誤り保護部

ﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ4は外部事象が起動される場合にPWM出力ﾋﾟﾝを禁止にできる誤り保護部を併設します。出来事を指示する外部信号は 外部割り込みINT0経由、または代わりにｱﾅﾛｸﾞ比較器部経由で印加できます。誤り保護部は図15-20.で示される構成図によって表 されます。誤り保護部の直接の部分でない構成図の要素は青枠(訳注:原文は灰色背景)で示されます。

図15-20. 誤り保護部構成図

FPF4 (割り込み要求)

TC4H(8ﾋﾞｯﾄ)

TCNT4 (10/8ﾋﾞｯﾄ ﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ) TCNT4(8ﾋﾞｯﾄ) +

-ｴｯｼﾞ検出器 雑音消去器

INT0

ACO

FPAC4 FPNC4 FPES4

ｱﾅﾛｸﾞ比較器 FPEN4

誤り保護動作は誤り保護許可(FPEN4)ﾋﾞｯﾄと外部割り込み(INT0)ﾋﾟﾝ、または代わりにｱﾅﾛｸﾞ比較器出力で論理ﾚﾍﾞﾙ(事象)の変化に よって許可され、この変化がｴｯｼﾞ検出器の設定に通知して誤り保護が起動されます。誤り保護が起動されると、比較出力選択(COM 4x1.0)ﾋﾞｯﾄが解除(00)され、比較出力はPWM出力ﾋﾟﾝから切断されてPORTxﾚｼﾞｽﾀ ﾋﾞｯﾄがPWM出力ﾋﾟﾝに接続されます。誤り保護許 可(FPEN4)はCOM4xﾋﾞｯﾄが解除(00)されるのと同じｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸで自動的に解除(0)されます。誤り保護割り込み許可(FPIE4)が設定 (1)なら、誤り保護割り込みが生成され、FPEN4ﾋﾞｯﾄが解除(0)されます。代わりにFPEN4はﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀが誤り保護動作へ移行されてし まった時を了解するのにｿﾌﾄｳｪｱによってﾎﾟｰﾘﾝｸﾞすることもできます。

15.10.1. 誤り保護起動元

誤り保護部に対する主な起動元は外部割り込み(INT0)ﾋﾟﾝです。代わりにｱﾅﾛｸﾞ比較器出力が誤り保護部に対する起動元として使 用できます。ｱﾅﾛｸﾞ比較器はﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ4制御ﾚｼﾞｽﾀD(TCCR4D)の誤り保護ｱﾅﾛｸﾞ比較器(FPAC4)ﾋﾞｯﾄの設定(1)によって選択され ます。起動元変更が誤り保護動作を起動し得ることに注意してください。従って起動元変更、ｴｯｼﾞ検出器設定、または誤り保護許可 後に誤り保護割り込み要求ﾌﾗｸﾞ(FPF4)を解除(0)することが推奨されます。

外部割り込み(INT0)ﾋﾟﾝとｱﾅﾛｸﾞ比較器出力(ACO)入力はTnﾋﾟﾝ(55頁の図12-1.参照)についてと同じ技法を使用して採取されます。

ｴｯｼﾞ検出器も全く同じです。けれども雑音消去が許可されると、付加論理回路がｴｯｼﾞ検出器の前に挿入され、そして遅延を4ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ周期増やします。誤り保護動作はINT0ﾋﾟﾝのﾎﾟｰﾄを制御することによってｿﾌﾄｳｪｱでも起動できます。

15.10.2. 雑音消去器

雑音消去器は簡単なﾃﾞｼﾞﾀﾙ濾波器機構を使用することによって雑音耐性を改善します。雑音消去器の入力は4採取に渡って監視 され、ｴｯｼﾞ検出器によって使用される方向転換となる出力を変更するには4回全てが同じでなければなりません。

雑音消去器はﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ4制御ﾚｼﾞｽﾀD(TCCR4D)の誤り保護雑音消去許可(FPNC4)ﾋﾞｯﾄの設定(1)によって許可されます。許可した 時に雑音消去器は入力に印加した変更から4ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ周期の追加遅延をもたらします。雑音消去器はｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸを使用し、従っ て前置分周器によって影響を及ぼされません。

15.11. 10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀのｱｸｾｽ

10ﾋﾞｯﾄ値がTCNT4とOCR4A/B/C/Dﾚｼﾞｽﾀに書かれる場合、その10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀは2回の読みまたは書き操作を使用して8ﾋﾞｯﾄ ﾊﾞｽ経 由でAVR CPUによってｱｸｾｽできます。10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀは10ﾋﾞｯﾄ ｱｸｾｽの上位2ﾋﾞｯﾄの一時保存用に共通2ﾋﾞｯﾄのﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ1上位ﾊﾞｲ ﾄ(TC4H)ﾚｼﾞｽﾀを持ちます。全ての10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀ間で、この同じTC4Hﾚｼﾞｽﾀが共用されます。下位ﾊﾞｲﾄ ｱｸｾｽが10ﾋﾞｯﾄ読み書き動 作を起動します。10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀの下位ﾊﾞｲﾄがCPUによって書かれると、TC4Hﾚｼﾞｽﾀに格納した上位ﾊﾞｲﾄと書かれた下位ﾊﾞｲﾄは同じ ｸﾛｯｸ周期で10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀに両方が複写されます。10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀの下位ﾊﾞｲﾄがCPUによって読まれると、10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀの上位ﾊﾞｲﾄ は下位ﾊﾞｲﾄが読まれるのと同じｸﾛｯｸ周期でTC4Hﾚｼﾞｽﾀに複写されます。

10ﾋﾞｯﾄ書き込みを行うために上位ﾊﾞｲﾄは下位ﾊﾞｲﾄが書かれるのに先立ってTC4Hﾚｼﾞｽﾀへ書かれなければなりません。10ﾋﾞｯﾄ読み 込みについては下位ﾊﾞｲﾄが上位ﾊﾞｲﾄに先立って読まれなければなりません。

次のｺｰﾄﾞ例は割り込みがTC4Hﾚｼﾞｽﾀを更新しないことが前提の10ﾋﾞｯﾄ ﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ ﾚｼﾞｽﾀのｱｸｾｽ法を示します。OCR4A/B/C/Dﾚ ｼﾞｽﾀのｱｸｾｽに対して同じ原理が直接的に使用できます。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例

～ ;

;[10ﾋﾞｯﾄ($1FF)書き込み]

LDI R17,$01 ;$1FFの上位ﾊﾞｲﾄ値取得

LDI R16,$FF ;$1FFの下位ﾊﾞｲﾄ値取得

OUT TCnH,R17 ;上位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)

OUT TCNTn,R16 ;下位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnH⇒上位ﾊﾞｲﾄ)

;[10ﾋﾞｯﾄ読み込み]

IN R16,TCNTn ;下位ﾊﾞｲﾄ取得(上位ﾊﾞｲﾄ⇒一時ﾚｼﾞｽﾀ)

IN R17,TCnH ;上位ﾊﾞｲﾄ取得(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)

～ ;

C言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例 unsigned int i;

～ /* */

/* [10ﾋﾞｯﾄ($1FF)書き込み] */

TCnH = 0x01; /* 上位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ) */

TCNTn = 0xFF; /* 下位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ⇒上位ﾊﾞｲﾄ) */

/* [10ﾋﾞｯﾄ読み込み] */

i = TCNTn; /* 下位ﾊﾞｲﾄ取得(上位ﾊﾞｲﾄ⇒TCnHﾚｼﾞｽﾀ) */

i |= ((unsigned int)TCnH<<8); /* 上位ﾊﾞｲﾄ取得(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)合成 */

～ /* */

注: 5頁の「ｺｰﾄﾞ例」をご覧ください。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ｺｰﾄﾞ例はR17:R16ﾚｼﾞｽﾀ対にTCNT4値を戻します。

10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀ ｱｸｾｽが非分断操作であるのに注意することが重要です。10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀをｱｸｾｽする2命令間で割り込みが起き、割り 込みｺｰﾄﾞがその10ﾋﾞｯﾄ ﾀｲﾏ/ｶｳﾝﾀ ﾚｼﾞｽﾀの同じ若しくは他の何れかをｱｸｾｽすることによってTC4Hﾚｼﾞｽﾀを更新する場合、割り込 み外のその後のｱｸｾｽ結果は不正にされます。従って主ｺｰﾄﾞと割り込みｺｰﾄﾞの両方がTC4Hﾚｼﾞｽﾀを更新する時に主ｺｰﾄﾞは10ﾋﾞｯﾄ ｱｸｾｽ中の割り込みを禁止しなければなりません。

次のｺｰﾄﾞ例はTCNT4ﾚｼﾞｽﾀ内容の非分断読み込み法を示します。同じ原理を使用することにより、OCR4A/B/C/Dのどんな読み込 みも行えます。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例

RD_TCNTn: IN R18,SREG ;現全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を保存

CLI ;全割り込み禁止

IN R16,TCNTn ;TCNTn下位ﾊﾞｲﾄ取得(上位ﾊﾞｲﾄ⇒TCnHﾚｼﾞｽﾀ)

IN R17,TCnH ;TCNTn上位ﾊﾞｲﾄ取得(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)

OUT SREG,R18 ;全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を復帰

RET ;呼び出し元へ復帰

C言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例

unsigned int TIM10_Read_TCNTn(void) {

unsigned char sreg; /* ｽﾃｰﾀｽ ﾚｼﾞｽﾀ一時保存変数定義 */

unsigned int i; /* TCNTn読み出し変数定義 */

sreg = SREG; /* 現全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を保存 */

_CLI(); /* 全割り込み禁止 */

i = TCNTn; /* 下位ﾊﾞｲﾄ取得(上位ﾊﾞｲﾄ⇒TCnHﾚｼﾞｽﾀ) */

i |= ((unsigned int)TCnH<<8); /* 上位ﾊﾞｲﾄ取得(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)合成 */

SREG = sreg; /* 全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を復帰 */

return i; /* TCNTn値で呼び出し元へ復帰 */

}

注: 5頁の「ｺｰﾄﾞ例」をご覧ください。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ｺｰﾄﾞ例はR17:R16ﾚｼﾞｽﾀ対にTCNT4値を戻します。

次のｺｰﾄﾞ例はTCNT4ﾚｼﾞｽﾀ内容の非分断書き込み法を示します。同じ原理を使用することにより、OCR4A/B/C/Dのどんな書き込 みも行えます。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例

WR_TCNTn: IN R18,SREG ;現全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を保存

CLI ;全割り込み禁止

OUT TCnH,R17 ;TCNTn上位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ)

OUT TCNTn,R16 ;TCNTn下位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ⇒上位ﾊﾞｲﾄ)

OUT SREG,R18 ;全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を復帰

RET ;呼び出し元へ復帰

C言語ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ例

void TIM10_Write_TCNTn(unsigned int i) {

unsigned char sreg; /* ｽﾃｰﾀｽ ﾚｼﾞｽﾀ一時保存変数定義 */

unsigned int i; /* TCNTn書き込み変数定義 */

sreg = SREG; /* 現全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を保存 */

_CLI(); /* 全割り込み禁止 */

TCnH = (i>>8); /* 上位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ) */

TCNTn = (unsigned char)i; /* 下位ﾊﾞｲﾄ設定(TCnHﾚｼﾞｽﾀ⇒上位ﾊﾞｲﾄ) */

SREG = sreg; /* 全割り込み許可ﾌﾗｸﾞ(I)を復帰 */

}

注: 5頁の「ｺｰﾄﾞ例」をご覧ください。

ｱｾﾝﾌﾞﾘ言語ｺｰﾄﾞ例はR17:R16ﾚｼﾞｽﾀ対がTCNT4へ書かれるべき値を含むことが必要です。

15.11.1. 上位ﾊﾞｲﾄ一時ﾚｼﾞｽﾀの再使用

書かれる全ﾚｼﾞｽﾀについて上位ﾊﾞｲﾄが同じ複数10ﾋﾞｯﾄ ﾚｼﾞｽﾀ書き込みなら、上位ﾊﾞｲﾄは1度書かれることだけが必要です。けれども 直前で記述した非分断操作の同じ規則が、この場合にも適用されることに注意してください。