[PDF] Top 20 molbio 20111018 最近の更新履歴 Dr Hishiki's classroom (日紫喜研究室)

... 半導體作成的電阻其工作環境溫度上升時，其導電率 增加 27.. 空乏區內無電子與電洞存在，而障壁電位主要為施體 與受體離子的作用 28..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 負載不平衡時，且中性線斷，則負載小的兩端端電壓 較大 第二部份：電子學 26.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... ⇒ C ) 39. ∵在 I 不變的條件下，由 B 端進入 E 端的電洞愈多， C 則 E 端發射的自由電子亦愈多，∴ I E ↑， α ↓ 40. ○ 1 N-ch EMOS 工作在 Ω 區，在 V DS 固定下， V GS 愈 小，則由 D 到 S 通道電阻愈大 ... 完全なドキュメントを参照

... V 電壓源皆被短路(分析時) 故 E TH = ( 5 × 6 ) + ( − 10 ) = 20 ( V ) ...V 電源時，流過 6 V 電源的電流為 4 A(向下) 分析 6 V 電源時，流過 6 V 電源的電流為 2 A(向下) 故流過 6 V 電源的總電流為 4 A + 2 ... 完全なドキュメントを参照

... 29. 正半週時， D 1 導通，電容 C 充電 10 V 負半週時， D 2 導通，電容 C 充電 20 V 則輸出電壓 V o = − 20 V 30. 箝位電路中二極體方向往上，波形往上移動，最低電 壓為 5 V，最高電壓為 25 V，中心電壓為 15 V ... 完全なドキュメントを参照

... 為輸出的正端 20. 稽納二極體使用時大多是使用逆向偏壓，當逆向崩 潰發生時才會具有穩壓的功能，通常應用於穩壓電 路或提供電路參考電壓之用，而摻雜濃度越高逆向 崩潰電壓越低 (即逆向崩潰電壓的大小與摻雜濃度成 反比) ... 完全なドキュメントを参照

... 14. 交流同步發電機增減場激激磁可控制端電壓及虛功 率分配，增減轉子轉速可控制頻率及實功率之分 配，想要將部分無效功率移到新併發電機，又不影 響系統電壓值，須增加新併發電機激磁，減弱原發 電機激磁 ... 完全なドキュメントを参照

... 手動正逆轉電路， 作用為 自保持.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 串激分流器電阻調高，使串激磁場升高以提高輸出 電壓 11.. 功率電晶體通常將集極與金屬外殼接在一起，以利 散熱 29..[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 共集極(CC)式電路具有大電流增益、高輸入阻抗及低 輸出阻抗的特性 36.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 42. 最小動作電流為額定電流之 50% 43. PVC 管散熱較差，故安全電流會降低 44. 轉速太快會使電壓及電流同時增加，故電阻不變 45. 接地的目的在於將漏電流導入大地，防止人員感電 46. A 管：需一條火線、一條地線及兩條控制線 ... 完全なドキュメントを参照

... 增加同容量之變壓器一具，改為 Δ-Δ 接線時： kVA 4.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 12. 利用節點電壓法求解直流迴路步驟中，下列何者錯誤？ (A) 先決定網路之節點數，通常 N 個節點可列出 N 個方程式 (B) 各支路電流方向可任意假設，並分別註明 I 1 、 I 2 、 I 3 L (C) 應用克希荷夫電流定律(KCL)與歐姆定律，列出各節點支路電流方程式 (D) ... 完全なドキュメントを参照

... (B) 二極體在順偏時，主要之電容效應為擴散電容， 其值隨通過電流的增加而變大 29.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... I = + + = 6. (A) 迴路電流法是利用 K.V.L.於封閉路徑寫出迴路方 程式 (B) 節點電壓法是利用 K.C.L.於節點寫出節點方程式 (D) 在線性電路中，任意兩端點間之網路可用一等效 電流源和並聯一等效電阻取代之，稱為諾頓定理 7. 4 6 A ... 完全なドキュメントを参照

... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 C D B C D A D B B D D C D C D A C B D D C D B C B 第一部份：基本電學 1. 溫度上升主因是電流與溫度之效應，況且一般用電採 並聯接法，電壓應為固定值 ... 完全なドキュメントを参照

... 電力線上任一點切線的方向，即代表該點電場之方 向，而電力線較密處，即為電場強度較大處 22.. 在積體電路製程中，最常使用的是「電晶體」，儘量 避免使用的是「電感」 27.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 30. 外加電場時，形成電子流與電洞流，其兩者方向相反 32. 純半導體經摻雜後，其電性為電中性 33. PN 摻雜濃度增加，其障壁電位亦受影響 34. PN 接面之空乏區電場強度之最大值出現在 P 區域與 N 區域的接面上 ... 完全なドキュメントを参照

... (D) 佛萊明右手定則大姆指為導體運動方向，而非受 力方向 14.[r] ... 完全なドキュメントを参照

... 31. 電感濾波器是屬於重負載電路，適用於大電流負荷 32. (A) BJT 有兩個 PN 接面，分別是基極－集極接面 J C 與基極－射極接面 J E (B) 功率增益最大的是共射極 CE 組態電路 (C) 共基極 CB 組態電路之輸出阻抗最高 ... 完全なドキュメントを参照