(12)特許協力条約に基づ て公開さ
れた国際出
願 (19)世界 知的所有 権機関 国際事務局 (10)国際公開番号 (43)国際公開日 2009年 10月 1 日(01.10.2009)WO 2009/119681 A l
(51) 国際特 許 分類 足 1丁目1 0 番 1 号 株 式 会 社 村 田製作所内 HOlC7/04(2006.01) H OC17/22 (2006.01) Kyoto (JP). (21) 国際 出願 番 号 PCT/JP2009/055989 (74) 理人: 國 安 (KUNIHIRO, Y㏄utoshi); 〒 5320011 大 阪府 大 阪市 淀 川 区 西 中島5 T 目1 4 (22) 国際 出願日 2009 年 3 月25日(25.03.2009) — 1 O カ トキチ新 大 阪ビル 1 0 階 Osaka(JP). (25) 国際 出願の言語 日木語 (81) 指定国(表示のなΛ限り、全ての種類の国 内保(26) 国際公開の言語 日木語 H が可 ) :AE,AG, AL, AM, Aの, AT, AU, AZ, BA, BB,BG, BH, BR,BW, BY, BZ, CA, CH,CN,Cの, CR, (30) 優先権データ CU,CZ, DE, DK,DM, Dの,DZ, EC,EE,EG,ES,FI,GB,
特願 2008-086480 2008 年 3 月28日(28.03.2008) JP GD,GE, GH, GM,GT, HN, HR,HU, ID, IL, IN, IS,JP, (71) 出願人 米国を除 全ての指定国につ て 株 KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, 式 会 社 村田製作所 (Murata Manu ぬcturing Co・, LT,LU,LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, Nの, NZ, OM, PG, PH, PL, PT,
Ltd.) [JP/JP]; 〒6178555京都府 長岡京市東神足 1
丁目1 O 番 1 号 Kyoto(JP). RO, RS, RU,SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM,ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT,TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, (72) 発明者 および ZA, ZM,ZW.
(75) 発明者/ 願人 (米国につΛてのみ) :古戸 聖浩
(84) 指定国(表示のなΛ限り、全ての種類の広域保
(KOTO, Kiyo iro) [JP/JP]; 〒6178555 京 ] 長 . II が可 ) :ARIPO (BW, GH, GM, KE,
LS,MW, MZ,
市東神足 1丁目1 0 番 1 号 株 式 会 社 村 田製
NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW), --L
作所内 Kyoto(JP)・熊 取 谷 誠人 (KUMATORIYA, ーラシア (AM, AZ, BY, KG,KZ,MD,RU,TJ,TM), ヨーロ
〒 /
Makoto) [JP/JP]; 6178555 京都府 長岡京市東神 ツ
(AT,BE,BG, CH,CY, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB, [続 葉 有] (54) Title:NTC THERMISTOR PORCELAIN, PROCESS FOR PRODUCING NTC THERMISTOR PORCELAIN, AND NTC THERMISTOR (54)発明の名 称: N T Cサー スタ磁器、及びN T Cサー スタ磁器の製造方法、並びにN T Cサー ス タ 図3] 瓜 亡
亡
コ
(57) Abstract: Disclosedisan NTC thermistor porcelain. Also disclosed are a process for producing the NTC thermistorporce lain and an NTC thermistor. The NTC thermistor porcelain comprises a porcelain body (1) formed of a ceramic material of (Mn, Ni)3θ4 type or (Mn, Co)θ4 type. The ceramic material constituting the porcelain body(1)has a first phase(2)having a spinel structure and a second phase(3)of a plate crystal having a high electric resistance. The second phase(3) ispresent in a dispersed statein the first phase(2). Thesurface of the porcelain body (1) hasa heat application path(4) with a predetermined pattern formed by applying heat generated by laser beam irradiation.Inthe heat application path(4),the second phase(3)disappears and hasbeen integrated in terms of crystal structure with the first phase (2).Theplate crystal in the second phase(3) isprecipitated in a temperature region of 8000C or below in a temperature falling process in a firingstep.The formation of the heat application path
(4) facilitates the regulation of the electric resistance value of the NTC thermistor. The above constitution can realize an NTC thermistor porcelain that can easily regulate the electric resistancetoa low value even after sintering.
(57) :
-GR,HR,HU,IE,IS, IT,LT, LU,LV,MC,MK,MT, NL, 添付公開 類・ ・
NO,PL・.
品
,RO, SE, SI, SK, TR),㌔
I (BF,CG,CI, GA, GN, GQ,GW,MI ,NE,
甜
活
国際調 査 報告 ( 約第，
条い)) TG). 磁器 本体 1は、 ( M n , N i ) 3O。系、又は ( M n C o ) 3O。系のセラ ック材料からなる 。第 1 の相2はス ピネル構 造 を有し、第2の相3 は高抵 抗の板状結晶からなる 。第 の相 は、第 の相中 2 に分散して存 在する 。磁器 本体 1の表面は、レーザ 照 射により熱印加されて所 定パター ンの熱印加 路 4 を形成 して る 。 この熱印加 路 4 で は、第 2の相 3 が 消 滅し第 1の相 と結晶構 造的に一体 化 されて る 。第2の相3の板状結晶は、焼 成 エ程の降温 過程で 8 0 0 。C又はそれ以下の温 度域で析出する 。熱印 加 路4 を形成する ことによりN T Cサー スタの抵 抗 値の調 整 が容 易になる 。 これにより焼 結 後にお ても抵 抗 値を容 易に低<調 整する ことが可能 なN T Cサー スタ磁器、その製造方法、及びN T Cサー スタを実現する。明
細
苫
C
サ
ー
ミスタ磁
器
、及
び
C
サー
ミスタ磁器 の
製
造
方
法
、並
び
に
C
サー
ミスタ技
術分野
０００1 本発明は、負の抵抗 温度 特性 を有す
るC
ザーミスタの素材に好適 なC
ザー ミスタ磁器、及びその製 造方法、並びに前記C
ザーミスタ磁器を使用 して製 造され
たC
ザーミスタに関す
る。背
景
技
術
０００2 負の抵抗 温度 特性 を有す
るC
ザーミスタは、温度 補償用や
突入電流抑制用 の 抵抗体として広く使用され
てい
る。 ０００3 この種 のC
ザーミスタに使 用され
るセラミック材 料としては、従来より、 を主成 分とした磁器組成物が知られ
てい
る。 ０００4 例えば、特許文献 には、 及び の3
種の元素 を含む
酸化物よりなる組成 物であっ
て、これ
ら元素の割合が:
2
０～
8 5モル 。、 :5～
7０モル 。、 :０・～
9
モル の範囲内にあり、かつ
その合 計が ００モル となるよぅにしたザーミスタ用 組成物が提案され
てい
る。 ０００5 また、特許文献2
には、金 属だけの比率が、:
5 ０～
9
０モル 。、 : ０～
5 ０モル でその合 計が ００モルか
らなる金 属 酸化物に、Co
００
～
2
０ 。、C
:5～
2
０ 。e
O
００
～
2
０ 。Z O
００
～
5 O を添加したザーミ 2 3 2 スタ用組成物が提案され
てい
る。 ０００6 さらに、特許文献3
には、 酸化物、 酸化物、。
酸化物及びZ
酸化物を含む
ザーミスタ用組成物であっ
て、 換 算でa モル (但 し、4 5
くaくg5)
の 酸化物と 換 算で ( ００ モル の 酸化物とを主成分とし、この主成分を ００重呈 と したときの各成分 の比率が、e
酸化物:e
O
換 算で０～
5 5重呈 (ただし、０重呈 と5 5重呈 を除く)、Z
酸化物:Z
O
換 算で０～
5重呈 (ただし、０重呈 と 5 重呈 を除く) であるザーミスタ組成物が提案され
てい
る。 ０００7一
方、非特許文献 には、O
を高温か
ら徐冷 (冷却速 度 :6C
)
す
ると板状析出物が生成
す
ることが報告され
、また、空気中で高温か
ら急冷した場合は、板状析 出物は生成 しない
が、ラメラ構 造( a m e a S uc u :す
じ状コントラス ト)が現れ
ること が報告され
てい
る。 ０００8 また、この非特許文献 では、 を高温か
ら徐冷(冷却速 度:6C
)
０7 2 2 4す
るとスピネル単相となり、板状析出物又はラメラ構 造は観 察され
ない
が、空気中で 高温か
ら急冷した場合は、板状析出物が生成され
ない
もののラメラ構 造が現れ
ること が報告され
てい
る。 ０００9す
なわち、非特許文献 では、 3 O 及び につい
て、高温か
らの冷 4 ０7 2 2 4 却速 度を変 えることにょり、結品構 造の典なる組織が得られ
ることが記載され
てい
る。 また、この非特許文献 では、 O の場合、板状析出物を得るためには高温か
ら6 で 程度で徐 冷す
る必要のあることが記載され
てい
る。 ００1０ 特許文献1 :特開昭6 2 2０2号公報 特許文献2 :特許第343 ００2 3号公報 特許文献3 :特開2００5 5０289 号公報 非特許文献 : C oude c，M・B eu ・ sch an d A Rousse 著 D o m a n M c o s uc u e n ausmann e Mn3 4 an d n N ck e Mangan e」 T h dE u o C e am cs V O (1993) P 763768
発
明の開
示
発
明
が解決
し
ようとす
る課題
００1 1 しか
しなが ら、上記 特許文献～
3に記載された
ザーミスタ用組成物を使用 して Cザーミスタを製 造した場合、その製 造過程でセラミック原料の分散が不十
分のとき は、焼 結後のセラミック粒子の分散が不均一となり、個々のザーミスタ間で抵抗値に バラ"ソキが生じるおそれ
がある。また、セラミック原料の粒径にバラ"ソキがある場合も、 上述と同様、個々のザーミスタ間で抵抗値にバラ"ソキが生じるおそれ
がある。 ００12 しか
も、ザーミスタの抵抗値は、セラミック材 料自体が有す
る比抵抗や
、内部電極間 距離等に大きく依存す
ることか
ら、通常は焼 結前の段階で概ね決定され
る。このため 、焼 結後に抵抗値を調整す
るのは困難 であり、特に抵抗値を低く調整す
るのは困難 な状 況にあっ
た。００13
す
なわち、ザーミスタ間での抵抗値のバラソキを調整す
る方法としては、例えば、セ ラミック素体の両端 部に形成された
外 部電極 の被り部 (セラミック素体の端 面か
ら側面 に延びてい
る部分)の距離を調整す
ることにより、焼 結後に抵抗値を調整す
る方法が 考えられ
る。しか
しなが ら、このような方法では、抵抗値の微 調整はできても大幅な調 整は困難 であっ
た。 ００14 このため従来は、焼 結体であるセラミック素体の抵抗値を、目標抵抗値よりも低く設 定しておき、例えば、レーザ光でトリミングしてセラミック素体を削り、これ
により抵抗値 を高くす
ることで、ザーミスタ間での抵抗値のバラソキを調整す
ることが行 われ
てい
た ００15 しか
しなが ら、近年のC
ザーミスタの小型ィト
低抵抗 化に伴い
、セラミック素体の 抵抗値を目標値よりも予め低めに設定す
るには限界がある。したがっ
て、C
ザーミ スタ間での抵抗値のバラソキを抑制す
るためには、焼 結後に抵抗値を低く調整でき るようにす
るのが望ましい
。 ００16一
方、上記非特許文献 では、O
につい
て、高温か
らの冷却速 度を変 えること により結品構 造の典なる組織が得られ
ることが記載され
てい
るものの、絶縁体である ためC
ザーミスタとしては利用できず、C
ザーミスタの抵抗値を調整す
る点につい
ては何ら触れ
られ
てい
ない
。しか
も、板状析出物を得るためには高温 (例えば、2
００oC
)か
ら6C
程度の冷却速 度で徐 冷しなけれ
ばならず、降温に長時間を要す
るため生産性 にも欠ける。 ００17 本発明はこのような事情に鑑み
なされた
ものであっ
て、焼 結後におい
ても抵抗値を 容易に低く調整す
ることが可能 なC
ザーミスタ磁器、及び該C
ザーミスタ磁器 の製 造方法、並びに前記C
ザーミスタ磁器を使用 して製 造され
たC
ザーミスタ を提供す
ることを目的とす
る。課
題 を
解決
す
るための
手
段
００18 本発明者らは、 酸化物を含む
複数の金 属 酸化物か
ら得たセラミック成形体につ
い
て、所 定の焼成プロフアイルに即 して焼 成処理 を行っ
たところ、焼成プロフアイルの 全過程で、 を主成分とす
る第 の相が形成され
て母相となる一
方で、焼成プロフ アイルの降温過程が所 定 温度以下になると、第 の相とは結品構 造の典なる第2
の相が析出
す
るとレぢ知 見を得た。この第2
の相 は第 の相よりも高抵抗 であることも分か
っ
た。 ００19 そして、焼成プロファイルの降温過程が所 定 温度以下になると第2
の相が析出す
る ことか
ら、逆にい
ぅと所 定 温度以上の高温 では高抵抗 を有す
る第2
の相が第 の相と一
体化して消滅しぅると考えられ
る。 ００2０ 本発明者らはこのよぅな点に着目し、前記第 の相と前記第2
の相とを含有した磁器 本体に対 し、レーザ光を照射 (熱印加
) しなが ら走査して熱印
加領城 を形成 した。す
ると、前記熱印加
領城に位置す
る高抵抗の第2
の相が、照射熱によっ
て消滅し低抵 抗の第 の相と結品構 造的に一
体化す
るとレぢ知 見を得た。そしてこれ
により、焼 結 後であっ
ても抵抗値を容易かつ
大きく調整す
ることが可能となる。 ００21 本発明はこのよぅな知 見に某づきなされた
ものであっ
て、本発明に係るC
ザーミ スタ磁器は、磁器本体が、 を主成分とす
る第 の相と、該第 の相よりも高抵抗の 第2
の相とを含有し、前記磁器本体の表 面 は、熱印加
され
て熱印加
領城が形成され
ると共に、該熱印
加領城は、第2
の相が第 の相と結品構 造的に一
体ィヒされ
てい
るこ とを特徴としてい
る。 ００2 2 本発明における「結品構 造的に一
体化」とは、第2
の相が第 の相と同じ結品状態 になることを示しており、第2
の相が第 の相 である母相と同じ結品構 造及び結品格 子に変化す
ることをい
ぅ。 ００2 3 また、前記第2
の相 は、板状結品の場合に特に効果的であり、第 の相 中に分散 し て析出してい
ることも分か
っ
た。そして、この第2
の相 は第 の相に比べて の含有 呈が多く、第 の相よりも高抵抗 であることが分か
っ
た。 ００24 本発明のC
ザーミスタ磁器は、前記第2
の相は、 を主成分とす
る板状結品か
らなり、かつ
前記第 の相 中に分散され
て析出してい
ることを特徴としてい
る。 ００2 5 また、本発明者らは、更に鋭意研究を重ねたところ、()
系セラミック材 料 の場合、第2
の相 の析出は、磁器本体中の 含有呈aと 含有呈b
との比ab
に 依存し、比ab
が、原子比率で8 73
～
9 6
4
の範囲が第2
の相 の析出に効果的 であることが分か
っ
た。 ００26す
なわち、本発明のC
ザーミスタ磁器は、前記磁器本体が、 及び を含有す
ると共に、前記第 の相 はスピネル構 造を有し、磁器全体としての前記 の含有 呈aと前記 の含有呈b
との比ab
が、原子比率で8 73
～
9 6
4
であることが好 ま 、。 ００2 7 また、(Co)
系セラミック材 料の場合、第2
の相 の析出は、磁器本体中の 含有呈aとCo
含有呈。
との比a。
に依存し、比a。
が、原子比率で6 ０4
０～
9
０ ０が第2
の相 の析出に効果的であることが分か
っ
た。 ００28す
なわち、本発明のC
ザーミスタ磁器は、前記磁器本体が 、 及びCo
を含 有す
ると共に、前記第 の相はスピネル構 造を有し、磁器全体としての前記 の含有 呈aと前記Co
の含有呈。
との比a。
が、原子比率で6 ０4
～
9
０ ０であることが 好ま 、。 ００29 さらに、C
酸化物を添加したところ、比ab
及び比a。
が上述の範囲内であれ
ばC
添加は第2
の相 の析出に殆ど影響せ
ず、したがっ
て必要に応じてC
を添加す
るのも好ま亡
とが分か
っ
た。 ００3０す
なわち、本発明のC
ザーミスタ磁器は、前記磁器本体には、C
酸化物が含 有され
てい
ることが好ま 、。 ００31 また、本発明に係るC
ザーミスタ磁器の製 造方法 は、 酸化物を含む
複数の 金 属 酸化物を混 合、粉仲
、仮焼して原料粉 末 を作製す
る原料粉 末 作製工程と、前記 原料粉 末に成形加工を施し成形体を作製す
る成形体作製工程と、前記成形体を焼 成 し磁器本体を生成す
る焼成工程とを含む
C
ザーミスタ磁器の製 造方法におい
て、前記焼成工程後に前記磁器本体の表 面に対 し熱印加
処理 を施し、熱印加
領城 を形成す
る熱印加
工程を有し、前記焼成工程は、昇温過程と高温保 持過程と降温 過程とを有す
る焼成プロファイルに某づいて前記成形体を焼成 し、前記焼成プロファ イルの全過程で、母相となる第 の相 を析出させ
る一
方、前記焼成プロファイルの所 定温度以下の前記 降温過程で、前記第 の相よりも高抵抗の第2
の相 を形成 し、前 記熱印加
工程は、前記熱印加
領城 では前記第2
の相 を前記第 の相と結品構 造的 に一
体ィヒさせ
ることを特徴としてい
る。 ００3 2 また、本発明のC
ザーミスタ磁器の製 造方法は、前記熱印
加工程は、前記焼成 における前記所 定 温度を超える温度で前記熱印加
処理 を行ぅことを特徴として
い
る。 ００3 3 さらに、熱印
加の方法としては、アブレーションが生じることなく、第2
の相 を消滅させ
る観点か
らは、パルスレーザによるレーザ照射が好ましい
。 ００34す
なわち、本発明のC
ザーミスタ磁器の製 造方法 は、前記熱印
加工程が、パル スレーザを使用 して行ぅことを特徴としてい
る。また、前記パルスレーザにおけるレー ザ光のエネルギー密 度は、0
・3
～
・呵 c であることを特徴とす
るのも好ましい
。 ００3 5 また、本発明に係るC
ザーミスタは、セラミック素体の両端 部に外 部 電極が形成 され
たC
ザーミスタであっ
て、前記セラミック素体が、上記C
ザーミスタ磁器で 形成され
ると共に、熱印加
傾城が、前記外 部電極間を結 ぶよぅに前記セラミック素体 の表 面に線 状 に形成され
てい
ることを特徴としてい
る。 ００36 また、本発明に係るC
ザーミスタは、セラミック素体の両端 部に外 部 電極が形成 され
たC
ザーミスタであっ
て、前記セラミック素体が、上記C
ザーミスタ磁器で 形成され
ると共に、熱印加
傾城が、前記外 部電極と平行に前記セラミック素体の表 面 に線 状 に形成され
てい
ることを特徴としてい
る。 ００3 7 さらに、本発明のC
ザーミスタは、セラミック素体が、第 の素体部と第2
の素体 部とに区分され
ると共に、前記セラミック素体の一
方の端 部に第 及び第2
の外 部電 極が形成され
、かつ
、前記セラミック素体の他 方 の端 部に前記第 及び第2
の外 部電 極と対向状に第3
及び第4
の外 部電極がそれ
ぞれ
形成され
、前記第 の外 部電極、 前記第 の素体部、及び前記第3
の外 部電極とで第 のC
ザーミスタ部が形成され
、かつ
前記第2
の外 部電極、前記第2
の素体部、及び前記第4
の外 部電極とで第2
のC
ザーミスタ部が形成され
たC
ザーミスタにおい
て、前記セラミック素体が、 上記C
ザーミスタ磁器で形成され
ると共に、前記第 及び前記第2
のC
ザーミ スタ部のい
ずれか一方の表 面に、所 定パターンの熱印
加傾城が線 状に形成され
てい
ることを特徴としてい
る。 ００38 また、本発明のC
ザーミスタは、前記熱印
加傾城が、識別情報を含む
よぅに前記 セラミック素体の表 面に形成され
てい
ることを特徴としてい
る。 ００39 さらに、本発明のC
ザーミスタは、上記C
ザーミスタ磁器で形成され
たセラミッ ク素体を有す
ると共に、該セラミック素体の両端 部の各々には所 定間隔を有して複 数の外 部電極が形成さ
れ
、一
端が前記外 部電極 に接 続された
金 属 導体が、前記外 部 電極 に対応 して前記セラミック素体の表 面に複 数形成され
、かつ一
方の外 部電極 に 接 続された
金 属 導体と他方の外 部電極 に接 続された
金 属 導体とが熱印加
領城 を介 して接 続され
、前記金 属 導体同上を接 続す
る複数の前記熱印加
領城は、前記セラミ ック素体の一
方の端 部か
らの距離が典なる所 定位置に各々形成され
てい
ることを特 徴としてい
る。発
明の効果
００4０ 本発明のC
ザーミスタ磁器によれ
ば、磁器本体が、 を主成分とす
る第 の相 と、該第 の相よりも高抵抗の第2
の相とを含有し、前記磁器本体の表 面 は、熱印加
され
て熱印加
領城が形成され
ると共に、該熱印加
領城は、第2
の相が第 の相と結品 構 造的に一体ィヒされ
てい
るので、高抵抗の第2
の相は、熱印加
領城 では第 の相と 同様の低抵抗となる。 ００41 したがっ
て、焼 結後であっ
ても熱印
加領城のパターンを自在に変 更す
ることにより、 所望の抵抗値に調整可能 なC
ザーミスタ磁器を得ることが可能となる。 ００4 2 また、前記第2
の相 は、 を主成分とす
る板状結品か
らなり、かつ
前記第 の相 中 に分散され
て析出してい
るので、上記 作用効果 を容易に奏す
ることができる。 ００4 3 また、前記磁器本体が、 及び を含有す
ると共に、前記第 の相 はスピネル構 造を有し、磁器全体としての前記 の含有呈aと前記 の含有呈b
との比ab
が、 原子比率で8 73
～
9 6
4
であるので、()
の材 料系を焼成す
ることに より、スピネル構 造か
らなる第 の相 の他、第2
の相 を磁器本体表面に確実に析出させ
ることができる。 ００44 また、前記磁器本体が、 及びCo
を含有す
ると共に、前記第 の相 はスピネル構 造を有し、磁器全体としての前記 の含有呈aと前記Co
の含有呈。
との比a。
が、 原子比率で6 ０4
～
9
０ ０であるので、(Co)
の材 料系を焼成す
ること により、上述と同様、スピネル構 造か
らなる第 の相 の他、第2
の相 を磁器本体表面に 確実に析出させ
ることができる。 ００4 5 さらに、前記磁器本体には、C
が含有され
てい
る場合 であっ
ても、C
は板状結品 の析出に影響を及 ぼさない
ことか
ら、本発明は (C
)
系、又は (Co
C
)
系材 料にも適用す
ることが可能である。 ００46 また、本発明のC
ザーミスタ磁器の製 造方法によれ
ば、焼成工程後に前記磁器 本体の表 面に対 し熱印加
処理 を施し、熱印加
領城 を形成す
る熱印
加工程を有し、前 記焼成工程は、昇温過程と高温保 持過程と降温過程とを有す
る焼成プロファイルに 某づいて前記成形体を焼成 し、前記焼成プロファイルの全過程で、母相となる第 の 相を析出させ
る一
方、前記焼成プロファイルの所 定 温度以下の前記 降温過程で、前 記第 の相よりも 含有呈の多い
高抵抗の第2
の相 を形成 し、前記熱印加
工程は、 前記熱印加
領城 では前記第2
の相 を前記第 の相と結品構 造的に一
体ィヒさせ
るの で、磁器本体には低抵抗 の第 の相と高抵抗の第2
の相とが磁器表面に形成された
後、熱印加
処理によっ
て熱印加
領城に存在してい
た第2
の相が消滅す
ることとなり、 容易に抵抗値を低減方向に調整す
ることが可能となる。 ００4 7 また、前記熱印加
工程は、前記焼成プロファイルにおける前記所 定 温度を超える 温度で前記熱印加
処理 を行ぅので、高抵抗 を有す
る第2
の相 は第 の相と一
体化し て消滅し、熱印加
領城 では第2
の相 は第 の相と同様の低抵抗となり、上述した作用 効果 を容易に奏す
ることができる。 ００48 また、前記熱印
加工程が、レーザ光のェ
ネルギー密 度は、0
・3
～
・呵 c 2のパ ルスレーザを使用 して行ぅので、アブレーションを生じさせ
ることなく、第2
の相 を消滅 させ
ることが可能となる。 ００49 また、本発明のC
ザーミスタによれ
ば、セラミック素体が、上記C
ザーミスタ磁 器で形成され
ると共に、熱印加
領城が、前記外 部電極間を結 ぶよぅに前記セラミック 素体の表 面に線 状 に形成され
てい
るので、焼 結後であっ
ても任 意かつ
大幅に抵抗 値を調整す
ることが可能となる。す
なわち、前記外 部電極間を結 ぶよぅに前記セラミッ ク素体の表 面に熱印加
領城 を形成す
ることにより、熱印加
領城は熱印加
され
てい
ない
部分に比べて低抵抗 化す
る。したがっ
て、低抵抗 化した部分は、選 択的に電流が 通過し易くなり、これ
により、焼 結後のセラミック素体の抵抗値をより低く調整す
ること が可能となる。 ００5 ０ このよぅに本発 明のC
ザーミスタによれ
ば、小型、低抵抗であっ
ても製品問で抵 抗値のバラソキを極力抑制できる高品質なC
ザーミスタを実現す
ることができる。００51 また、熱
印加
領城が、前記外 部電極と平行に前記セラミック素体の表 面に線 状 に形 成され
てい
るので、該熱印加
領城は低抵抗 化す
る。したがっ
て、外 部電極と平行に 形成され
る熱印加
領城の本 数 を調整す
るだけで簡単に抵抗値を可変でき、しか
も抵 抗値の微 修正も可能となる。 ００5 2 また、セラミック素体が、第 の素体部と第2
の素体部とに区分され
、第 の素体部を 有す
る第 のザーミスタ部と第2
の素体部を有す
る第2
のザーミスタ部とを備 え、前記 セラミック素体が、上記C
ザーミスタ磁器で形成され
ると共に、前記第 及び前記 第2
のC
ザーミスタ部のい
ずれか一方の表 面に、所 定パターンの熱印
加領城が 線 状に形成され
てい
るので、熱印
加領城が形成された
C
ザーミスタ部は、熱印加
領城が形成され
てい
なC
ザーミスタ部よりも抵抗値が低くなり、一つ
のC
ザ ーミスタか
ら多数の抵抗値を得ることが可能となる。 ００5 3 また、前記熱印加
領城が、識別情報を含む
よぅに前記セラミック素体の表 面に形成 され
てい
るので、前記熱印加
領城の識別情報をレーザ照射して読み出
す
ことにより、 表面形 状に影響を与えることなく、C
ザーミスタ固有の情報を取得でき、模倣品等 との識別を容易に行ぅことができる。 ００5 4 このよぅに本発 明のC
ザーミスタは、抵抗値を低抵抗側に容易に調整できるだけ ではなく、模倣品対策としても有用である。 ００5 5 また、上記C
ザーミスタ磁器で形成された
セラミック素体を有す
ると共に、該セラ ミック素体の両端 部には所 定間隔を有して複 数 の外 部 電極が複数形成され
、前記セ ラミック素体の表 面には、一
端が前記外 部電極 に接 続された
金 属 導体が、前記外 部 電極 に対応 して複 数形成され
、かつ一
方の外 部電極 に接 続された
金 属 導体と他方 の外 部電極 に接 続された
金 属 導体とが熱印加
領城 を介して接 続され
、前記金 属 導 体同上を接 続す
る複数の前記熱印加
領城は、前記セラミック素体の一
方の端 部か
ら の距離が典なる所 定位置に各々形成され
てい
るので、例えば、比較的広範な温度分 布を有す
る発熱体の温度 を検出したい
場合 であっ
ても、低抵抗である複数の熱印加
領城 で各々温度を検出す
ることにより、所望の温度 検出を精度良く行ぅことが可能と なり、高精度 で高品質 のC
ザーミスタを実現す
ることができる。図
面の
簡
単な
説
明
００5 6 図 本発明に供さ
れ
る磁器本体の平面図である。 図2 本発明で使用され
る焼成プロフアイルの一
例 を示す
図である。 図3 本発明に係るc
ザーミスタ磁器の一
実施の形態を示す
平面図である。 図4 本発明に係るc
ザーミスタの一
実施の形態(第 の実施の形態) を示す
斜 視 図である。 図5 本発明に係るc
ザーミスタの第2
の実施の形態を示す
斜 視図である。 図6 本発明に係るc
ザーミスタの第3
の実施の形態を示す
斜 視図である。 図7 本発明に係るc
ザーミスタの第4
の実施の形態を示す
斜 視図である。 図8 図7の縦断面図である。 図9 本発明に係るc
ザーミスタの第5の実施の形態を示す
斜 視図である。 図1０本発明に係るc
ザーミスタの第6の実施の形態を示す
斜 視図である。 図12 第6の実施の形態の一
適用例 を示す
断面図である。 図13 第6の実施の形態の他 の適用例 を示す
断面図である。 図14 実施例 のセラミック素体のS 画像である。 図15 実施例 のセラミック素体のS 画像である。 図16 実施例5のレーザ照射前のS 画像である。 図17 実施例5のレーザ照射後のS 画像である。 図18 (a) は実施例3
の試料番 号2
の試料の平面図、( 、(c )は実施例6で作製された試
料番 号3
3 2
の平面図である。 図19 実施例7で作製された試
料番 号4
～
4 4
の平面図である。 図2０実施例8で作製された試
料番 号5 の斜 視図である。 図21 実施例9
で作製された試
料番 号6 のSP
像である。 図2 2 実施例9
で作製された試
料番 号6 2のSP
像である。 図2 3 実施例9
で作製された試
料番 号6 3のSP
像である。符
号の説 明
００5 7 磁器本体2
第 の相3
第2
の相4
2 3 622
32a
～
32c
熱印
加領城 5 昇温過程 6 高温保 持過程 7 第 の降温過程 ( 降温過程 ) 8 第2
の降温過程 ( 降温過程 )9
、4
5 723 29
セラミック素体 ０a ０b
外 部電極 7 a 第 の素体部 7b
第2
の素体部 8 a 第 の外 部電極 8b
第3
の外 部電極g a
第2
の外 部電極gb
第4
の外 部電極24
第 の熱印加
領城2 5
第2
の熱印加
領城発
明を
実
施
す
るための最
良の形
態
００5 8 次に、本発明の実施の形態を詳説す
る。 ００5 9 本発明の一
実施の形態としてのC
ザーミスタ磁器は、結品構 造の典なる第 の 相と第2
の相とを含有した磁器本体の表 面に、所 定パターンを有す
る線 状の熱印加
領城が形成され
てい
る。 ００6０ 以下、まず、磁器本体につい
て説 明す
る。 ００61 図 は、磁器本体の平面図であっ
て、該磁器本体 は、 を主成分とす
るセラミッ ク材 料の焼 結体であり、具体的には、()
系材 料又は (Co)
系 3 4 3 4 材 料を主成分としてい
る。 ００6 2 そして、磁器本体 は、母相となる第 の相2
中に、該第 の相2
とは結品構 造の典 なる第2
の相が分散 状に形成され
てい
る。 ００6 3 第 の相2
は、具体的には、立方品のスピネル構 造 (一
般式O
) ・を有してい
る。また、第2の相3は、前記第 の相2よりも 含有呈が多く、抵抗値の高
