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図l 正常に変換できた We b ページの例
8 おわりに
本システムを使用することにより、縦書きモンゴ ル語圏の人々はキリルモンゴル語が分からなくても、
キリルモンゴル語 We b ページを閲覧でき、より多く の情報を取得できる。残された課題としては、行の 進行方向の対応やより見やすいレイアウトの調整 が上げられる。
文 献
[l ] 満 都 拉 ， 藤 井 敦 ， 石 川 徹 也 ． 伝 統 的 モ ン ゴ ル 語と現代モンゴル語を対象とした双方向的な翻字 手 法 ． 情 報 処 理 学 会 論 文 誌 ， Vol . 47, No. 8, pp. 2733‑ 2744, 2006.
[2] 中里致元，モンゴル語電子化計画．
ht t p: / / t exa. human. is. t ohoku. ac. j p; chi gen/
md̲ c nt j . ht m
(3] 榎 本 聡 ， 室 田 真 男 ， 清 水 康 敬 ． 漢 字 か な 自 動 変換機能等を備えたインターネット学習システムの 開 発 電 子 情 報 通 信 学 会 論 文 誌 ， Vol . J 83‑ D‑ I , No. 3, pp. 384‑ 394, 2000
[4] ひらがななびい．
ht t p: / / ki ds. knowl edgewi ng. com/ f r ee35
新規プ日セスで作製されたシリコン微細MO S
ト ラ ン ジ ス タ の
E D MR分光研究＊大崎純一（学籍番号 200721523) 研 究 指 導 教 員 ： 梅 田 享 英 副 研 究 指 導 教 員 ： 磯 谷 順 一
1. はじめに
シリコン(Si) でできたMOS構造）、ランジス タ( MOSF ET)はあらゆる大規模集積回路( LSI ) の基本累子となっている。このMOS F E T の微 細化と高性能化は、コンピュータの高速化や 「青 報記憶媒体の大容鼠化をもたらし、清報通信技 術の著しい発展に寄与してきた。しかし今後、
さらにMOS F E Tの微細化や高性能化を実現す るには、 MOS F E Tの動作に悪影響を及ぼず「結 晶欠陥」の問題を解決しなければならない。
私たちの研究室では、 MOS F E T内に含まれ る結晶欠陥を、電流検出型電子スピン共嗚分光 (E D MR : El ect r i cal l y Det ec t ed Ma g ne t ic Re s ona nc e )法を用いて評価を行っている[ 1]。 E D MR法とは、半導体デバイス中を流れる電流 から電子スピン共鳴現象を検出する方法であり、
そもそも、電子スピン共鳴分光法( EPR) とは、 半導体などに含まれる結晶欠陥について、その 種類や構造など原子レベルで解析できる強力な 実験手出である。
本研究は、この E D MR法を用いて、以下の 2種類の新型 MOS F E T評価し、新規プロセス によってMOS F E T内部の結晶欠陥がどう変化 するのかを調査・考察した。評価試料はエルヒ°
ーダメモリ（掛からご提供頂いたケート長 0. 08 O. l μmの最先端MOS F E T試料である。
2. フッ素注入を行ったMOS F E Tの評価[2] 2.1 フッ素注入プ日セスのねらい
MOS F E Tを使用したLSI 製品の代表に、ダ イナミック RAM( DRAM)があるo D R A Mは 揮 発性メモリで、記憶の維持には電力を必要とす る。電力を必要とする訳は、 MOS F E TがOF F
*"El e ctri cal l y det ect ed magnet i c resonance st udy of sub‑ mi cr on si l i con transi stors wi t h new f abri cat i on processes. " by J uni chi OHSAK. 1
状 態 （ 電 流 オ フ ） の 時 に も 流 れ て し ま う 「 リ ー ク 電 流 」 と 呼 ば れ る 電 流 に あ る 。 フ ッ 素 注 入 プ ロ セ ス を D R A Mの MOS F E T に 施 す と 、 こ の リ ー ク 電 流 を 大 幅 に 減 ら せ る こ と が 報 告 さ れ て いる[1] 。 そ の 理 由 と し て 、 リ ー ク 電 流 の 主 因 と される V O欠 陥 ( Si 結 晶 中 の Si 空孔程箋素複合 欠 陥[ 1] ) と 呼 ば れ る 結 晶 欠 陥 と フ ッ 素 が 結 び つ いて Si ‑ F結合を作り、 V O欠 陥 を 無 能 化 す る 効 果 が あ る の で は な い か と 推 測 さ れ て い る 。
そ こ で 、 本 研 究 の 1つ 目 の テ ー マ と し て 、 フ ッ 素 注 入 に よ っ て MOS F E T 内 部 の 結 晶 欠 陥 が ど の よ う に 変 化 す る か の 評 価 を 行 っ た 。
2. 2 フッ素注入プロセスMOS F E T評 価 結 果
フ ッ 素 注 入 MOS F E T ( フッ素濃度: : : ; 1 0 1 8
/ cm3) をE D MR測定したとごろ、 2 種 類 の 信 号 Ｑｾ 目 は 従 来 型 MOS F E T (フッ素 注 入 な し ） で も 観 測 さ れ て い た V O 欠 陥 の 信 号
（図 l ( a) ( b) )。2 つ 目 は 従 来 型 MOS F E T で は 見 られない（図 l ( c) ) 、 フ ッ 素 に 関 連 し た 荊 し い 結 晶欠陥の信号である（図 l ( d) ) 。
この 2種 類 の 信 号 に つ い て 考 察 す る と 、 ま ず 、 リ ー ク 電 流 の 測 定 で 従 来 型 と 同 様 に V O欠 陥 が そ の ま ま 見 え る こ と か ら 、 フ ッ 素 注 入 を 行 っ て も 依 然 と し て 無 能 化 さ れ て い な いV O欠 餡 が 存 在 し て い る こ と が 分 か っ た 。 こ れ は 、 フ ッ 素 が
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628]1 (E dd);sjふ因叙胆紺
‑ 2 4
2 0 0 3 0 0 外 部 磁 場( mT )
:,: リーク電流1伽A 逆バイアス 5. 5V ゲート電圧o.ov
( b)リーク電流I OnA 順パイアス 4. 5V ゲート電圧‑ 4. 0V
( c)順方向電流1. 61 吟 願バイアス 0 4 4 V ゲート電圧O. OOV ( d) )碩方度電流1. 61必
順バイアス 0 2 5 V ゲート電圧ooov
4 0 0
図1 従 来 郡( 0ファレンス）MOS F E Tと フ ッ 素 注 入 プ ロ セ スMOS F E Tの E D MR ;, ご タ ト ル の 比 較' p n接 合 ）‑‑ク電流でE D'Y m測 定 し た( a) , ( b) で は 、 と ら ら の 試 料 で もV O知 治 を 姪 i危l。 ま た 、 順 与 向 電 説 でE D MR池 定こ，た( c) , ( <l )で は 、 フ ノ 素 紐 入MOS F E Tで新しい｛言号( g=232)が 観 測 さ れ た 。 こ の 新 し い 信 号 は フ ッ 素 に 関 連 す る 欠 陥 に よ る も の と 推 察 さ れ る 。
足 り な か っ た の で は な く 、 逆 に 、 過 剰 な フ ッ 素 が 凝 集 し て 新 し い 欠 陥 が 作 り 出 さ れ た た め だ と 考 え ら れ る 。 そ の 新 し い 欠 陥 が 、 図 l ( d)の p n 接 合 順 バ イ ア ス で 確 認 さ れ た 新 し い 信 号 に 対 応 す る 。 こ の 欠 陥 はF nV m欠陥 ( n個 のSi ‑ F結 合 が集まった欠陥）ではないかと推測される。 Si 中 の フ ッ 素 に 関 連 す る 電 子 ス ピ ン 共 鳴 信 号 を 観 測したのは本研究が初めてである。
以上の結果を総合すると、 V O欠 陥 の 無 能 化 の た め に は 低 濃 度( 1014 ‑ 1016 / cm3) の フ ッ 素 注 入プロセスが効果的なのではないかと思われる。
3 溝ゲート構造 MOS F E Tの 評 価[3] 3. 1 溝ゲート構造MOS F E Tのねらい
MOS F E Tの 微 細 化 はL S I の 著 し い 高 速 化 や 大 容 量 化 を 可 能 に し て き た 。 し か し 従 来 の 2次 元 型MOS F E Tで は 物 理 的 限 界 に よ っ て 微 細 化 はもはや不可能に近づいている。そこで、 Si 基 板に溝を掘り、 3 次 元 的 に ゲ ー ト 構 造 を 作 り 込 む こ と に よ っ て 更 な る 微 細 化 を 可 能 に す る 「 溝 ゲ ー ト 構 造MOS F E T」 が 考 案 さ れ た [4]。
本 研 究 の2つ目のテーマとして、この溝ゲー ト構造MOS F E Tに は ど の よ う な 結 晶 欠 陥 が 発 生しているのかを評価した。
3. 2 溝ゲート構造 MOS F E T評 価 結 果
作 製 プ ロ セ ス が 異 な る 複 数 の 溝 ゲ ー ト 構 造 MOS F E Tの リ ー ク 電 流 をE D MR測定したとこ ろ、 3種類の信号が観測された。 1つ は 従 来 の 2 次元型MOS F E T で も 観 測 さ れ て い たV O欠陥 の信号（図 2( a) ( b) ( g) )。2 つ 目 は 溝 ゲ ー ト 構 造 MOS F E T に の み 共 通 し て 見 ら れ る ブ ロ ー ド な 信号（図 2( d) ‑ ( f ) )。 3 つ 目 は 作 製 プ ロ セ ス に よ っ て 発 生 し た り し な か っ た り す る 超 微 細 分 裂 信 号 である（図 2( b) (り）。
まず2つ 目 の ブ ロ ー ド な 信 号 は 、 詳 し い 解 析の結果、 Si 結 晶 に 発 生 し た 転 位 欠 陥( KCl 欠 陥など）であることが分かった。この転位欠陥は 溝 ゲ ー ト 構 造MOS F E T特 有 の 「Si エピ層」に 発 生 し て い る こ と が 電 子 顕 微 鏡 観 察 と エ ピ 層 無 し試料のE D MR測定（図 2( g) ) で確認された。
また、 3 つ 目 の 超 微 細 分 裂 信 号 は 、 そ の 信 号 の 特 徴 か ら フ ッ 素 ま た は 水 素 が 関 与 し て い る こ と が 推 測 さ れ た 。 こ れ ら の 元 素 は3次 元 構 造
0 0 0 123
i‑︱
1
3
冊 ( c)従 来 型 ( 2次元構造）
学
゜
揺
据 ( d)溝ゲート A 騨 ―4 0
ｾ＠
‑ 8 0
‑ 1 2 0
‑ 1 6 0
3 3 0
( e)溝ゲートB
3 3 5
I I
3 4 0
J I習号なし 3 4 5
( a)リーク電流2 5 nA 逆パイアス4. 5V ゲート電圧ー3. 0V ( blリーク電流l 8nA
逆パイアス3. 6V ゲート電圧o.ov
2 0 0 4 0 0
( c)リーク電流2 1 n A 逆バイアス5. 3V
ー ←
厚 ー 」 I ( d ; ご 字 閏 ；
逆バイアス3. 6V JX O 5ヨ
ゲート電圧o.ov
( e)リーク電流2 1 nA 逆バイアス2. 3V ゲート電圧o.ov
(f)リーク電流3.如A 逆バイアス1. 5V ゲート電圧‑ 0. 4V ( g)リーク電流1. 5nA 逆バイアス11V 8 0 0 ゲート電圧O. OV 6 0 0
外 部 磁 場( mT )
図2 溝 ゲ ー ト 構 造MOS F E Tをp n接 合 リ ー ク 電 流 でE D MR測 定C ( t) : 溝 ゲ ー ト 構 造 試 料 で もVO 欠陥を観測。 ( d) ‑ ( D:溝 ゲ ー ト 構 造 の プ ロ ー ド な 信号（＝転位欠陥）。 ( g) の エ ピ 層 除 去 溝 ゲ ー ト で は 転 位 欠 陥 の 信 号 が 確 認 さ れ な い こ と か ら 、 転 位 の 発 生 源 は エ ピ 層 に あ る と 結 論 さ れ るo ( b) , ①：溝ゲ ートA ・Cの 超 微 細 分 裂 信 号 。 プ ロ セ ス の 違 い に よ り ス ペ ク ト ル が 異 な るc
そ れ ぞ れ2 本 に 分 裂 。 水 素 、 ま た は フ ッ 素 と の 関 連 性 が 考 え ら れ る 。
を 作 製 す る 際 の プ ロ セ ス で 混 入 す る 可 能 性 の あ る元素である。
これら 3つの結晶欠陥は、いずれもリーク電 流 特 性 に 多 大 な 影 響 を 及 ぼ し て お り 、 溝 ゲ ー ト 構 造 MOS F E T の 開 発 を 進 め る に あ た っ て 注 視
していかなければならないだろう。
4. まとめ
本 研 究 で は 新 規 プ ロ セ ス で 作 製 さ れ た 2 種 類 の 新 型 MOS F E T のE D MR評価を行った。
そ の 結 果 、 新 型 MOS F E T に は 、 そ れ ぞ れ 特 有 の 結 晶 欠 陥 が 発 生 し て い る こ と が 判 明 し た 。 今 後 、 こ れ ら の 欠 陥 の 発 生 を 抑 え た り 、 効 率 的 に 無能化するプロセスの開発が望まれる。
文 献
[l]梅 田 享 英 ： 先 端D R A Mに お け る デ ー タ 保 持 時 間 の 変 動 現 象 の メ カ ニ ズ ム ． 応 用 物 理 ， Vol . 76, No. 9, p. 1037‑ 1040, 2007.
[2]大 崎 純 一 ほ か ： フ ッ 素 注 入 に よ る 欠 陥 制 御 を 行った D R A Mセルの電子スピン共鳴分光評価．
第6 8回応用物理学会，口頭発表( 6a‑ ZE‑ l ) , 2007.
[3]大 崎 純 一 ほ か ： 溝 ゲ ー ト 構 造 ト ラ ン ジ ス タ の 電 流 検 出 電 子 ス ピ ン 共 鳴 分 光 評 価 ． 第 6 9 回 応 用物理学会，口頭発表( 2a‑ G‑ 9) , 2008.
[4]木 村 紳 一 郎 ほ か ： ナ ノ メ ー ト ル 世 代 の シ リ コ ン 半 導 体 デ バ イ ス の 展 望 ． 日 立 評 論 ， Vol . 84, No. 7, p. 459‑ 464, 2004.
鹿児島県立図書館長・椋鳩十・
1. はじめに
椋鳩十（本名・久保田彦穂、 1905‑ 1987) は動 物児童文学のジャンルを確立した一人として広 く知られる文学者であるが、その一方では高女 の教師でもあり、作家としての業績が評価され て戦後鹿児島県立図書館長に抜擢された経歴も 持つ。一般にはあまり知られていないものの、
図書館の再建をもって荒廃した戦後社会の復興 に寄与し、革新的な図書館システムを構築した 図書館長としての功績は、椋鳩十像を慮る上で 決して看過すべからざるものである。
にもかかわらず、椋鳩十に関する先行研究の 多くは作家論・作品論に偏っている。図書館活 動を取り上げたものも見られるものの、多くは 事績の評価や活動報告に留まるもので、その背 景への言及や人物像の一面としての考察は、未 だ不十分なところがある。
本研究は椋鳩十の図書館長としての姿に主眼 を置くものであるが、その活動について、館長 就任までの経歴や思想といった内的要因、およ び時代的・社会的背景といった外的要因の双方 から勘案し、それらの不可分的関連性を示すこ とで、彼の図書館活動の独創性・意義を論じる ことを試みた。加えて、その過程で椋鳩十の人 物像を網羅的・立体的に描き出すことによって、
椋鳩十がその生涯において展開したあらゆる活 動の根底に一貫して潜在する、源泉とも言うべ
き彼の持論的価値観を探り出すものである。
2. 論文構成
本論は序章から終章まで、字数を約86, 000 と し、正文の部分を6章で構成している。序章で 研究背景・目的、論文構成内容の概略を示し、
終章では椋鳩十の諸活動の根基を成す彼の持論 的価値観について総括的に追求している。正文
．
Muk u Hat oj u as the di rector of Kagoshi ma Prefectural Li brar/ by Yuko NA K A MUR A
中 村 裕 子 （ 学 籍 番 号 200721547) 研 究 指 導 教 員 ： 黒 古 一 夫
の6章 は 、 内 的 要 因 、 外 的 要 因 、 図 書 館 長 と し て の 働 き の 3部 に 大 別 で き 、 各 部 に つ い て2 章 ず つ 考 察 し て い る 。 正 文 各 章 の 概 要 は 以 下 の と おりである。
2. 1 内 的 要 因 ( 1) : 椋 鳩 十 そ の 人
内 的 要 因 の 1と し て 、 故 郷 を 離 れ る ま で の 多 感 な 幼 少 年 期 に あ っ た 椋 鳩 十 を 取 り 巻 い た 環 境 に つ い て 、 家 庭 環 境 、 自 然 環 境 、 師 弟 関 係 の 3 点 か ら 考 察 し て い る 。 幼 少 年 期 に お け る 体 験 や 環 境 は 人 格 形 成 に 大 き く 影 響 す る も の で 、 い ず れ が 欠 け て も 今 日 の 椋 鳩 十 は 存 在 し な か っ た と 言 え る 。 こ の 時 期 に お け る 経 験 は 、 彼 の の ち の 全 て の 活 動 の 土 台 を 形 成 す る 重 要 な 要 素 で あ る 。 2. 2 内 的 要 因 ( 2) : 児 童 文 学 作 家 ・ 椋 鳩 十
内 的 要 因 の2 と し て 、 椋 鳩 十 の 文 学 活 動 を 時 系 列 的 に 追 い 、 社 会 に 対 す る 姿 勢 に つ い て 論 じ て い る 。 詩 人 と し て ス タ ー ト し た 椋 の 文 学 活 動 は 、 詩 誌 同 人 の 共 産 主 義 化 に 伴 い 、 韻 文 か ら サ ン カ （ 山 寓 ） を テ ー マ と し た 散 文 へ と 舞 台 を 移 す 。 文 壇 で も 高 い 評 価 を 得 る が 、 過 激 な 作 風 が 戦 時 下 の 国 家 主 義 に 抵 触 し 活 動 が 停 滞 す る 。 や が て 彼 の サ ン カ 小 説 に 児 童 文 学 の 可 能 性 を 見 出 した『少年倶楽部』編集長の勧めをきっかけに、
児 童 向 け 動 物 文 学 の 創 作 に 着 手 す る 。 厳 し い 言 論 統 制 の 時 代 に 動 物 物 語 の 形 を 借 り る こ と で 生 命 の 尊 厳 を 象 徴 的 に 訴 え 続 け た 自 由 主 義 的 姿 勢 に は 、 図 書 館 長 時 代 に お け る 反 権 威 的 行 動 と の 関連性を見出すことができる。
2. 3 外 的 要 因 ( 1) :鹿 児 島 県 立 図 書 館 史 椋 就 任 ま で の 鹿 児 島 県 に お け る 図 書 館 界 の 動 き に 注 目 す る こ と で 、 椋 鳩 十 館 長 誕 生 に 関 わ る 外 的 要 因 た る 時 代 背 景 に つ い て ミ ク ロ 的 に 確 認している。 4 節 構 成 で 、 そ れ ぞ れ 主 と し て 明 治 期 、 大 正 期 、 戦 時 、 戦 後 の 動 向 を 取 り 上 げ て い る 。 鹿 児 島 県 立 図 書 館 史 を 考 察 す る 前 提 と し て 日 本 図 書 館 史 に も 触 れ 、 囮 書 館 界 を 揺 り 動 か し た 各 時 代 の 姿 を 包 括 的 に 把 握 す る も の で あ る 。