製品ライフサイクルモデルと半導体
3C3-4 モデルのライフサイクルを考慮した大量予測モデル管理手法の検討
... 本研究の他にモデルライフサイクル管理に取り組んでい る事例と我々の立場について述べる． SAS 社の SAS Model Manager[SAS] では，各モデルの予測精度の劣化状況を可視化 することで運用者に対してモデルの更新を促す機能を提供して いる．また Crankshaw らは運用の完全自動化を目指し，学習 ...
4
半導体産業の東アジア域内における棲み分けと分業
... 企業にとって，ファウンドリー専業メーカーの一番のメリットは，ファブレス企業と競合し ない点である。 前述のように，1980 年代にはすでにアメリカで半導体設計専業のファブレス企業が現れ ていたが，TSMC が設立される以前はウエハー加工を行っていたのは IDM のみだったため， IDM に製造を委託するしかなかった。しかし，IDM にとってファウンドリー事業は副業に ...
28
話題 製品ライフサイクルにおける化学リスクの評価と制御 ( アプローチ方法とケーススタディー ) リスク ( ハザード ) の分析学的測定方法論 ( 化学分析とバイオアッセイの併用 アッセイの今後 ) 震災と化学物質汚染 ( 迅速な化学リスク評価が求められた事例と対応 )
... 話題 • 製品ライフサイクルにおける化学リスクの評価 と制御（アプローチ方法とケーススタディー） • リスク（ハザード）の分析学的測定方法論（化学 分析とバイオアッセイの併用、アッセイの今後） • 震災と化学物質汚染（迅速な化学リスク評価が ...
38
自動車におけるライフサイクルアセスメントの現状
... ここでは，フォード社の乗用車モンデオ2.0iに 搭載された吸気マニホールドの例を紹介する。選 ばれた材料は，Al-10wt%Si-2wt%Cu合金とガラス 繊維を35wt%含むポリアミド66の2種類である。 部品重量はAl鋳物製が6.5kg，樹脂製が2.6kgであ る。Al鋳物製では回収された使用済みのマニホー ルドが原料として再利用されるのに対し，樹脂製 では原油もしくは天然ガスからスタートして，ヘ ...
12
製品含有化学物質に関する指針 半導体製品編 第 5 版 2013 年 2 月 20 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 [ MGn5001 付属書 2 ]
... 音圧レベル100 dB (A)以上の高出力ラウドスピーカに使用されるトランスデューサ中の ヴォイスコイル上に直接位置する電子コンダクタへの電気的/機械的はんだジョイントと してのカドミウム合金 31 水銀フリーのフラット蛍光ランプ（例えばLCD、デザインまたは産業用照明に使用される もの）のはんだ材中の鉛 32 アルゴンおよびクリプトンレーザ管用のウィンドアセンブリに使用されるシールフリット中 の鉛酸化物 33 ...
24
vol.005 Bee Style: Sep 2009:Bee Technologies 新製品情報 デバイスモデル [ ショットキバリアダイオード ] スタンダード モデルプロフェッショナル モデル [ フォトカプラ ] デザインキット擬似共振電源回路 道具箱 gunplot 株式会社ビー テクノ
... trr: 逆回復時間の名称です。trr=trj+trbの関係があります。trrについては、Bee Style:vol.002をご参照下さい。 RCC: Ringing Choke Converter では、ショットキバリアダイオードは重金属の 為、逆回復時間はゼロと見なし、TT=0とする事 が多いのですが、最近(2007年頃)では、半導 体企業によっては、trrをデータシートに記載し ...
7
窒化物半導体の展開－結晶基板とデバイス－
... 特別論文 得ることが出来た。 それに対して、1980 年台末から大きな進展を見たのが、 窒化ガリウム（GaN）を初めとする窒化物系の化合物半導 体である。これは、前述の化合物半導体と同じⅢ-Ⅴ族半導 体であり、Ⅲ族元素として Ga、In、Al からなるが、Ⅴ族 元素がそれまでとは違った N（窒素）で構成されている。 しかも結晶構造は、六方晶系のウルツ型であり、前述の GaAs ...
10
目次 第 1 部半導体デバイスモデリング... 5 第 1 章序章 研究背景 研究目的 半導体デバイスモデリングとは... 9 第 2 章半導体デバイスの劣化現象 Hot-Carrier-Injection (HCI) とは.
... 図 5.1 に劣化測定アプリケーションの全体像を示す。「測定プログラム起動」をクリック すると、User Interface (UI) が起動する。図 5.2 に各種 I-V 測定の設定画面を示す。タブ をクリックすることにより、各種 I-V 測定 (I DS -V GS 測定，I DS -V DS 測定，HCI ストレス条 件) の測定条件を設定することができる。バイアス電圧の設定条件を検討する際に各 I-V 測 ...
93
「HP Pavilionシリーズ」夏モデル製品スペック一覧表
... 添付ソフトウェアのサポート期間は、それぞれのソフトの保証期間に準じます。 グラフィックカード使用時はオンボードのVGA端子は使用できません。 15in1メディアスロット対応可能なメディアは、下記の15種類となります。 1. コンパクトフラッシュ™ （Type I） 2. コンパクトフラッシュ™ （Type II） 3. マイクロドライブ 4. スマートメディア（SM） 5. マルチメディアカード™（MMC） 6. ...
8
PCライフサイクルの管理：生産性とIT効率の向上
... クラウド・コンピューティング サービ スを提 供 する方 法（ 具 体 的 には、 インテルのエンタープライズ・プライベート・ クラウドを利用するか、パブリッククラウドに アウトソーシングするか）を問わず、全機能を 装備したクライアントのパフォーマンスを十分 に発揮させることができれば、多彩なアプリ ケーションを実行できる柔軟性と最高のユー ザー体験が得られることが分かりました。オ ...
10
RIETI - 半導体生産方式におけるＵＭＣＪの強さを分析：トヨタ生産方式の半導体版？
... Key となってきたのである。それには半導体は特別なのだという固定観念、神 話を打破することが大事であるが一部にその動きも出始めている。」（ＳＴＲＪ（２００２）） 本論の目的は、以上の現状認識に基づきつつ、我が国半導体デバイスメーカーの製造・生 産技術部門のありうべき再生・強化策を、ＵＭＣＪの生産システムを通して探ることである。 2 ＵＭ ...
20
半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象の解明とその対策
... 生産の歩留まりを低くしている。本研究は、 半導体デバイス製造のウエットプロセスにおける帯電・放電現象を解 明し、その対策を行うものである。現在まで、生産工程において、このような帯電、放電現象による静電気障害の対 策は経験的に行われ、要因を解明し、体系化することが難しかった。本研究は、問題となる生産工程を絞り込み、そ の工程における ESD ...
2
リンドープｎ型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化
... 型ダイヤモンド半導体界面にも高いショットキー障壁が存在するこ とが予想される。 図 5.19 グラファイト電極と従来の Ti 電極における電極間全抵抗の電極間隔依存性 ...μA と固定したときの電極間全抵抗の電極間隔依存を示す。グラファイト電極 の方が従来の Ti 電極よりも全体的に抵抗が小さいことが分かる。また、傾きが同程度であることから、 ...
117
平成２１年度ライフサイクルコスト管理年次報告書
... ７ 今後の課題 適切な機能・性能を持つ装備品を適切なコストで調達・運用・維持していくというライ フサイクル全体に対する最適化を実現するためには、LCC の算定精度を向上させることが重 要である。そのためには LCC 算定要員の教育と、組織横断的な協力関係による情報共有、 そして過去の装備品に関する各種データを収集・整理・蓄積してデータベースとして一元 的に管理することが必要である。 ...
24
Powered by TCPDF ( Title ヘドニック価格関数と製品差別化市場モデル : 文献サーベイ Sub Title Hedonic price functions and product-differentiated market models : surv
... り除いて隣接財に限定されない他製品との代 替関係を表現するための定式化である。 また， 供 給 関 数 に つ い て は Bresnahan (1987 ) らの 方法と同様に，限界費用が製品特性の線形関 数になると特定化した利潤最大化問題の一階 条件から価格を製品特性と企業ダミーと距離 の関数として導出した。 ...
18
目次 油圧空気圧用機器関連製品 2 油圧用パッキンの種類と特長 2 空気圧用パッキンの種類と特長 3 バルカー 4 バルカー 4 カラー 4 ニューラバフロン 4 半導体産業関連製品 5 アーマー シリーズ 5 フローリッツ シリーズ 6 アーキュリー シリーズ 7 バルフロンクリスタルラバー 7
... 1964年（昭和39年）には、航空機用OリングMIL-P-5516Ｂ Class B AN6227、AN6230油圧用Oリングの防衛庁認定を得、 MIL規格航空機用Oリングの生産を開始しました。 現在も航空機用パッキンを初め、一般工業用、原子力用、半導体 製造用などあらゆる産業用として、厳しい品質管理のもと、生産 しております。 ...
24
価格競争ライフサイクル
... ② 価格競争最盛期：販売店数が増加し続け，最安値に明瞭な下落トレンドがある期間を 「価格競争最盛期」と命名した。期初に最安値の急落が生じるが，これは期初の最安値 が高く販売価格切り下げの余地が大きいところに商品の供給が伴い，価格志向の強い販 売店がマージンの大きさを材料にして販売価格を大きく引き下げるためと考えられる。 その後も販売店数が増加し続けることもあり，最安値は期初程ではないものの，下落ト ...
15
ブランド価値ダイナミクス・モデルの基礎的拡張 : 製品数の拡大効果と製品選択の時間差効果
... この研究課題に解答すべく，まず，1 つの理論枠組を採用した。すなわち，それは Niklas Luhmann が提唱している社会システム理論（Luhmann, 1984; 1986; 1998; Kneer and Nassehi, 1999; 長岡, 2006）である。紙幅の制限があるために，その詳細をレビューすることはできない ものの，端的にこの理論の概要を述べるならば次のとおりである ６） 。まず，彼は，唯一社会的な ...
20
不揮発性半導体メモリに適用する薄いSiN膜の形成法と電荷捕獲中心モデルに関する研究-香川大学学術情報リポジトリ
... 第６章 SiN 膜の電荷捕獲中心起因の検討 6.1 電荷捕獲中心における 水素終端（H-Si），弱結合（Si-Si）モデル CVD 法による SiN 膜の成長過程において膜表面の Si 原子は H 終端されていると考 えられる．成膜ガスの挿入反応と H 脱離の反応を考慮すると，表面反応しそこなった Si-H 結合は膜中に取り残されることになる．また，ガス流量比の条件によって ...
91
使用済み製品の引取と不法投棄の内部化政策：基本モデル
... 別リサイクル法」 3 が次々施行されている。 リサイクルに要する諸費用の負担（支払）方法は，個別リサイクル法によっ てそれぞれ異なる。例えば「家電リサイクル法」 4 は，消費者および事業者が使 用済みの家電製品を排出する際に，「引取料金」 5 を支払うしくみを採用してい る。また，２００３年１０月１日より，それまでは自治体で粗大ごみとして収集され ていた使用済みの家庭系パソコンが，メーカーによって有償で回収されるよう ...
14