Cu 配線エレクトロマイグレーションの寸法依存

4.1. はじめに

前章までに、ダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション寿命に対して重要な寄与を示しているのが、配線主金属であるCuと他の物質の界面であるという結論を示した。同様に、多くの従来研究が支配的な拡散経路をCu／キャップ絶縁膜であると報告している[1][2][3]。一方で、バリアメタル／Cu 界面の拡散が支配的であるとの報告もある[4][5]。

前章において、Cu/キャップ絶縁膜界面拡散の寄与の判定方法について論じた。

配線の断面寸法を変えたドリフト速度の検討によって、ボイド成長、すなわち Cu移動に支配的な拡散経路の検証、検討を行うことが出来る。そこで本章においては、90nmノードプロセスで作成したサンプルを用いて、ダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション特性の寸法効果を議論する。

配線の微細化に伴って、断面積に対する実効的な界面の比率は高くなる。すなわち、いずれの界面拡散が支配的な場合でも、配線の微細化は、配線寿命の低下や、許容電流値の低下の要因となりうる。そのため、微細配線幅領域のエレクトロマイグレーション誘起のボイド成長挙動を把握する必要性は高い。

図 4-1 に、界面処理を最適化した 90nm テクノロジーノードのダマシン Cu 配線における、エレクトロマイグレーション寿命の配線幅依存性を示した。Via とその下層配線に関する寿命、すなわちDown-streamモードの寿命である。配線幅範囲は0.12µmから8µmである。試験の電流密度は配線断面で定義し、一定とした。故障の判定は、抵抗観察値が、初期値から３％増加した時点とした。

図より、配線幅が0.5µm以上の領域では、寿命はほぼ一定の値となる。ところ

が、0.5µm 以下の領域では、配線幅の減少に伴い、寿命が低下することがわか

る。これは、Satoらの報告と一致する[4]。図 4-2は、0.5µm未満の配線幅依存性の詳細な試験結果を示したものである。図より、配線幅の減少と共に、寿命

は配線幅のほぼ二乗に比例して減少することがわかる。このように、寿命と配線幅の関係を簡単なモデルで示すことにより、レイアウト設計時に最適な配線幅を選択する情報を与えることができる。

本章では、エレクトロマイグレーション誘起の原子輸送に対して、スケーリングが及ぼす影響について議論する。試験には、前章と同じくシングルダマシン Cu配線構造のKawasaki-Hu型のTest structureを用いた[6]。これにより、実効的なIncubation timeとドリフト速度を分離して測定した。

t50t50

図 4-1 ダマシンCu配線におけるV1/M1寿命の配線幅依存性．Via径は一定で、配線幅方向にレイアウト・ルール上で許容される、最大数の Via を配置した．雰囲気温度300℃、

配線の電流密度を2MA/cm²にて試験した．

t50[hour]

t

₅₀

t50[hour]t50[hour]

t

₅₀

図 4-2 微細配線のエレクトロマイグレーション寿命の配線幅依存性．配線幅 0.12µm～

0.42µmの実験結果．

4.2. 実験

図 4-3に、実験に用いたTest structureを示す。90nmノードプロセスで作成し、１層ダマシンCu配線とN+拡散層で構成されている。配線層間はSiO2膜、

キャップ絶縁膜および溝エッチングストッパはSiCN膜である。Cuの埋め込みはPVDによるTa/TaNバリアおよびシードCu層の形成後、ECPにより行った。

Test structureの被試験セグメント（M1）はH=0.27µm、L=100µmで、コンタクト径一定のまま、配線幅のみ異なるもの3種（0.12, 0.14, 0.20µm）を用いた。

図 4-3 Test structureの断面概念図．試験時の電流密度は、配線断面で定義した．L1, L2, L3, L4の数値は、TEMによる断面観察結果から算出した．

90nm ノードプロセス世代では、130nm ノードプロセスに対して70%程度寸法がシュリンクしているため、配線間の実効誘電率を下げるためにキャップ絶縁膜がSiNからSiCNへと移行した。前者は誘電率k ~7.0に対して、後者は誘電率k ~4.9であり、配線性能の向上に寄与している。更に誘電率が低いSiC（k

~4.5）も検討されている。膜種のみでなく、成膜方法に依存して、エレクトロマイグレーションや SIVなどの信頼性が変わるため、その評価や判定方法の必要性は非常に高いものとなっている。

実験は、255～350℃の雰囲気下で、2～12MA/cm2 の電流密度にて実施した。

図 4-3 に示す方向の電子流となる定電流を印加し、抵抗値の変化を観測した。

カソード端よりボイドが成長し、ボイド長がL1に達するとステップ状の抵抗変化が発生する。続いて L2、L3、L4 までボイドが成長するに伴い、その都度ステップ状の抵抗変化が観察される。本章での抵抗変化の例を図 4-4に示す。

図 4-4 エレクトロマイグレーション試験時の抵抗変化の例．

4.3. 結果と考察

まず、ドリフト速度、およびIncubation timeの配線幅依存性を検証した。図 4-5に、幅0.12, 0.14, 0.20µmの配線におけるボイド成長の比較を示す。300℃

の雰囲気温度において、被評価セグメントであるM1の電流密度が 3.9MA/cm² の条件にて試験を実施した。試験に使用したシステムは、第二章で示したものと同じものを用いた。

いずれの配線幅に関しても、間接的に観測されたボイド成長（Displacement）

と時間は一次の関係にある。また、同一の電流密度において、配線幅が減少するにつれて、ドリフト速度は増加し、Incubation timeが減少するのがわかる。

両者とも、図 4-1 に示される微細領域での寿命低下に対して矛盾しない。1 番目の抵抗ステップ時点について、対数正規確率プロットを行った結果を図 4-6

に示す。0.12、0.14μm 幅配線の形状パラメータは、ほぼ同じであるが、0.20μm

幅配線は若干大きな結果となった。いずれの配線幅においても、コンタクトサ

イズは同じであるため、サンプル毎のボイドの形状によって若干の寿命ばらつきを生じるものと考えられる。本章では、Cu移動およびボイド成長の平均的挙動に着目してデータを分析するが、実際の配線レイアウト設計においては、このばらつきを考慮する必要性は高い。

図 4-5 Kawasaki-Hu test stuructureによる、カソード端ボイド成長の時間依存性測定結果．雰囲気温度300℃、M1部の電流密度3.9MA/cm²にて実験を実施した．エラーバーは5~10個のサンプルによるmax-min範囲を示す．

t₅₀ t₅₀

t₅₀

図 4-6 1番目の抵抗ステップ時点の対数正規確率プロット．

前章に示したように、エレクトロマイグレーション誘起の質量移動は、Blech のモデル[7]にてよく説明される。ドリフト速度が以下の式で示される、

* .

eff eff

d ⎟

⎠

⎜ ⎞

⎝

⎛

Δ ΩΔ

−

= Z e j x

v D ρ σ _(4-1)

ここで、v_dはドリフト速度、D_effは実効拡散係数、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、Z_eff^* は有効電荷数、_eは電子素量、ρ^{は抵抗率、} jは電流密度、Ωは Metalの原子体積、

(

Δσ Δx

)

は配線長に沿ったエレクトロマイグレーション誘起の応力勾配である。式より、ドリフト速度は、Cuの移動度を示す拡散項と、Cu 移動の駆動力を示す項の積によって表現されることがわかる。

図 4-7 は、配線幅毎のドリフト速度の挙動詳細を示したものである。図 4-7 (a)より、各配線幅共に式(4-1)のモデルに対するあてはまりがよいことがわかる。

また、図 4-7 (b)は、規格化したドリフト速度と電流密度の関係を示したものである。図 4-2 より、経験的にドリフト速度に配線幅の二乗を乗じることによって規格化した。規格化したドリフト速度は、いずれの配線幅も、電流密度の 1 次式に対してあてはまりがよい。すなわち、ドリフト発生のしきい電流密度は、

配線幅に依存しないと考えて差し支えない。したがって、エレクトロマイグレーションによるボイド発生のしきい条件となるしきい電流密度と配線長の積であるCritical product [7]は一定である。Critical productは、エレクトロマイグレーションを駆動する電子風力と、エレクトロマイグレーションに誘起されて生じる配線内部の応力勾配との均衡によって決まる。すなわち、配線幅依存性の主要因は、式(4-1)の括弧内部に示される駆動力項ではなく、拡散項の変化にあるものと考えられる。なお、しきい電流密度は 0.39MA/cm²である。すなわち、Critical productは3900A/cmである。

図 4-7 (b)で用いた規格化は、経験則から導いたものであるが、物理的な意味は、いまのところ不明である。今後の微細化の進展による断面寸法の現象とエレクトロマイグレーションの改善において、非常に重要な特性であり、今後の

物理的な解釈が期待される。

図 4-7 ドリフト速度の電流密度依存性．

次に、拡散項の変化の詳細を議論するために、まず拡散の活性化エネルギーを確認した。式(4-1)に示されるBlechのモデルは、以下のように式変形される、

. exp ^eff

0 eff

* eff c

d ⎟

⎠

⎜ ⎞

⎝⎛−

− = D kT

k e Z j j

v ρ φ

(4-2)

ここで、D_e⁰_ff は実効拡散係数の前指数項、φ_e_ffは拡散の実効活性化エネルギーである。

式(4-2)に基づいて規格化されたドリフト速度のアレニウスプロットを図 4-8 に示す。図より得られる活性化エネルギーは、いずれも 1.1eV 程度となる。すなわち、配線幅によって拡散経路が大きく変化するとは考え難い。この値は、

ダマシンCu表面に関する既報（0.9eV）[8]、Cu/SiN界面に関する前章の結果

（0.89eV）と比較して改善されているものである。すなわち、プロセス技術に

よるCu/キャップ絶縁膜界面の拡散の抑制によって、ボイド成長に対して別の拡

散経路の寄与が顕在化していることが示唆される。

また、活性化エネルギーに若干の配線幅依存性が認められる。これは、Cu/

キャップ絶縁膜界面拡散の抑制度自体が配線幅依存をもっていると考えられ、

今後の高信頼配線開発において重要な検討項目である。この点については、第7 章にて詳細に議論する。

図 4-8 規格化されたドリフト速度の温度依存性．

ドキュメント内 LSI 微細 Cu 配線における (ページ 94-113)