x Vertical GaN Power Devices and Automotive Application Tetsu Kachi (Nagoya Univ) x A discussion on Vertical GaN Device Variations and their Applicability
Srabanti Chowdhury(UC Davis, USA) x Fabrication and Characterization of Vertical GaN MOSFETs Masaaki Kuzuhara (Fukui Univ) Electronic Devices II
x Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/ Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy Kenji Shiojima (Fukui Univ) x Defect Electronics in SiC for High-Voltage Power Devices 㻌 㻌 㻌 Tsunenobu Kimoto (Kyoto Univ) Growth I
x Growth of GaN-Based Semiconductors on h-BN Release Layers
Yasuyuki㻌 Kobayashi(Hirosaki Univ) x Development of two-inch AlN substrates and Pseudomorphic AlGaN Technology for
Optoelectronic, Power, RF, and High Temperature Applications: the Better Wide Bandgap
Semiconductor Technology 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 Leo Schowalter (Crystal IS/Asahi Kasei, USA) Growth II
x GaN Bulk Crystals by Hydride Vapor Phase Epitaxy for Power Devices
Kazuyuki 㻌 Tadatomo(Yamaguchi Univ) x Influence of different dopants on the properties of bulk GaN
Malgorzata Iwinska (UNIPRESS, Poland) x Recent progress of acidic ammonothermal growth of GaN
Shigefusa 㻌 F. Chichibu(Tohoku Univ) Theory
x Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of NitrideSemiconductors: Alloy Composition and Impurity Concentration 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 Yoshihiro Kangawa (Kyushu Univ) x Recent Progress in Computational Materials Science for Growth of Nitride Semiconductors I
Tomonori Ito (Mie Univ) x Recent Progress in Computational Materials Science for Growth of Nitride Semiconductors II:
Analysis of Surfaces and Interfaces 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 ToruAkiyama(Mie Univ) Nov. 20
Electronic Devices III
x Prospective New Fuctionality of Monolithic GaN HEMT Integrated Circuits
Yasuyuki Miyamoto (Tokyo Inst. of Tech.)
x Low-Damage Etching for GaN-Based Electronic Devices Utilizing Photo-Electrochemical Reactions㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 Taketomo Sato (Hokkaido Univ) x Evaluation of Deep Levels in N-polar GaN Epitaxial Layers by Photo-Current DLTS: An
Approach to Reveal the Self-Compensation Effect of Mg Doping in p-type GaN
Hiroshi Okamoto (Hirosaki Univ) x N-polar GaN/AlGaN Inversed High Electron Mobility Transistors
Tetsuya Suemitsu(TohokuUniv)
Growth III
x AlGaN/GaN Heterostructures Prepared by Regrowth of AlGaN on RIE-Treated GaN and their Device Applications 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 Akio Yamamoto (Fukui Univ) x Effect of Polarity of GaN Substrate on AlN Formation Temperature by Substitutional Reaction
between Al Layer and GaN Substrate 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 㻌 Marsetio Noorprajuda (Tohoku Univ) Characterization
x Dislocation Properties in Bulk GaN Substrates 㻌 㻌 AkiraSakai(Osaka Univ) x Revelation and Classification of Dislocations in GaN Single Crystal for Power Device
Application Yongzhao Yao (JFCC) x Novel Characterization Technique of Threading Dislocations in GaN Using
Multiphoton-Excitation Photoluminescence Tomoyuki Tanikawa (Tohoku Univ) x Interactions of Phonon, Electron, and Photon in Nitride Semiconductors
Yoshihiro Ishitani (ChibaUniv)
多元物質科学研究所 放射光産学連携準備室第１回ワークショップ
日時： 2018 年 11 月 29 日 ( 木 )13 ： 00 〜 17 ： 40
場所： 東北大学片平キャンパス 多元物質科学研究所
南総合研究棟２ ( 片平さくらホール近接 E03 棟 ) １階大会議 室
主催： 多元物質科学研究所 放射光産学連携準備室 共催： 物質･デバイス領域共同研究拠点
人･環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・
アライアンス
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趣 旨
東北大学青葉山新キャンパスへの建設準備が進む「次世代放射光施設」の大きな特徴である低エミッタンス光 源は、未踏のサイエンスケースを開拓し、分野融合を加速すると期待されています。またその活用コンセプトは、
学術と産業が持続的発展を互いに促すことができるよう創られました。東北放射光計画策定の段階から、次世代
放射光の利活用分野開拓について牽引してきた多元物質科学研究所は、今年、次世代放射光の利活用を一層具体
化するために 放射光産学連携準備室 を設置しました。その目的は、全学の、各分野において 「次世代」放射
光が革新するサイエンスの開拓と計測分野の活用をリードするためのコンセプトの構築です。本ワークショップ
は、コンセプトを構築するための検討成果を報告し、学内での議論を活性化することを目的として開催致します。
プログラム
13:00
開会挨拶
福山 博之 （東北大多元研放射光産学連携準備室室長）
13:10
次世代放射光で期待される光源性能とその活用
為則 雄祐 （東北大多元研
/JASRI）13:40
産産学融合のための利活用システム
真木祥千子
(東北大多元研
)14:00
蓄電池開発を加速する可視化技術
雨澤 浩史
(東北大多元研
)14:20
次世代放射光が拓くスピントロニクス研究の展望
水口 将輝 （東北大金研）
14:50
オペランドナノ
X線分光の利用を特徴とする産官学連携次世代デバイス研究開発
吹留 博一 （東北大通研）
15:35
次世代放射光施設に向けた線形応答高感度高飽和軟
X線検出
CMOSイメージセンサの開発
須川 成利 （東北大工学研究科
/NICHe）16:05
次世代放射光による生命科学研究の新展開
渡部 聡
(東北大多元研)16:25
農学分野への応用が期待される革新的イメージング技術
原田 昌彦 （東北大農学研究科）
16:55
位相コントラスト
X線イメージングによる生体内流動の可視化
菊地 謙次 （東北大工学研究科）
17:25
閉会挨拶
高田 昌樹 （東北大総長特別補佐
/多元研）
17:40
〜 意見交換会 （会費
2,000円）
高分子・ハイブリッド材料研究センター講演会
主催： 高分子・ハイブリッド材料研究センター
(PHyM)共催： 人・環境と物質をつなぐイノベーション創出ダイナミック・アライアンス、
物質・デバイス領域共同研究拠点 日時：
2018年
12月
10日（月）15:00〜16:00
場所： 多元物質科学研究所東
2号館
2Fセミナー室（旧・反応研棟
2号館）
参加費： 無料
【講演内容】
講師：Nicholas Stadie
先生 （Department of Chemistry & Biochemistry at Montana State University, Assistant
Professor）
題目：Surface Homogeneity as a Guiding Principle in Physisorptive Energy Storage Materials
概要：Homogeneity is a key factor in materials design of effective energy storage materials across numerous tech-nologies. For physisorptive energy storage (e.g., of gas or fluid fuel on a porous surface or ion storage on a porous electrode), this implies that the material surface should be as homogeneous as possible with respect to structure and chemical composition. We demonstrate the effect of structural heterogeneity on deliverable gas storage by investigating methane adsorption on the surface of several porous carbon materials including activated carbons and zeolite
‐
templated carbon (ZTC). The principles underlying effective methane adsorption on ZTC can readily be extended to other gases, and also to ion storage in supercapacitors or other electrochemical energy storage devices.東北大学多元物質科学研究所 イノベーション・エクスチェンジ 2018
日時： 2018 年 12 月 14 日（金） 13 ： 00 〜 18:30 場所： 東北大学 片平さくらホール
主催： 東北大学多元物質科学研究所、みやぎ高度電子機械産業振興 協議会
協賛： 粉体工学会東北談話会、株式会社七十七銀行
後援： 宮城県、仙台市、一般社団法人みやぎ工業会、一般社団法人 東北経済連合会、経済産業省東北経済産業局
（予 定）
主 催｜東北大学多元物質科学研究所、みやぎ高度電子機械産業振興協議会 協 賛｜粉体工学会東北談話会、株式会社七十七銀行 後 援｜宮城県、仙台市、一般社団法人みやぎ工業会、
一般社団法人東北経済連合会、経済産業省東北経済産業局 Innovation Exchange2018
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12/14 イノベーション・エクスチェンジ
産学官、つながることで可能性は無限大。
東北大学 多元物質科学研究所
2018
東北大学多元物質科学研究所の最先端研究シーズと地元企業との出会いの場を設け、
社会に開かれ、親しみやすい科学・技術の交流の場の提供と、多元研の研究への理解 醸成を目的として、平成 25 年から開始し、材料 ( ナノ材料など ) をはじめとした､
ものづくりに関する情報交換等を実施しています。産 · 学が互いに自分の技術 ( 事業 ) を説明し､製品や研究成果に触れるなど､双方向の交流を図ることにより、紙だけでは 伝えられないものを伝え、相互の理解を深めていくことを目指します。
プログラム
13:00 開会挨拶 村松淳司（東北大学多元物質科学研究所所長）
13:05 基調講演「真のイノベーションは産学連携から」
多喜 義彦 氏（システム・インテグレーション代表取締役社長／ MaSC 客員教授）
14:05 講演「産学連携とリアル開発会議の役割」
中道 理 氏( 日経 BP 総研 リアル開発会議編集長 ) 14:25 休憩
14:30 講演「イノベーション・エクスチェンジを加速する次世代放射光」
高田 昌樹 氏( 東北大学多元物質科学研究所 教授／一般財団法人光科学イノベーションセンター理事長）
15:30 講演「イノベーションエクスチェンジ 2017 事例報告」
赤羽 優子 氏（株式会社 ティ・ディ・シー 代表取締役社長）
15:50 出展企業によるショートプレゼンテーション 参加企業募集（定員 8 社）
16:30 ポスター交流会 出展企業募集 ( 定員 20 社）
18:30 閉会
お問合せ先 多元物質科学研究所イノベーションエクスチェンジ実行委員会 [email protected]
※ 出展・参加のお申し込み等、詳細は、ウェブサイトをご覧ください。
http://www2.tagen.tohoku.ac.jp/general/event/Innovation̲Exchange/
■ショートプレゼンテーション（定員 8 社 ※先着順） 1 社につき 5 分程度のスライドを使った企業 PR や出展ブース紹介を予定しています。
■ポスター交流会出展（定員 20 社 ※先着順） ポスターボード (W1,200, H1,800mm) と長机 (W1,800, D600, H700mm) をご利用頂けます。
ショートプレゼンテーション、ポスター出展企業募集 申込受付期間：9 月 12 日（水）〜 11 月 12 日（月）
プログラム
13:00
開会挨拶 村松淳司（東北大学多元物質科学研究所所長）
13:05
基調講演「真のイノベーションは産学連携から」
多喜 義彦 氏（システム・インテグレーション代表取締役社長／
MaSC客員教授）
14:05
講演「産学連携とリアル開発会議の役割」
中道 理 氏
(日経
BP総研 リアル開発会議編集長)
14:25休憩
14:30
講演「イノベーション・エクスチェンジを加速する次世代放射光」
高田 昌樹 氏
(東北大学多元物質科学研究所 教授／一般財団法人光科学イノベーションセンター理事長）
15:30
講演「イノベーションエクスチェンジ
2017事例報告」
赤羽 優子 氏（株式会社 ティ・ディ・シー 代表取締役社長）
15:50
出展企業によるショートプレゼンテーション 参加企業募集（定員
8社）
16:30
ポスター交流会 出展企業募集
(定員
20社）
18:30