p-型Zn0の成長技術開発
著者
八百 隆文
サーファクタントMBEによる
高ホール濃度･高品質p一型ZnOの成長技術開発
研究課膚番号17360001
平成17年度∼平成18年度科学研究費補助金(基盤研究(B))
研究成果報告書
平成19年3月
研究代表者 八百隆文
(東北大学 学際科学国際高等研究センター 教授)
補助金基盤研究(B)によって行われた｢サーファクタントMBEによる高ホール濃度･高
品質p一型ZnOの成長技術開発｣にっいての研究成果をまとめたものである0本報告書は2
部から構成されている｡第1部には研究の概要を記し､第2部には原著論文を収録した｡
研究粗放
研究代表者:八百 隆文(東北大学学際科学国際高等研究乍ンタ一教授)
一･研究分担者:ちょ 明換(東北大学金属材料研究所助教授)
研究分担者:花田 貴(東北大学金属材料研究所助手)
l研究分担者:任 寅縞(東北大学金属材料研究所助手)
交付決定額(配分額)
(金額単位:円)
直接経費 亊I
ｨﾆ
N
合計
平成17年度 湯ﾃ# ﾃ 0 湯ﾃ# ﾃ 平成18年度 澱ﾃ ﾃ 0 澱ﾃ ﾃ 総計 Rﾃ3 ﾃ 0 Rﾃ3 ﾃ研究発表
学会誌など
I. Selective Growth of Vertically-Aligned ZnO NanoINeedles.
SH Lee, WH Lee, SW Lee, H Goto, T Baba, MW Cho,過, HJ Lee, T Yasukaya, T Matsue,
H Ko Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 6, 3351-3354, (2006)
2. Strain eoeects in ZnO layers deposited on 6H-SicAshrao ABMA , Segawa Y), Shin 冗, Ya° T
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100(6) , 063523(2006)
3. Electrical properties of ZnO/GaN heterostructures and photoresponsivity of ZnO
layers.
D. C. Oh, T. Suzuki, H. Makino, T. Hanada, H. J. Ro,T. Ya°
physica status solid, 384) , 9461951 (2006)
4. Control of the ZnO nanowires nucleation site using microAEuictic channels.
Lee SH, Lee HJ, Oh D5･ Photoresponsivity of ZnO Schottky barrier diodes. Oh DC, Suzuki T, Hanada T, et al.
OURNAL OF VACUUM SCIENCE 良 TEC脚OLOGY B, 248(3) , 1595-1598(2006)
6･ Surfactant一mediated molecular beam epitaxy of ZnO.
Suzuki H, Minegishi T, Fujimoto G, Cho肝,Ya° T
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 49(3), 1266-1270(2006)
7. ZnO growth on 3C-Sic
Minegishi T, Narita Y, Tokairin S, et al.
JOURNAL OF THE KOREAN PtfYSICAL SOCIETY, 49 (3) , 903-907 (2006)
8∴ Issues in ZnO homoepitaxy
MWCho, C･ Harada, H･ Suzuki, T. Minegishi, T. Ya°, H, Ko, K.
Superlatt ices and Microstructures, 38 (4-6) , 349-363 (2005)
9･ Nucleation and interface chemistry of ZnO deposited on 6H-Sic
ABMA.Ashrafi, Y.Segawa, 氏.Shin, T.Ya°
P打YSICAL REVIEW B, 72(15), 155302(2005)
10. Capacitance-voltage Chal･aCteristics of ZnO/GaN
DC･Oh, T.Suzuki, JJ.Kin, H.Makino, T.Hanada, T.Ya°,
APPLIED PHYSICS LETTERS. 87 (16), 162104 (2005)
11･ Structural variation of cubic and hexagonal MgxZu卜xO layers grown on
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Z･ Vashaei, T.Minegishi, H.Suzuki, T, Hanada,MW. Cho, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 98 (5), 054911 (2005)
12･ Nucleation and growth modes of ZnO deposited on 6H-Sic substrates
AB肌Ashrafi, Y.Segawa, 氏.Shin ∫.Too, T.Ya°
APPLIED SURFACE SCIENCE, 249 (1-4) , 139-144 (2005)
13･ Electrical characterization for ZnO layers grown on GaN templates by
molecular-beam epitaxy
DC･ Oh, T･ Suzuki, JJ. Kin, H. Makino, T. Hanada,脚. Cho, T. Ya°, JS. So
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE&TECHNOL∝Y, B23 (3) , 1281-1285 (2005)
14･ Selective growth of Zn-and 0-polar ZnO layers by plasma-assisted molecular beam epitaxy
T,Minegishi, J.Too, H.Suzuki, Z.Vashaei, K. Inaba, K.Shin
JOURNAL OF VACUtm SCIENCE&TECHNOLKY, B23 (3) , 1286-1290 (2005)
15･ Control of crystal polarity of ZnO and GaN epitaxial layers by interracial
16. The effect of surface treatment on Zinc Oxide
H.Suzuki, T.Minegishi Z.Vashaei, WW.Cho, T,Ya°
COMPOUND SEMICONl)UCTORS 2004,PR∝EEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE
SERIES, 184, 385-388 (2005)
17. Structure properties and phase evolution of MgxZnl-xO layers grown on c-sapphire
by P一MBE
Z.Vashaci, T.Minegishi, H,Suzuki, MW.Cho, T.Yao
COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004,PROCEEDINGS INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE
SERIES, 184, 415-418(2005)
18. ZnO epitaxial layers grown on APO c-sapphire substrate with MgO buiter by
plasma-assisted molecular beam epitaxy(p-MBE)
MW.Cho, A. Setiawan HJ.Ko, SK.Hong T.Ya°
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOL∝Y, 20 (4) , SS13-S21 (2005)
19. Characteristics of Schottky contacts to ZnO:N layers grown by molecular- beam epitaxy
DC.Oh, JJ.Kin, H.Makino, T. Hanada, MW.Cho, T.Ya°, HJ,Ko
APPLIED PHYSICS LETTERS, 86(4) , 042110(2005)
20. Electron-trap centers in ZnO layers grown by molecular-beam epitaxy
DC.Oh, T.Suzuki, JJ.Kin H.Makino, T,Hanada, MW.Cho
APPLIED PHYSICS LETTERS, 86 (3) , 0329090 (2005)
