電子状態計算による解析
第一原理計算によるグラファイトおよびカーボンナノチューブの電子状態計算
... これによってチューブのユニットセル内の炭素原子数は 2N となる。 2.3 背景 第一原理計算とは、シュレディンガー方程式を経験的なパラメータを用いずに数学的に 解くことによって、理論的に電子状態を表すことであるが。多電子系における電子の位置 を交換することによって起こる多体波動関数の正負の反転により、多数の原子の結晶では ...
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において 特定電子計算機 が客体としておかれている 特定電子計算機 については 法 2 条 1 項の中で 電気通信回線に接続している電子計算機 とされている 電気通信回線とは インターネット等のネットワーク回線であり 電子計算機は コンピュータをいう したがって 特定電子計算機は ネットワーク回線に
... Stuxnet のような、インターネットを介さない方法での感染経路は、侵入態様として不正 アクセス禁止法の本来想定するところではなかったといえる。被害者による間接正犯の構 成によっては、そこに加害者と別のものが介在するという点で、道具的利用等、成立要件 の不充足を起こすおそれもある。このような事態に対処できるようにするためにも、立法 による早急の改善がなされるべきであると考える。 ...
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海洋科学研究用電子計算機システム
... ⑤ マシンの状態を確認する場合は llstatus コマンドを実行します。 $ llstatus Name Schedd InQ Act Startd Run LdAvg Idle Arch OpSys p710 Avail 0 0 None 0 0.03 6846 R6000 AIX71 p750a Avail 0 0 None 0 0.00 197 R6000 AIX71 p750b Avail 0 0 Idle 0 ...
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ショットキー放出型電子銃の電子軌道解析と収差の評価
... Fig. 4. Numerical model of electrode 70 mm × 70 mm square area 軌道解析には Direct Ray-tracing 法を用いた 5) 。この方法 は電子に働くローレンツ力を微小時間区間で数値積分し て軌道を計算する方法である。微分運動方程式は電荷/質 量比 e/m を含めた時間で規格化した。規格化時間に e/m を ...
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ショットキー放出型電子銃の電子軌道解析と収差の評価
... 虚電子源（the virtual source）は、第２陽極の下から電 子源を眺めたとき、電子軌道が最小断面をもつところに 形成される。虚電子源は「実効的な電子源」 （the effective source）とも呼ばれる。虚電子源が形成される位置は実 際の電子源（the real source）すなわち陰極先端と異なる。 ...
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HOKUGA: Bi骸晶の色と電子状態
... 第３図 Bi柱状結晶 回折による表面結晶構造の実験 ９） と角度分解光電子分光による表面電子状態の実験 １０） について の報告があるだけで，光物性や電磁物性に関する実験の報告は我々の知る限りにおいて存在し ない．従って，応用上重要な膜厚と色相の関係などの干渉特性は不明であり，Biの発色の制御 ...
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Liドープ微少黒鉛クラスターの電子状態
... いて調べ、その状態を解析するということを目的とし、実験を行なった。 様々な大きさのクラスターで最適化構造の計算を行ない、 Li の電荷について調べ、 Li への総電荷移動量を計算することにより、 Li をドープする場所（クラスターの内 部、外部）によって Li の持つ電荷が正、負と違いがでてくることがわかった。 ...
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東濃鉱山広域応力状態の予測解析報告書
... 月吉断層 2,000 0.3 1.8 5.4 境界条件 各解析ケースにおいて境界条件は若干異なるが、全ての解析において地表面は自由変形境界と した。水平方向応力を土被り圧と側圧係数（K）を用いて与える場合（解析ケース：南北− １∼ ６、東西− １∼６）では、下端境界面は鉛直方向拘束でそのうち１点だけ完全拘束とし、両端境 ...
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電子計算機のユーザインターフェイス
... 6 14 14 14 8 5 3 0 0 81 音声入力･認識 2 1 3 5 4 8 12 10 4 3 5 0 0 57 ﾃ ﾞ ｰ ﾀｸﾞ ﾛ ｰ ﾌ ﾞ 入力･認識 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 3 視線入力･認識 1 0 0 0 0 1 1 2 0 0 0 0 0 5 ｾ ﾝ ｻ ｰ 入力(除ﾊ ﾞ ｲ ｵ 認証) 5 6 15 7 11 15 13 15 6 13 1 1 0 108 ﾊ ﾞ ｲ ｵ ...
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SE 検出器の構造と特徴 低エネルギーの二次電子を検出 高分解能試料最表面の状態による二次電子の放出量を反映 表面状態 ( 物質 ) の違いに敏感 高エネルギーの二次電子を検出 試料の形状状態を反映 表面形状に敏感 像形成している二次電子のエネルギーが異なる SE2 像 In-lends
... 信頼性試験から解析まで一貫対応 信頼性試験（加速試験、冷熱衝撃試験）後、すぐに解析 信頼性試験 ａ）封止樹脂／ﾀﾞｲﾊﾟｯﾄﾞ界面 ｂ）封止樹脂／ｿﾙﾀﾞｰﾚｼﾞｽﾄ界面 ｃ）封止樹脂／ﾁｯﾌﾟﾎﾟﾘｲﾐﾄﾞ界面 ...
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第一原理計算による格子不安定マップの構築：IV族hcp，VI族bcc，XI族fcc金属の解析
... を行う「デジタルエンジニアリング」に最も期待されている解析手法である. しかし ながら計算量が膨大となるため，現時点では数十∼数百程度の原子に，周期性を仮定 した解析にならざるを得ない. そのように自由度が低い「静力学的な」解析では引張下 の応力-ひずみ関係を求めた場合，引張強度を過大に評価する可能性がある. 図 1.1 は それを模式的に示したものである. ...
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ショットキー陰極電子銃の電界および電子軌道解析
... 先端の電界強度分布を図 4 に示す。横軸は図 5 に示す ように陰極先端光軸上の位置を 0 °として角度 θ でとって いる。縦軸は電界を先端（ θ = 0 °）の電界強度で規格化 した値である。ファセット部の電界強度は光軸から離れ るとともに大きくなり、ファセット端（ θ = 17.5 °）で最 大になる。ファセット端を過ぎると電界強度は減少する。 図 4 は先端曲率半径が異なる場合でもファセット部を 40 分割、球状部を 20 ...
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CRAY X-MP上での電子軌道計算
... 終わりに CRAYX-MP ベクトルーパイプライン・スーパー コンビュータ上で電子光学系内の電子軌道計算を実 行した。使用した計算法は，回転軸対称電磁界中の 3 次元電子軌道を求める軌道計算法と，電極表面上 に分布する電荷を数値積分する電界計算法，解析解 を使用した磁界計算からなる。軌道計算時間の大半 は電界計算に費やされる。 CRAY 上で、はスカラーー コード・アル[r] ...
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第1章 TINA-TIによる電子回路解析の基本 1.1 電気回路の基礎と受動素子
... 回路が抵抗素子だけで構成される場合は回路方程式が代数方程式になります。回路に電気的エネルギーの充放電を伴うインダ クターやコンデンサやなどのリアクタンスが含まれる場合は、回路方程式が線形微分方程式となります。さらに、回路にダイ オードやトランジスタなどの非線形素子を含む場合は、回路方程式が非線形微分方程式となります。 TINA-TI では十分に検証 された先進のアルゴリズムにより、これらの複雑な回路方程式を計算しています。 ...
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電子計算機センター 分子研リポート1998 | 分子科学研究所
... ab-inito 計算よ り高いこと，R R K M による見積りでポテンシャル面の非調和性が十分に考慮されなかったこと，あるいは，反応 で生成される C H3C O ラジカルの過剰エネルギーの分布が偏っていることなどが示唆される。我々は，V al ence B ond型のモデル電子ハミルトニアンをトラジェクトリーの各ステップで対角化して得られたポテンシャル面上に おいて，IV R ...
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電子計算機室 分子研リポート2000 | 分子科学研究所
... b) 大気環境化学に関連する素反応の理論的研究 ： フッ化炭化水素 （HF C ） またはフッ素化エーテル類とOHラジカルと の反応は， フロンの地球温暖化への影響等に関与する大気化学における重要な素反応である。 高精度の非経験的分 子軌道計算によりメタン系及びエタン系 HF C ， フッ素化エーテル類と OH との反応経路を決定し， 変分的遷移状態 理論により反応速度定数求めた。 ...
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電子計算機センター 分子研リポート1999 | 分子科学研究所
... c) 分子軌道並列計算手法の開発研究:非経験的MC SC F 計算と分子動力学手法を組み合わせ， 多原子分子のポテンシャ ルエネルギー曲面の情報を電子状態計算から直接取得するための新たな手法を開発し，モデル計算として，イオ ン分子反応 C + H3 + ...
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Title 電子顕微鏡による半導体デバイスの解析技術に関する研究 Author(s) 朝山, 匡一郎 Citation Issue Date Text Version ETD URL DOI Rights Osaka Universit
... 移金属中の電子密度の評価に用いられた例がある (40) 。我々はこの手法を Ni シリサイドに適用 した。図４．４．１２に Branching Ratio の評価方法を示す。まず Ni のコアロススペクトルからバッ クグラウンドを除去するが、ここで言うバックグラウンドには２種類あって、一つは EELS スペクト ルの散漫散乱にあたるバックグラウンドで、もうひとつはスペクトル＝バルク内に存在する原子 ...
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RTKLIBによる解析
... ✓ GNSS Radar: http://www.taroz.net/GNSS-Radar.html • Baseの絶対座標を得る方法の選択：【重要】Base座標にかかわらず基線ベクトルは一定 1. 既知点上に設置する（Base座標を計測により求める作業は不要） 2. 電子基準点からPPKでBase座標を求める（電子基準点をBase、ユーザーBaseをRoverとしてPPK解析） 3. ...
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電子部品はんだ接合部の熱疲労寿命解析
... はんだ接合部の熱疲労に対する信頼性は，現状， 温度サイクル試験によって評価されている １） 。こ の試験は実際の機器に温度変化を繰り返し与える という点で有効な方法であるが，試験に時間がか かる ( 1000サイクル程度の評価に1∼2ヶ月を要す る ) ため，製品開発の初期の段階から試作と試験 を繰り返すと開発期間が非常に長くなってしま う。また，この試験では，はんだにき裂が発生す るか否かの判定はできるが，き裂が発生した場合 ...
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