第 4 章 結果・考察
A.2 Tight cut
図A.8: EMCaldphiσ: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのEMCaldphiの 分解能。式（3.16）でフィット出来ている。
図A.9: DCAz平均値: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのDCAz平均値。
式（3.16）でフィット出来ていないため、値としては0.625GeV/c<= pT <1.625GeV/cは測定点の平均 値、1.65GeV/c<=pT はフィットした値を用いる。
図A.10: DCAzσ: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pTの関数としてのDCAzの分解能。式
（3.16）でフィット出来ている。
図A.11: DCA2d平均値: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのDCA2dの平 均値。式（3.16）でフィット出来ていないため、値としては0.625GeV/c<=pT <2.625GeV/cは測定点の 平均値、2.625GeV/c<=pT はフィットした値を用いる。
図A.12: DCA2dσ: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pTの関数としてのDCA2dの分解能。
式（3.16）でフィット出来ている。
図 A.13: EMCaldz平均値 : DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのEMCaldz の平均値。式（3.16）でフィット出来ている。
図 A.14: EMCaldzσ: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのEMCaldzの分 解能。式（3.16）でフィット出来ている。
図A.15: EMCaldphi平均値: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pTの関数としてのEMCaldphi の平均値。式（3.16）でフィット出来ている。
図A.16: EMCaldphiσ: DC arm、電荷、DC zedによって分けられた、pT の関数としてのEMCaldphiの 分解能。式（3.16）でフィット出来ている。
付 録 B E/p の最適値探索
図 B.1: PC3dphiの分布(pT 7.5∼8.0 [GeV/c] DC West, charge positive and 0<zed<15[cm]) バックグラウンドはVTXを用いた時が最低レベルに減少している。また、VTXを用いた時よりも統計 量を増やすためには、E/pカットの下限値を0.2以上にする必要があるとこがわかる。右図の示す範囲でシ グナル領域とバックグラウンド領域を分け、それぞれのN/Sを比較する。
図B.2: S/N ratios (pT 7.5∼8.0 [GeV/c])
E/pカットがきつくなるにつれてB/Nが小さくなっていくのがわかる。N/S<0.6で、最大の統計量を持 つカットを採用する。よって、0.2≤E/p≤0.8を用いる。
図B.3: PC3dzの分布(pT 0.5∼0.75 [GeV/c] DC West, charge positive and 0<zed<15[cm]) バックグラウンドはVTXを用いた時が最低レベルに減少している。右図の示す範囲でシグナル領域と バックグラウンド領域を分け、それぞれのN/Sを比較する。
図 B.4: S/N ratios (pT 0.5∼0.75 [GeV/c])
E/pカットがきつくなるにつれてB/Nが小さくなっていくのがわかる。N/S<0.6で、最大の統計量を持 つカットを採用する。よって、0.2≤E/p≤0.8を用いる。
図 B.5: PC3dzの分布(pT 5.0∼5.5 [GeV/c] DC West, charge positive and 0<zed<15[cm]) バックグラウンドはVTXを用いた時が最低レベルに減少している。また、VTXを用いた時よりも統計 量を増やすためには、E/pカットの下限値を0.2以上にする必要があるとこがわかる。右図の示す範囲でシ グナル領域とバックグラウンド領域を分け、それぞれのN/Sを比較する。
図B.6: S/N ratios (pT 5.0∼5.5 [GeV/c])
E/pカットがきつくなるにつれてB/Nが小さくなっていくのがわかる。N/S<0.6で、最大の統計量を持 つカットを採用する。よって、0.2≤E/p≤0.8を用いる。
図 B.7: PC3dzの分布(pT 7.5∼8.0 [GeV/c] DC West, charge positive and 0<zed<15[cm]) バックグラウンドはVTXを用いた時が最低レベルに減少している。また、VTXを用いた時よりも統計 量を増やすためには、E/pカットの下限値を0.2以上にする必要があるとこがわかる。右図の示す範囲でシ グナル領域とバックグラウンド領域を分け、それぞれのN/Sを比較する。
図B.8: S/N ratios (pT 7.5∼8.0 [GeV/c])
E/pカットがきつくなるにつれてB/Nが小さくなっていくのがわかる。N/S<0.6で、最大の統計量を持 つカットを採用する。よって、0.2≤E/p≤0.8を用いる。
付 録 C セントラリティ、 N patr 、 ε の関係
表 C.1: セントラリティ、Npatr[19]、ε[20]の関係 セントラリティ Npatr 40NpatrError ε εError
0∼10 % 325.2 3.3 0.1030 0.0027 10∼20 % 234.6 4.7 0.1996 0.0049 20∼30 % 166.6 5.4 0.2841 0.0060 30∼40 % 114.2 4.4 0.3564 0.0061 40∼50 % 74.4 3.8 0.4220 0.0061 50∼60 % 45.5 3.3 0.4905 0.0055 60∼70 % 25.7 3.8 0.5666 0.0037 70∼80 % 13.4 3.0 0.6664 0.0077
80∼90 % 0.0 0.0 0.7262 0.0205
90∼100 % 0.0 0.0 0.0 0.0