大気中のギ酸と酢酸の生成反応に関する研究 : 炭化水素-NO-空気系の光反応実験

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(1)21. 報文 li酬ll目】階lllillill醤1目ll. 大気中のギ酸と酢酸の生成反応に関する研究炭化水素一NO一空気系の光反応実験 The Formation of Formic Acid and Acetic Acid. from Hydrocarbon−NO−AiτSys亡em 花井 i義道＊・加藤龍夫＊・南谷. 裕＊. Yoshimich三HARAI， Tatsuo KATou and Hiroshi NANYA. Sアnopsis In oアder to clarify the mechanism in formatlon of formic acid and acetic acid in the atmosphere，. the photochemlcal reaction on some hydrocarbons and nitrogen oxides was investigated． A la】ge amount of the acids was made from the aromatic compounds with methylradicals， such as xylenes. and 1，2，4−trimethylbenzene． The retios o圭acid formatlon tQ the decreasing hydrocargons were 30∼50％for formlc acid 20∼30％for acetic acid． On the other hand， ole負nes as prQpylene and butenes formed a smaller amount of acids捻otwithstanding those reactivity in photQchemical reaction． As the result of the experiments with ethylene and m−xylene， it was fcund that formation of the. acids was proportiQnal to the photointencity， the irradiation time and hydrocarbons concentratiQn， and was not relating to nitrogen oxides concentration．. 1．はじめに. 2．実験：方法. 光化学大気汚染研究の一環として，炭化水素から2. 実験は静的条件の下で，炭化水素一NO一加湿空気. 次的に生成されるアルデヒド，カルボン酸，芳香族誘. 系の気相光化学反応を行い，炭化水素の減少量と，ギ. 導体等の夏季都市大気中の濃度レベル，挙動について. 酸，酢酸の生成量を測定した。反応容器には，パイレ. 調べた結果，とくにギ酸，酔酸，安息香酸晶晶ルボン. ックスガラス製の10♂真空びんを用い，それに2GWの. 酸の値が高いことがわかったP2｝。そこでどのような. ブラックライト（FL 20 SBLB）16本を配して小型の. 炭化水素からギ酸と酢酸がどの程度生成されるのか，. スモッグチャンバーとして光を照射した。光源のブラ. またエチレンとm一キシレンについて，紫外線強度，. ックライトは300∼400nmの波長分布をもち，最大強. 照射時間，初期炭化水素濃度，初期NO濃度それぞれ. 度波長は360nmである。反応容器のパイレックスガラ. と，ギ酸，酢酸の生成量の関係を調べた。なお，炭化. スはこの領域の波長光をほとんど透過する。ブラック. 水素からギ酸の光化学生成は，Gayらがスモッグチャ. ライトの点灯本数を変えることによって，紫外線強度. ンバーを用いたエチレンの反応実験で長光路赤外分光. をkd値0から1．0まで段階的に変えることができる。. 光度計によって認めているほか3》4），最近，秋本らが. 原料となる炭化水素は市販の試薬を，NOはN2希釈. プロピレンの反応実験で類似の方法により，生成物の. の標準ガスボンベ（高千穂化学製975ppm）をそれぞ. 一つとしてギ酸を測定し，水蒸気によってギ酸が増加. れ所定の濃度になるように真空びんに注入した。真窒. することを見蹟している5｝などの報告がある。. びんは予め，クロム混酸およびリン酸で洗浄，酸処理した後，水洗し，約100。Cで乾燥，真空排気したもの. ＊環境基礎工学研究室. を用いた。また，加湿のため，20。Cの飽和蒸気圧に. Departmenとof Environmenta1翫gineering Sclence. 相当する185μZの純水を注入した後，液体酸素冷却で. （198G年9月3G日受領）. 不純物および水分をトラップ除去した精製空気で1気.

(2) 22. 圧まで希釈した。照射室内の温度は室温と点燈本数の. ぎ. 8. 影響を受け20∼30。Cの閲であった。. 工. 3．分析方法原料の炭化水素は反応容器から直接1mZを採取してGCTIDで分析した。ギ酸，酢酸は反応容器壁面ヘ呈，1. ー部吸着するので，、照射後反応容器を加熱（約100。C）. しながら，その全量をPorapak N （80∼100mes1ユ）. 1ccを充てんした0．5cmφ×8Clnのガラス製捕集管. ミ. に真空ポンプ（油回転式）で1時聞吸引（途中追い出. Φ. 一. し効率を高めるため約3♂の精製空気を10分閲で導入. く. a. 菰. した。）し常温．吸着濃縮した。この捕集管に三方コッ. クで切り換えたキャリヤーガスを通し，さらに150。C 0 准 2 3 4 5. min. まで加熱してGC−MSのカラムへ導入するP。カラム. Porapak Q＋H3PO41％，0．5m. はPorapak Q（50／80mesh）÷H3PO41傷を充てんした3mnφ×0．51nのガラスカラムを50∼150。Cまで. カラム温度 50∼150。C l5。C／min昇温. 15。C／minで昇温して使用した。イオン化電圧は20eV. 鴎2SIMクロマトグラム例. とし，m／eをそれぞれのM＋で基準ピークである46， 60に保持時闇順に設定して，SIM法で測定した。その他のGC−MS使用条件は以下のとおりである。装置島津LKB−9000型. コレクタスリット 1．Omm 利得（マルチプライヤー） 2 利得（ガルバノメーター増巾器） ×10 定盤には，純水10mZにギ酸，酢酸（市販の純撮）. 記録計日立056型. をそれぞれ10μ♂および安定化のためリン酸100μZを. フラッシュヒーター温度1180。C. 加え標準溶液として，これを1μZ導入して得られた. セパレーター温度 150。C. ピーク面積との比較から，実験試料の叉手，酢酸の生. 加速電圧 3500V. 成量を求めた。図1にギ酸と酷酸のマススペクトル. トラップ電流 60μA. を，図2に反応実験試料のSIMクロマトグラムを示. イオン源温度 270。C. す。. 出ロスリット 0．4m狙. 4．実験結果て00. 46（1鴇←）. 4−1各種炭化水素からのギ酸，酢酸の生成量. Formic acid. 原料となる炭化水素はパラフィン系炭化水素から，エタン，プPパン，n一ブタン， n一ヘキサンを，オレフィン系炭化水素からエチレン，プロピレン， 1一ブテン，iso一ブテンを，芳香族炭化水素からベンゼン，トルエン，エチルベンゼン，o一キシレン， m一キシレ. 0 20 30 40 50 60 70. ン，P一キシレン，ユ，2，4一トジチルメチルベンービンを. 選びそれぞれについて，炭化水素10ppm， NO 5pp鵜，. 加湿，照射5時間の条件で実験した。各種炭化水素か. 紛0. Acetic acld. 6◎（醗つ. らのギ酸，酢酸の生成量を表1と図3に示す。表1には減少した炭化水素量と，減少した炭化水素に対する. ギ酸，酢酸生成量の比を同時に示す。図3に示すようにギ酸酢酸ともに，・一キシレン，肝キシレン，P一キシレン，L2，4一トヲメチルベンゼン等ベンゼン環に. 複数のメチル基を有する芳香炭化水素から多量に生成. 0. されることがわかった。これらの炭化水素の反応減少 20 30 40 50 60 70. 図1ギ酸，酢酸のマススペクトル20eV. 量に対するギ酸の生成量の比率（濃度比）は30∼50 ％，酢酸は20∼30％と高かった。反応姓が高く減少量.

(3) 23. 表1各種炭化水素からのギ酸と酢酸の生成量（ppm）. 爵悪様炭化難網. 炭化水素 HC. 種類炭化水素名. △HCOOH ｝△CH3COOH 一△HC. ＿△HC. 0．23. 0．20. 1．5. 0，15. 0．13. フロハン. 0。25. 0．06. 1．2. 0．21. 0，050. n一ブタソ. 0．88. 0．43. 1．8. 0．49. 0，24. n一ヘキサン. 0．07. 0．06. 2．6. 0．027. 0．023. エチレン. 0，53. 0．08. 2．1. 0．25. 0．038. プロピレン. 1。2. 0．41. 8．2. 0．15. 0．050. 1一ブテソ. 0，94. 0．15. 7．2. 0．13. 0．021. 1SO一ブテン. 0．62. 0．40. 9，6. 0．065. 0．042. 1．1. 0．27. 2．0. 0，57. 0．14. エチルベンゼン. 0．46. 0．26. 2．2. 0．21. 0．12. 。一キシレソ. 1．8. 1．2. 5．2. 0．34. 0，23. m一キシレン. 1．8. 1，0. 4．6. 0．40. 0．22. P一キシレソ. 2．2. 1．1. 4，4. 0．49. 0．25. 1，6. 1．7. 5．3. 0．31. 0．32. パラフィン. エタン. ・レフ. 0．8. ベンゼン. トルエソ. 芳香族. 1，2，4一トリチノレ. ベンゼン. 初期濃度 HC！0PPm， NO 5PPIn，加湿，紫外線強度 kd＝0．5min−1，照射時間 5hr．. 4−2 紫外線強度とギ酸，酢酸生成量の関係. CH3COOH. HCOO日. 紫外線強度をスモッグチャンバーのブラックライト. 照射本数によって，k（1値で0∼1min榊1まで変え，紫. P−xy【e【1e. ﾑ『Xyle飾. 外線強度とギ酸，酢酸の生戒量の関係を調べた。炭化. B−x：・’ie：le. 水素としてエチレンとm一キシレンを選び，初期濃度. ?２，4−Tr孟制狽?ｙｌｈ四z。1奮e. は炭化水素10PPm， NO 5PPm加湿，照射隣間5hr・と. orリアleno. @Tolue爲e. しそれぞれについて実験の結果，表2，3，図4，5. @1−Bしし竃軽・r｝【，. に示すようにギ酸と酢酸の生成反応には光が必要であ. @a一圧．h＝匙a畿e. 奄唐潤￨3ute珊. り，他の条他が一定であれば，照射5時圏までの生成. @f；とhy！ene. 量は紫外線強度とほぼ正比例の関係にあることがわか. Eロ監ylbe郎e具. った。しかしエチレンの減少塗に対するギ酸の生成量. @Propalle. は約20％とほぼ一定であった。またエチレンからは酢. @Eαaaρ. 酸はほとんど生成されなかったが，m一キシレンから. @n−He》：a貯. @Be鷲ze＝田. 2. 1. ◎. 0. 1. ρpm. 2 Pρm. はギ酸の50∼80弩の酔酸が生成された。. 4−3 照射時問とギ酸，酢酸生成量の関係. 初期濃度炭化水素！0ppm， NO 5PPIn，加温，. 照射時闘を0∼20時間まで変えて生成量の時間変化. 紫外線強度kd＝0．5miガユ，照射蒔間 5hr．. を調べた結果を表4，5，図6，7に示す。・同様にエ. 図3 各種炭化水素からのギ酸と酢酸の生成量. チレン，鶏一キシレンを10ppm， NO 5ppm，加湿，紫. 外線強度はkd＝0．5mindに設定し，それぞれについが多いプロピレン，1一ブテン，isO一ブテン等は，芳香. て実験した。ギ酸は，エチレンから照射12時間までほ. 族炭化水素に次いで，ギ酸の生成量が多いが，減少量. ぼ直線的に増加し，それ以後も減少する傾向はなかっ. に対する生成量の比率は低かった。とくに酢酸の生成. た。照射20時間でエチレンは6．7ppm減少し，ギ酸が. 量の比率は芳香族に比べ低かった。パラフィン系炭化. 1，3ppm生成された。この比率は約20％で，照射5時. 水素およびベンゼン，エチルベンゼンは，反応性が低. 間のときの値とあまり変わらなかった。 m一キシレン. く，生成量も少なかった。. からは，ギ酸と酢酸が徐々に増加し，照射20時閣で.

(4) 24. 表2 エチレン反応系，紫外線強度と剛性，酢酸生成量（ppm）. 紫外線強度. 燕ラ綜墨. 鰭成量；エチル盗聴・H…H. ギ酸生成量. kd. △HCOOH. ・CH、C・・H卜・C、猛、騙△C・H・. △CH℃00R 一△C2H4. 0. G. 0，043. 0．008. 0. 2. O．13. 0．15. 0．024. 0．80. 0．19. 0．G30. 4. 01％. 0，14. 0．026. 0．53. 0．26. 0．049. 4. 0．25. 0，16. 0．035. 0．73. 0．22. 0．048. 8. 0．5. 0．53. 0，008. 2．1. 0．25. 0．038. 12. 0．75. 0．37. 0．097. 4．1. 0．09. 0．024. 12. 0．75. 0．71. 0．067. 4．1. 0，17. 0．016. 16. 1．0. 1．27. 0．10. 6．9. 0．18. 0．014. C2壬｛410ppm， MO 5ppm，加湿，照射5hr．. 表3 m一キシレン反応系，紫外線強度とギ酸，酢酸生成量（ppm）. 紫外線強度ブラックライト「照射本数ト. ギ酸生成量酢酸生成蚤. kd. ・HC・・H；・CH・C・O則. 。H。。。H｝。CH、C。。H. m一キシレン減少量. 一△Xylene. ＿△Xxlene. 一△Xylene. 4. 0．25. 0．54. 0．28. 1．8. 0．30. 0．16. 8. 0．5. 1．8. 0．95. 4．6. 0．40. 0．21. 12. 0．75. 2，2. 1．7. 4．6. 0．41. 0．33. 16. 1．0. 3．2. 2，0. 5．4. 0，59. 0．37. m−Xylene 10ppm， NO 5ppm，加湿，照射時間5hr．. 4. 1．5 HCOOトモ ●. HCOOH. 巨. §3. Ω．. 二1・0. 離. 書蓋 §. ● C出COOH. 婁. §2. ●. 8. ■. 。 8 ●. 0．5 o. 重. o. CH3COOH. o. 0 0．5 tO 0. kd min4. 。. 00 0，5 ・・O kd min弓. 初期濃度エチレン10ppm， NO 5ppm，. 初期濃度 m一キシレン10PPIn， NO 5ppm，. カrl湿，員蕉身寸時舞男 5 hr．. カr将｛昆，！照身寸日寺【背i 5hr．. 図4 エチレン反応系，紫外線強度とギ酸，. 図5 m一キシレン反応系，紫外線強度とギ酸，. 酢酸生成量の関係. 酢酸生成鑑の関係. は，m一キシレンは6．6ppm減少したのに対し，ギ酸は. 増加した。. 3．3，酢酸は2，4ppm生成された。 m一キシレン減少量. 4−4 炭化水素濃度とギ酸，酢酸生戒量の関係. に対する生成量の比率は5時間で，ギ酸39％，酢酸21. エチレンおよびm一キシレンの濃度を，0．2∼50ppm. ％であるのに対し，20時間ではギ酸55％，酔酸40％と. まで変化させて，ギ酸，酢酸の生成量を調べた。他の.

(5) 25. 表4エチレン反応系，照射時間とギ酸，通客の生成董（ppm）ギ酸生成量. 照射蒔間. 酢酸生成量. △HCOOH. hr．. △CH3COOH. △HCOOH. エチレン減少量. 一△C2H4. 一△C2H4. △C｝｛3COOH 一△C2H4. 1. 0．077. 0．041. 0．07. 1．！. 0．59. 3. 0．095. 0．032. 1．4. 0．068. 0．023. 4. 0．15. 0．037. 5. 0．53. 0．08. 2．！. 0、25. 0．038. 8. 0．62. 0．076. 4．2. 0．15. 0．0！8. 12. 1．34. 0．19. 6．8. 0．20. 0．028. 15. 1．13. 0．11. 20. 1．33. 0．12. 6，7. 0．20. 0．018. C2H410PPm， NO 5PPrn， kd＝0．5min−1，加湿. 表5m一キシレン反応系，照射時間とギ酸，醇酸生成量（PPm）照射時欄. ギ酸生成量. hr．. △HCOOH. 驚譲濫1壁誌畿糧. △HCOOH. 一△Xylene. △CH3COOH 一△Xylene. 5. 1．8. 0．95. 4。6. 0．39. 0．21. 10. 2．4. 1．6. 5。8. 0．41. 0．28. 20. 3．3. 2．4. 6．6. 0．55. 0．40. m−Xylene 10PPm， NO 5PPm， kd冨0．5min一ユ，加湿. 4 ト｛COOH. HCOO8. t5 薮. 琶 3. CH3COOH. ●. ■. α. ユ. ●. ●. 量. 量1P. 董. 蓮. 2 。. 芒. 8. 琶. 呂. ●. §α5. 。. ●. Q. ●. 0. 壌. CH3COOH. ●. 0. 噛O. 20. irra．匙ime hr．. 0. 0 10 20 1rra暫me h「．. 初期濃度エチレン10PPIn， NO 5ppm，. 初期濃度 m一キシレン10ppm， NO 5ppm，. 加湿，紫外線強度 kd竺0．5min−1. 加湿，紫外線強度 kd漏0．5min−1. 図6 エチレン反応系，照射時間とギ酸，. 國7 m一キシレン反応系，照射時間とギ酸，. 酢酸生成量の関係. 酢酸生成量の関係. 条件はNO濃度1ppm，加湿，紫外線強度kd＝0．5. 度の増加にともなって，ギ酸，酔酸の生成量が増加し. min−1，照射5時間と一定にした。図8に初期エチレ. たが，傾きは35。程度で，初期濃度が高くなると，ギ. ン濃度に対するギ酸の生成量の関係を，両対数グラフ. 酸，酢酸の生成量の比率は低下した。. 上に示す。傾きが40。の直線で，ギ酸の生成星は初期. 4−5 NO濃度とギ酸と酢酸生成量の関係. エチレン濃度に，NO濃度が1ppm一定であるにもか. NO濃度を0．05∼50ppmまで変化させて，ギ酸，酢. かわらず，ほぼ正比例することがわかった。m一キシ. 酸の生成量を調べた。エチレンおよびm一キシレンは. レンの場合を同様に図9に示す。初期mヰシレン濃. 各10PPm，加湿，紫外線強度kd漏0．5min鼎1，照射5.

(6) 26. 表6 エチレン反応系，初期エチレン濃度とギ酸，酢酸生成量（ppm）ギ酸生成量. エチレン濃度. 酢酸生成量. △HCOOH. △CH3COOH. エチレン減少量. 一△C2H4. △HCOOH. △CH3COOH. ＝｢C2葛. 一△C2H4. 0. 0。065. 0．5. 0．061. 0，018. 0．18. 0．34. 0．10. 2. 0．041. 0．023. 0．37. 0．11. 0，062. 0．017. 2. 0，19. 0．033. 0．55. 0．35. 0。060. 10. 0．66. 0，052. 3．6. 0．18. 0．014. 50. 3．18. 0，052. 6．5. 0．49. 0．008. NO lppm， kd篇0．5mIn−1，加湿，照射時間5hL. 表7 m一キシレン反応系，初期m一キシレン濃度と里国，酢酸生成蚤（ppm）. 難鑑im瀦羅少量i甥器. ギ酸生成量. m一キシレン濃度. △HCOOH. △CH3COOH 一△Xylene. 0．2. 0．015. 0。015. 2. 0．17. 0．077. 0．9. 0．19. 0。086. 10. 0．48. 0．34. 1，9. 0．25. 0．19. 50. 1．5. 0．55. 0．057. 0．021. 26. NO lppm， kd＝0．5min−1，加湿，照射時間5hr．. 10. 10. HCOOH ●. 巨. 巳. ユ肱. CH3COOH. 1 呑. 8. き. 8. 工. f 8・・. 0．1. 呈. o. 0．Oτ. oj. 10. 10. 1. C2H4. o．01 0，1. ppm. 初期濃度 NO lppm，加湿，紫外線強度 kd＝0．5min柵1，｝照笏寸B寺隔ユ 5hr．. 1. 100. ｛o. m−Xylene. ppm. 初期濃度 NO lppm，加湿，紫外線強度 kd＝0．5mln−1，照射時澗 5hr．. 図8 エチレン反応系，初期エチレン濃度と. 図9 m一キシレン反応系，初期m一キシレン. ギ酸生成量の関係. 濃度とギ酸，醇酸生成量の関係. 時間一定とした。図10にエチレン，図11にm一キシレ. m一キシレンの場合はNO濃度5ppmで最も生成量が. ンの実験結果を両対数グラフ上に示す。エチレンの場. 合はNO濃度が0．5∼50ppmまでの筏囲では， NO濃. 多く，1ppm以下でも10ppm以上でも生成量が減少した。特にNO濃度が0．05ppmの場合は，生成量は. 度を大きく変えたにもかかわらず，ギ酸の生成鑑は. ギ酸0．098，酢酸0．092PPmと低かった。このことは. 0．5∼0．9ppmとほぼ一定であり，紫外線強度，照射時. ギ酸，酢酸の生成反応には，窒索酸化物が必要である. 聞，エチレン濃度と娩べ，生成量に与える影響は小さ. ことを示している。しかしエチレンの場合と同じく. かった。NO濃度が0．2ppm以下の場合は生成量が減. NO濃度の生成量におよぼす影響は，他の要因に比べ. 少し，NO O，05ppmの時ギ酸は0．24ppmであった。. 小さかった。.

(7) 27. 表8 エチレン反応系，NO濃度とギ酸，鮮酸生成量（ppm）ギ酸生成量. NO濃度. 酢酸生成量. △HCOOH. △CH3COOH. △HCOOH. △CH3COOH. 0，21. 1．1. 0。16. エチレン減少量一△C2慧4. 一△C2H4. 一△C2H4. 0．05. 0．24. 0．034. 0．1. 0．45. 0，005. 0．2. 0。34. 0，03. 1．4. 0．25. 0。022. 0．5. 0．88. 0，08. 2．8. 0．32. 0．028. 0．5. 0．77. 0．35. 2．4. 0．32. 0．14. 1. 0．66. 0。052. 6．5. 0，49. 0．008. 2. 0．80. 0．07. 5．0. 0，16. 0．014. 5. 0．53. 0．08. 2，1. 0．25. 0，038. 10. 0．53. 0．18. 3，31. 0．！6. 0．054. 50. 0，53. 0．16. ！，44. 0．50. 0．16. C2H‘10PPm，1｛d＝0．5min鼎1，加湿，照射5hr．. 表9 m一キシレン反応系，NO濃度とギ酸，酷酸生成量（ppm）. 騰鮫箔畦菰誘蝿．. ギ酸生成量. NO濃度. △HCOOH. △HCOOH. △CH3COOH. 一△Xylene. 一△Xylene. 0．9. 0．1！. 0．10. 0。05. 0．098. 0．092. 0．2. 0．25. 0，19. 1. 0．74. 0，56. 1．6. 0．46. 0．35. 5. 1，8. ！．0. 4．6. 0．40. 0，22. ！0. 0．96. 0．42. 4，7. 0．20. 0．089. 50. 1。1. 0，41. 2，0. 0．55. 0．21. m−Xylene！0PPm， kd漏0．5mind，加湿，照射5hr．. 10. 10. §. ● ’HCOOH. 巨. HCOOH. α 1 ●. き 1. 8. ●. ● ● ●. Q O. o 。83 ﾃ。。レ1. o. 工. き ●. 8. ぎ. 工. 婁 δ。・・. 。．、. o，o1 o，1. 蒲. NO. 10. 100. PP「η. 0．1 1 10 100. NO ppm. 初期濃度エチレン10ppm，加湿，紫外線. 初期濃度 m一キシレン10ppm，加湿，紫外. 弓璽度 kd竺0．5mind， 1照封冊聯i1男 5 hr．. 線強度 kd讐0。5miガ1，照射時間 5hr．. 図10 エチレン反応系，初期NO濃度と制酸. 図11 m一キシレン反比系，初期NO濃度と. 生成量の関係. 闇闇，酢酸生成量の関係. 5．まとめギ酸と酔酸は各種炭化水素一NO一加湿空気一光の. 反応系から生成されることが確認された。生成量の多かった炭化水素は， o一キシレン，m一キシレン， p一キシレン，1，2，4一トリメチルベンゼン等ベンゼン環にメ.

(8) 28. チル基が付加した芳香族であり，これらの炭化水素滅. ヒドとカルボン酸のGC−MS−SIM分析，横浜国. 少量に対する生成量の比率（濃度比）はギ酸30∼50％，. 大環境研紀要，5，41（1979）. 酢酸は20∼30弩と高かった。このことはキシレン，ト. 2）花井義道・加藤龍夫・山下暁：光化学スモッ. リメチルベンゼンはかなり高い割含でベンゼン環が開. グ成分に対する芳香族炭化水素の役割，横浜国大. 裂していることを示唆している。反応機構に関する研. 環境研紀要，5，53（！979）. 究は今後課題としたい。プロピレン，ブテン等は反応. 3）Bruce W． Gay， Jr．， Philip L Hanst， Joseph. 性が高い割にぽ生成量は少なかった。炭化水素として. J．Butalini and Richard C． Noonan：Atmosph・. エチレンとm一キシレンを選び，条件を変えて実験し. eric oxidation of chlorinated ethyle且es， Environ，. た結果エチレンからギ酸，m一キシレンからギ酸，酷. Sci． TechnoL，10，58（1976）. 酸の生成量は，紫外線強度，照射時間，炭化水素濃度. 4）Spicer， C， W，， Mlller， D． E；」． Alr PoluL. にほぼ正比例するが，NO濃度は一定量以上あれば生. Control Assoc．， Nitrogen balance in smog. 成量にあまり影響を与えない要困であることがわかっ. chamber studies，26，45（1976）. た。したがって大気中のギ酸，酢酸の濃度を減少させ. 5） Halime AkimotQ， Hiroshi Bandow， Fumio. るには，まず炭化水素の減少対策が有効な手段となる. Sakaki， Gen Inoue， Mikio Hoshino and Michi◎. だろう。. Okuda： Photooxidation of the propylene−NOx. 文. 献. 1）花井義道・加藤龍夫・小泉義正：大気中アルデ. −air system studied by long−path Fourier transform infrared spectrometry， Environ． Sci，. TechnoL，14，172（1980）.

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