• 検索結果がありません。

(4) 自由変換特性機能使用時

L60AD2DA2

アドレス(10 進数) 名称 読出/書込

5000 〜 14999 CH1 ロギングデータ 15000 〜 24999 CH2 ロギングデータ R

25000 〜 64139 システムエリア(使用禁止) −

L60AD2DA2

アドレス(10 進数) 名称 読出/書込

5000 〜 54999 波形データ登録エリア R/W

55000 〜 64139 システムエリア(使用禁止) −

L60AD2DA2

アドレス(10 進数) 名称 読出/書込

5000 〜 64139 システムエリア(使用禁止) −

L60AD2DA2

アドレス(10 進数) 名称 読出/書込

5000 〜 37000 変換特性テーブル R/W

37001 〜 64139 システムエリア(使用禁止) −

5  加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニットの置換え

5

 - 1

5

5

加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユ ニットの置換え

5.1 加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニット置換え機種一覧

AnS/QnAS シリーズ機種 L シリーズ置換え機種

品名 形名 形名 備考(制約事項)

加熱冷却温度調節ユニット 温度調節ユニット

A1S64TCTRT

熱電対接続時 L60TCTT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCTRT 白金測温抵抗体接 続時

L60TCRT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCTRTBW

熱電対接続時 L60TCTT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCTRTBW 白金測温抵抗体接 続時

L60TCRT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

5  加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニットの置換え

加熱冷却温度調節ユニット 温度調節ユニット

A1S64TCTT-S1 L60TCTT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCTTBW-S1 L60TCTT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCRT-S1 L60TCRT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S64TCRTBW-S1 L60TCRT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :なし

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S62TCTT-S2 L60TCTT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :あり(2CH /ユニット→ 4CH /ユニット)

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S62TCTTBW-S2 L60TCTT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :あり(2CH /ユニット→ 4CH /ユニット)

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S62TCRT-S2 L60TCRT4

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :なし

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :あり(2CH /ユニット→ 4CH /ユニット)

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

A1S62TCRTBW-S2 L60TCRT4BW

①外部配線の変更 :電線サイズの変更

②スロット数の変更 :あり(2 ユニット占有,インテリ 16 点)

③プログラムの変更 :入出力占有点数の変更,入出力信号の変更,

バッファメモリアドレスの変更

④性能仕様の変更 :あり(2CH /ユニット→ 4CH /ユニット)

⑤機能仕様の変更 :あり(5.3 節参照)

AnS/QnAS シリーズ機種 L シリーズ置換え機種

品名 形名 形名 備考(制約事項)

5  加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニットの置換え

5

 - 3

5.2.1 A1S64TCTRT(BW) の場合(熱電対接続時)

5.2 性能仕様比較

項目

仕様

A1S64TCTRT A1S64TCTRTBW

制御出力 トランジスタ出力

温度入力点数 標準制御:4 チャンネル/ユニット

加熱冷却制御:2 チャンネル/ユニット

使用可能な温度センサ (5.2.1 項 (1) 参照)

精度

指示精度 (周囲温度:25 ℃ ±5 ℃)フルスケール ×(±0.3%)±1digit

(周囲温度:0 ℃〜 55 ℃)フルスケール ×(±0.7%)±1digit 冷接点温度

補償精度

(周囲温度:

0 ℃〜 55 ℃)

温度測定値:

-100 ℃以上 ±1.0 ℃以内

温度測定値:

-150 ℃〜 -100 ℃ ±2.0 ℃以内

温度測定値:

-200 ℃〜 -150 ℃ ±3.0 ℃以内

サンプリング周期    0.5s(使用チャンネル数に関係なく一定)

制御出力周期 1 〜 100s

入力インピーダンス 1MΩ

入力フィルタ 0 〜 100s

センサ補正値設定 − 50.00 〜 50.00%

センサ入力断線時の動作 アップスケール処理

温度制御方式 標準制御:PID ON/OFF パルスまたは 2 位置制御

加熱冷却制御:PID ON/OFF パルス

PID 定数範囲

PID 定数設定 標準制御:オートチューニングとセルフチューニングによる設定が可能 加熱冷却制御:オートチューニングによる設定が可能

比例帯 (P) 標準制御:0.0 〜 1000.0%

加熱冷却制御:0.1 〜 1000.0%

積分時間 (I) 1 〜 3600s

微分時間 (D) 0 〜 3600s

目標値設定範囲 使用する温度センサで設定した温度範囲内

トランジスタ出力

出力信号 ON/OFF パルス

定格負荷電圧 DC10.2 〜 30.0V(ピーク電圧 30.0V)

最大負荷電流 0.1A /点 0.4A /コモン

最大突入電流 0.4A 10ms

OFF 時漏洩電流 0.1mA 以下

ON 時最大電圧降下 DC1.0V(TYP) 0.1A

DC2.5V(MAX) 0.1A

応答時間 OFF → ON:2ms 以下 ON → OFF:2ms 以下 E2PROM 書込み回数 最大 1012回(FeRAM 読み書き回数)

5  加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニットの置換え

* 1 精度の計算方法は以下のとおりです。

 (精度)=(指示精度)+(冷接点温度補償精度)

例)入力レンジ設定 38 ,使用周囲温度 35 ℃,温度測定値 300 ℃のときの精度

{400.0 − ( − 200.0)}【フルスケール】×(±0.007)【±0.7%】+ (±1.0 ℃ )【冷接点温度補償精度】= ±5.2 ℃

○:互換性あり,△:一部変更あり,×:互換性なし 

仕様

置換え時の留意点

L60TCTT4 L60TCTT4BW

トランジスタ出力 ○

標準制御:4 チャンネル/ユニット

加熱冷却制御:2 チャンネル/ユニット ○ L シリーズユニットは標準制御と 加熱冷却制御の混在が可能です。

(5.2.1 項 (1) 参照) ○

(周囲温度:25 ℃ ±5 ℃)フルスケール ×(±0.3%)* 1

(周囲温度:0 ℃〜 55 ℃)フルスケール ×(±0.7%)* 1

±1.0 ℃以内* 1

±2.0 ℃以内* 1

±3.0 ℃以内* 1

250ms / 4 チャンネル,500ms / 4 チャンネル(使用チャンネル数に関係なく一定) ○ L シリーズユニットはサンプリン グ周期を選択できます。

0.5s 〜 100.0s ○

1MΩ ○

0 〜 100s ○

− 50.00 〜 50.00% ○

アップスケール処理 ○

PID ON/OFF パルスまたは 2 位置制御 ○ 標準制御:オートチューニングとセルフチューニングによる設定が可能

加熱冷却制御:オートチューニングによる設定が可能 ○

0.0 〜 1000.0% ○

0 〜 3600s ○

0 〜 3600s ○

使用する温度センサで設定した温度範囲内 ○

ON/OFF パルス ○

DC10 〜 30V ○

0.1A /点 0.4A /コモン ○

0.4A 10ms ○

0.1mA 以下 ○

DC1.0V(TYP) 0.1A

DC2.5V(MAX) 0.1A ○

OFF → ON:2ms 以下 ON → OFF:2ms 以下 ○ 最大 1012回(不揮発性メモリへの読み書き回数) ○

5  加熱冷却温度調節ユニット/温度調節ユニットの置換え

5

 - 5

* 2 加熱冷却制御時に,未使用入力チャンネルの温度変換機能を使用しない場合の電流値です。