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チャンネル数...16(シングルエンド)または8

(差動)

ADC分解能...16ビット 全体の最大サンプルレート...200 kS/s

入力レンジ... ±10 V±5 V±2 V±1 V 測定条件

読み取りの割合

(ゲイン誤差)

レンジの割合*

(オフセット誤差)

標準 (25 ℃、±5 ) 0.11% 0.03%

最大(-4085℃) 0.55% 0.16%

*レンジ = 5 V

最大動作電圧(信号 + コモンモード)

入力インピーダンス

電源オン... > 1 GΩ(100 pFと並列)

電源オフ/過負荷... 2.3 kΩ(最小)

過電圧保護

電源オン... ±25 V(最大2つのAIピン)

電源オフ... ±15 V

Al確度

ゲインドリフト... 読み取り値の12 ppm/ オフセットドリフト... レンジの4 ppm/

AIノイズ

レンジ 動作電圧

10 V ±11 V

5 V ±10.5 V

2 V ±9 V

1 V ±8.5 V

測定条件 レンジ

読み取りの割合

(ゲイン誤差)

レンジの割合

(オフセット 誤差)

標準 (25 ℃、±5 )

1 V

0.042%

0.007%

2 V 0.007%

5 V 0.007%

10 V 0.008%

最大(-4085℃)

1 V 0.380% 0.179%

2 V 0.360% 0.138%

5 V 0.348% 0.113%

10 V 0.344% 0.105%

レンジ 動作電圧

10 V 200 μVRMS

5 V 105 μV

CMRRDC60 Hz ...-80 dB

入力帯域幅(-3 dB...600 kHz(標準)

整定誤差(複数チャンネルスキャン)...±60 ppmステップサイズ

(標準)

クロストーク(10 kHz...-70 dB 標準パフォーマンスグラフ

CMRR (dB)

࿘Ἴᩘ㻌(Hz)

10 100 1000 10000

110

100 105

90 95

85 80

70 75

1 V 䝺䞁䝆 2 V 䝺䞁䝆 5 V 䝺䞁䝆 10 V 䝺䞁䝆

ṇつ໬䛥䜜䛯ಙྕ᣺ᖜ(dB)

࿘Ἴᩘ (Hz)

1000 10000 100000 1000000

1

–2

–4

–7 –8 –6 –5 –3 –1 0

アナログ出力特性

NI sbRIO-9623/9633

チャンネル数... 4

DAC分解能... 12ビット 最大アップデートレート1... 336 kS/s レンジ... 05 V

出力インピーダンス... 13 Ω(標準)、27 Ω(最大)

電流駆動... ±1 mA/チャンネル(最大)

保護... グランドへ短絡 電源投入時状態2... 0 V

AO確度

測定条件

読み取りの割合

(ゲイン誤差)

レンジの割合*

(オフセット誤差)

標準 (25 ℃、±5 ) 0.12% 0.02%

最大(-4085℃) 0.80% 0.12%

⺋Ꮕ䋨䉴䊁䉾䊒䉰䉟䉵䈱ppm

䉸䊷䉴䉟䊮䊏䊷䉻䊮䉴 (Ω)

100 1000 10000 100000

100000

10000

1000

100

10

メモ ローカル周囲温度の測定については、「設置環境」セクションを参照してくださ い。

INL... レンジの±0.018%(最大)

容量性駆動...1 nF(標準)

スルーレート...0.75 V / μsec(標準)

NI sbRIO-9626/9636

チャンネル数...4

DAC分解能...16ビット 最大アップデートレート1...336 kS/s レンジ...±10 V オーバーレンジ動作電圧

最小...10.3 V 標準...10.6 V 最大...10.9 V 出力インピーダンス...0.4 Ω(標準)

電流駆動...±3 mA/チャンネル(最大)

保護... グランドへ短絡 電源投入時状態2...0 V

AO確度

ゲインドリフト... 読み取り値の23 ppm/ オフセットドリフト... レンジの5.4 ppm/ INL... レンジの±194 ppm(最大)

DNL ... レンジの±16 ppm(最大)

1 これは、FPGAのトップレベルクロックを40 MHzに設定した状態で、ループで1つのAOチャンネルを実行したときの最大 アップデートレートです。

測定条件

読み取りの割合

(ゲイン誤差)

レンジの割合*

(オフセット誤差)

標準 (25 ℃、±5 ) 0.09% 0.02%

最大(-4085℃) 0.50% 0.20%

*レンジは10 Vです。

容量性駆動... 1.5 nF(標準)

スルーレート... 3.7 V / μsec(標準)

整定時間(100 pF負荷、320 μVまで)

FSステップ... 50 μs 2 Vステップ... 12 μs 0.2 Vステップ... 9 μs

所要電力

NI sbRIOデバイスでは電源が電源コネクタに接続されている必要があり

ます。電源コネクタの位置については、図 2を参照してください。電源の 接続については、「NI sbRIOデバイスに電源を入れる」セクションを参照 してください。

注意 電力制限を超えると、デバイスで予期せぬ動作が発生することがあります。

推奨電源... 30VDC (最大55 W) 電源電圧レンジ... 930 VDC1

NI sbRIOデバイスで電源に要求される合計電力はデバイスがどのように

使用されるかに大きく依存し、次の公式を用いて概算できます。

合計所要電力 = Pint + PDIO + P5V + PUSB

Pintは、NI sbRIOデバイスの内部動作による消費電力で、統合I/O

機能を含む

PDIOは、RMCMIO、または DIOコネクタ全体での3.3 V DIO ラインによる消費電力

P5Vは、RMCまたはMIOコネクタ全体での5 V 電圧出力による 消費電力

P3.3Vは、RMCコネクタ全体での3.3 V 電圧出力による消費電力

PUSBは、USBポートに差し込まれているデバイスの消費電力

PSDは、SDスロットに差し込まれているSDカードの消費電力で す。

P は、MIOコネクタ全体でのアナログ出力の消費電力です。

最大消費電力の各コンポーネントを計算する場合、次の効率要素を使用す る必要があります。

η3.3 VηDIOおよびηSD = 80%

η5 VおよびηUSB = 90%

ηAO = 50%

PAOは、MIOコネクタ全体でのアナログ出力の消費電力です。

メモ 過渡状態および起動状態を考慮して計算/測定された合計消費電力に10%を追 加します。

最大Pint... 13を参照してください。

最大PDIO... 合計DIO電流 x 3.3 V / 0.8 最大P5V... 合計5V電流 x 5 V / 0.9 最大P3.3V... 合計3.3 V電流 x 3.3 V / 0.8 最大PUSB... 合計USB電流 x 5 V / 0.9 最大PSD1... 合計SD電流 x 3.3 V / 0.8 最大PAO

NI sbRIO-9623/9633 ... 合計AO電流 x 5 V / 0.5 NI sbRIO-9626/9636 ... 合計AO電流 x 15 V / 0.5

1 SD仕様では、SDカード用に最大200 mAの電流を引き込むことが可能です。 SDカードが最大電流引き込み値を指定していな 13 NI sbRIOデバイスの最大電力レベル

モデル Pint PDIO P5V P3.3V PUSB PSD PAO

NI sbRIO-9605 5.66 W

1.79 W

8.33 W

1.36 W

N/A

N/A N/A

NI sbRIO-9606 8.10 W 2.78 W

NI sbRIO-9623 7.50 W N/A 0.04 W

NI sbRIO-9626 11.86 W

2.78 W 0.83 W

0.3 W

NI sbRIO-9633 9.04 W

0.41 W N/A 0.04 W

NI sbRIO-9636 11.86 W 0.3 W

所要電力計算の例

5 V出力から1 Aの電流、3.3 V出力から100 mAの電流、3.3 V DIO

ンを介した30 mA合計電流を引き込んでいるRMCボード、および

200 mAを引き込んでいるUSBデバイスを搭載したNI sbRIO-9606

は、合計所要電力を次のように計算します。

Pint = 8.10 W P3.3V = 0.41 W PDIO = 0.12 W P5V = 5.56 W PUSB = 1.11 W

過渡条件を考慮して10%を追加した場合、15.55 W × 1.1 = 17.11 W 合計所要電力 = 17.11 W

メモ これらの計算は、NI sbRIOデバイスシステムの最大所要電力を概算するためで す。特定のアプリケーションの消費電源を正確に推測するには、意図する使用の 環境下でアプリケーションを実行しているボードを直接測定することを推奨し ます。

NI sbRIO-9605

消費電力(RMCソース時)... 19.1 W(最大)

NI sbRIO-9606

消費電力(RMCソース時)... 25.4 W(最大)

NI sbRIO-9623

消費電力(RMCソース時)... 21.7 W(最大)

NI sbRIO-9626

消費電力(RMCソース時)... 29.9 W(最大)

NI sbRIO-9633

消費電力... 21.9 W(最大)

NI sbRIO-9636

消費電力... 24.7 W(最大)

設置環境

NI sbRIOデバイスは、屋内での使用を意図して設計されています。

デバイス付近のローカル周囲温度

(IEC 60068-2-1IEC 60068-2-2

NI sbRIO-960x...-4085 NI sbRIO-962x...-4085 NI sbRIO-963x...-4085

メモ PCBの両サイドでボードの表面から5 mm0.2 in.)の位置に熱電対をおいて 周囲温度を測定します。 FPGA、プロセッサ、ボードの端などの高温のコンポー ネントに熱電対を当てないように注意してください。そうすると測定値が不正 確になる可能性があります。周囲温度に加えて、コンポーネントのケース温度も 推奨されている最大ケース温度を超えないようにする必要があります。

コンポーネントの最大ケース温度

メモ システムによっては、最大許容温度範囲に収まるようにヒートシンクや通気が 必要な場合もあります。 NI sbRIOデバイスに取り付けられるヒートスプレッダ

をNational Instrumentsから入手することも可能です。ヒートスプレッダは

NI 9695(製品番号: 153901-01)です。

メモ NI sbRIOシステムの伝熱能力に影響を与える環境および設計の要因例および情

報については、ni.com/infoでInfo Codesbriocooling」と入力して ください。

保管温度

(IEC 60068-2-1IEC 60068-2-2...-4085 動作時の相対湿度

(IEC 60068-2-56...1090% RH(結露なきこと)

保管時の相対湿度

(IEC 60068-2-56...595% RH(結露なきこと)

最大使用高度...5,000 m

14 コンポーネントの最大ケース温度

コンポーネント* 製造元 最大ケース温度

FPGA Xilinx 93

プロセッサ Freescale 107

DDRメモリ Micron 97

NANDフラッシュ Micron 90

*コンポーネントの位置については図2を参照

物理特性

重量

NI sbRIO-9605 ... 85 g2.998 oz NI sbRIO-9606 ... 89 g3.139 oz NI sbRIO-9623 ... 123 g4.24 oz NI sbRIO-9626 ... 133 g4.69 oz) NI sbRIO-9633 ... 131 g4.62 oz NI sbRIO-9636 ... 132 g4.66 oz

安全電圧

必ずこの制限内の電圧だけを接続してください。

V/C端子間... 30 VDC(最大)

Measurement Category I

Measurement Category Iは、MAINS電圧と呼ばれる配電システムに直

接接続されていない回路上で実行される測定用です。 MAINSは、装置に電 力を供給する危険活電電源供給システムです。また、特別に保護された2 次回路からの電圧測定に使用します。そのような電圧測定には、信号レベ ル、特殊ハードウェア、エネルギー制限されたハードウェアの一部、安定 化低電圧ソースから電力供給される回路、および電子装置が含まれます。

注意 Measurement Category IIIII、またはIVの信号を、システムに接続したり測

定しないでください。

環境管理

ナショナルインスツルメンツは、環境に優しい製品の設計および製造に努 めています。 NIは、製品から特定の有害物質を除外することが、環境およ びNIのお客様にとって有益であると考えています。

環境の詳細な情報については、ni.com/environment(英語)の

Minimize Our Environmental Impact(英語)を参照してください。こ

のページには、ナショナルインスツルメンツが準拠する環境規制および指 令、およびこのドキュメントに含まれていないその他の環境に関する情報 が記載されています。

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