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(a) 励起角の膜厚依存

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Fig.4.5反射波形のレーサ㌧出力依存      (a)669nmの場合

     (b)673nmの場合

と励起が確認出来ないということが明らかになった。しかしながら、今回の実 験においては表面プラズモンの励起角が測定対象である。それぞれの出力電流 で、表面プラズモンを励起させたときの励起角を表4−2に示す。波形は変わ ろうとも励起角の散らばりは誤差の範囲に留まり、出力電流によって励起角は 変化しないという結果を得た。

表4−2

出力電流と励起角の関係

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本実験では、出力電流はレーザーを設置する場所の室温にも大きく依存するこ とも明らかとなった。半導体レーザーの室温と出力電流の関係は第三章を参照

の事。

4−4 波長669,9nmの半導体レーザーを入射した場合

4−4−1 反射波の電圧変化

 Fig.4.6は、波長699.9nmの半導体レーザーを入射した時の、各膜;厚におけ る代表的な反射波の強度変化を示す波形の一覧である。横軸は角度、縦軸は反 射波の強度変化にあたる電圧変化で単位はV(ボルト)である。(a)から(f)へ と事解は厚くなっていく。一見して、波形は100A付近で、その形を変えること がわかる。鋭い励起のpeekは200A付近からあらわれ、膜厚が厚くなると消沈

していき、(f)の700Aでは、まったく観測されなかった。大体において、 He−

Neレーサ㌧を入射した場合と同じ波形が得られた。

Fig.4.7(a)は、各膜;厚で得られた波形を重ねて表示したものである。(b)は励 起角付近を拡大したものである。He−Neの場合と同じく励起角が左方向に(角度 の小さい方に)移動している事がわかる。

 4−4−2 励起角の管厚依存性

 各膜厚における反射波の波形より立上がり、立ち下がり、励起のadressを読 み取り、プリズムの屈折率も考慮にいれて、算出した表面プラズモンの励起角

を表4−3に表す。測定は、蒸着直後、24時間後,48時間後におこなった。

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Fig.4.・6波長669. 9nmのレーザーによる代表的な反射波の波形

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ドキュメント内 銀の薄膜における表面プラズモン (ページ 37-41)

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