＊ 2002-2003年度内に登録または公開された特許：１７5件
02 結晶物理学研究部門
水素生成光装置 （公開：2003年度）
液体拡散係数測定法 （公開：2003年度）
多結晶太陽電池及びその製造方法 特許第3472830号
太陽電池及びその製造方法 特許第3472837号
07 低温電子物性学研究部門
スピンカイラリティを用いた磁気光学素子 （公開：2003年度）
10 高純度金属材料学研究部門
Al2O3-金属系複合材料およびその製造方法 （公開：2002年度）
Intermetallic Compound and Method of Manufacturing Method the Same
(10/105,451) （公開：2002年度）
Intermetallic Compound and Method of Manufacturing Method the Same
(2,379,744) （公開：2002年度）
金属間化合物およびその製造方法 特許第3536095号
16 ランダム構造物質学研究部門
蛍光 X線ホログラフィー装置 （公開：2003年度）
18 超高圧化学研究部門
P型半導体結晶の製造方法および発光デバイス（公開番号 2002-289918） （公開：2002年度）
X線回折を用いた結晶の観察方法及びその観察装置（公開番号 2002-286660） （公開：2002年度）
フェロックスプレーナ薄膜の製造方法及びインダクタ（公開番号 2002-308695） （公開：2002年度）
酸化物誘電体薄膜及びその製造方法（公開番号 2002-367989） （公開：2002年度）
トランジスタ及び半導体装置（公開番号 2002-319682） （公開：2002年度）
半導体素子（公開番号 2003-046081） （公開：2002年度）
黄色発光蛍光体（公開番号 2003-055655） （公開：2002年度）
酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子（公開番号 2003-081692）
（公開：2002年度）
面内格子定数調整基板の作製方法及び面内格子定数調整基板（公開番号 2003-055100）
（公開：2002年度）
複合集積回路及びその製造方法（公開番号 2002-367988） （公開：2002年度）
薄膜トランジスタ及びマトリクス表示装置（公開番号 2003-086808） （公開：2002年度）
酸化物半導体発光素子およびその製造方法（公開番号 2003-110142） （公開：2003年度）
半導体薄膜結晶のドーピング濃度制御方法および半導体素子（公開番号
2003-104792） （公開：2003年度）
半導体発光素子（公開番号 2003-243703） （公開：2003年度）
磁気記録媒体の製造方法（公開番号 2003-296912） （公開：2003年度）
酸化物半導体超格子およびこれを用いたデバイス（公開番号 2004-047607） （公開：2003年度）
青色発光蛍光体（公開番号 2004-083652） （公開：2003年度）
トランジスタ及び半導体装置（公開番号 2000-150900） 特許第3276930号
基板加熱装置（公開番号 2000-294547） 特許第3268446号
レーザー加熱装置（公開番号 2000-087223） 特許第3268443号
Semiconductor Device（ EP1172858） EP1172858 Combinatorial molecular layer epitaxy device（ 6,344,084） 6,344,084
II 族 -酸化物を含む光半導体素子 特許第3380422号
コンビナトリアル X線回折装置（公開番号 2000-338061） 特許第3373803号 Thin Film Device and its Fabritation Method（ 2003/0006406） US20030006406 Composite Integrated Circuit and its Fabrication Method（ 2003/0001232） US20030001232 Semiconductor Device（ TW483147） TW483147 Thin Film Device and its Fabritation Method（ EP1271626） EP1271626 Composite Integrated Circuit and its Fabrication Method（ EP1267408） EP1267408 Combinatorial X-ray diffraction apparatus（ 6,459,763） 6,459,763 金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子（公開番号
2001-257396）
特許第3469529号
半導体デバイス（公開番号 2000-277534） 特許第3423896号
Method for preparing single crystal oxide thin film（ 2004/0029737） US20040029737 Thin film transistor and matrix display device（ TW552718） TW552718 Optical Semiconductor Device Utilizing Intersubband Optical Transition in ZnO
Heterostructure（ EP1355364A1） EP1355364A1 Method for Preparing Single Crystal Oxide Thin Film（ EP1314800） EP1314800 High energy electron diffraction apparatus（ 6,677,581） 6,677,581 Laser heating apparatus（ 6,617,539） 6,617,539 Thin film transistor and matrix display device（ 6,563,174） 6,563,174 Y型マグネトプラムバイト薄膜及びその製造方法並びに Y型マグネトプラムバイト薄
膜を使用した薄膜インダクタ（公開番号 2002-075731） 特許第3525136号 非線形光学効果を有する銅酸化物材料薄膜および製造方法およびその銅酸化物
材料薄膜を用いた光路波路素子（公開番号 2002-287186） 特許第3503699号 Optical semiconductor element utilizing optical transition between ZnO
heterostructure sub-bands（ 6,812,483） 6,812,483 Transistor and Semiconductor Device（ 6,727,522） 6,727,522 Transistor and Semiconductor Device（ 0436654） 0436654 Semiconductor Device（ 0436651） 0436651
19 非平衡物質工学研究部門
アモルファス鉄族合金 （公開：2001年度）
ゴルフクラブシャフト （公開：2001年度）
軟磁性材料及び磁心 （公開：2001年度）
Ｆｅ基軟磁性合金磁心の製造方法 （公開：2001年度）
ショットピ?ニング処理方法及びその被処理品 （公開：2001年度）
鉄系アモルファス球状粒子 （公開：2001年度）
非晶質合金の高延性化方法 （公開：2001年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-085602） （公開：2001年度）
Ｃｕ?Ｂｅ基非晶質合金 （公開：2002年度）
ダイヤフラム及びダイヤフラム弁 （公開：2002年度）
コリオリ流量計 （公開：2002年度）
高降伏応力Ｚｒ系非晶質合金 （公開：2002年度）
Ｔｉ系３元合金とその応用製品 （公開：2002年度）
Ｆｅ基軟磁性合金およびそれを用いた磁心 （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド及びその製造方法 （公開：2002年度）
Cu基非晶質合金 （公開：2002年度）
高強度高延性Ｍｇ基合金 （公開：2002年度）
軟磁性、高強度Ｆｅ?Ｃｏ?Ｎｉ基金属ガラス合金 （公開：2002年度）
高水素吸蔵合金とその製造方法 （公開：2002年度）
非晶質形成能に優れたＮｉ?Ｔｉ?Ｚｒ系非晶質合金 （公開：2002年度）
高飽和磁化および良好な軟磁気特性を有するＦｅ基非晶質合金 （公開：2002年度）
高強度マグネシウム合金 （公開：2002年度）
アモルファス合金及びその作製法 （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-172188） （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-165906） （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-159600） （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-126137） （公開：2002年度）
ゴルフクラブヘッド（特開 2002-113136） （公開：2002年度）
物理量検出器 （公開：2003年度）
水素分離膜及びその製造方法 （公開：2003年度）
バルク金属ガラスからなる弾性材料 （公開：2003年度）
高融点焼結材料微粉末の製造方法とその装置 （公開：2003年度）
高強度Ｚｒ基金属ガラス （公開：2003年度）
Ｃａ?Ｍｇ系非晶質合金 （公開：2003年度）
軟磁性、高飽和磁化 (Fe， Co， Ni)?B?Si基金属ガラス合金 （公開：2003年度）
軟磁性 Co基金属ガラス合金 （公開：2003年度）
高硬度薄膜及びその製造方法 特許第3281173号 ゴルフクラブヘッド及びその製法（特開平 11-047321） 特許第3280286号
Ｆｅ基軟磁性合金の製造方法（特開平 06-322472） 特許第3279399号
金属粉末の製造方法とその装置 特許第3270713号
非晶質合金被覆部材の製造方法 特許第3392509号
高耐摩耗性アルミニウム基複合合金 特許第3391636号
メタノールの水蒸気改質用触媒の製造方法 特許第3382343号
ジルコニウム非晶質合金棒材の製造方法及び金型で鋳造成型されたジルコニウ
ム非晶質合金 特許第3359750号
高力銅合金（特開平 07-173556） 特許第3346861号
光ファイバーコネクター用フェルール及びその製造方法 特許第3326087号
永久磁石材料、永久磁石及び永久磁石の製造方法 特許第3311907号
非晶質合金材料の製造方法 特許第3308284号
高靭性高強度非晶質合金材料の製造方法 特許第3302031号
単分散状金超微粒子の製造方法 特許第3300460号
硬質磁性材料及びその製造方法 特許第3299887号
高強度アルミニウム合金およびその製造方法 特許第3299404号
Ｆｅ基軟磁性金属ガラス焼結体およびその製造方法 特許第3534218号
バルク磁心（特開平 11-074111） 特許第3532392号
積層磁心（特開平 11-074110） 特許第3532391号
積層磁心（特開平 11-074108） 特許第3532390号
急冷凝固アルミニウム合金粉末およびその製造方法 特許第3515597号
角度センサ 特許第3515339号
高強度高剛性アルミニウム基合金（特開平 08-199317） 特許第3504401号 硬磁性合金圧密体およびその製造方法（特開平 09-316565） 特許第3490228号
帯溶融式金属ガラスの製造方法 特許第3488520号
高強度アルミニウム基合金（特開平 07-268529） 特許第3485961号
非晶質合金成形品の製造方法 特許第3484360号
ジルコニウム系非晶質合金 特許第3479444号
アモルファス硬質磁性合金およびアモルファス硬質磁性合金鋳造材とその製造方
法 特許第3468648号
軟磁性合金の製造方法（特開平 09-125135） 特許第3460763号
ゴルフクラブ 特許第3428899号
傾斜機能薄膜（特開平 06-122958） 特許第2716295号
金属間化合物およびその製造方法 特許第3536095号
高比表面積複合酸化物の製造方法 特許第3561008号
軟磁性Ｃｏ基金属ガラス合金 特許第3560591号
20 磁性材料学研究部門
高保磁力を有する高配向 FePt磁性薄膜の製造方法 （公開番号：特開
2003-289005） （公開：2003年度）
磁性多層膜の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁性多層膜及び、磁気記録 媒体（公開番号：特開 2003-272944）
（公開：2003年度）
薄膜磁気抵抗素子 特許第3466470号
磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体 .. 特許第3559333号
磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体 . 特許第3559332号
Method of Making Magnetic Multilayer Film, Method of Making Magnetic Recording Medium, Magnetic Multilayer Film, and Magnetic Recording Medium
US6824817B2
21 結晶材料化学研究部門
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾
性波デバイス（公開番号： 2002-53393） （公開：2001年度）
無転位シリコン単結晶の成長方法 （公開：2001年度）
Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device（公開番号： TW512588）
（公開：TW512588）
ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶（公開番号：
2002-211998）
（公開：2002年度）
ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶（公開番号：
2002-234798）
（公開：2002年度）
ランガサイト単結晶の引き上げ方法およびランガサイト単結晶（公開番号：
2002-255691）
（公開：2002年度）
ランガサイト型単結晶の作製方法（公開番号： 2002-356396） （公開：2002年度）
Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for
manufacture thereof, and surface acoustic wave device（公開番号： EP1302570） （公開：EP1302570）
単結晶の製造装置及び方法（公開番号： 2003-95792） （公開：2003年度）
ランガサイト型単結晶の作製方法（公開番号： 2003-104797） （公開：2003年度）
ランガサイト単結晶およびその引き上げ方法（公開番号： 2003-192495） （公開：2003年度）
ランガサイト系単結晶基板の製造方法（公開番号： 2003-249697） （公開：2003年度）
ランガサイト単結晶の製造方法（公開番号： 2003-246697） （公開：2003年度）
表面弾性波素子（公開番号： 2003-298383） （公開：2003年度）
圧電基板の材料定数測定装置（公開番号： 2003-315294） （公開：2003年度）
表面弾性波素子用基板及びこれを用いた表面弾性波素子（出願番号：
2002-153889,公開番号： 2003-229741）
（公開：2003年度）
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾 性波デバイス（公開番号： 2004-59404）
（公開：2003年度）
高耐熱衝撃シリコンウェハ （公開：2003年度）
耐反りシリコンウェハ （公開：2003年度）
界面活性剤によるナノ粒子のサイズ分別法（特許番号 :3303129) 特許第3303129号 Method for manufacturing dislocation-free silicon single crystal US Patent 6451108
無転位シリコン単結晶の製造方法 特許第3446032号