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2012年試験問題

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Academic year: 2021

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(1)

基本的にどのような種類の素子を用いてもかまいません。問題中に不明な点がある場合や手元に規格がない場合 は、各自判断して答え、その旨を記して下さい。(問題は 2 ページあります) 1. 論理式 A· B + C + D を実現する CMOS トランジスタの接続図を示せ。 2. 図のレイアウトに対応するゲートの論理式を示せ。 p-diff n-diff p-well poly metal Z A B C 図 1: レイアウト 3. 図の回路において Y の真理値表を描け。 B A B B Y C C 図 2: 問題3の回路 4. 図の回路の X 点のタイミングチャートを描け。 D Q Q D Q Q CLK A X CLK A 図 3: 問題4の回路 5. 図の回路の最大動作周波数を計算せよ。 6. DRAMにリフレッシュ操作が必要な理由を簡単に説明せよ。

(2)

D Q Q D Q Q CLK 74AS00 74AC74 図 4: 問題 5 の回路 7. 図の回路の X 点の電位を求めよ。 5V R R X 図 5: 問題 7 の回路

8. 下は SPARTAN-6 の規格表の一部である。LVCMOS25 を選択し、VCCO=2.5V で利用した際の L レベル,H レ ベルに対するノイズマージンをそれぞれ計算せよ。

図 6: 問題 8 の規格表 9. SPARTAN-6が様々な入出力を持つ理由を簡単に説明せよ。

図 6: 問題 8 の規格表 9. SPARTAN-6 が様々な入出力を持つ理由を簡単に説明せよ。

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