノイズ・フィギュアおよびOIP3と RF周波数（70MHzのIFと1650MHzのRF）標準的応用例
測定された変換利得とOIP3をRF出力周波数の関数として図 9に示します。上に述べたように、出力のインピーダンス整合 は帯域幅の高い方の側にシフトされ、このことは利得の正勾 配によって明らかです。周波数範囲にわたる単側波帯ノイズ・ フィギュアも示します。 ハイサイドとローサイドの両方のLOの場合の曲線も示されて います。この特定のアプリケーションでは、ローサイドOIP3性 能がハイサイドの場合を上回っています。 1950MHzアプリケーション この例では、240MHzのIF入力信号を1950MHzのRF出力に 変換するのにハイサイドLOが使われました。RFポートのイ ンピーダンス整合はC8 = 1pFとL3 = 4.7nHで実現しました。 1650MHzの場合のように、出力整合をわずかに高い周波数に 調整すると望みの周波数でOIP3の結果が良くなることが分り ました。240MHz動作の入力整合は図1のテスト回路で説明し たのと同じです。 ローサイドとハイサイドのLOドライブの両方の1950MHz測定 性能が図10にプロットされています。この整合構成設定では、 ローサイドの場合の性能がハイサイドの場合を上回っていま す。利得、ノイズ・フィギュア（SSB）およびOIP3がRF出力周波 数の関数としてプロットされています。LT5579
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5579fa RF OUTPUT FREQUENCY (MHz) 1800 25 30 35 2000 5579 F10 20 15 1850 1900 1950 2050 10 5 0 GAIN (dB), NF (dB), OIP3 (dBm) OIP3 SSB NF GAIN LOW SIDE LO HIGH SIDE LO TA = 25°C fIF = 240MHz PIF = –5dBm/TONE PLO = –1dBm 図10. 1950MHzアプリケーションの利得、 ノイズ・フィギュアおよびOIP3とRF周波数標準的応用例
ローサイドLOを使った2140MHz 2140MHzのRF出力とハイサイドLOを使ってLT5579の特性を 完全に評価しました。デバイスはローサイドLOでドライブされ るときも十分動作しますが、IF入力整合に同相容量を追加す RF OUTPUT FREQUENCY (MHz) 2000 0 GAIN (dB), NF (dBm), OIP3 (dBm) 5 10 15 20 30 2050 2100 2150 OIP3 SSB NF GAIN 2200 5579 F11 2250 2300 25 TA = 25°C fIF = 240MHz PIF = –5dBm/TONE PLO = –1dBm fRF = fIF + fLO 図11. 240MHzのIF、2140MHzのRFおよび ローサイドLOで調整されたときの測定された性能 図12. LT5579の評価用ボード（DC1233A） ると性能が改善されました。各IFピンからグランドに10pFのコ ンデンサを追加しました。これらのコンデンサはインダクタL1 とL2の近くに接続しました。測定された性能を図11に示しま す。LT5579
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5579faパッケージ
UHパッケージ 24ピン・プラスチックQFN（5mm 5mm）（Reference LTC DWG # 05-08-1747 Rev A）
5.00 ± 0.10 5.00 ± 0.10 0.55 ± 0.10 23 1 2 24 3.25 REF 3.20 ± 0.10 3.20 ± 0.10 0.75 ± 0.05 R = 0.150 TYP 0.30 ± 0.05 (UH24) QFN 0708 REV A 0.65 BSC 0.200 REF 0.00 – 0.05 0.75 ±0.05 3.25 REF 3.90 ±0.05 5.40 ±0.05 0.30 ± 0.05 0.65 BSC R = 0.05 TYP 3.20 ± 0.05 3.20 ± 0.05 NOTE： 1. 図はJEDECのパッケージ外形ではない 2. 図は実寸とは異なる 3. すべての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは（もしあれば）各サイドで0.20mmを超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージのトップとボトムのピン1の位置の参考に過ぎない 底面図ー露出パッド パッケージの外形 推奨半田パッド・レイアウト 半田付けされない領域には半田マスクを使用する ピン1のノッチ R = 0.30（標準） または0.35 45 の 面取り
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5579fa リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資 料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。改訂履歴
（Rev A よりスタート） Rev 日付 概要 ページ番号 A 6/10 「標準的応用例」の図の改訂 「絶対最大定格」、「ピン配置」、「DC電気的特性」セクションの改訂 「AC電気的特性」セクションのパラメータとNote 3の改訂 図1の表の改訂 「アプリケーション情報」セクションの表2、3、5の更新 「標準的応用例」の図とグラフの追加と「関連製品」の更新 1 2 3 11 13、14、15 20LT5579
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LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2008 LT 0610 REV A • PRINTED IN JAPAN
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp
BIAS LT5579 RF GND LO VCC VCC 3.3V 5579 TA02a 1µF IF+ IF– 40nH 11Ω 11Ω 33pF 33pF MABAES0061 4:1 33pF 2.7pF 100pF 1nF RF OUTPUT 2650MHz LO INPUT –1dBm (TYP) IF INPUT 380MHz 40nH 1nH
関連製品
標準的応用例
2650MHz LTEダウンリンク・トランスミッタ 利得およびOIP3と RF出力周波数 RF FREQUENCY (MHz) 2500 2550 0 GAIN (dB) 5 4 3 2 1 6 7 8 9 OIP3 10 18 OIP3 (dBm) 23 22 21 20 19 24 25 26 27 28 2600 2650 2700 2750 5579 TA02b 2800 TA = 25°C VCC = 3.3V fIF = 380MHz LOW-SIDE LO HIGH-SIDE LO GAIN 製品番号 説明 注釈 インフラストラクチャ LT5527 400MHz∼3.7GHzの5Vダウンコンバーティング・ミキサ 利得 = 2.3dB、IIP3 = 23.5dBm、NF：1900MHzで12.5dBm、5V/78mA電源 LT5557 400MHz∼3.8GHzの3.3Vダウンコンバーティング・ミキサ 利得 = 2.9dB、IIP3 =24.7dBm、NF：1950MHzで11.7dBm、3.3V/82mA電源LTC6400-X 300MHz低歪みIFアンプ/ADCドライバ 固定利得：8dB、14dB、20dB、26dB、300MHzでのOIP3： > 36dBm、差動I/O
LTC6401-X 140MHz低歪みIFアンプ/ADCドライバ 固定利得：8dB、14dB、20dB、26dB、140MHzでのOIP3： > 40dBm、差動I/O
LTC6416 2GHz 16ビットADCバッファ 300MHzまでのOIP3：40.25dBm、回復が速い出力クランプを設定可能 LTC6412 31dBリニアアナログ制御VGA 240MHzでのOIP3：35dBm、連続利得範囲：14dB∼17dB LT5554 超低歪みIFデジタルVGA 200MHzでのOIP3：48dBm、利得範囲：2dB∼18dB、 利得ステップ・サイズ：0.125dB LT5575 700MHz∼2.7GHzダイレクトコンバージョンI/Q復調器 バラン内蔵、IIP3：28dBm、PldB：13dBm、I/Q振幅整合：0.03dB、位相整合：0.4 LT5578 400MHz∼2.7GHzアップコンバーティング・ミキサ OIP3：27dBm（900MHz）、24.2dBm（1.95GHz）、RFトランス内蔵 LTC5598 5MHz∼1.6GHzI/Q復調器 OIP3：27.7dBm（140MHz）、22.9dBm（900MHz）、ノイズフロア：161.2dBm/Hz RFパワー検出器 LT5534 ダイナミックレンジが60dBの50MHz∼3GHzの ログRFパワー検出器 全温度範囲で 1dBの出力変動、応答時間:38ns、ログリニア応答 LT5537 広いダイナミックレンジのログRF/IF検出器 低周波数∼1GHz、ログリニア・ダイナミックレンジ：83dB LT5570 2.7GHzの平均二乗検出器 全温度範囲で 0.5dBの精度ダイナミックレンジ： > 50dB、立ち上がり時間：500ns LT5581 6GHz低消費電力RMS検出器 40dBのダイナミックレンジ、全温度範囲で 1dBの精度、消費電流：1.5mA ADC LTC2208 16ビット、130Msps ADC ノイズフロア：78dBFS、250MHzでSFDR： > 83dB LTC2262-14 14ビット、150Msps ADC、超低消費電力 SNR：72.8dB、SFDR：88dB、消費電力：149mW LTC2242-12 12ビット、250Msps ADC SNR：65.4dB、SFDR：78dB、消費電力：740mW
