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8.2 Ps 生成用シリカ cavity の開発

シミュレーションにおいては75 nm立方のシリカ空孔にPsを生成することを仮定した。そこで、Ps を生成し、閉じ込めるシリカcavityには以下の特性:

• 75 nm立方の空孔を形成出来ること

• レーザー冷却を行うために、紫外光に対して十分透明であること

• 50 %以上のo-Ps生成率 が必要になる。

上記の条件を全て満たすようなシリカ生成材料は現時点では存在しない。例えば、Psを生成するのに よく用いられるシリカエアロゲルは多孔体であり、レイリー散乱により紫外光を強く散乱してしまうため にレーザー冷却との両立が困難である。

そこで、本研究では後述する機能性シリカガラスを材料の候補として、シリカcavityの開発に取り組 んでいる*1

機能性シリカガラスはシリカナノ粒子のメソポーラス体を作成し、焼結することで得られる。メソポー ラス体に対して微細加工を加えた後に焼結を行うと、その微細加工による形状を保持したままシリカガ ラスになる。2011年にはナノインプリンティング法により、直径650±20 nmの穴の成形および、幅が 340±10 nm、高さが150 - 180 nmの線パターンの成形に成功している[49]。ナノインプリンティング

*1九州大学グローバルイノベーションセンター藤野研究室との共同研究である。

表面穴加工した

シ ス

SiO 薄膜 nm厚

Ps

Ps Ps

e +

8.2 Ps生成用シリカcavityの構成。 表面を微細加工された機能性シリカガラスをシリカ薄膜で フタをすることにより、75 nm立方の空孔を持つシリカcavityを実現する。

法は微細構造を持つモールドをシリカメソポーラス体に押し当てることで微細加工を達成するものであ り、モールドの形状によって10 nm以下の解像度での成形が可能である[50]。今後、この技術により実

際に75 nm立方の形の穴が開いた機能性シリカガラスを作製が出来ることを確認していく。さらに、厚

さ100 nmのシリカ薄膜でフタをすることで75 nm立方の空孔を持つシリカcavityの実現を目指す(

図8.2)。

次に、機能性シリカガラスが冷却用レーザーに対して透明であることを確認する必要がある。そこで、

表面微細加工をしていない、厚さ1.1 mmの機能性シリカガラスサンプル: 図 8.3(a)を用意し、透過率 波長依存性を分光光度計で計測した。得られた測定結果を 図 8.3(b)に示す。Ps冷却用レーザーの波長

である243 nmにおいて透過率は80 %であり、十分高い透過率を持つことが分かる。ただし、非透過成

分の20 %がシリカガラスにおける吸収に相当する場合、冷却用レーザーによってシリカガラスを加熱し てしまう可能性がある。物質中における吸収係数は測定方法の他、製造方法や試料の状態に依存すること が知られている[51]が、シリカガラスの243 nmにおける吸収係数kの値として例えば以下の値:

1. k= 3×10−5[52]

2. k= 10−6[53]

3. k= 10−7[54]

が紹介されている。透過する試料の厚みをa、光の波長をλ、光のパルスエネルギーをE0としたとき、

試料によって吸収されるエネルギーの大きさEは、

E=E0

[

1−exp (

−4πka λ

)]

(8.1) と表される。シリカガラスの厚みをa= 1 mm、パルスの繰り返し数を100 Hzと仮定し、(8.1)式 を用 いることにより、上記の各吸収係数kに対応するパルスエネルギー40 µJの243 nm光のエネルギー吸

(a)実際に作成した機能性シリカガラスの写真

WAVELENGTH (nm) 200 300 400 500 600 700 800

TRANSMITTANCE

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

(b)機能性シリカガラスサンプルの透過率曲線

8.3 機能性シリカガラスのサンプルと透過率曲線。 左図(a)は実際に作製した機能性シリカガラ ス(表面の微細加工無し)のサンプルであり、厚さは1.1 mmである。右図(b)(a)に示したシリ カガラスの厚み方向の透過率を分光光度計を用いて測定したグラフである。

収はそれぞれ、

1. 0.3 mW 2. 2 µW 3. 20µW

と計算出来る。今回用意した機能性シリカガラスに関して、1.は今回実測された透過率80 %と矛盾する ため棄却出来るが、時間平均で2.あるいは3.程度の発熱が実際のシリカcavityにおいて起こる可能性が ある。4 K以下まで冷却可能なクライオスタットには1 W以上の冷却能力を持つものが存在する[55]た め、平均温度の上昇につながる心配はない。ただし、実際のセットアップではパルスレーザーを集光して 照射するため、瞬間的かつ局所的な発熱が起こる。その緩和過程においてシリカ空孔内のPs温度が受け る影響については、シミュレーションを行ったり、実際に紫外光パルスを照射して実測することにより今 後確かめていく。

最後に、機能性シリカガラスにおける Psの生成率を確かめる必要がある。22Na 線源による 0 ∼

546 keVの陽電子を機能性シリカガラスのサンプルに照射することで、シリカガラス内部でo-Psが生成

することは既に確認している( 図 8.4)。o-Psの生成率は5割以上であり、通常のシリカガラスと同程度 の水準である。

今後は、実際に空孔が存在するシリカcavityに低速陽電子を照射した場合に、十分なo-Psが生成し、

空孔内部に蓄積されるかを確かめていく。

C

8

Ti e [ ]

全陽電子消滅 -P

-P