シリコンおよびゲルマニウム単結晶薄片の赤外線領域における干渉現象(第2報)

U･D･C･531.715:る21.382:54る.28:54る.289 537.31l.33:539.23

シリコンおよびゲルマ=ウム単結晶薄片の

赤外線領域における干渉現象(第2報)

Interference

PhenomenaofSiliconandGermaniumSingleCrystalWafers

byInfrared

_{Spectrophotometry(Part2)}

佐

藤

健

蔵*

ⅩenzelSat6

内

容

梗

概

反射式スペクトル法を用いて光学的単結晶薄険により発生する干渉の現象がシリコン,ゲルマニウムなどの 半導体結晶により作られたェピタキシアノり戎長屑の中に見られている｡ 赤外線領域5∼16J上の範｢1日で測定されたこjlらの干渉の現象は,本質的に単結晶薄片について透過法を用い て記録された干渉の現象と同じものであり,ただこの場糾ま入射角による補正と,表面反射による位相変位と を考慮すればよいだけである｡ ここでは,赤外線の反射スペクトル法を用いてエビタキシァル屑の厚みの測定を行ない,波数単位で示した 〒捗しまの間隔と厚みとの閉に正確に,レ=C/Tの実験式が成立することを示した｡そして,3∼20〃の範囲の 厚みのエビタキシァル屑の厚さは,0･3J上川勺のぶ喜美精度で測定しうることを示した｡これはエビタキシァル 層の厚み測定のためきわめて有効な方法である｡

1.緒

口 基盤層と光学的性質を共にする薄膜により発生する干捗の月￣乙象ほ 通常可視部領域でも美しい干渉しまとして幾つかの例が見受けられ ている｡この種頬の現象が成立するための条件としてほ,その波長 値域の入射光に対して,この層を構成する物既がかなり透明である こと,また,基盤層とその上に形成される薄膜の物質が互いに共な る屈折率,および誘電率を示すことなどがあげられている｡ 最近半導体工業において,シリコン,ゲルマニウムなどの高純度 の半導体単結晶薄片の上にエビタキシァル屑といわれる単結晶の薄 膜を形成し,特にこれを各種の半導体素子を作る基盤として用いて いるがこれは,単結晶の基盤の上に比抵抗の著しく異なった描い 10/∠程度の厚さの単結晶層を形成せしめたもので,この商いr半場与品 層の比抵抗や厚みは,これを利用して作る素￣r･の電気的特性に席接 影響するので,精度よく測定する必要がある｡特に厚ふについて は,一定の厚さに形成させることとともに,これを高精度で測定し 確認しておくことが必要である｡ このような半導体物質による二重構造の結晶層は帯構造による吸 収端がある1∼2/ノ以上の長波長領域で干渉が成立する条件を消し ており,このため結晶表面に入射した赤外線の反射式スペクトラム を調べると,規則的な干渉しまが発生することが最近,Spitzer代 とTanenbaum氏により知られた(1)｡これはまた,Fil結晶蒋什の透 過光について5JJ以上の飴域に見られる干渉現象(2)(3-と本質的に同 じものであり,当然このような薄膜について成長することが考えら れる｡またAlberり七とCombs氏(4)ほシリコンエビタキシァル憎に ついてこのような干渉現象を一般的に取り扱っておf),ほぼ5%以 内の誤差精度でその厚みの測定が可能であることを示している｡し かし,こ土では,実際の半導体1二業において直接大量のエビタキシ ァル屑の厚みを測定する必要性から,さらに実用的で容易な測定法 を作る必要があり,そのため,実際の数種類の厚さの試料について 測定を行ない,これによりシリコンおよびゲルマニウムエビタキシ ァルについて,干渉しまの隣接間隔』レと,エビタキシァル層の厚 みrとの間にある実験式』レ=1/2乃Tが得られた｡ これにより,干渉しまの隣接間隔よりただちにエビタキシァル層 の厚みを測定することを可能にし,3∼20J∠の厚みのェピタキシア 日立製作所武蔵工場 ルについてほ,干渉Lまの次数にかかわりなく,その隣接間隔の測 定により,0･3/∠以内の誤差精度で測定することができることを示 した｡

2.実

験 2.】試料の作成 一己i喘品のゲルマニウム,およびシリコソ基態の上にそれぞれのエ ビタキシァル層を形成せしめる方法は幾つかあるが,ここではおの おのの四塩化化合物を高温の水素ガスの中で還元せしめ,これによ り基盤結晶の上にiii結晶憤を形成せLめる,いわゆる気相析出法に より,数種類の異なったェピタキシァル層を作り,これを測定用の 試料として用いた｡この際の結晶基盤は単結晶の(111)面に±10以 内の誤差精度で切断し,その表面を鏡面上に研摩したもので,した がってその上に成長してレわくェピタキシァル㌻盲乞結晶の結晶面も基盤 結占hと同じく,表面にはつねに(111)面が同様に露出している｡こ の表面にほ頗教組1勺な多少のPlll_らや去面不整があるが,ほとんど鏡 面状で光沢のある外観を望している｡ また基億紡品の不純物演劇まゲルマニウム,およびシリコンにつ いて,ともに1019cm￣3程度で,比択抗はこれにより,0.01JIcm程 度のN形である｡またェピタキシァル屑の刀く純物濃度は1015cm-3 程度で,比抵抗ほ1∼2一之CmのN形である｡このため,光学的に二 市岡をなしている結晶はその境界面で電√照度で,ほぼ104cm-3に 及ぶ極端な差巽を示してぉり,このため二重層間の物理的,光学的 性質ほ￣苦しく変化していると見なされるっ 通常これらのエビタキシァル層の厚みの測定ほ表面に対して50 程度の微小角度で研摩し,これにより露出した面を電解液で着色さ せ二層の境界を表わすStainning法が用いられており,ここでは, このような方法で測定して弟1表にホした測定値のェピタキシァル 第1未 読料#とそのエヒタキシァル層の厚み (5D研摩Stainning法による) Sample♯ -72Ⅶ Silicon(〝) 18.5 13.1 10.3 8.3 9.1 10.4 Sample♯ _{lGermanium(〃)}

シリコンおよびゲルマニウム単結晶薄片の赤外線領域における干渉現象(第2報)

結晶薄片を試料として用いた｡ ここで試料の大きさはシリコンについては直径30mm程度の円 形で,ゲルマニウムについては,25×20mm程度の四角形で,厚み は0.3∼0.5mm程度である｡_ 2.2 _{分光記録装置とその操作条件} このような結晶試料に赤外線光来を一定の入射角で照射し,これ の反射光の中に含まれる干渉された成分を分光光度計で測光するの であるが,ここでほダブルビーム式の日立赤外分光光度計(EPト2) を用いて測定した｡試料ほ専用の反射セルにセットしてその反射光 を分光し自記記録した｡ この際,二重層結晶により発生する干渉現象の強度は入射光の強 度に比して著しく微弱であるため,二つの反射セルをダブルビーム のおのおのにセットしてreferenceの光量と対等に比較して測定す る通常の方式でほ増幅器の利得,スリット幅,記録速度などの諸条 件を変えても干渉しまはたかだか2∼3%程度の透過率変動しか示 さなかった｡ このため,サンプル側の北東の中の微弱な干渉光の強度を鮮明に 記録するため,referenceには反射セルを用いず,粒径5mm程度 の円形の絞りを作って用いた｡さらに試料の受光面積をこれに比し て,1,2,4,8,16の大きさに変えてそれぞれの丁捗の強度を しらべ,これにより最適の受光量南街と見られる8の受光面積を持 第2表 赤外分光光度計(EPト2)の使用条件 Prism Resolution NaC1 3cm￣リ10/′ Response ₁ 60 7β Gain Speed Suppression 40 10min 30 伽 ‥仏 ロリ り≠ ∩‖〓 ほ ∩レ 川化 M nU …仙 長別 波 即 (り / .岩∼コ ト･ 記 ㌫ 一丁 -･--ナ (2) 記 さ h ⊂＼+ 寛 恕(d) くr) ⊂⊂) Q R ぎ わ､} 2 し1 ■ 近 く丁) !｢＼ 卜ヽ ぎ =ミ≠ h _b#♂ 軋† #4 岬♂ (仰 ろJ〃 (プββ 川7β ろβββ βββ 即β 7β伽〔 ;皮 数 (∂)シリコンエビタキンアル 祁 〓‖ _川仏【〓U 榔 長 ♂ (リリ 波 即 ノヱβ_椎βは叫 #∫ 一#2 h巳∵2 叫岩∵ ′) 【†U ≡2 _q) 冶 q〇 #/ へ 賢

℃へ＼)-q＼聖-1 へ㌻モ ㌔h叫 屯㍉叫 b勺屯 こ !F… 加卜心叫ト ロ ぐ㌧ ､ほ # ろJβ∂ 脚β 岬β ろクββ 【ム)シリコンエビタキンアル つapertureを作り用いた｡また,増幅器の利得,スリット幅など についても適正条件を求めて用いた｡弟2表に,この際の赤外分光 光度計の使用条件を示す｡ 2.3 _{スペクトル資料} このような測定条件により得られたスペクトラムを弟1図に示 す｡ここに示した四つのスペクトラムの中,(a),(b)ほシリコソ ニピタキシァル層について,また,(c),(d)はゲルマニウムエビ タキシァル層について記録されたものである｡ (a)ほまた,四つのスペクトラムを記録しており,この中の(1) ほ反射セルに全反射ミラーをセットしてaperture _{areaを4として} 記録したもので,これは以下のエビタキシァル試料によるおのおの のback-grOundをなしているプロフィルであるとみなすことがで きる｡ この(1)に示されるのほ,4.3′Jのスパイク状のCO2分子による 吸収,また,5.5∼7.5/∠領域の透過率2∼3%で見られるH20分子 による吸収で,これほ反射セルの光路が20cmほど,reference光 路に比して長いために微弱ながら大気中に微量含まれるCO2また はH20ガスの吸収が現われたものである(5)｡この中,5.5∼7.5/上の H20による吸収はェピタキシァルによる干渉現象の短波長側での終 末端の微弱な透過光の変動と0Verlapして,このため干渉のend-pointの判定を困難にしている｡ (a)および(b)の(2),(3),(4)と(5),(6)はそれぞれ試料 4,5,6,および1,2,3の干渉による反射スペクトルである｡ また,(c)および(d)はゲルマニウムエビタキシァル試料#1∼5 の二卜捗による反射スペクトラムであり,この中(c)の(1)は,全反 射ミラーによるものである｡ 郎

･莞.､㌔

ミヾゝぜ

心㌔竪

りp♂ (イ付 くJββ (c〕ケル￣プニつムエビタキミノ;7ノL 7♂ β_ロ へr琶コ ､ヾ､ ㌔すhミ

§ヾ㌔

1Jββ 14♂β 仰β ミグJβ

!h車＼㌔

(dJゲルマニウム丁ピタキンアル 第1図 エ ビ タ キ _{シ ァ ル} 同 に よ る 干 渉 現 象 波 長 丘β ノdβ .㌔

駕篭

′ミ/ββ く〃♂ 度 数 二皮 長 即 /戊β ｡㌦㌔記 一.〃 §■＼ヘポ

几甘崇

∴J.J7 ∽ ㌦.hq℃-､"､ ㍊β 碓β/Jβル

∩く冠

β〃 ββク 7ββ抑-7 /エβ /Z♂ ほβ (古丁 川口 仰β βββ β〟ロ ミ皮 長 ょす賢

1668 _{昭和38年10月 日 立}

_評

_論

_{第45巻 第10号} 象 の 諸 数 _値 (a)ツリコソエビタキシア/レ (B) シl伽Cm-1 (C) リCm-1 (D) JⅥ二王11c Ⅳ れ 【止 (A) j〃 (B) (C) レCm-1 (D) +Ve且1e Ⅳ 極大値 極′ト値 極大値 極小値 極大値 極小値 6 8 7 8 9 4 9 0 2 2 5 7 4 6 2 0 1 3 6.74 7.55 8.48 9.72 11.24 13.34 5 0 2 1 1 0 0 9 QU

順973弧8｡｡芯92884｡76｡一Ⅷ

0 00 3 6 5 ｢ヘリ 9 8 7 1,482 1,327 1,178 1,030 890 750 8288鮎】 朗888｡一1｡51｡8 2 5 0 0 2 1 ハU 9 2 1 nU 9 5 5 5 +丁 4 1 9 9 7 6 6 3 3 3 9 ∩八U 7 ハU 2 3 5 2 9 9 9 00 8 9 9 9 9 9 0 9 〔ハ) 7 6 5 6 2 2･4 6 00 01U 9 9 9 00 7 9 9 9 9 9 9 #6 極大値 極大値 極小値 極大値 極小値 7.85 9.35 11.40 1,273 1,070 877 7 7 7 7.33 8.52 10.25 12.74 8.65 10.15 12.54 7 7 00 5 8 9 1 9 7 7 2 0 6 9 2 0 8 7 2 9 9 0 1 5 5 4 〃.一6 2 1 3 6 5 2 1 2 (XU 8 QU 3 1 2 2 2 1 QU 8 QU l l (B) レ0わ只 Cm-1 (C) レCm-1 極大値 極小値 7.17 9.09 12.42 6.49 8.04 10.52 1 5 ウル りル 4 3 E一Ⅳ■432仙543 9 14 h7 11 極大値 0 3 2 4 〕n-り 短大伯 (F) 一 一 これらの試料はそれぞれのエビタキシァル層の厚みの差異がある が,この程度の差異によっては吸収による減衰の差が少ないため, このスペクトルのback-grOundの1evelほほとんど差異は認められ ず,したがって干渉による反射率の振動弘毅は,シリコソ,ゲルマ ニウムともにほぼ同一のレベルを[トLにして生じている｡ ゲルマニウムの干捗の間隔はシリコンに比してかなり大きい値を 示しているが,これほェピタキシァル層の厚みが一段と薄いためで ある｡ これらの干渉現象は共通して短波長側で減衰し消滅している｡ 舞3衰の(A),(B),(C)の欄には干渉により(t三じた明るい極大∴rエ と,暗い極小点の波長とその波数およびその披数の差を示す｡ これらの極値はシリコン,ゲルマニウムともに波数単位で 万=A-レ∽‥..

石′=A-レ(桝＋三)‥･

と示すことができる｡ ここで,Aは干渉現象の短波長側のend-pOintの披数, _レは干渉 棒小値 棒大値 仲 極 (A) j〃 (B) レ0わg Cln-1 (C) ンCm-1 (E) +Ⅴ (F) 了㌔81c/J 7.64 10.64

.寸叫一は

1,310 940 3598¶1679 2.06 3.34 3.33 しまの波数判立の間隔,桝はiEの整数で∽=0,1,2,……となる｡ また,古および古′は拭い極小点,明るい極大点の波数を示す｡

3.検

討

厚さの等しい-ril屑i判別こよる干渉の機構ほ通常,弟2図に示すモ デルによF)説明されており,このエビタキシァル屑により発生する 干渉についてもこのモデルをそのまま適用して説明される｡ 入射角￠で,空気中よりA点に入射した光束は,汀(ス/2)の移相 をして直ちに反射する成分(1)と,移相0で乃1の層に屈折率￠′で 入射する成分とがある｡これはまた,乃1と乃2の境界面のB点で, 移柑0で放射し,これは空気と雅1の層の境界面のC点より空気中 に出射し(2)の光火となる｡ 一般的に,このような沖膜に入射した光央ほ,そのまま表面で反 射する成分と,さらに入射し,舛1【乃2の境界面,また乃1-airの境界 面で多覇反射をくりかえし順次,牢気中に出てゆく成分とがあり, その｢こP,空気巾に出てゆく(1)と(2)の光束について次の光格差の 関掠の場合,干渉の条件が成立する｡

-74-シリコンおよぴゲルマニウム単結晶薄片の赤外線額域に串ける干渉現象(第2報)

1669 入射光 ?_ タキンアル層 ＼

＼月

射 川 _光 (7) (J) (4) Cfβ 1こ1'.･∴ト ･■･`ト･こ. ･■･･nr一.･ 一.■▼ニト 二･･β:∴二･-◆β1∴=F∴･■･二

/※

/

/芳※※※

1ビ 第2回 すなわち, ェピタキシァル暦による干渉現象のモデル機構閃 光束,(1)と(2)の北路差∂は ∂=乃1(Aβ十βC)-Aβ ‖ ･･(3) 二27'乃】COS(ち′. _‥(4) で示される( ここで,乃1は榊莫轟占抑.当のJ棚方率で,(3)式の乃1(Aβ＋βC)は, 結晶層のしいでの実効的な光路長を示している｡ 光東の反射および屈折の際の移相を考慮した上で,この光格差 が,

∂=(Ⅳ＋うー)×ん･‥‥

(5) Ⅳ=0,1,2,=‥‥ で示されるとき,(1),(2)の光束ほ同位相となり,干渉により強 め合い極大値ス1>ス2>ス3･=…を作る｡ また, ∂=JVxス〃/ (6) +Ⅴ=1,2,3,…‥･ で示されるとき,光束(1),(2)ほ半波長のズレを生じ干渉により 弱め合い極小値,jl′>ス2′>ス3′･･=‥を示す｡ これらの極値は交互に現われ,干渉次数Ⅳの一つずつの高まりと ともに短波長側に寄ってゆく｡ ここで,(4)式=(5)式,(4)式=(6)式と樫くと,それぞれ

r=ヒ工_をニヒ

2乃1COS￠′ また

r=_▼ダ×ん7′

2乃1COS￠′ で示される｡ ここで,2乃1COS￠′は定数であり, (7) ..(8) 干渉次数+Ⅴがわかjtば,スペ クトラム上で実測される極値,んおよびん′を用いて,乃1の侶の厚 みを測定することができる｡ また,(8)式において,隣り合う二つの極小点の波長,ス′ナ王と ス′叫1(ス′”>ス′叫1)がわかれば,八u′,乙=(Ⅳ+-1)ス′叫1より ス/叫1 Ⅳ=-一一 ス′,∼-ス′タけ1 ‥….(9) として干渉次数,〃がわかる｡ 測定されたスペクトルの実測値について計許した-ll捗次数凡ニー1｡ を第3表の(D)偶にホす｡通常これは汀ミの整数に近い伯をとるの で,これより正確に十捗次数が求めらカtる｡(E)爛にそれを示す｡ 次に屈折率叫ま5∼16/上の間でほとんど一定である｡これほ干渉 の間隔が波数単位で全く等間隔にあらわれることからも示され(2), 肌抑即即刻刀〃紺甜卯〃抑卯即卯〃00即和郎 〔J 〟 帽荘哲盗r品+紫叶

1L

n∠ 邦β 節4ノミ (∂) ざ β /♂ Jご J〃 げ /β ユドタキシァル層の厚み 〃

＼

節3図 _{エビタキシァル屑の厚みと} -†二沙しノまの隣接間隔の関係 丁七駈式による計‡二稚〔とその誤差 (′aノ シリ _{ニュンJ-ヒタキシ7/レ} r (b) ゲルマニウムエビタキシァル レ｡≡11｡ lムル=り小片-リ(･几lぐ 194.0 177.3 146.9 134.5 106.0 84.2 ＋一＋一一 r - レ0わぶ 4.0/∠ 3.3/∠ 3.2.′と 5 5 7 ∩り) 6 6 2 3 3 T l ン0むg 2.9/J 2.8J` 390 395 シリコンについて3.42,ゲルマニウムについて4.00とそれぞれ与え られている(6)(7)｡ また,この実験に用いた反射セルの入射角￠は100±30′であり, これより仙折角ウ与′=3ロと与えられ,COS30二0.996で,これは1で近 似される｡したがってェピタキシァルの厚みrは,シリコソについ ては または

r=ヒ十日竺

6.84

r=_才竺_冬こ_

6.84 ..(10) ..(11) で示されることになる｡ この二つの式より界出したおのおのの試料の厚さは,おのおのの 干渉次数ごとに,梅大値ス”および極小値ん′について舞3表の(F) の欄にホす｡ これらの実測値についての計算値はミクロン以下の一けたの有効 数字で±1以内の誤差で一致している｡ さらにまた,おのおのの厚さの試料についての干渉の間隔の波数 i￣ii位の平均値,レm｡a｡と上に求めたエビタキシァル僧の厚みrとの 問の関係は弟3図の(a)および(b)にシリコンとゲルマニウムにつ いてそれぞれ示す｡ この図より明らかなように,この関尉ま双曲線で示され,次の実 験式がシリコンの場合よく測定値と一致している｡

レm｡atl=_1,4堅_一0.2.…

_r (12) この式によるおのおのの試料についての計算値と実測値,および

1670

_{昭和38年1b月}

日

止

藩

論

畦崇古仏 打製卜中山 松佃町な山 似脚肌載小へ .㌣庶蒜い心 似粁む鵬 (‖レ nU n〓U ハ〓∪ 亡J ′サ 〔J n･+ 〔･L ノ′ ･･/ .し ｢=〓〕 へ.‥+ ノ ?し ハ 伽 ∩〓U 宗J 州叫山州叫 ∩〟U 7 β ′･■'J//J2/J #J ∩リ〕 Dロ ワノ _{ノJ/J/ご/J/才} ♯4 凸几U 7 ∩.【U ■人J ノ斗 りJ っ∠ 恥 〔.J r･1J ノJT ヮJ n∠ ∴ h =止 っ+ っ二 プレ L■■｢■ト■+ ノ′J∴Jノ7フノrJ.7イ 羊J ニ′▼ざ β｡'J

ト､､｡

敬 /Jご/J/才 芸2 .り.｢ご′′Jノー4 羊7 _⊥_+ JJ 第4阿 _{†二渉次数と￣l二捗強度との関係} その誤差を弟4表に示す｡ (12)式ほレmea｡=Cl/r＋C2の形でホされるが,C2=0.2く1.0であ i),これは実験誤差内の数値であるから レmean=

Fl

r を実験式と見てよい｡ 干渉の極大値の披数は, (7)式より

レ〃=土=_と妄⊥1=哩

ノ〃 2乃1COS(古′ r r (13) (14) が導かれる｡ここで〃次,およびⅣ＋1次の干渉の極大仰の間隔 は, レ=シ〃【 レⅣ＋1= 1 2チエT ■■

ド(至り_二日ダ十11t=Cl

r r (15) (16) で示される｡この式ほ実験式(13)と全く一致している｡ 次に,干渉の強度の干渉次数による変化の様子は第4図にホさjt る｡ここで,干渉強度はJ∫=(ムmax-′fmi｡)で示してあるが,こ々tは, 干渉次数州こ対してム=んβ-CⅣ乙と示される｡ 第4図において,♯(1)∼(5)の試料については干渉強度の最大 測定値ほたかだか15%程度で,ほぼ同じ伯を示しているが,♯(6) の試料についてのみほ,Ⅳ=5の次数で二｢二渉強度が40%をこえるほ どの大きい値を示している｡ この試料は製造上からもなんら特異なものではないが,ほかの試 料に比べて,同一の入射光に対して干渉に関与する成分の強度が若 しく大きいために生じたものと見なされる｡ air一犯1面での反射光は,乃1-乃2面での反射光に比べて強度ほ著し 第45巻

_第10号

く大きく,このため強い干渉強度を示している試料については,む しろ乃1一犯2面での反射率が大きいためとみられる｡ 屈折率が,乃1および乃2で構成されている二重層での反射率は一 舟如こ垂直の入射の場合

尺=一浩i;≡茫芸:≡-

‥(17) で示さjtる｡ここで打0は乃Ⅰ一れ2の境界面での光の消衰係数で,

Å0=告

‥(18) と示さJtる｡ ここで,爪■は吸収係数で,jほその波長である｡したがって,これ iこよると乃1一犯2境界面で大きい反射率を示すのは乃1と乃2の屈折率 相互間に大きな差異がある場合,またほ,基盤結晶の特別の表面処 理などで,その-､仰1度がきわめて良好な場合などが考えられる｡ これらの￣†二渉強度の定量的問題についてはェピタキシァル層の場 合についても今後に残されている｡

4.結

ロ リL,シリコンセrl二Jごゲルてニウムのエビタヤシ7ル桝による赤 外線敵城でのトニ捗ガはについて述べたが,こjtらは,わ′ざ1報で述べ たri鳩与占7】沖什による干渉現象と本質的に穎似の現象であると見るこ とができる｡ただ,この場合は入射角が￠キ0であることの補正 と,反射光による1二捗現象であるためこれによる移相を考慮に入れ る必要があるという遣いが見られるだけである｡ また,エビタキシァル層の厚みほほとんど20/∠以下であり,こ のため十捗しまの波数jil位二の間隔はl二1然人きい値を示している｡と くに,ゲルマニウムエビタキシァル屑についてほ,この測定で最小 2･8`′てまでの厚さについて干渉現象が観望享されたがこの限界最小値 がどの程度にあるか興味ある問題である｡ このような赤外線領域における干渉現象を利用するとェピタキシ ァル朋の厚みを令く非破壊で測定することができ,これに自記記録 の装置を併用すれば,きわめて容易な測定になると考えられる｡ おわりに本研究を進めるに当たってご配慮をいただいた,日立製 †′網子武蔵1二場長宮城精吉博士,ならびに設計部長,伴野正美博士に 深じんの謝意を表する次第である｡ また試料のrF成を担当した菅原,杉江の両君にあらためて謝意を ノミする｡ 参 葛 文 献 (1)W.G.Spitzer&M.Tanenbaum:J.Appl.Phys.,32,744 (1961) (2)佐藤:日立詳論45,1479(昭38-9)

(3)J.Lecomte:1nternational Symposium on Molecular

(4) (5) (6) (7)

-76-Structul￣e _and Spectroscopy,Preprint _A(1962)

M･P･Albert&J.F.Combs:J.Electrochemical.Socリ109, No.8,609(1962) 水島,島内ほか:化学の領域,赤外線吸収スペクトル特集, No.3南江堂 C.D.Salzberg&J.J.Villa:J.OpticalSoc.of Ame.,47. 244(1957)

J.T.Cox _and G.Hass:J.OpticalSoc.of Ame.,48,677