Top PDF PureAccess®-R5 の光学特性と

半径5mm 曲げに対応した光ファイバPureAccess®-R5 の光学特性とFTTx 配線への適用

... 開発した PureAccess -R5 は、国際標準機関（ITU-T） Application of Ultra-Low Bending Loss Fiber “PureAccess ® -R5” to Optical Wiring in FTTx Access Networks ─ by Tetsuya Nakanishi, Fumiaki Satou, Tatsuya Konishi, Tetsuya ...

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有機材料を含む微小共振器の強結合および超強結合状態における光学特性-香川大学学術情報リポジトリ

... 一方で，有機物を用いた超強結合状態の光物性には未だ未解明な点が多い．例えば，どのような物質を用いれば超強結合が実現できるのかという疑問さえ，現状では十分に明らかになっているとは言えない．式 (2.126) によれば大きな遷移双極子モーメントを持つ物質を小さなモード体積を持つ共振器に閉じ込める必要があるというということは明らかで ...

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有機材料を含む微小共振器の強結合および超強結合状態における光学特性-香川大学学術情報リポジトリ

... 合の実現と世界でも例のない未知の現象であるポラリトン分枝間の遷移と思われる超高速の誘導吸収の観測である。これらは極めてオリジナリティが高く、各方面からも注目されており、高く評価できる。これらの研究全般において非常に丁寧な実験および理論的検討 ...

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光学特性を活かして無限に広げる加工性日本ゼオンが世界に先駆けて独自に開発したシクロオレフィンポリマー ( ゼオネックス ) は優れた光学特性を活かしてカメラ用光学部品やレーザービームプリンター用レンズなどに使用されていますまた低不純物特性を活かした医療用途や低誘電率低誘電正接を活かした電

... 　③熱変形温度を超える温度環境では使用しないでください。変色したり、変形することがあります。 ④高温で長期間暴露されると変色することがあります。詳しくは弊社WEBサイト『PL(Product Liabilityに関する記載欄)』をご参照下さい。 ⑤高温となる場所や熱源のそばで使用しないでください。発煙、発火の恐れがあります。 ...

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周辺環境制御によるCdSe/ZnS単一量子ドットの光学特性制御-香川大学学術情報リポジトリ

... 本学位論文は以下のように構成されている。第 1 章ではナノ材料の開発の歴史を振り返り、MBE や MOCVD などの物理的手法で作製される半導体ナノ材料の現状を概観するとともに、それに対して比較的最近に化学的手法で開発されてきた半導体量子ドットの現状を比較している。特に、コロイド状の半導体量子ドットの欠点である ...

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近接場磁気光学顕微鏡の現状と課題

... 佐藤勝昭 ( 農工大工 ) 1. はじめに近年、磁気記録の高密度化や磁性微細構造に特有の物性の発現に伴い、サブミクロン∼ナノメーターサイズの微小領域における磁性を観測する技術の開発が求められている。従来から、磁気力顕微鏡、電子線ホログラフィ法などの観測技術が開発されているが、いずれも磁性体付近の磁束を観測する手段 ...

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半導体結晶の光学的評価：光学スペクトルから結晶を観る

... 簡便で非破壊なプローブである光によって半導体結晶を評価することは、電子状態［バンド構造と励起子（励起された電子・正孔のクーロン束縛状態）］と格子振動（フォノン）を光学スペクトルとして観測することに帰結する。電子状態の評価については、熱的攪乱を防ぐために極低温での測定が必須であり、 ...

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内容 1. 化学結合 2. 種類と特性 3. 反応の種類 4. 反応機構 5. 高分子材料の特性 6. 高分子合成 7. 有機構造解析

... ・物質に光を照射すると、その物質の分子構造により特定の波長の光を吸収します。・これは、その分子の基底状態にある電子が光エネルギーを吸収して励起状態に遷移（電子遷移）することにより起こり、吸収スペクトルは物質特有です。 ...

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光学

... その複合素子が使われる 6）．このうち，MEMS， DMD はその原理上偏向特性に偏光依存性はないが，LC と LCOS では液晶のもつ屈折率異方特性により強い偏光依存性を示すため，偏向素子への入力偏波を制御する偏波制御素子が必要となる．また，一般的に MEMS，LC では各 WDM 信号光に 1 ...

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光学

... 働く．前述のように，OCT の侵達は表面からわずか数 mm である．しかし，眼球において「表面」とは，角膜の表面のことではない．OCT の計測対象である網膜は眼球の表面から約 24 mm の深さに位置しているが，表面から網膜の間に存在する組織（角膜，房水，水晶体，硝子体） ...

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光学

... mm の立方体をキャリブレーション用物体として円筒型スクリーンの中央に置き，プロジェクターから格子模様を投影し，格子点が投影された実空間の位置を調べることにより求める． 5 台のプロジェクターから，図 4（a）に示すおのおの異なる視点からの画像を投影した．単一のプロジェクターから図 ...

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光学

... で対応する画素が対象領域内ですべて同じ輝度値をもっているときに，相関値ゼロで最小値となる．また，SAD で用いる各画素の輝度値を，対象領域内の輝度値の平均値で差し引いた輝度値に置き換える ZSAD（ zero-mean SAD ）や，輝度値を正規化した相関値で類似度を算出する正規化相互相関等もあり，それぞれ輝度のオフセットずれやガウ ...

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光学

... a r 2 cos q 離で，明るさは距離の二乗に反比例することに対応する．プロジェクターから E o の光を受け取ったこの面素は，さまざまな方向に光を反射する．方向による反射強度は，この物体表面の材質等が決める反射特性によって最終的に決まる．最も単純なランバート面（あらゆる方向に等しく ...

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光学

... れ，のいずれかを利用している（図 1 参照）．（ a ）は，対象に投影した光が反射して戻ってくる時間を測定し，光の速度を掛け（て 2 で割）ることで距離を得るというものであり，飛行時間法（TOF 法，time-of-flight method ）とよばれている．超音波やマイクロ波を用いた距離計測と同じ原理である．実用化されているセンサーの ...

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光学

... 造が形成されるが，InAs と GaAs の格子定数差を利用しているため，格子歪みが結晶内に残留する．多積層化すると格子歪みがさらに蓄積され，結晶内に転位や欠陥が生じる．したがって InAs 量子ドット数層の積層は可能であるが，太陽電池構造に必要な多積層成長は不可能となる．例えば，InAs 量子ドット層を GaAs バリア層 20 nm で 4 層積 ...

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GaInNAs エピ成長における熱処理が光学特性へ与える影響

... 3 となる。ここでは、 C j 、 ϕ j 、E g j 、Γ j 、をパラメータとしてフィッティングを行い、それらの値を求めた。図中矢印で示した位置はこの解析によって求めたバンド端遷移エネルギー Eg に対応している。その結果、いずれのシーケンスにおいても、熱処理温度を増加させるにしたがって、バンド端遷移エネルギー Eg が増加した。この結果は、熱処理におけるバンドギャッ ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... 大きな要因となっており、その生成機構の詳細な知見がデバイス性能向上に不可欠と言われている。他方、結晶表面の加工には機械的・化学的研磨が施される。ダメージを与えない加工方法の研究開発が進められているが、端緒についたばかりで決定的な手法は見つかっていない。現状では、研磨によってどの様な欠陥が ...

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ワイドギャップ半導体の光学的特性評価

... た量が異なるという期待どおりの結果であった。転位線の侵入深さは、 #8000 で 2~300 ナノメートルであったのに対して #4000 では 400 ナノメートルと後者の方が深くまで転位が侵入していたが、 #8000 研磨でも、長時間研磨（最終試料厚さが薄い）により転位線がより深くまで到達していることが認められたため精査が必要である。 ...

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微視結晶組織を制御した金属ナノ構造とその表面プラズモンの光学特性に関する研究-香川大学学術情報リポジトリ

... めての研究成果事例となる。また、FIBのイオン源をGaからHeに変更することで、当該分野の最高水準である最小50 nmの単一の単結晶ナノピラー構造と、二量体構造間のギャップ間距離8 nmの作製に成功した。 ...

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ワイドギャップ半導体の光学特性評価

... 前年度の研究では、 GaN と同様の研磨特性を評価したところ、歪みによるとされる PL ピークエネルギーシフトは検出されなかった。また、共鳴ラマン散乱の実験でも格子振動モードの変化が見られなかった。この理由を明らかにするため、詳細を検討した。 ...

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PureAccess®-R5 の光学特性と

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