今後の課題

線材開発においては，母材と反応しないシースの探索が不可欠であると考えられるが，

これまで様々な素材を試されていてどれも反応性が高いカルコゲン元素が反応してしまう ことから，PIT法による線材開発は困難である．鉄カルコゲナイド系超伝導体には線材応用 よりもバルク応用が適していると考えられる．

バルク応用での課題は他の低温超伝導体では達成できない高磁場応用に向けた有効ピン の導入である．今回 Fe1+dTe0.6Se0.4で弱い超伝導ピンが有効ピンとして働く可能性が分かっ た．今後は，母材の Tcにより近い弱い超伝導体をピン止め点として導入できないか，ピン 止め点の数を増やすことが出来ないかを検討する必要がある．そのためには弱い超伝導ピ ンが生成される過程や大型放射光施設(SPring-8)での結晶構造解析によって超伝導ピンを同 定することが最重要課題だと言える．仕込み値の最適化(Fe, Te, Seそれぞれの仕込み値の最 適化)や弱い超伝導ピンが生成される焼成温度や時間の最適化などが考えられる．

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謝辞

本研究に際し，直接のご指導とご指摘を頂いた首都大学東京理工学研究科電気電子工学 専攻の三浦大介教授，並びに学部4年から修士1年までの 2年間，ご指導を頂いた首都大 学東京理工学研究科物理学専攻超伝導物質研究室の水口佳一准教授には深く感謝を申し上 げます．

超伝導応用工学研究室の同志であり，輪講でともに精進し，研究室の普段の生活でご助 言，ご指導を戴いた博士前期課程の小林夏輝氏，西田篤弘氏，石田佳佑，土方雄大，山岸 健一，学士課程の椎名竜也，福井盛一郎，山本大貴，和田勇吹に，深謝の意を表す．