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有限回転増分と板厚増分

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第 3 章 ひずみ仮定を用いた非圧縮超弾性シェル要素の開発 33

3.2 非圧縮大ひずみシェル要素の定式化

3.2.3 有限回転増分と板厚増分

本節では,各増分ステップ間の有限回転量および板厚の更新について示す.なお,変位 の3次以上の項は接線剛性を導く線形化の際消滅するため,ここでは2次項までを考える. いま,軸性ベクトルがtt0θkである反対称テンソルtt0Φkを定義する.反対称テンソルtt0Φk と軸性ベクトルtt0θkは次式のような関係がある.

∆t→0lim 1

∆t

t0

tΦktV3k= lim

∆t→0

1

∆t

t0

tθk×tV3k= ˙tV3k (3.9)

このとき,有限回転テンソルtt0Rは,幾何学的関係から次式のように厳密に求めることが できる(3.15).

t0

tR=I+h1(ω)tt0Φk+h2(ω)(tt0Φk)2 (3.10) ここで

h1(ω) =sinω

ω , h2(ω) =1 2

µsin(ω/2) ω/2

2 , ω=

¯¯

¯tt0θk

¯¯

¯ (3.11)

ωが微小のとき,sinω,sin(ω/2)をTaylor展開すると次式が成り立つ.

t0

tR=I +tt0Φk+ 1

2!(tt0Φk)2+· · · (3.12) いま,軸性ベクトルtt0θkはシェルのディレクターベクトルtV3kに直交する面内の2つの ベクトルtV1k,tV2kに分解されると定義すると次式が成り立つ.

t0

tθk =αktV1k+βktV2k (3.13) この場合tt0Rtt0θkのまわりのp

k)2+ (βk)2だけの有限回転を表している.回転が微 小なときには,ディレクターtV3ktV1k,tV2kのまわりの回転角をそれぞれαkkとみな すことができ,ディレクター自身のまわりの回転は考慮されない.

次に板厚とその増分量を考える.いま,t0C の第3不変量III(t0C)は次式のように式展 開できる.

III(t0C) = dett0C = [tg1tg2tg3]2

[G1G2G3]2 (3.14)

なお,[ ]は,スカラー3重積を表す.ここで,

tg = [tg1tg2tg3]2 = det£t gij¤

=εijptgi1tgj2tgp3

G = [G1G2G3]2= det [Gij] =εijpGi1Gj2Gp3 (3.15) とおく.なお,εijpは交代記号である.このとき,非圧縮条件式(3.6)は次式のようになる.

tg

G = 1 (3.16)

3.2.1節式(3.2),(3.6)より,式(3.16)はFig.3.1の点Mにおいて成立する.よって時刻t の板厚thは,

th= 2 G [tg1tg2td]rr12=0=0

r3=0

(3.17)

で与えられる.ここで,

tg3= 1 2

thtd (3.18)

の関係を用いた.tdは要素内の任意の点のディレクターベクトルであり、形状関数Niを 用いて次式のように表される.

td=NktV3k (3.19)

なお,tdは,要素内の任意の点における補間されたディレクターベクトルであり,初期形 状が曲面の場合や,あるいは大変形により各節点におけるディレクターの方向が異なる時 には,0<|td| ≤1であり,単位ベクトルとはならない.この現象は,通常の板厚が変化 しない微小ひずみ問題においても生じ,計算に用いられる実効板厚が低めに見積もられる.

本要素での式(3.17)による板厚の更新は,それを補正する役割を果たしている.曲面の曲 率が小さい場合等は,td|ttdd|と正規化してもよい.なお,本シェル要素では,板厚変化 は面内ひずみの影響が支配的であるとの仮定の下,式(3.17)より板厚を算出するにあたっ ては,面外せん断項を次式のように無視する.

tgα3 =gα·g30 (3.20)

時刻tの板厚thを式(3.17),(3.20)を用いて求めるとき,点Mにおいては式(3.8)の第 2,3項すなわち回転項は消滅するため,thは並進変位自由度ukのみの関数とみなすこと ができる.ukが微小なとき,時刻t0の板厚t0hに関して次式のようなTaylor展開が成り 立つ.

t0h=th+πk·uk+ul·Πlm·um+· · · (3.21) ここでπklmはそれぞれTaylor展開の際に現れる係数ベクトル,係数テンソルである. それぞれの具体的な成分表示は,以下に示す通りである.

時刻t0の板厚t0hを次式に示す.

t0h= 2 G

[t0g1t0g2t0d] (3.22) いま,板厚t0hはFig.3.1のサンプリング点Mで評価されるため,t0giは次式のt0giM に置 き換えられる.

t0giM = ∂NkM

∂ri

txk+ ∂NkM

∂ri uk (3.23)

なお,添え字Mはその諸量がサンプリング点Mで評価されたことを示すものとし,∂N

M k

∂ri

は次式のように置いた.

∂NkM

∂ri = ∂Nk

∂ri r1=0 r2=0

(3.24)

以上より,tgij =tgi·tgj,td=ttdと式(3.20)を用いて式(3.22)を書き直すと次式のよ うになる。

t0h= 2 rGM

t0dM q 1

t0gM11t0gM22(t0g12M)2

(3.25)

式(3.25)より板厚t0hは並進変位自由度ukの関数であることがわかり,これをTaylor展 開すれば係数ベクトルπk,テンソルΠlmはそれぞれ以下の式になる.

πk = −2 rGM

tdM

¡t

gM11tgM22(tg12M)2¢3

2

·

tg22M∂NkM

∂r1

tgM1 +tgM11∂NkM

∂r2

tg2M

tg12M

µ∂NkM

∂r1

tg2M +∂NkM

∂r2

tgM1

¶¸

(3.26)

Πlm = −3¡t

gM11tgM22(tgM12)2¢−1

πl⊗πm

−2 rGM

tdM

¡t

gM11tgM22(tg12M)2¢3

2

·

tg22M∂NlM

∂r1

∂NmM

∂r1 I+tg11M∂NlM

∂r2

∂NmM

∂r2 I +2∂NlM

∂r1

tgM1 ⊗∂NmM

∂r2

tg2M + 2∂NlM

∂r2

tgM2 ⊗∂NmM

∂r1

tg1M

µ∂NlM

∂r1

tg2M +∂NlM

∂r2

tgM1

µ∂NmM

∂r1

tg2M +∂NmM

∂r2

tgM1

tg12M

µ∂NlM

∂r1

∂NmM

∂r2 +∂NlM

∂r2

∂NmM

∂r1

I

¸

(3.27)

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