2. 仕様の概要比較
2.24 フラッシュメモリ(コードフラッシュ)
表2.38にフラッシュメモリ(コードフラッシュ)仕様の概要比較を、表2.39にフラッシュメモリのレジスタ 比較を示します。
表2.38 フラッシュメモリ(コードフラッシュ)仕様の概要比較
項目 RX64M RX65N
メモリ空間 • ユーザ領域:最大4Mバイト
• ユーザブート領域:32Kバイト
• ユーザ領域:最大2Mバイト *1
キャッシュ なし • 容量:最大256バイト
• マッピング方式:8ウェイセットアソシ エイティブ
• リプレース方式:LRUアルゴリズム ラインサイズ:16バイト
リードサイク ル
ICLK 1サイクルの高速読み出し キャッシュヒット時:1サイクル
キャッシュミス時:ICLK≦50MHz 1サイク ル50MHz<ICLK≦
100MHz 2サイクル ICLK>100MHz 3サイク ル
イレーズ後の 値
FFh FFh
プログラム/イ レーズ方式
• FACIコマンド発行領域(007E 0000h) に設定したFACIコマンドで、コード フラッシュメモリ/データフラッシュメ モリのプログラム/イレーズが可能
• 専用フラッシュメモリプログラマによ るシリアルインタフェース通信を介し た書き換え(シリアルプログラミング)
• ユーザプログラムによるフラッシュメ モリの書き換え(セルフプログラミン グ)
• FACIコマンド発行領域(007E 0000h)に 設定したFACIコマンドで、コードフラ ッシュメモリのプログラム/イレーズが 可能
• 専用フラッシュメモリプログラマによ るシリアルインタフェース通信を介し たプログラム/イレーズ(シリアルプログ ラミング)
• ユーザプログラムによるフラッシュメ モリのプログラム/イレーズ(セルフプロ グラミング)
セキュリティ 機能
フラッシュメモリの不正改ざん/不正読み 出しを防止
フラッシュメモリの不正改ざん/不正読み出 しを防止
プロテクショ ン機能
フラッシュメモリの誤書き換えを防止 フラッシュメモリの誤書き換えを防止
デュアルバン ク機能 *1
- デュアルバンク構成を用いて、書き換え動
作中の中断に対して安全な更新を行うこと が可能
• リニアモード:コードフラッシュメモリ を1領域として使用するモード
• デュアルモード:コードフラッシュメモ リを2領域に分割して使用するモード Trusted
Memory(TM) 機能
コードフラッシュメモリのブロック8,9に 対する不正リード防止機能
コードフラッシュメモリのブロック8,9に 対する不正リードを防止
デュアルモード:ブロック8, 9, 46, 47 *1
項目 RX64M RX65N BGO(バック
グラウンドオ ペレーション) 機能
• コードフラッシュメモリプログラム中 のコードフラッシュメモリリードが可 能
• データフラッシュメモリプログラム中 のコードフラッシュメモリリードが可 能
• コードフラッシュメモリプログラム/イ レーズ中のコードフラッシュメモリリ ードが可能 *1
• コードフラッシュメモリプログラム/イ レーズ中のデータフラッシュメモリリ ードが可能 *1
• データフラッシュメモリプログラム/イ レーズ中のコードフラッシュメモリリ ードが可能 *1
プログラム/イ レーズ単位
• ユーザ領域およびユーザブート領域へ のプログラム:256バイト
• ユーザ領域のイレーズ:ブロック
• ユーザ領域へのプログラム:128バイト
• ユーザ領域のイレーズ:ブロック その他の機能 セルフプログラミング中の割り込み受け付
け可能
セルフプログラミング中の割り込み受け付 け可能
本MCUの初期設定をオプション設定メモ リに設定可能
-
- コードフラッシュメモリのスタートアップ
領域をブロック0、1から選択可能 オンボードプ
ログラミング
• ブートモード(SCIインタフェース)に よるプログラム
調歩同期式シリアルインタフェース (SCI1)を使用
通信速度は自動調整
ユーザブート領域も書き換え可能
• USBブートモードによる書き換え
USBbを使用
特別なハードウェアが不要で、PC と直結可能
• ユーザブートモードによる書き換え
ユーザ独自のブートプログラムを作 成可能
• ユーザプログラム中のコードフラッシ ュメモリ/データフラッシュメモリ書き 換えルーチンによるプログラム
システムをリセットすることなくコ
• ブートモード(SCIインタフェース)によ るプログラム
調歩同期式シリアルインタフェース (SCI1)を使用
通信速度は自動調整
• USBブートモードによる書き換え
USBbを使用
特別なハードウェアが不要で、PC と直結可能
• ブートモード(FINEインタフェース)に よるプログラム
FINEを使用
• ユーザプログラム中のコードフラッシ ュメモリ書き換えルーチンによるプロ グラム
システムをリセットすることなくコ
項目 RX64M RX65N
ユニークID MCU個体ごとの12バイト長のIDコード MCU個体ごとの16バイト長のIDコード
*1：フラッシュメモリ（コードフラッシュ1.5MB以上のみ）
表2.39 フラッシュメモリのレジスタ比較
レジスタ ビット RX64M RX65N
FWEPROR FLWE[1:0] フラッシュライトイレーズビット
b1b0
0 0：P/E、ロックビットのP/E、
ブランクチェックの禁止 0 1：P/E、ロックビットのP/E、
ブランクチェックの許可 1 0：P/E、ロックビットのP/E、
ブランクチェックの禁止 1 1：P/E、ロックビットのP/E、
ブランクチェックの禁止
フラッシュライトイレーズ許可 ビット
b1b0
0 0：P/Eの禁止 0 1：P/Eの許可 1 0：P/Eの禁止 1 1：P/Eの禁止
FASTAT ECRCT エラーフラグ -
DFAE データフラッシュメモリアクセス
違反フラグ
-
FAEINT ECRCTIE エラー割り込み許可ビット -
DFAEIE データフラッシュメモリアクセス
違反割り込み許可ビット
-
FEADDR - FACIコマンド処理終了アドレス
レジスタ
-
FCURAME - FCURAMイネーブルレジスタ -
FSTATR FRCRCT 1ビットエラー訂正モニタフラグ -
FRDTCT 2ビットエラー検出モニタフラグ -
FCUERR FCUエラーフラグ -
FRDY フラッシュレディフラグ
0：プログラム、ブロックイレー ズ、P/Eサスペンド、P/Eレ ジューム、強制終了、ブラン クチェック、コンフィギュ レーション設定、ロックビッ トプログラム、ロックビット リードのコマンド処理中 1：上記の処理を実行していない
フラッシュレディフラグ 0：プログラム、ブロックイレー
ズ、P/Eサスペンド、P/Eレ ジューム、強制終了、コン フィギュレーション設定のコ マンド処理中
1：上記の処理を実行していない
OTERR - アザーエラーフラグ
SECERR - セキュリティエラーフラグ
FESETERR - FENTRY設定エラーフラグ
ILGCOMERR - イリーガルコマンドエラーフラグ
FENTRYR FENTRYD データフラッシュメモリP/Eモー
ドエントリビット
-
FPROTR - フラッシュプロテクトレジスタ -
レジスタ ビット RX64M RX65N
FSUINITR SUINIT 設定初期化ビット
0：FEADDR、FPROTR、 FCPSR、FSADDR、
FENTRYR、FBCCNTのフ ラッシュシーケンサの設定レ ジスタ値は保持
1：FEADDR、FPROTR、 FCPSR、FSADDR、
FENTRYR、FBCCNTのフ ラッシュシーケンサの設定レ ジスタを初期化
設定初期化ビット 0：FCPSR、FSADDR、
FENTRYRのフラッシュシー ケンサの設定レジスタ値は保 持
1：FCPSR、FSADDR、
FENTRYRのフラッシュシー
ケンサの設定レジスタを初期 化
FLKSTAT - ロックビットステータスレジスタ -
FPESTAT - フラッシュP/Eステータスレジス
タ
-
FBCCNT - データフラッシュブランクチェッ
ク制御レジスタ
-
FBCSTAT - データフラッシュブランクチェッ
クステータスレジスタ
-
FPSADDR - データフラッシュ書き込み開始ア
ドレスレジスタ
-
FAWMON - - フラッシュアクセスウィンドウモ
ニタレジスタ
FSUACR - - スタートアップ領域コントロール
レジスタ
ROMCE - - ROMキャッシュ許可レジスタ
ROMCIV - - ROMキャッシュ無効化レジスタ
UIDR - ユニークIDレジスタn(n=0～2) ユニークIDレジスタn(n=0～3)
EEPFCLK - - データフラッシュメモリアクセス
周波数設定レジスタ *1
*1：フラッシュメモリ（コードフラッシュ1.5MB以上のみ）