産業機器向けプロダクトカタログ_Ver.1.0

P R O D U C T C A T A L O G

_{V e r . 1 . 0}

V e r . 1 . 0

産 業 機 器 向 け プ ロ ダ ク ト カ タ ロ グ

Message

高品質、高信頼、そして長期安定供給で

産業機器のさらなる技術革新をサポート

ローム株式会社は、創業時より掲げる「品質第一」の企業目的に基づき、

民生機器やIT機器、自動車関連機器、そして産業機器に至るまで幅広い

分野に品質と信頼性に優れたLSIやディスクリート・モジュール製品を提供

してまいりました。

中でも近年は、さらなる拡大が期待される産業機器分野への取り組みを

強化しており、これまで民生機器や自動車関連機器で培った技術を集結

させ、省エネ、安全、快適、小型化に貢献する革新的な製品の開発に注力

しております。

製品開発を支えるのは、開発から製造までを一貫してロームグループ内

で行う「垂直統合」システムです。これは創業以来、大切に守り続けてきた

「品質を何よりも優先する」というロームのマインドの象徴でもあります。

あらゆる工程で高い品質を作りこみ、確実なトレーサビリティの実現やサ

プライチェーンの最適化を図ることにより、産業機器に求められる高品質、

高信頼、そして長期安定供給を実現いたします。

ロームグループはこれからも、産業機器のさらなる技術革新に貢献できる

よう、お客様や市場のニーズにあった製品開発を行うとともに、あらゆる

品質を高め、モノづくりを通じた安心の提供に努めてまいります。

INDEX

Technology

3

Lineup

4

Quality

5

Stable Supply

7

Block Diagram of

Industrial Equipment

9

■

01: Factory Automation

11

■

02: Power Supply

19

■

03: Energy Management System

25

■

04: All Industry

31

 

40

IC

40

Discrete / Module

70

IC小口ロット対応品紹介

95

WEB紹介

96

ロームグループ主要拠点

97

代表取締役社長

澤村 諭

Technology

ロームは、民生機器や自動車関連機器で培った技術を結集し、

産業機器分野の省エネ/高効率化、高速化、小型化を実現する

革新的な製品の開発を進めています。

さらに高品質、安定供給を実現する安心の生産体制で、

産業機器の進化に貢献してまいります。

産業機器の進化を支える確かな技術と

安心の製品づくり

高品質

安定供給

【１０年以上】

技術力

■

一貫生産体制

■

トレーサビリティ

■

安心のBCM

（事業継続マネジメント）体制

■

絶対の納期対応

■

長期供給

■

快適なサポートを提供する営業体制

■

アナログパワー技術を駆使した

高効率・高精度IC

■

最先端パワーデバイス

■

パッシブからモジュールまでの

幅広いラインアップ

LINEUP

ロームは、パッシブデバイスからディスクリート、IC、そしてモジュールに至るまで、

幅広いラインアップを有し、システムレベルでの提案が可能です。

ロームグループの総合力で、お客様の回路に合わせた最適なソリューションを提供してまいります。

ICからモジュールまで

幅広いラインアップでトータル提案

IC

個別半導体/光半導体/電子部品/モジュール

■

パワーマネジメントIC

■

SiCパワーデバイス

■

パワーデバイス

■

小信号デバイス

■

_{SiC-ショットキーバリアダイオード}

■

_SiC-MOSFET

■

_フル

_{SiCモジュール}

■

_{サーマルプリントヘッド}

■

_LED

■

オプトデバイス

■

モジュール

■

_{電源モジュール}

■

_{無線通信モジュール}

■

_{コンタクトイメージセンサヘッド}

■

_{LED ディスプレイ}

■

_{半導体レーザ}

■

_光センサ

■

_{IrDA 赤外線通信モジュール}

■

_{リモコン受光モジュール}

■

ドライバIC

■

_メモリ

■

_{アンプ/リニア}

■

_{クロック/タイマ}

■

_{スイッチ/マルチプレクサ/ロジック}

■

_{データコンバータ}

■

_{インタフェース}

■

_{パワーマネジメント}

■

_{モータ/アクチュエータドライバ}

■

_{LED ドライバ}

■

_{表示用ドライバ}

■

_{センサ/MEMS}

■

_通信用LSI

■

_{オーディオ/ ビデオ}

■

_{音声合成LSI}

■

_{マイクロコントローラ}

■

パッシブデバイス

■

_抵抗器

■

_{ダイオード}

■

_{トランジスタ}

■

_{タンタルコンデンサ}

■

_IGBT

■

_{パワートランジスタ}

■

_{パワーダイオード}

■

_{インテリジェント}

パワーモジュール

Silicon Ingot

CAD

Photo Mask

Wafer

Wafer

Wafer Process

Waf

W

er Proces

es

Silicon Ingot

シリコンインゴット

の引き上げからウエ

ハを製造

原材料 のこだわり

CAD

Photo Mask

I Cチップデザインレイアウトからフォト

マスク製 造まで一 貫した 品質管理 で

高品質を追求

内製フォトマスク

S i Cr ys t a l 社は2009年ローム

グループの一員となったドイツの

S i C 単結晶ウ エ ハ メーカ。

SiC

S

i

C

Si

Si

Si

シリコン

カーバイド

シリコン

シリコン原石

わり

シリ ン原石

高品質

全てのプロセスで高品質を実現します

ロームは企業目的に「品質第一」を掲げ、追求しています。

「垂直統合型生産体制」によりグルー

プ内で開発・設計、ウエハ製造を含めた生産、販売・サービスまでを行い、全てのプロセスで品質

を高める活動に取り組んでいます。同時に卓越したトレーサビリティも実現しており、お客様に

安心して製品をお使いいただける体制を整えています。

Quality

垂直統合型生産体制が実現する

高品質・安定供給

Mold

Frame

Wire

Bond

Test

Assembly Line

Assembly Line

y Line

品質つくりこみのため、リードフレー

ム打ち抜き用の金型リードフレーム、

そして、モールドの金型も全て内製

内製金型・リードフレーム

生産システムの開発を自社で対応

CSP、BGA、COC、COF、スタックドパッ

ケージまで最先端のアッセンブリ技術

最 先 端パッケージ

生産システムを自社で開発し、お客様の

ニーズにきめ細かくお応えしています。

生産システムの自社開発

安定供給

グループの総力をあげて供給責任を果たします

ロームグループでは、市場の状況をとらえ、求められる製品の供給責任を果たしています。

一貫生産を軸に垂直統合型生産体制で、製造工程を自社で管理しており、このことにより、

一般のファブレスメーカーやファンダリメーカーと比べ、外部から影響をうけにくい体制を

構築しています。 多拠点生産体制や、災害時対応の安全在庫の保有などの

BCM（事業継続マネジメント）体制を整え、お客様への安定供給に努めています。

ロームは産業機器市場向け商品の長期安定供給を行っています。

産業機器に求められる長期保証に合わせ、10年以上の長期供給を実施します。

注）紛争、天災などの不測の事態が生じない限り供給いたしますが、万が一不測の事態が生じた場合は最善対策をお客様と協議させていただく可能性があります。

地震・津波

自然災害

洪水・豪雨

落 雷

政情不安

インフラ

問 題

そ の 他

台風・強風・

竜巻

霧・黄砂・

大雪

火災・爆発

生 産 拠 点

多 拠 点 生 産

リードタイムの

短縮・適正在庫

継 続 供 給

■

工場毎にリスク検証

多拠点生産体制

有事の際の在庫設計

（外部から同時に影響を受けることのない複数拠点で生産）

（生産リードタイムの短縮と在庫の適正化）

長期安定供給

全拠点で徹底したBIAを行い、生産停止リスクとその操業停止日数に基づきリスクヘッジしています。

供給責任をはたすためのリスクマネジメント

ロームグループでは、一貫生産を軸

に垂直統合型生産体制で、製造工

程を自社で管理しています。 このこ

とにより、一般のファブレスメーカー

やファンダリメーカーと比べ、外部

から影響をうけにくい体制 を構築し、

お客様への安定供給に努めています。

全工場の

リスクチェック

R I S T ( 後 工 程 ) の 例

Stable Supply

産業機器に求められる、安定供給を実現

ROHM Integrated Systems(Thailand)Co., Ltd.

ROHM Korea Corporation

ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.

ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.

ローム株式会社(本社)

ラピスセミコンダクタ株式会社（本社）

ROHM-Wako Electronics

(Malaysia) Sdn. Bhd.

ROHM Electronics Philippines, Inc.

SiCrystal AG

Kionix, Inc.

生産拠点

ROHM Korea Corporation

ROHM Electronics Philippines, Inc.

ROHM Integrated Systems(Thailand)Co., Ltd.

ROHM Semiconductor(China)Co., Ltd.

ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.

ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.

韓国

フィリピン

タイ

中国天津

中国大連

マレーシア

半導体部品

受動部品 光半導体

LSI

2015年12月時点

ト

ラ

ンジス

タ

ダイ

オ

ー

ド

LED

/LD

抵抗器

タン

タル

コン

デ

ン

サ

セン

サ

デ

ィ

ス

プ

レ

イ

SiC

モジ

ュ

ー

ル

大きな被害が予想される地域 ＊内閣府中央防災会議資料より 200km 100マイル

例えば大きな地震が起きても、

多拠点でリスクヘッジ

震度6強  震度6弱

ローム浜松株式会社

ローム・アポロ株式会社

ラピスセミコンダクタ

宮城株式会社

6

4

3

ラピスセミコンダクタ

宮崎株式会社

5

ローム・ワコー株式会社

2

ローム株式会社(本社)

1

南海地震

予想震源地

東南海地震

予想震源地

M9

東日本大震災

震源地

大きな被害を受けた地域 震度7 震度6強 震度6弱

東海地震

予想震源地

多拠点によるリスク分散されたウエハ工場

後工程は海外で安定供給

生産拠点

ローム株式会社（本社） ローム・ワコー株式会社 ローム・アポロ株式会社 ローム浜松株式会社（免震工場） ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社 ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 1 2 3 4 5 6

京都

岡山

福岡

静岡

宮崎

宮城

LED

/LD

トランジスタ ダイオード

LSI

SiC

Block Diagram of

Industrial Equipment

Factory Automation

Power Supply

F

F

F

A市

A

A

市

市

場

場

場

向

向

向

け

け

け

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高

高速

速化

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”

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小

小

型

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様

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新技

技術

術で

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ズ

ズ

ズ

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化

化

”

”

に

に

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貢

貢

貢

献

献

献

11p

19p

[Power Supply]

AC/DC

Battery

Management

無線通信

( 特定小電力、

Wi-Fi, Wi-SUN,etc.)

有線通信 IC

(HD-PLC, USB, etc.)

Sensor

OPAMP

タッチスクリーン コントローラ 静電スイッチ コントローラ LED Driver

SiC Module

Stepping Driver

Brushless Driver

H-Bridge Driver

DC-Brush Driver

SiC MOS

Thermal

Printhead LED NUMERICDISPLAY Image SensorContact

LED

LCD Segment

Driver

Network

CPU

絶縁 DCDC

TC

EEPROM

FeRAM

FLASH

P2ROM

DRAM

DCDC

デジタルタイプ アナログタイプ

LDO

音声合成 IC

Speaker Amp

LVDS

Clockless Link

Head phone Amp

[Battery]

[Communication]

[Sensing]

[Control] [I/F]

[Memory]

[Audio]

[Display & Indicator]

[I/F]

[Drive]

[Printing]

Inverter

Motor drive

SJ MOS

SiC MOS

IGBT

FRD

シャント抵抗

IPM

IGBT

SJ MOS

Gate Driver

（絶縁／非絶縁）

FRD

シャント抵抗

SiC SBD

MOSFET

Zener Diode

Reset IC

漏電検出

Isolator

Sub CPU

LVDS

Clockless Link

GPIO

Energy Management

System

All Industry

H

H

H

H

H

E

E

E

E

E

E

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M

M

M

M

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S

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F

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最

最

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適

適

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イ

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ス

ス

ス

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シ

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ル

ル

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提

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案

案

案

案

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案

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案

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産

産

業

業

業

機

機

機

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器

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市

市

市

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場

場

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多

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多

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幅

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広

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広

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ア

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ッ

ッ

プ

プ

で

で

対

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応

応

25p

31p

Factory Automation

ファクトリーオートメーション

01:

Block Diagram

>>

Block Diagram

[Power Supply]

AC/DC

Battery

Management

無線通信

( 特定小電力、

Wi-Fi, Wi-SUN,etc.)

有線通信 IC

(HD-PLC, USB, etc.)

Sensor

OPAMP

タッチスクリーン コントローラ 静電スイッチ コントローラ

LED Driver

Stepping Driver

Brushless Driver

H-Bridge Driver

DC-Brush Driver

SiC MOS

Thermal Printhead LED NUMERIC DISPLAY Contact Image Sensor

LED

LCD Segment

Driver

絶縁 DCDC

TC

EEPROM

FeRAM

FLASH

P2ROM

DRAM

DCDC

デジタルタイプ アナログタイプ

LDO

音声合成 IC

LVDS

Head phone Amp

[Battery]

[Communication]

[Sensing]

[Control] [I/F]

[Memory]

[Audio]

[Display & Indicator]

[I/F]

[Drive]

[Printing]

Inverter

Motor drive

SJ MOS

SiC MOS

IGBT

FRD

シャント抵抗

IPM

IGBT

SJ MOS

Gate Driver

（絶縁／非絶縁）

FRD

シャント抵抗

SiC SBD

MOSFET

Zener Diode

Reset IC

漏電検出

Network

SiC Module

CPU

Speaker Amp

Isolator

Clockless Link

Sub CPU

LVDS

Clockless Link

GPIO

Featured Products

Index

>>

>>

ゲートドライバ

SiCをはじめとするパワーデバイスの制御に欠かす

ことのできないゲートドライバ。ロームのゲートドラ

イバは絶縁素子を内蔵し、業界最小パッケージを実

現。システムの小型化に貢献するとともに最適化さ

れたＬＳ

Ｉ技術により、パワーデバイスの特性を最大限

まで引き出します。

SiC パワーデバイス

従来のシリコンデバイスにはない、高耐圧、低損失か

つ高速スイッチングを実現するSiCパワーデバイス。

ロームは、業界に先駆け２０１０年より開発・量産体制

を構築。SiC-MOSFETからSBD、そしてモジュールま

で、幅広いラインアップでパワーデバイスのニーズ

にお応えしています。

シャント抵抗器

モータ制御において欠かすことのできない電流検

出回路用の抵抗器。

FA用モータ等の大電流セットに適応した高電力・超

低抵抗を実現しました。金属板 超低抵抗 高電力タ

イプ、金属板 超低抵抗タイプ、厚膜 低抵抗/長辺電

極タイプといったラインアップの拡充を進めており

ます。

13

ゲートドライバ

13

２ｃｈ ゲートドライバリファレンスボード

14

SiC パワーデバイス

15

降圧DC/DCコンバータシリーズ

15

FPGA向け面実装DC/DCモジュール

16

絶縁型フライバックDC/DCコンバータ

16

IPD

_{(インテリジェント パワーデバイス)}

16

絶縁電圧2,500Vrmsアイソレータ

17

6００Ｖ耐圧 第２世代

_{スーパージャンクションMOSFET}

17

6００Ｖ耐圧 第２世代 IGBT-IPM

17

ハイサイド ローサイドゲートドライバ

18

シャント抵抗器

18

耐硫化チップ抵抗器

FA市場向けデバイスに求められる、

“省エネ化” “高速化” “小型化” を、

様々な新技術でサポート

FA市場は世界中で急速に拡大しており、さらなる生産性の向上と

消費電力の削減、小型化に向けた機器の開発が進められています。

ロームはそのような機器に貢献できるさまざまな電子部品を用意しています。

01: Factory Automation

2,500Vmrs 絶縁素子内蔵

ロームのゲートドライバは、最先端の BiCDMOS プロセスと独自のオンチップトランスフォーマプロセス技術を融合し、絶縁素子を内蔵しています。

絶縁素子内蔵タイプとしては業界最小パッケージを実現し、システムの小型化に貢献します。また、一般的なフォトカプラ方式に比べて、「高ノイズ

耐量」

「低消費電流」

「低遅延時間」

「温度特性」に優れており、保護機能や品質要求も兼ね備え、システムの高信頼化と設計負荷軽減にも貢献します。

ゲートドライバ

P.57

SiCパワーモジュールの評価に最適

2ch ゲートドライバリファレンスボード

P.57

業界最高のノイズ耐量で

誤動作を防止

パワー半導体をスイッチング動作さ

せる際の課題となるノイズ耐量にお

いて、新たに最適な回路設計を構築

し課題を克服。 一般品の 2 倍で業

界最高となる 100kV/µs を実現し、

ノイズによる誤動作をなくすことで

アプリケーションの信頼性向上に貢

献します。

高性能化と業界最小サイズを両立

上記高性能化を可能にしながら、独自の絶縁素子形成技術と微細加工技術を駆使し

て絶縁素子をゲートドライバに内蔵すると同時に、業界最小サイズ（W x D x H =

6.5mm x 8.1mm x 2.01mm）を実現しています。絶縁素子を内蔵したことで、絶

縁用フォトカプラとゲートドライバを組み合わせて使用する場合に比べて、実装面積

を 50% 以上削減することが可能です。

SOP16WM SSOP-B20W SSOP-B28

業界最小

高  速

低消費電流

従来構成から

50％以上小型化

を実現

遅延時間

150ns

フォトカプラ方式(ICC1=0.9mA)より

1/10削減

一般品

フォトカプラ + ゲートドライバ

ローム

絶縁素子内蔵

ゲートドライバ

実装面積

50%以上削減

ゲート

ドライバ

6.5mm 8.1mm

52.65mm

2

高電圧回路の安全対策

誤動作に強い業界最高のノイズ耐量を実現

絶縁素子内蔵で、業界最小サイズを達成

ロームのオールインワンパッケージ

絶縁ゲートドライバ

● IGBT/MOS-FET をドライブするゲートドライバ

● IGBT/MOS-FET の温度マージンをモニタする機

能内蔵

●フライバック電源をオールインワンにした IC

Low Voltage High Voltage

絶縁

ゲート ドライバ 温度 モニタ

電源

マイコン IGBT CS 24V系の 基板 高電圧系の 基板 絶縁ゲートドライバIC M

300A SiC パワーモジュール評価用の 2ch ゲートドライバリファレンスボードです。絶縁 DC/DC コンバータを内蔵し、単電源で構成可能です。

短路検出やミラークランプ、ゲート状態監視など多彩な保護機能も搭載しています。

● 300A/1200V SiC パワーモジュール（BSM300D12P2E001）を直接駆動が可能

● ローム製絶縁内蔵ゲートドライバ BM60052FV を採用

絶縁 DC/DC コンバータを内蔵

● SiC-MOSFET の短絡検出、ソフトターンオフ、FLT 出力 UVLO、ゲート監視出力、ミラークランプ

Size (mm)

100 × 65

Power Supply (V)

12 to 28

Output Forward-Bias (V)

+17 to +19

Output Reverse-Bias (V)

-3 to -5

Isolation Voltage (Vrms[1min])

2,500

Input Signal Frequency (kHz)

DC to 100

Operating Temperature (°C)

-40 to +70

10ns 10ns 10ns 10ns ゲート駆動出力 : L ゲート駆動出力 : H VEE2 GND1 Noise Simulator ローム測定による 【条件】 Ta=25℃ VCC1=5V,VCC2=15V,VEE=-8V OUT1_H/L=No Load,VCM=1500V

ノイズ測定回路

GND1-VEE2 GND1-VEE2 157kV/us 157kV/us ゲート駆動出力 ゲート駆動出力 GND1-VEE2 GND1-VEE2 141kV/us 141kV/us ゲート駆動出力 ゲート駆動出力 GND1-VEE2 163kV/us 163kV/us ゲート駆動出力 ゲート駆動出力 147kV/us 147kV/us ゲート駆動出力 ゲート駆動出力 GND1-VEE2 GND1-VEE2

高ノイズ印加試験例 BM6104FV-C

ゲート駆動出力Low/High時共に誤動作無し GND1-VEE2 V系の 高電圧系の 基板 ゲ

Specifications

Applications

● 産業機器、インバータ

● 電源装置

● ソーラーインバータ

01: Factory Automation

省エネ化と小型化、SiＣは次世代の

「エコデバイス」

「高耐圧」

「低損失」などの特長で、太陽光発電用パワーコンディショナーから産業機器向けの電源など、従

来の Si パワーデバイスにはない用途での活用が期待されている SiC パワーデバイス。ロームは、SiC パワー

デバイスのさらなる低損失化を実現するダブルトレンチ構造の SiC-MOSFET を世界に先駆けて量産するな

ど、社会システムの小型化と省電力化に貢献する SiC パワーデバイスの進化に積極的に取り組んでいます。

SiC パワーデバイス

P.71

電力損失を大幅に削減、耐熱性が高く小型化が可能

電力変換や電力制御に利用されるパワーデバイス。分野において、

SiC（シリコン・カーバイド）は、次世代の材料として注目されてい

ます。従来用いられていた Si（シリコン）と比べて、低オン抵抗で、

高速スイッチング、高温動作が可能なパワーデバイスが実現できます。

電源、自動車、鉄道、産業機器、家庭用民生機器など、様々

な場所で活躍する SiC パワーデバイス

SiC パワーデバイスを使用することにより、機器の小型化・低消

費電力化が可能です。高耐圧、高耐熱性に優れた特性をもつこ

とから、今まで使用できなかった小さなスペースや過酷な環境下

での実装も可能です。例えば、太陽光発電に適用した場合、電

力損失率を 50％程度改善可能で地球環境問題への大きな貢献が

期待できます。

SiC においても一貫生産体制を確立

ロームでは SiC 生産においても一貫生産体制を確立しています。

２００９年にはドイツの SiC ウエハメーカ、SiCrystal 社をグループ

企業に加え、ウエハからパッケージ、モジュールの製品まで全て

の工程を自社で行っています。

従来型半導体とSiCの性能差

電力損失比較

Block Diagram

Driver IC Function

絶縁破壊電界（MV/cm）

バンドギャップ（eV）

熱伝導率(W/cm℃)

Si

0.3

/ SiC

3.0

Si

1.1

/ SiC

3.2

Si

1.5

/ SiC

4.9

高温動作

（250℃以上）

高放熱性

高耐圧

低オン抵抗

高速SW

・高電圧、大電流化

・導通損失低減

・スイッチング損失低減

・冷却機構の小型化

・高パワー密度化

・機器の小型化

SiC Di

SiC Tr

Si(IGBT+FRD) 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 (W) SiC(MOSFET+SBD) 導通損失 ［w］ オフ時の スイッチング 損失［w］ オン時の スイッチング 損失［w］

電力損失は47%減

スイッチング損失は85%減

測定条件 Tj=125℃ 電圧600V 電流100A 1アームでの電力損失 GND1 FLT ENA INA INB RDY RT FB COMP V_BATT VREG FET_G VREG Maxduty Slope SENSE SENSOR GND1 OVP OSC VFB FLT FLT FB UVLO2 VEE2 OUT2 OUT1L OUT1H NC NC DESAT VTSIN PROOUT VEE2 VCC2 UVLOIN MODE GND2 UVLO2 UVLO2 DESAT TS Filter Filter Filter LOGIC OSC Softstart UVLO_VREG TS DESAT UVLO_BATT INA,INB,ENA Timer OC OSC COMP LOGIC + R S O R S O R S O R S O -+ -+ -+ -+ -+ -UVPUVLO_BATT 1pin RT FB COMP V_BATT VREG FET_G VREG Maxduty Slope SENSE GND1 OSC VFB OSC OSC + R S O -+ -F U SENSOR VTSIN OUT2 OUT1L OUT1H NC VEE2 1pin UVLO_VREG UVLO_BATT U 6 9 4 5 8 3 2 7 1 11 10 12 Isolation ①2,500Vrms

High Speed I/O delay < 120ns, Min. input pulse = 70ns

Safety ②Fault output, ③UVLO1, ④UVLO2, ⑤DESAT, ⑥Temp Shut Down, ⑦RDY, ⑧Miller Clamp (OUT2),

⑨Soft turn off (PROOUT; adjustable) Gate Drive ⑩3A separated output (OUT1H / OUT1L),

⑪Negative Power Supply (VEE2) ⑫Flyback controller 8 9 +24V GND1 1 2 A_INA A_INB G-A S-A /D-B RG1A RG2A D-A CN1 TH1 DESAT detection BM60052FV-C Gate Drive DC/DC Converter DC/DC Converter Miller Clamp PWM Control PWM Control LOGIC LOGIC LOGIC LOGIC UMLO DESAT detection Gate Drive UMLO 12V to 28V 18V 0V -4V Soft turn off

Miller Clamp Soft turn off 各回路へ 各回路へ 各回路へ 各回路へ 各回路へ 安定化回路 BM60052FV-C 安定化回路 A_ENA 4V A_FLT A_RDY RG1B RG2B 18V 0V -4V 4V 3 4 B_INA B_INB B_ENA B_FLT B_RDY TH114 10 11 5 6 8 9 7 G-B S-B 13 5 6 7 10 11 12 各回路へ 絶縁型DCDC コンバータ内蔵 ゲート状態の監視 短絡を検出 短絡保護 （DESAT 機能）内蔵

01: Factory Automation

産業機器に最適な幅広いラインアップ

降圧DC/DCコンバータシリーズ

P.55

ロームの降圧 DC/DC コンバータは、入力電圧と出力電流の製品マトリ

クスから、お客様の要求仕様に最適な電源ソリューションを提供すること

が可能です。また、産業機器市場向けに製品の長期安定供給や 250 個

巻リール※での小ロット対応も行っています。

※一部の製品で対応

Block Diagram

アプリケーション回路

仕 様 概 要

Features

Ｐｒｏｄｕｃ

ｔ Ｆａｍｉ

ｌ

ｙ

VIN BOOT EN COMP AGND PGND FB SW VIN Enable 10μF 4.7μH 22μF 24V VOUT アプリケーション回路図 BD9E300EFJ-LB BD95602MUV-LB BD95601MUV-LB BD9327EFJ-LB BD9C301FJ-LB BD9A301MUV-LB,BD9B301MUV-LB BD9E300EFJ-LB, BD9E301EFJ-LB BD9E303EFJ-LB BD9325FJ-LB BD9A101MUV-LB BD9106FVM-LB, BD9109FVM-LB BD9161FVM-LB BD9E100FJ-LB, BD9E101FJ-LB BD9G101G Controller 4.0 3.0 3.3 5.0 12 24 48 2.5 2.0 1.0 0.8 0.5 Controller 4.0 3.0 2.5 2.0 1.0 0.8 0.5

Output Current (A)

Input Rail Voltage (V)

BD9G341AEFJ

同期整流、1MHz動作で省スペース化

従来品 非同期整流方式スイッチング周波数 300kHz New 同期整流方式 スイッチング周波数 1MHz 実装面積 50% Down

FPGA向け面実装DC/DCモジュール

仕様を決めて置くだけで

FPGAに最適な電源ブロックが簡単に完成！

固定オンタイム制御の採用により、従来方式より業界最高効率の負荷応答性を実現し、シス

テムの安定化に貢献します。DC/DC モジュールに必要な部品を全て内蔵しており、システ

ム上での電源設計を簡単にすることが可能です。

● FPGA ボードの裏面と実装が可能（リフロー２回対応）

● 外付け部品不要

● 小ロット対応（１リール 250pcs）が可能

● 入力電圧範囲

： 2.7V ∼ 5.5V

● 出力電圧範囲

： 1.2V±3%

（ 抵抗外付けで 0.9V,1.0V,1.1V 可変）

● 出力電流

： 3A

● スイッチング周波数 ： 1MHz (Typ.)

● 固定オンタイム制御 DC/DC コンバータ

● 同期整流タイプ

● 過電流保護

● サーマルシャットダウン

● UVLO 機能

【出力電圧設定抵抗】

Open：1.2V

指定抵抗値外付各：

0.9V ／ 1.0V ／ 1.1V

1ch 降圧型 DC/DC を外付け含め１パッケージ化

⇒入出力のコンデンサも内蔵

Vin EN PGD FB GND Vout SVout MOSFET 内蔵 同期整流型 制御 IC

FPGAに最適な電源ブロックが簡単に完成！

SOP-J8 VQFN020V4040VQFN032V5050V MSOP8 VQFN016V3030 HTSOP-J8

● 幅広い入力電圧に対応した

高効率な製品をラインアップ

● 同期整流方式で外部ダイオード不要

● 高耐圧で省電力・省スペース電源を実現

01: Factory Automation

Block Diagram

使用例

フォトカプラ＆補助巻線不要により小型化を実現

高速で安定動作を実現

絶縁型フライバックDC/DCコンバータ

P.57

絶縁電圧2,500Vrmsアイソレータ

P.50

絶縁型フライバック DC/DC コンバータは、一次側のフライバック電圧制御により、二次側の出

力を安定化できるため、絶縁境界をまたぐ部品と寿命考慮部品を不要にし、AC/DC コンバータ

や DC/DC コンバータの信頼性向上に貢献します。

● 適応型オンタイム制御による高速負荷応答を実現

自動軽負荷モードにより全負荷領域で高効率を実現

● 絶縁境界をまたぐ部品が不要となり機能安全を向上

● 有限寿命部品が不要となり長期稼働を実現

● クロスレギュレーションに優れたマルチ出力構成に対応

■

高速駆動

絶縁トランスチップを内蔵し、2,500Vrms の絶縁電圧を有する最大伝達遅延時間

45nsec の高速アイソレータです。高速データ伝送を可能にします。2ch 双方向、片

方向のラインアップがあります。

VIN SDX/EN AGND PGND SW VIN VOUT+ V OUT-REF FB COMP VOUT+ V OUT-FB 60V MOSFET 内蔵 広い入力電圧範囲 3.0V∼40V 2 次側 SBD の負荷補償機能搭載 2 本の抵抗と、トランス巻線比にて 出力電圧設定可能 フォトカプラ、3 次巻線不要の 1 次側フィードバック制御

Inverter

Controller

Isolator Gate Driver

VIN VOUT_L

Gate Driver

UL

WL VIN VOUT_L VOUT_L

Isolator Gate Driver BD7F100HFN-LB

BD7F100HFN-LB

BD7F100HFN-LB

VIN VOUT_UH

UH VIN VOUT_UH VOUT_UH

GND_L

GND_L GND_L GND_UH GND_UH

GND_UH

Isolator Gate Driver

VIN VOUT_WH WH VIN VOUT_WH VOUT_WH GND_WH GND_WH GND_WH Isolator HSON8 HTSOP-J8 HSON8

8chローサイドスイッチ・1ch/2chローサイドスイッチ

IPD（インテリジェント パワーデバイス）

P.60

■ 8ch ローサイドスイッチ

● 診断機能

● SPI 制御可能

● 低オン抵抗 RON=700m Ω（Typ.）

● 保護回路内蔵

● アクティブクランプ回路内蔵

● 小型パッケージ

■ 1ch/2ch ローサイドスイッチ

● アクティブクランプ回路内蔵

● 低電圧オン抵抗保証（IN=3V)

● 保護回路内蔵

Block Diagram

Block Diagram

リレーコイル駆動用1chローサイドSW

過電流、加熱、負荷オープンの検出などの異常に対し Status 出力をマイコンに送る Load DRAIN VDD Sourse (GND) VDD 5V OCP OVP UVLO Logic Input Open det IN ST SOP-J8 (BM2Lxxx-C) SOT223-4 (BV1Lxxx-C) HTSSOP-B24

Turn ON time (Ta = 25 )

Turn OFF time (Ta = 25 )

4ns/div 4ns/div IN1 (2V/div) 70 60 50 40 30 20 10 0 -100 -50 0 50 100 150 OUT1 (2V/div) IN1 (2V/div) OUT1 (2V/div)

19.6ns

20.5ns

< Conditions >

Product: BM67221FV, ROHM EVALUATION BOARD VCC1=5.0V, VCC2=5.0V, OUT1=No Load

伝達遅延時間

温度特性

Ta ( )

Delay time (ns) Turn off time Turn on time

01: Factory Automation

幅広い電源回路に対応！

AC100∼240Vrms系モータ制御を1パッケージで実現

高耐圧６００V

600V耐圧 第2世代

スーパージャンクションMOSFET

P.77

6００Ｖ耐圧 第２世代 IGBT-IPM

P.73

ハイサイド ローサイド ゲートドライバ

P.57

（インテリジェントパワーモジュール）

最先端の高耐圧プロセスを採用し、業界最高レベルの低オン抵抗を実現しました。

従来の Planar MOSFET と比較し、オン抵抗を 80%、QG（ゲート電荷容量）を

40% 低減しています。

標準タイプ（AN シリーズ）に加え、低ノイズタイプ（EN シリーズ）

、高速スイッチ

ングタイプ（KN シリーズ）をラインアップしています。

実績十分の高耐圧・低損失パワーデバイス（IGBT）に高効率制御回路を

内蔵し、扱いやすいように 1 パッケージ化しました。デバイスのもつ高い

パフォーマンスを最大限に引き出せるよう最適化しているため、モータア

プリケーションを極めて簡単に、かつ高効率で実現することが可能です。

Features

● アプリケーションに応じた IGBT 最適化設計低速 / 高速スイッチング用途の

2 シリーズをラインアップ

● IGBT、FWD（Free Wheeling Diode）

、 ブ ートストラップ ダ イオ ード、

ゲートドライバを 1 パッケージに搭載

● 充実の保護回路（短絡電流保護、 電源電圧低下保護、 熱遮断回路）と

保護回路動作時の FAULT 信号出力機能

● フローティング端子耐圧 +600V

● ゲートドライバ電圧範囲 10 ∼ 18V

● 両チャネルに低入力誤動作防止回路 (UVLO) 搭載

● 3.3V 及び 5.0V のロジック電圧入力可能

● 入力信号に対して同相出力用途

ブートストラップ方式を用いた 外付け Nch-FET 及び IGBT 駆動可能な

600V 高耐圧ハイサイド / ローサイドゲートドライバです。入力ロジック電

源電圧に 3.3V 及び 5.0V が使用可能です。保護機能として VCC-GND

間及び VB-VS に低入力誤動作防止回路 (UVLO) を搭載しています。

CPT (DPAK) TO-252 (DPAK) LPTS (D2PAK) TO-220FM TO-247

低オン抵抗

（AN シリーズ/EN シリーズ）

低ノイズ

（EN シリーズ/KN シリーズ）

高速スイッチで高効率

（KN シリーズ）

Planar 1st _{Generation SJ 2}nd _{Generation SJ}

100

80%

lower

65%

lower

100

100

35

35

20

20

40

%

Lower

IC Input 100V / 60Hz Output 120W 0.36 0.34 0.38 1.14 0.68 0.82 1.50 1.02 1.20 0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 R6020ENX R6020KNX Company B LOSS (W)

Switching Loss Conduction Loss

(Low Noise) (High Efficiency) (High Efficiency) SW Loss

40

% Lower 高速SWが特徴のKNシリーズは 低損失高効率に特化した電源回路におすすめ Frequency (MHz) LIMIT (Quasi Peak)

R6020ENX (Low Noise Type)

R6020KNX (High Efficiency Type)

Competitor A

dBμV/m

Frequency (MHz)

R6020ENX (Low Noise Type)

ENシリーズは非常にノイズが

小さく、ノイズ対策が必要な

電源回路におすすめ

High Side Gate Driver (HVIC) Low Side Gate Driver (LVIC) P U V W NU NV NW GND CIN FO LVCC LINW LINV LINU GND HVCC HINW HINV HINU VBW VBV VBU

HVIC

High-side

Gate Driver

･ブートストラップ ダイオード電流 制限機能 ･フローティング 電源UVLO

Inverter Part

(IGBT and FWD)

･低損失フィールドス トップトレンチIGBT ･超低VFファストリカ バリダイオード

Bootstrap

Diode

･ファストリカバリ ダイオード

UVLO : Under Voltage Lock Out （電源電圧低下時誤動作防止) SCP : Short Circuit Protection

(短絡電流保護） TSD : Thermal Shut Down

（熱遮断） Protect Circuit （保護回路）

(

)

LVIC

Low-side

Gate Driver

･UVLO, SCP, TSD ･Fault 信号出力

)

(

HSDIP25

Features

SOP8 5.00mm×6.20mm×1.71mm(Max.) LIN HIN TO LORD Up to 600V VCC VB HO VS LO LIN HIN VCC COM

ON-Resistance Comparison (TO-220 Package) RADIATED EMISSION H (dBμV/m) 100V/60Hz Input 146W Evaluation Circuit : PFC Circuit Critical Mode

01: Factory Automation

高度な信頼性要求に適応

耐硫化チップ抵抗器

P.89

ローム独自の構造の採用により、耐硫化性を大幅

に向上。

2012、3216 サイズもラインアップ予定。

< 表面温度比較 >

<トリミングレス構造により電流検出精度向上 >

< 長辺電極構造を採用 >

■

ラインアップ

■

対硫化特性（断線率）

大電流セットでの電流検出用途に適応

高電力が必要なセットの電流検出用途に最適な「高い定格電力」

「超低抵抗」が特徴です。

抵抗体金属に高機能合金材料を採用したことで、低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数 (TCR) を達成しました。

シャント抵抗器

P.89

■

金属板 超低抵抗 / 高電力タイプ（PSR シリーズ）

■

金属板 低抵抗 / 高電力タイプ（GMR シリーズ）

■

厚膜 低抵抗 / 長辺電極タイプ（LTR シリーズ）

● 3W ∼ 5W クラスの大電力

● 0.2m Ω∼超低抵抗

● 凸型形状を採用

● 特殊合金の採用により

低 TCR を実現

● 最大 5W の大電力

● 独自の新構造による優れた放熱性と

優れた温度サイクル強度

● 特殊合金の採用により低 TCR を実現

● 長辺電極の採用により従来の抵抗器

に比べ高電力を実現

● 長辺電極の採用により温度サイクル

に対する信頼性を向上

GMR320 GMR100 精密溶接技術と高機能合金で高電力化 電極(Cu) 電極(Cu) 抵抗体金属 (Ni-Cr/Cu-Mn系高機能合金) 精密溶接部 超低抵抗領域でも優れた抵抗温度係数を達成 250 200 150 100 50 0 -50 -100 -150 -200 -250 抵抗温度係数 ppm/℃ 0.2m 0.5m 2.0m 0.3m 1.0m PSR500 PSR400 3.0m Ave. Max. Min. +20ºC ~ +125ºC サイズ (mm{inch}) 低抵抗MCRシリーズ 低抵抗LTRシリーズ 2012 (0605) 3216 (1206) 0.25W 0.25W

0.5W

1W

2∼4倍

にアップ チップ長辺方向を 電極とし、はんだ 結合信頼性を向上

インダクタンスが大きいと

高精度な電流検出が困難

インダクタンス成分軽減

検出誤差が少なく、高精度

電圧

電流

電圧

電流

L

dl

_dt

従来構造 ( トリミングあり )

PMR シリーズ ( トリミングレス )

Quick Reference of Resistance Range

( Part No. / mm[inch] )

10m ★GMR320 / 7142[2817] 220m 10m ★GMR100 / 6432[2512] 220m 100m 910m 10m 91m 10m 1m 1m 2.2m 3m 0.3m 3m 0.3m 2m 0.2m PSR500 / 15×7.75[5931] PSR400 / 10×5.2[3921] ★PSR100 / 6432[2512] PML100 / 6432[2512] PMR100 / 6432[2512] LTR100 / 6432[2512] ★LTR100 / 6432[2512] 0.5m★PML50 / 5025[2010]2.2m 5m 1m PMR25 / 3225[1210] 0.5mPML18 / 3216[1206]2.5m 10m 1m PMR18 / 3216[1206] 9.1 47m MCR100 / 6432[2512] 10m 1m PMR50 / 5025[2010] 10m LTR18 / 3216[1206] 1 10m ★LTR50 / 5025[2010] 910m

5

4

3

2

1

1.5

Rated Power (W)

0.1m

1m

10m

100m

1

10

Resistance[Ω]

PSR GMR PMR PML

Metal Strip

UCR LTR MCR

Thick Film

PSR500 PSR100

■

金属板 超低抵抗タイプ（PMR シリーズ）

● 最大 2W クラスの大電力

● ローム独自のトリミングレス構造採用

● 豊富なサイズラインアップ

タイプ(mm{inch})サイズ 定格_電力 抵抗値_許容差 抵抗値範囲_(Ω) 抵抗温度係数_(ppm/℃) 使用温度_範囲 SFR01 ₍₀₄₀₂₎1005 SFR03 ₍₀₆₀₈₎1608 0.063W 1~9.1(E24) +500/-250 ±200 ±100 −55~155℃ ±400 ±200 ±100 10~10M(E24) 10~2.2M(E24/96) 1~9.1(E24) 10~10M(E24) 10~2.2M(E24/96) 0.1W J (±5%) F (±1%) J (±5%) F (±1%) ( ローム限界試験 ) ・温度 110℃ ・硫黄粉末 :10g ・デシケーター ・n=10pcs 従来耐硫化品 寿命 750h 時間 (h) 断線率 (%) 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 500 1000 1500 2000 SFR series 従来耐硫化品 汎用チップ PSR400 GMR100/10m Ω 107℃ 他社品 /10m Ω 140℃

Power Supply

電源装置

02:

Block Diagram

>>

Block Diagram

[Power Supply]

AC/DC

Battery

Management

無線通信

( 特定小電力、

Wi-Fi, Wi-SUN,etc.)

有線通信 IC

(HD-PLC, USB, etc.)

Sensor

OPAMP

タッチスクリーン コントローラ 静電スイッチ コントローラ LED Driver

Stepping Driver

Brushless Driver

H-Bridge Driver

DC-Brush Driver

SiC MOS

Thermal Printhead LED NUMERIC DISPLAY Contact Image Sensor LED

LCD Segment

Driver

絶縁 DCDC

TC

EEPROM

FeRAM

FLASH

P2ROM

DRAM

DCDC

デジタルタイプ アナログタイプ

LDO

音声合成 IC

LVDS

Head phone Amp

[Battery]

[Communication]

[Sensing]

[Control] [I/F]

[Memory]

[Audio]

[Display & Indicator]

[I/F]

[Drive]

[Printing]

Inverter

Motor drive

SJ MOS

SiC MOS

IGBT

FRD

シャント抵抗

IPM

IGBT

SJ MOS

Gate Driver

（絶縁／非絶縁）

FRD

シャント抵抗

SiC SBD

MOSFET

Zener Diode

Reset IC

漏電検出

Network

SiC Module

CPU

Speaker Amp

Isolator

Clockless Link

Sub CPU

GPIO

LVDS

Clockless Link

Featured Products

Index

>>

>>

ロームのパワーデバイスは、電源装置の

“省エネ化”

“小型化”

“低ノイズ化”に貢献

より多くの電力を扱う電源装置では、高効率化と無効電力の低減を

強く求められます。ロームでは、これらに大きく貢献するデバイスを、

小型機器から大型機器向けまで、多彩にラインアップしています。

21

リチウムイオン電池監視LSIシリーズ

21

蓄電素子(EDLC)セルバランスIC

22

AC/DCコンバータICシリーズ

22

アクティブクランプ

_{絶縁DC/DCコントローラ}

23

SiC駆動用

_{AC/DCコンバータ制御IC}

23

SiC−MOSFET

23

SiC-SBD (ショットキーバリアダイオード）

24

スマートレギュレータ

24

低耐圧MOSFET

リチウムイオン電池監視LSIシリーズ

蓄電デバイスとして、

ますます搭載が増えるリチウム

イオン電池。ラピスセミコンダクタの電池監視LSIシ

リーズは、大容量化、高電圧化、多セル化に対応する

豊富なラインアップで、業界トップクラスの高精度と

低消費電力を実現します。

蓄電素子（EDLC）

セルバランスIC

エネルギー回生市場、瞬低

（瞬時電圧低下）

対策など

で市場が拡大しているＥＤＬＣ

（電気二重層キャパシ

タ）

。小型で簡単に実装でき、安心の保護機能も内蔵

したEDLCセルバランスICを商品化しました。

SiC駆動用AC/DCコンバータ制御IC

産業機器で採用が進むSiC-MOSFETの駆動に最適

なAC/DCコンバータ制御ICを開発しました。部品点

数の削減や小型化、省電力化が求められるAC/DC

コンバータ市場にSiCパワー半導体で新たな価値を

提供します。

SiC パワーデバイス

従来のシリコンデバイスにはない、高耐圧、低損失か

つ高速スイッチングを実現するSiCパワーデバイス。

ロームは、

２０１０年より開発・量産体制を構築。

SiC-MOSFETからSBD、そしてモジュールまで、幅

広いラインアップでパワーデバイスのニーズにお応

えしています。

02: Power Supply

4∼6セル直列対応

エネルギー回生、瞬低対策などで市場が拡大している、EDLC（電気二重層キャパシタ）の安定化・

長寿命化に貢献するセルバランス機能を 1 チップ化した IC です。従来、ディスクリートで構成さ

れていた部品ごとのばらつきを気にする必要がなくなり、小型でシンプルかつ高信頼の EDLC シ

ステムを構築することが可能になります。 最大 6 セルまで制御可能なセルバランス機能に加え、

IC を複数個直列に接続すれば、より高電圧のアプリケーションに対応することも可能です。

短路検出やミラークランプ、ゲート状態監視など多彩な保護機能も搭載しています。

Block Diagram

① 自己完結型 EDLC バランス機能

② 4 ∼ 6 セル直列接続に対応

③ シンプルにバランス可能なシャント抵抗方式採用

④ 検出電圧の設定でさまざまな出力電圧の EDLC

に対応 (2.4V ∼ 3.1V / 0.1V ステップ設定 )

⑤ IC の直列多段接続で容易な拡張性

⑥ 安心の制御コントロール / 過電圧検出機能更に安

心のセルフヘルスチェック機能

蓄電素子(EDLC)セルバランスIC

P.58

② 6直EDLC接続 SWDET SWDET SWDET SWDET SWDET SWDET CONTROL BLOCK Cell Voltage Monitor (Full charge) (Over charge) Cell Voltage Balancer Control ON/OFF Control ENIN VO_OVLO1 VO_OVLO2 VO_OK TEST0 OVLOSEL VREG VREG VCC VSET0 VSET2 VSET1 C6 D6 S6 C5 D5 S5 C4 D4 S4 C3 D3 S3 C2 D2 S2 C1 D1 S1 VSS REG ③ セルバランス部  シャント抵抗方式 ⑥ 過電圧検出制御 ① セルバランス  コントロール ④ 検出電圧設定端子 ⑤ 入出力IF： 下位バランスIC、マイコンなどへ HTSSOP-B30 (10.0x7.6x1.0mm)

■1チップ化でシンプル設計を実現

■容易な拡張性

問題点・部品点数が多い・多大な部品スペース ・各種検出機能の不足 ICにて機能1チップ化 省スペース化を実現(38％削減) 過電圧検出などの大幅な機能UP 部品スペース 部品スペース

244

244

mm2

244

mm2

151

151

mm2

151

mm2 2014年11月 ローム調べ 1チップ化により、 シンプル設計を実現 1チップ化により、 シンプル設計を実現 1チップ化により、 シンプル設計を実現 1チップ化により、 シンプル設計を実現 コンパレータ

×18

FET×6 抵抗

×6

1

チップIC

×1

抵抗

×6

（従来）ディスクリート構成 BD14000EFV-C

38

8

8

38

%

%

%

%

38

% 削減！

38

% 削減！

2.4V 2.8V 3.0V 精度：±1%(Ta=25℃) BD14000EFV-C BD14000EFV-C BD14000EFV-C BD14000EFV-C 多種のEDLCに対応

簡単連結、複数直列接続可能

検出電圧調整

2.4

∼3.1V

(0.1Vステップ )

80V高耐圧プロセス採用、直列16セルまで対応

エネルギー密度の高いリチウムイオン電池は、今後、電動自転車、蓄電装置などへの展開が期待

されており、電池の大容量化やプラットフォームの共通化のために、システムの高電圧化への対応

が求められています。ラピスセミコンダクタの電池監視 LSI は、実績豊富なミックスドシグナル回

路技術と高耐圧プロセスにより、産業機器向け多セル用として、 業界トップクラスのセル電圧測定

精度、低消費電流を実現し、 システムの小型化・高信頼化に貢献します。

業界最小の低消費電流を実現

動作時

消費電流を従来品比約 50％減の 25μA（＠ Typ. 値）と業界

最小値を達成したことで、システムの省エネ化にも貢献します。

パワーダウン時

業界最小の低消費電流 0.1μA（＠ Typ.）を継承。

電池パックの長期保管時でも電池容量にほとんど影

響与えず、充電された電池を無駄にしません。

業界トップクラスの電圧検出精度で、

充電効率を 7％向上

高精度な過充電検出精度を実現。電池パック内の各

セル電圧を、± 15mV と高精度で検出できるため、

従来の± 50mV の場合と比較して、電池の充電効

率が最大で 7% アップします。

各種異常検出・保護機能をマイコンレスで

実現し、実装面積を 20% 削減

温度検出回路とショート電流検出回路を内蔵したこと

で、マイコンレスで充放電時の異常温度（高温）検

出と電池パックのショート検出が可能になりました。

これにより、実装面積を約 20%、主要な部品点数を

4 個から 1 個に削減。MOSFET、電流検出用シャン

ト抵抗およびサーミスタを外付けすることで完全ハー

ド化できるため、電池保護システムの小型化はもち

ろんのこと、お客様の開発負担も軽減します。

リチウムイオン電池監視LSIシリーズ

P.58

リチウムイオン電池 ■ ML5233のシステム構成 FET サーミスタ シャント抵抗 電池監視 LSI ML5233 温度検出、 電流検出 内蔵 主要部品点数

4個

から

1個

に削減!

消費電流比較

検出動作時

50

μA 検出動作時

50

μA _{検出動作時}

25

μA 検出動作時

25

μA

従来品

ML5233

50

％削減

消費電流

従来品

ML5233

充電効率比較

7

％

UP

充電効率

電圧検出精度：±50ｍV 電圧検出精度：±15ｍV LQFP32 9×9mm

Features

Features

02: Power Supply

ローム製スーパージャンクション MOSFET 採用により、業界最高クラスの高効率と小型化を実現。

電流値や保護回路など、豊富なラインアップでアプリケーションに合わせて柔軟な選択が可能です。

アクティブクランプ方式、電流モード、絶縁型スイッチングレギュレータ用の PWM コントローラです。

1 次側 MOSFET 制御信号とタイミング調整可能な 2 次側同期整流 MOSFET 制御信号出力も搭載しています。

入力電源電圧は最大定格 20V で、起動用外部レギュレータを大きい電圧に設定することが可能です。

高効率２次側同期整流FET用ドライバ内蔵

アクティブクランプ絶縁DC/DCコントローラ

P.57

高効率

90% 以上も可能

高効率の実現により、

機器の省エネ化に貢献

効 率 向 上 の ために高 性 能 なロ ー ム 製

スーパージャンクション MOSFET を採

用するとともに、内蔵 MOSFET の性能

を最大限に引き出したシリーズです。

＠AC100V ＠AC230V 現状 同等クラス品 現状 同等クラス品 新製品 BM2P014 ロームの 新製品 BM2P014 ロームの 独自のSJ-MOSFET採用で 新国際高率規格をクリア！ 効率（％）

25Wアダプタでの効率比較

86.10％

87

.00％ 85.70％

86

.42％ EnergyStar6規格

86.

35% 部品のフィッティングで

90

％以上も可能

小型パッケージを

実現

低発熱により小型パッケージを実現

一般的なプレーナータイプの MOSFET

と比べ発熱の少ないローム製スーパー

ジャンクション MOSFET を採用すること

により小型化に成功しました。

47

％削減 ハイパワー挿入タイプ 組込み電源やアダプタに最適 DIP7 9.2×6.35×4.3（ｍｍ） 小型面実装タイプ 小型家電向けに最適 SOP8 6.2×5.0×1.5（ｍｍ） 実装面積

待機電力

大幅削減で低消費

効率改善で

待機電力も大幅に低減

650V 耐圧でありながら、低オン抵抗、

低ゲート電荷量、高速スイッチングを実

現したパワー MOSFET により、待機時

の消費電力削減にも貢献します。

BM2P014を使用した25Wアダプタでの待機電力 （ローム評価による） 20mW以下 30mW以下 @AC100V @AC230V （待機電力）

Energy Star 6(ES6) 欧州連合要求 クリア 210ｍW以下 100ｍW以下 50ｍW以下 ES6-＠AC230V要求 ES6-＠AC100V要求 欧州連合要求 200 150 100 50 0 出力電力(mW)

650V耐圧 スーパージャンクションMOSFET内蔵

AC/DCコンバータICシリーズ

P.56

SOP8 DIP7

Block Diagram

Features

VLINE＝72V

Iout Load current-A

Efficiency-%

0

40

50

60

70

80

90

100

1

2

3

4

5

6

7

8

出力電圧 12V 設定 効率特性

VLINE＝48V VLINE＝36V

● 抵抗プルダウンにて、条件を設定可能

● 4 つのドライバを搭載

● 広範囲入力電圧に対応 (VCC 端子 /VDD 端子 Max.20V)

● カレントモード PWM コントロール

● 2 種類の過電流保護システムに対応 ( パルス - バイ - パルス、ヒカップ )

● 減電保護 (LINEUV)、サーマルシャットダウン等異常時には

ソフトオフ機能により 2 次側 SW、MainSW の異常電圧 / 電流を防止

● 並列運転用同期機能を搭載で高効率化

TSSOP-B30 Wake up REG VLINE VOUT CS VCC/VDD AUX OUT OUT2F OUT2R PGND LINEUV VREF SS FB SAWH RTON RDELON RDELSLF RDELSLR1 RDELSLR2 CLKOUT SYNG GND RDELOFF RTOFF ERROR AMP. 4 つのドライバを搭載 ・1 次側 Main 出力 (OUT) ・Active Clump/Reset 出力 (AUX) ・2 次側同期整流 (OUT2F,2R) ・PWM Max ON 区間 ・PWM Min OFF 区間 ・電流モードスロープ帰還量 抵抗プルダウンにて、下記条件を設定可能 ・1 次側デッドタイム (Main ON) ・1 次側→2 次側 delay ・2 次側デッドタイム (QR/QF ON)

Features