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グリット・バイアスを得る方法

ドキュメント内 i (ページ 44-47)

型用途使用回路ベース“A”電 池電圧 (V) フィラ メント 電圧 (V) フィラ メント 電流 (A) 検波増幅 グリ ット 帰路

グリット リーク (MΩ)

B電 池電圧

プレー ト電流 (mA)

B電 池電圧 (V)

C電 池電圧 (V)

プレー ト電流 (mA) プレー ト抵抗 (Ω) 相互電 導率 (µΩ)

増幅率

最大 出力 (mW) UY–227

検波増幅 変圧器5極変圧器2.51.75陰極

2–9452905311300725820 1–19071359510,000820855 交流 傍熱型 UX–226 増幅変圧器大型変圧器1.051.05――――――――

9063.59,4008758.220 CX–326135967,40011008.270 サイモトロン UX–226

18013.57.57,00011708.2100 UX–112A強力終端大型電池6.0 5.00.25――――――――135975,0001,6008120 CX–112A増幅UX変圧器5.0157.510.59.54,7001,7008195 UX–171A強力終端大型電池6.05.00.25――――――――

9016.2102,5001,2003.0130 13527162,2001,3603.0330 18040.5202,0001,5003.0700 UX–210強力終端大型変圧器7.57.51.25――――――――

25018106,0001,3308340 30022.5135,6001,4508600 35027165,1501,5508925 40031.5185,0001,60081325 42535185,0001,60081540 UX–250強力終端大型変圧器7.57.51.25――――――――

25045282,1001,8003.8900 30055352,0001,9003.81500 35063341,9002,0003.81250 40070551,8002,1003.83250 45084551,8002,1003.84650 AC–222 増幅5極 UY型変圧器15150.35――――――――135内側90,000400400シィールド グリット型 交流にて働かすもハム音の少き真空球表(一般的に普及せるものを掲ぐ)

高周波球や低周波球のグリット電圧を得るためにはBより抵抗により適当な電圧降下として負電圧を与えています。

即ち3極真空球のグリット電位はプレートと同じくどうしても直流を必要としますので,B側より供給を受けしむるの が多くあります。

第70図

第70図はこの方法を示せる図である。図aは高周波段と低周波段とは別個の抵抗によったものです。図bはタップ附 きの抵抗により高周波段,低周波段にグリット・バイアスを与えしものである。図aは一般的としては最も適当でしょ う。しかし固定式でありますからその値の正確のものを必要としかつ正確なものが得難くあります。小型であり,安価 に得られるので取付けに場所の占有も少く,組立後試験の上で適当な値のものと取替て良好なる状態にするのがよいで しょう。

この抵抗値の算出はR= E

I なるオームの法則により容易に求められます。Rは所要のグリット・バイアスを得るた めの抵抗器の抵抗(単位オーム),Eは所要のグリット電圧(ヴォルト),Iはプレート電流(アンペア)今図aRなる 値を算出してみましょう。真空球製造家の測定に拠りますと,UX–226球はプレート電圧135ヴォルト,プレート電流 3ミリアンペアのときは最もハムの少い状態とされ,この状態に於けるグリット電圧プレート電流曲線にはグリット電圧 は9ヴォルトが適当とされています。1球のプレート電流は3ミリアンペアであるから図aで高周波3段の3球での全 プレート電流は9ミリアンペアとなります。それで図aRの値は前の式に入れますとR= 9

0.009 = 1000オーム即ち

グリットバイアスを得るためには1000オームの抵抗器が必要となります。1000オームの抵抗は一般に多く販売されて いるから得易くかつプレート電圧約135ヴォルトであれば調節を要しません。もし低周波第1段球も同じ抵抗器よりグ リット・バイアスを得るのなれば真空球は4個ですからプレート電流は12ミリアンペアとなりますから抵抗器の値は 750オームと算出されます。しかして750オームの抵抗器が得難ければ500オームと250オームの2個を直列接続して 用ゆればよいのです。もし低周波1段だけを別個の抵抗器にてグリット・バイアスを得るのなればR2は3000オームの 抵抗を必要とする。即ち3ミリアンペアの電流を通じ9ヴォルトの電圧降下には3000オームとなります。しかし1個の 抵抗器にて高周波低周波1段球に連絡する場合は図aでは点線を連絡し×印の点の接続を断ちます。各抵抗には1MFD の固定コンデンサーを併列接続して,抵抗の結合による増幅球の自己発振を防ぐのである。

bはタップ附き抵抗器によったもので,かかる抵抗は必要なるプレート電流に応じ適当に選択せねはなりません。こ の抵抗器は各フィラメントの中点とB線との間に接続されるのでありますから各球のプレート電流はこの同一の抵抗 を通過するのです。図bではタップよりはR1なる抵抗により高周波増幅の3球と低周波1段とのグリット電圧を与え ている。それで226球であれば前述と同じくR1は750オームであればよい。しかし低周波2段(一般には最絡端球)目 の増幅球の種類によリプレート電流が異いますから,全球のプレート電流もこの球が何種であるか決まらねば判らんこと になります。今終端球をUX–171を用ゆるとし。しかしてそのプレー卜電圧を180ヴォルトとします。この状態ではこ の球はプレート電流20ミリアンペアで,グリット電圧は約40ヴォルトを必要とする。それで全プレート電流は12ミリ アンペアと20ミリアンベアとの合計32ミリアンペアとなる。32ミリアンペアの電流はR1R2の抵抗を通遇するこ とになる。かつ171球のグリット・バイアスを得るための抵抗はR1R2の合計であります。故にオームの法則により 算出すればR= 40

0.032 = 1250オームとなります。即ち1250オームの抵抗は40ヴォルトの電圧降下に必要となり,4

球の9ヴォルトの電圧降下には750オームが必要となります。故に1250オームの抵抗器で750オーム点にタップを附 したらよいことになります。各抵抗には1MFDの固定コンデンサーを併列接続して真空球の自己発振を防ぎます。

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